「ショットキー接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

このゲート電極７は、前述の半導体層３と反応すると共に、導電性半導体層３とショットキー接合をする金属が用いられる。例文帳に追加

For this gate electrodes 7, metal is used which reacts on the semiconductor layer 3 and has Schottky junction with the conductive semiconductor layer 3. - 特許庁

第２のトレンチの側壁において、第２の主電極と、第１の半導体層と、によるショットキー接合が形成されている。例文帳に追加

Schottky junctions are formed between the second main electrode and the first semiconductor layer on the side surfaces of the second trench. - 特許庁

また、ＳｉＣダイオードをショットキー型ダイオード、ＳｉダイオードをＰＮ接合型ダイオードまたはＰＩＮ型ダイオードとする。例文帳に追加

Further, a Schottky diode is used as the SiC diode and a PN junction diode or PIN diode is used as the Si diode. - 特許庁

下部電極６は、シリコン系基板２とショットキー接合を有し、仕事関数の大きい金属または合金から構成されている。例文帳に追加

The lower electrode 6 has the silicon system substrate 2 and the Schottky junction, and is composed of metal or metal alloy having the large work function. - 特許庁

ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型ＳＢＤ半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a horizontal Schottky barrier diode (SBD) semiconductor device which operates fast by reducing Schottky junction capacitance. - 特許庁

半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide semiconductor devices, and particularly, semiconductor devices which incorporate a metal-semiconductor rectifying junction, such as Schottky diodes. - 特許庁

前記第二トレンチ６b内にソース電極９を形成して第二トレンチ６b底部にショットキー接合を形成する。例文帳に追加

A source electrode 9 is formed in the second trench 6b to form a Schottky junction at a bottom part of the second trench 6b. - 特許庁

このフィールド絶縁膜５を貫通して、ＳｉＣエピタキシャル層４の表面に、アノード電極７をショットキー接合させる。例文帳に追加

An anode electrode 7 is Schottky-joined onto a first surface of the SiC epitaxial layer 4 so as to penetrate the field insulating film 5. - 特許庁

複雑な工程や処理を追加することなく、ショットキーダイオードやｐｎ接合ダイオードの逆方向耐圧を改善する。例文帳に追加

To improve backward breakdown voltage of a Schottky diode or a pn junction diode without adding an intricate step or processing. - 特許庁

ＳｉＣ層２の全面に接合するように、アノード電極となるショットキーバリア金属３が形成されている。例文帳に追加

A Schottky barrier metal 3 as an anode electrode is formed so as to join to the entire face of the SiC layer 2. - 特許庁

２つの金属層のショットキー接合面積比により、ＶＦ、ＩＲ特性が詳細なレンジで制御できる。例文帳に追加

The VF, IR characteristics can be controlled in the detailed ranges by a Schottky junction area ratio of the two metal layers. - 特許庁

ＡｌＧａＮ層１４に、高窒化率のＴａＮ層２２を積層し、良好な特性のショットキー接合を得る。例文帳に追加

A TaN layer 22 having a high nitriding rate is stacked on an AlGaN layer 14 to obtain a Schottky junction having good characteristics. - 特許庁

このショットキー接合部分が、半導体基板１７におけるダイヤフラム領域１８に含まれており、圧力を感知する領域となる。例文帳に追加

This Schottky junction part is included in the diaphragm region 18 of the semiconductor substrate 17 and becomes the region for sensing pressure. - 特許庁

このショットキー接合部分が、ｎ型半導体基板３におけるダイヤフラム部５に含まれており、圧力を感知する領域となる。例文帳に追加

This Schottky junction part is included in the diaphragm part 5 in the n-type semiconductor substrate 3 to form a region for sensing pressure. - 特許庁

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する。例文帳に追加

To block the current conduction of a built-in PiN diode in a junction barrier Schottky (JBS) structure. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのソース領域の濃度を低減し、ソース領域と電極層（ソース電極層）間にショットキー接合を形成する。例文帳に追加

The density of the source region of the MOSFET is reduced, and a Schottky junction is formed between the source region and an electrode layer (source electrode layer). - 特許庁

ＳＢＤ２０のショットキー接合は、ＳＪＭＯＳＦＥＴ１７の複数のベース領域４の間に形成されている。例文帳に追加

The Schottky junction of the SBD 20 is formed between the plurality of base regions 4 of the SJMOSFET 17. - 特許庁

ショットキー接合ゲート型の電界効果トランジスタの製造工程でゲート電極の剥がれや折れを完全に防止する。例文帳に追加

To prevent peeling and breakage of a gate electrode in a manufacturing process of a Schottky junction gate type field-effect transistor. - 特許庁

ソース７ａまたはドレイン７ｂ又はソース７ａ／ドレイン７ｂの両方に、強磁性体と強磁性半導体とのショットキー接合を用いる。例文帳に追加

A Shottky junction of a ferromagnetic body and a ferromagnetic semiconductor is employed in the source 7a and/or the drain 7b. - 特許庁

横型の素子のためショットキー接合の面積を十分大きく取ることができず、順方向電圧降下が十分低減できない。例文帳に追加

To reduce a forward voltage drop by increasing the area of a Schottky junction for a horizontal element. - 特許庁

ｎ電極１の直下に相当する部分のＺｎＯ層がショットキー接合となるように構成する。例文帳に追加

Further, the portion of the ZnO layer which is present correspondingly just under the n-electrode 1 is constituted to become a Schottky junction. - 特許庁

ショットキー接合電極の耐熱性を改善し、パワー性能、信頼性に優れたＧａＮ系半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN-based semiconductor device that is excellent in power performance and reliability by improving the heat resistance of a Schottky junction electrode. - 特許庁

ソース電極７０とＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面とは、ショットキー接合を形成する。例文帳に追加

The surface of the source electrode 70 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 form shot key junction. - 特許庁

ショットキー接合面での電界を緩和して耐圧を向上させつつ、順バイアス時のオン抵抗を下げることができる。例文帳に追加

To reduce on-resistance at forward bias while improving breakdown strength by reducing an electric field on a Schottky junction. - 特許庁

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。例文帳に追加

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light. - 特許庁

ゲート間ギャップの小さいショットキー接合型の電荷結合素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky junction type charge coupled device which has an inter-gate gap, and its manufacture. - 特許庁

ショットキー接合界面に欠陥が生じてしまうおそれを低減し、ソフトリカバリー特性を向上させる。例文帳に追加

To enhance a soft recovery characteristic by reducing the possibility of generation of a defect in a Schottky junction interface. - 特許庁

ショットキー接合型電界効果型トランジスタにおいて、高耐圧特性を実現することを目的とする。例文帳に追加

To realize a high breakdown voltage in a Schottky junction type field effect transistor. - 特許庁

ショットキーバリアダイオード２１のカソードは、第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのカソードに接続されている。例文帳に追加

A cathode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a cathode of the first PN junction diode 11a. - 特許庁

バイポーラデバイスであるＰＮ接合ダイオード１１ａに、ユニポーラデバイスであるショットキーバリアダイオード２１が並列に接続されている。例文帳に追加

A first Schottky barrier diode 21 as an unipolar device is connected in parallel to a first PN junction diode 11a as a bipolar device. - 特許庁

ショットキー接合の逆方向特性についての信頼性が高い半導体素子を実現可能な、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial substrate for semiconductor device capable of realizing a semiconductor device having high reliability in reverse characteristics of Schottky junction. - 特許庁

ドレイン電極２６とゲート電極２８との間に設けられたＳＢＤ金属電極３０がＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されている。例文帳に追加

An SBD metal electrode 30 provided between a drain electrode 26 and a gate electrode 28 is Schottky-joined to an AlGaN layer 20. - 特許庁

表面Ｍｏ電極は、９００℃以上のシンター処理を行っても、半導体基板とのショットキー接合を確保できる。例文帳に追加

The surface Mo electrode can secure the Schottky junction with the semiconductor substrate even when subjected to the sintering processing at 900°C or higher. - 特許庁

ショットキー接合部の面積の減少を防ぐことができるとともに、簡便なプロセスで低コストの半導体装置を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is capable of preventing reduction in Schottky junction area and is manufactured at low cost with simple processes. - 特許庁

なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。例文帳に追加

Meanwhile, for the laminated structure, an MOS structure, a Schottky junction structure, a heterostructure, or their combination can be used. - 特許庁

それによって、実質的なｐ半導体領域１３の隣り合う間隔が、主面において広くなり、かつある深さにおいて狭くなるようにし、ショットキー接合部を広くするとともに、逆バイアス時にショットキー接合部が容易にピンチオフされるようにする。例文帳に追加

Thus, the adjacent interval of the practical p-type semiconductor regions 13 is made to become wide on a main surface and narrow at a certain depth, the Schottky junction part is widened, and the Schottky junction part is easily pinched off at reverse bias. - 特許庁

テラヘルツ波発生層２の少なくとも一部は、励起光４が入射してくる側とその反対側とのテラヘルツ波発生層２の面と交わる面において電極３とショットキー接合部を形成し、ショットキー接合部に励起光４が照射される。例文帳に追加

The electrode 3 and a Schottky junction portion are formed on a side surface on which the exciting light 4 is incident and its opposite side surface of at least a portion of the terahertz wave generating layer 2, and the Schottky junction portion is irradiated with the exciting light 4. - 特許庁

一端がゲートバイアスライン１６を介してショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート端子と接続され、他端がショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧端子２０と接続されているゲート電圧抑制用抵抗２１を設けるように構成する。例文帳に追加

A resistor 21 for gate voltage suppression is provided, of which the one terminal is connected with a gate terminal of a Schottky junction FET 13 via a gate bias line 16 and of which the another terminal is connected with a gate voltage terminal 20 of the Schottky junction FET 13. - 特許庁

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation). - 特許庁

ショットキーバリアダイオードのカソード領域の不純物濃度を、ショットキ接合近傍とカソード電極近傍で変え、さらにカソード電極をトレンチ構造と高濃度多結晶シリコンを用いることにより、高性能なショットキーバリアダイオードを形成できることを特徴とする。例文帳に追加

The Schottky barrier diode which has high performance can be formed by varying the impurity density of the cathode area of the Schottky barrier diode nearby its Schottky junction and cathode electrode and further using a trench structure and heavily doped polycrystalline silicon for the cathode electrode. - 特許庁

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。例文帳に追加

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region. - 特許庁

ULSIに有用なショットキー・トンネル接合を利用した電界効果型トランジスタ（ショットキー障壁型MOS FET ）の製造において、ゲート電極やゲート絶縁膜の金属及び金属酸化物が高温プロセスにより劣化するのを防止する。例文帳に追加

To prevent a deterioration of a metal and a metal oxide of a gate electrode or a gate insulating film due to a high temperature process, in manufacturing a field effect transistor (Schottky barrier MOSFET) utilizing a Schottky tunnel junction useful for an ULSI. - 特許庁

ショットキー接合面積を確保しながらアノード電極面積を縮小し、それに伴う逆方向リーク電流の増大を分離埋め込み層により抑制し、しかも、順方向の直線性を良好に維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier diode that reduces the anode electrode area, while ensuring a Schottky junction area, suppresses the increase in the reverse leakage current accompanying the reduction in the anode electrode area by an isolation embedded layer, and further can appropriately maintain linearity in the forward direction. - 特許庁

逆阻止ＩＧＢＴのｐベース領域３に挟まれたｎ^- ドリフト領域１の露出した箇所の一部領域とエミッタ電極１０の一部領域をショットキー接触（ショットキー接合１１）させることで、逆漏れ電流とオン電圧を共に低減することができる。例文帳に追加

Both the reverse leak current and the on voltage are reduced by bringing a partial region at an exposed part of an n^- drift region 1 between p-base regions 3 of a reverse block IGBT, and a partial region of an emitter electrode 10 into Schottky contact (Schottky junction 11). - 特許庁

ショットキー障壁貫通単電子トランジスタは、基板１００上に形成された絶縁層１１０と、ソース／ドレイン領域１２０ａ／１２０ｂの少なくとも一部分はシリサイド化されてチャネル領域１２０ｂとショットキー接合される。例文帳に追加

In the Schottky barrier penetration single electronic transistor, a silicide formation is carried out concerning at least one part of an insulating layer 110 and source/drain regions 120a/120b formed on a substrate 100, and consequently a Schottky junction is carried out with a channel region 120c. - 特許庁