「ジボラン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シリコンウェーハの製造装置１は、ジボランからボロンへ熱分解させる過程の途中で生成されるジボラン中間体を反応容器２内のシリコン単結晶基板配置領域Ｒに導入できるようにジボランを加熱するための加熱装置７を備える。例文帳に追加

The manufacturing apparatus 1 for the silicon wafer is equipped with a heating device 7 which heats diborane so that an intermediate body produced halfway in a stage of thermal decomposition from diborane to boron can be introduced in a silicon single-crystal substrate arrangement area R in the reaction container 2. - 特許庁

該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。例文帳に追加

The reduction gas comprises a hydride compound such as diborane, silane or a disilane. - 特許庁

ガスとしてジボランやホスフィンなどの不純物を含む低濃度のガスを用いる。例文帳に追加

The gas used herein is a gas with a low concentration which contains impurities such as diborane or phosphine. - 特許庁

本発明は、ジボランを使用するゲルマニウム膜の低温成長をうまく実現する。例文帳に追加

This invention successfully achieves low temperature growth of germanium films using diboran. - 特許庁

干渉誤差を可及的に抑えつつ、ジボランを高い感度で検出すること。例文帳に追加

To detect diborane at high accuracy while reducing interference errors as low as possible. - 特許庁

ソジウムボロハイドライドとジボランを反応させることで反応中間体であるＮａＢ_2 Ｈ_7 を生成する。例文帳に追加

Sodium borohydride is reacted with diborane to generate NaB_2H_7 as a reaction intermediate. - 特許庁

最初に、ジボランガスが４００℃未満の温度で反応炉内に供給される。例文帳に追加

First, diboran gas is supplied into a reaction chamber at a temperature below 400 DEG C. - 特許庁

不純物である塩化メチルおよびメタンを発生することなく純度の高いジボランを収率良く得ることができ、リサイクル可能な溶媒の歩留りを向上できるジボランの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing diborane which can obtain high purity diborane in a good yield without generating methyl chloride and methane as impurities, and which can improve yield of a recyclable solvent. - 特許庁

粗製ジボランの供給源２から凝縮器７へのジボラン流路８に、相異なる種類の吸着剤３ａ、３ｂ、３ｃを収納した複数の吸着槽４ａ、４ｂ、４ｃが直列に配置される。例文帳に追加

A plurality of the adsorbing tanks 4a, 4b and 4c storing different kinds of the adsorbents 3a, 3b and 3c are arranged in series in a diborane flow path 8 from the supplying source 2 of the crude diborane to a condenser 7. - 特許庁

このような非選択エピタキシャル成長では、原料ガスとして、モノシラン、水素、ジボラン及びゲルマンを用いる。例文帳に追加

In the above nonselective epitaxial growth, monosilane, hydrogen, diborane and germane are used as raw material gas. - 特許庁

第１のバッファタンク５は高濃度ジボランガスを収容し、第２のバッファタンク６は水素ガスを収容する。例文帳に追加

The first buffer tank 5 houses high concentration diborane gas, and the second buffer tank 6 houses hydrogen gas. - 特許庁

ミキサー５で高濃度ジボランガスと水素ガスを混合し、バッファ容器３を経由してユースポイントへ供給する。例文帳に追加

High density diborane gas is mixed with hydrogen gas by the mixer 5 and fed via a buffer container 3 to a use point. - 特許庁

高濃度ジボランガスを水素ガスで希釈してエピタキシャル装置へ供給する混合ガス生成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a mixed gas generating device for diluting high density diborane gas with hydrogen gas, and supplying it to an epitaxial device. - 特許庁

高濃度ジボランガスを水素ガスで希釈してエピタキシャル装置へ供給するガス混合供給装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gas mixing and feeding device for diluting high density diborane gas with hydrogen gas, and for feeding it to an epitaxial device. - 特許庁

その場合に、水素で１００ppmに希釈したジボランガスを、ａ‐Ｓi膜３の成膜を開始してから１５秒間だけ供給する。例文帳に追加

At this time, diborane gas which is diluted with hydrogen gas with a concentration 100 ppm is fed for 15 seconds, after the a-Si film 3 starts to be formed. - 特許庁

第１のパイプ１１と第２のパイプ１２の本数比はジボランガスと水素ガスの設定混合比の割合にする。例文帳に追加

The ratio of the number of the first pipe 11 to the number of the second pipes 12 is set at the set mixing rate of the diborane gas to the hydrogen gas. - 特許庁

ソジウムボロハイドライドと三塩化ホウ素とを反応させた後、更に酸を反応させるジボランの製造方法。例文帳に追加

Disclosed is the method for producing diborane, in which sodium borohydride is allowed to react with boron trichloride and the further to reacting with an acid. - 特許庁

また、成長温度を６５０℃、ジボランの流量を７５ｓｃｃｍに設定し、ゲルマンの流量を３５ｓｃｃｍに設定する。例文帳に追加

Also, the growth temperature is set at 650°C, the flow of diborane is set at 75 sccm and the flow of germane is set at 35 sccm. - 特許庁

ドデカヒドロドデカボレートＢ_12Ｈ_12（２−）の塩の合成に関して費用効果の高い、かつ実質的にジボランを含まない方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process which is effective in cost, and does not substantially contain diboranes for the synthesis of salts of dodecahydrododecarborates B_12H_12(2-). - 特許庁

Ｂ_12Ｈ_12（２−）の塩を製造する費用効果の高い、かつ実質的にジボランを含まない方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cost effective process for producing salts of B_12H_12(2-) that is substantially free of diboranes. - 特許庁

水素アニール中に適度にジボランを添加することによって、ボロンドープされたシリコンウエハのウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の均一化が図れる。例文帳に追加

Boron concentration in the direction of the wafer depth of the wafer surface layer of the boron-doped silicon wafer is equalized by properly adding diborane into hydrogen annealing. - 特許庁

ルイス酸性を有するガス、特に電子工業において利用されるＢＦ_３およびジボラン等の有害なガスを、低圧貯蔵およびデリバリーするシステムを構築する。例文帳に追加

To establish a low-pressure storage and delivery system for gases having Lewis acidity, particularly hazardous gases such as BF_3 and diborane, which are utilized in the electronics industry. - 特許庁

(1) ボロンをドープしたシリコンウェーハを水素とジボラン（Ｂ_2Ｈ_6）の混合ガス雰囲気中で1000℃以上の温度で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing a silicon wafer, the silicon wafer having boron doped therein is heat treated at a temperature of 1000°C or more in an atmosphere of a mixture gas of hydrogen and diborane (B2H6) (1). - 特許庁

ジボラン（Ｂ_2 Ｈ_6 ）ガスを用いる場合において、その分解温度２５０℃以上の気相成長温度とする場合においても、十分使用に耐える気相成長装置を構成する。例文帳に追加

To provide a vapor-phase growth device durable at a vapor-phase growth temperature higher than the decomposition temperature 250°C or above, even when using diborane (B2H6) gas. - 特許庁

ジボランは、所与の温度でそれ自体が分解し、分解後のホウ素が、誘電体、例えばＳｉＯ_２の表面に析出して核形成部位および／またはシード層を形成する。例文帳に追加

The diboran decomposes itself at the given temperature and decomposed boron is attached to the surface of a dielectric, for e.g., SiO2, forming a nucleation site and/or a seed layer. - 特許庁

複数種類の不純物を含有するガス状粗製ジボランを、前記不純物に対する吸着性能が相異なる複数種類の吸着剤３ａ、３ｂ、３ｃに順次接触させ、しかる後に、液化する。例文帳に追加

Gaseous crude diborane containing a plurality of impurities is in contact with a plurality of adsorbents 3a, 3b and 3c which have different adsorption performance to the impurities in order and then liquefied. - 特許庁

ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスを供給して該ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にボロンを内方拡散させて拡散層（１２）を形成する。例文帳に追加

Boron is diffused inward on a polished wafer (14) by supplying a diborane (B_2H_6) gas onto the polished wafer (14) to form a diffusion layer (12). - 特許庁

また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。例文帳に追加

Single crystal hexagonal boron nitride 42 is formed on the sapphire single crystal substrate 41 by a vapor growth method using ammonia which is a group V raw material, and triethyl boron, trimethyl boron, diborane, boron trichloride or boron trifluoride which are group III raw materials. - 特許庁

ジボランガスの供給源とミキサー５を粗混合ライン２ａと微調混合ライン２ｂを有する管路で接続し、水素ガスの供給源とミキサー５を粗混合ライン１０ａと微調混合ライン１０ｂを有する管路で接続する。例文帳に追加

The feeding source of diborane gas and a mixer 5 are connected through a duct having a rough mixing line 2a and a fine adjustment mixing line 2b, and the feeding source of hydrogen gas and the mixer 5 are connected through a duct, having a rough mixing line 10a and a fine adjustment mixing line 10b. - 特許庁

還元剤として水素化ホウ素ナトリウムと水素化金属との混合物を用いることによって、水素化ホウ素ナトリウムから生成するボランおよび／またはジボランの系外への放出のない安全且つ経済的なシラン類の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing silanes, preventing boranes and/or diboranes which are formed out of sodium boron hydride from being discharged to the outside of a reaction system thereof to keep safety and economy, by using a mixture of the sodium boron hydride and a metallic hydride as a reducing agent. - 特許庁

こうすることによって、濃度が安定している１００ppmという比較的高い濃度に希釈したジボランガスを供給しても、ａ‐Ｓi膜３中における上記ボロンの平均濃度を約１Ｅ１２atoms/cm^2程度の低濃度に精度良く設定できる。例文帳に追加

By this setup, even if a comparatively high concentration of diborane gas which is stable in concentration and diluted to have a concentration of 100 ppm is fed, the average concentration of boron contained in the a-Si film 3 can be accurately set at a low value, such as about 1E12 atoms/cm^2 or so. - 特許庁

また、添加されるジボランの濃度を調整することによって、ウエハ表層におけるボロン濃度の分布の調整を行なうことができ、ウエハの深さ方向に向かって濃度変化がフラットになるようにしたり、或いは、徐々に濃度が低下或いは上昇させたりするというような調整が自由にできるようになる。例文帳に追加

The distribution of the boron concentration in the wafer surface layer can be adjusted by controlling the concentration of added diborane, and adjustment is enabled freely in which a concentration change is flattened towards the depthwise direction of the wafer or concentration is lowered or increased gradually. - 特許庁

ボラン（ＢＨ_３）錯体またはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、溶媒中で反応が行われることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the N-alkylborazine is characterized by having a step for reacting borane (BH_3) complex or diborane (B_2H_6) with a nitrile represented by RCN (wherein R is H, alkyl, cycloalkyl, aryl or aralkyl) to synthesize the N-alkylborazine, wherein the reaction is carried out in a solvent. - 特許庁

ボラン（ＢＨ_３）錯体またはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、水分含量が１質量％以下の前記ニトリルが反応に用いられることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the N-alkylborazine is characterized by having a step for reacting borane (BH_3) complex or diborane (B_2H_6) with a nitrile represented by RCN (wherein R is H, alkyl, cycloalkyl, aryl or aralkyl) to synthesize the N-alkylborazine, wherein the nitrile having a water content of ≤1 mass% is used for the reaction. - 特許庁

シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。例文帳に追加

The P-type doped silicon precursor, in which a dopant is bonded to a polymer of cyclopentasilane, is formed by irradiating a cyclopentasilane solution 11 with ultraviolet rays 15 emitted from a high-pressure mercury lamp 14 and including a ray having a first wavelength for radicalizing a dopant and a light having a second wavelength for radicalizing the cyclopentasilane, and at the same time, supplying diborane gas as a dopant gas 16 to the cyclopentasilane solution 11. - 特許庁

チオフェノールの化学官能モディファイヤーによって硫化カドミウムの表面を改質してチオフェノール-硫化カドミウムのナノ粒子を得るとともに、樹枝状構造のモノマーを合成し、得られたモノマーを鈴木カップリング（Suzukicoupling）によりジボラン化合物モノマーと重合し、それぞれの化合物をπ-π相互作用で反応させて結合して側鎖が樹枝状で、かつ化学構造がＰＦ−ＧＸであるコポリフルオレンを得る。例文帳に追加

Thiophenol-cadmium sulfide nanoparticles are obtained by modifying the surface of cadmium sulfide through a thiophenol surfactant, dendritic monomers are composed to be assembled with a monomer of diboron compound through a Suzuki coupling, a banding of the product of the composed monomers and the product of the polymerization are processed by a π-π interaction to obtain a copolyfluorene whose side chain is dendritic and whose chemical structure is PF-GX. - 特許庁