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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ダレスの意味・解説 > ダレスに関連した英語例文

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ダレスを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 63



例文

この構造は、実質的に無キャップのゲート108と、無キャップのゲートに隣接する拡散部116への導電コンタクト134,170とを備え、導電コンタクトは、ゲートに対しボーダレスである電界効果トランジスタ(FET)を含むことができる。例文帳に追加

The structure may comprise a substantially cap-free gate 108 and conductive contacts 134 and 170 to a diffusion part 116 adjacent to the cap-free gate, and the conductive contact may include a field effect transistor (FET) borderless to the gate. - 特許庁

結果物の全面にエッチング阻止層124および層間絶縁膜126を順次に形成した後、これをエッチングして第1コンタクトホール128aおよびボーダレスコンタクト用第2コンタクトホール128bを形成する。例文帳に追加

An etching stop layer 124 and an interlayer insulating film 126 are sequentially formed on the entire surface of a resultant substrate, and then subjected to etching operation to form a first contact hole 128a and a second contact hole 128b for a borderless contact. - 特許庁

メモリセルの制御ゲート電極105上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として窒化珪素膜115を、膜中水素(H_2)濃度が1.5×10^21〜2.6×10^21atoms/cm^3の範囲内となるように形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film 115 is formed as an etching stop layer for the processing of a bottom borderless contact on a control gate electrode 105 of a memory cell so that a hydrogen (H_2) concentration in the film is in a range of 1.5×10^21 to 2.6×10^21 atoms/cm^3. - 特許庁

水素含有ガスの一酸化炭素、窒素、メタン等の不純物を吸着分離する性能に優れた高純度のバインダレス化された低シリカX型ゼオライトを使用して、水素含有ガスから不純物を吸着分離する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for adsorbing and removing impurities from hydrogen gas by using a high purity low silica X type zeolite which is made binderless, that is, substantially free of a binder by transforming the binder component into a zeolite crystal, and is excellent in performance of adsorbing and separating impurities such as carbon monoxide, nitrogen, methane or the like in a hydrogen-containing gas. - 特許庁

例文

積層構造の金属配線界面のサイドエッチング発生を防止して、層間絶縁膜成膜時のボイドを抑制すると共に、その上層のメタル配線との接続のためのコンタクトホールがたとえボーダレス構造であっても、コンタクト抵抗を安定化させることを目的とする。例文帳に追加

To prevent a side etching of the interface between layers of metal wiring and to reduce voids occurred when an interlayer insulation film is formed and to stabilize contact resistance even if a contact hole for connection with a metal wiring layered on the insulation film has a borderless structure. - 特許庁


例文

この構造は、実質的に無キャップのゲート108と、無キャップのゲートに隣接する拡散部116への導電コンタクト134,170とを備え、導電コンタクトは、ゲートに対しボーダレスである電界効果トランジスタ(FET)を含むことができる。例文帳に追加

This structure may include a field effect transistor (FET) having a substantially cap-free gate 108 and conductive contacts 134, 170 to a diffusion 116 adjacent to the cap-free gate, wherein the conductive contacts are borderless to the gate. - 特許庁

層間酸化膜を挟んで形成される上下配線層をプラグを介して接続した多層配線構造の半導体装置において、上層配線層がボーダレス構造となっても、容易で信頼性良くプラグと上層配線層との接触面積を確保する。例文帳に追加

To readily and with excellent reliability ensure a contact area between a plug and an upper layer wiring layer even if the upper layer wiring layer is formed in border-less structure, in a semiconductor device of a multilayer wiring structure in which upper and lower wiring layers formed across an interlayer oxide film are connected to each other via the plug. - 特許庁

リチウムイオン電池において、連続した薄膜塗布電極を製造する方法、液ダレ、スジ発生がない薄膜塗布方式を提供する事により、リチウムイオン電池の急速充電性および大電流放電性を大幅に向上させるためのシート状極板の製造方法ならびにその極板を用いたリチウムイオン電池を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a sheet shape electrode plate for greatly improving rapid charging property and large current discharge property by providing a manufacturing method of a continuous film coated electrode and a film coating method without liquid sag and coating lines, and also to provide a lithium ion battery using the electrode plate. - 特許庁

浮遊ゲート構造のメモリセルを備えてなる半導体装置において、制御ゲート電極上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として、トランジスタの閾値電圧変動を抑制しつつ、歩留りの低下を伴わずに窒化珪素膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a memory cell of a floating gate structure which can form a silicon nitride film without involving reduction in yield while suppressing fluctuations in transistor threshold voltage as an etching stop layer for the processing of a bottom borderless contact on a control gate electrode. - 特許庁

例文

本発明のバインダレスボードは、植物片1がヘミセルロースを含有する草本類の茎部であって、この茎部がチップ状あるいは繊維状に粉砕されることなく互いに平行に配置されるとともに、水分の存在下で加熱加圧成形して、植物片に含まれる接着成分で植物片同士を接着させた構成となっている。例文帳に追加

The binderless board comprises the plant pieces 1 composed of stems of herbage containing hemicellulose, wherein the stems run parallel with each other without being disintegrated into chips or fibers and the plant pieces have been bonded to each other with an adhesive component contained in the plant piece by heating and presuure-molding them in the presence of moisture. - 特許庁

例文

ホルダレスタイプの工具把持機構を備えた工作機械の主軸装置において、工具装着の際に、工具の軸線方向の把持位置に誤差を生じず、主軸の回転軸線と工具の中心軸線とが一致するように工具を把持し、しかも工具の脱着が自動で容易に行えるようにする。例文帳に追加

To provide a main spindle device for a machine tool having a holder- less tool gripping mechanism, capable of mounting a tool without causing an error on a gripping position in the axial direction of a tool, gripping the tool in a state that the axis of rotation of the main spindle is agreed with a central axis of the tool, and automatically and easily mounting and demounting the tool. - 特許庁

ARIとして、フィダレスタット、エパルレスタット、ミナルレスタット、SPR−210、ゼナラスタット若しくはゾポールレスタット、そのプロドラッグ又は前記ARI若しくは前記プロドラッグの薬学的に許容される塩と、抗高血圧剤として、カルシウムチャネル遮断薬、A−IIアンタゴニスト、利尿剤、エンドペプチダーゼ阻害剤、ベータ−アドレナリン作動性受容体遮断薬及びアルファー−アドレナリン作動性受容体遮断薬から選択される化合物を含む医薬組成物を提供する。例文帳に追加

This medicine composition comprises fidaresat, epalrestat, minalrestat, SPR-210, zenarestat or zopolrestat as ARI or its prodrug or the pharmacologically acceptable salt of the ARI or the prodrug and a calcium channel blocking agent, A-II antagonist, diuretic, endopeptidase inhibitor, β- adrenergic blocking agent and α-adrenergic blocking agent as the antihypertensive agent. - 特許庁

例文

この発明の成形型100は、成形型の少なくとも前記表面を成形する成形面102の部分にバインダレスの超微粒超硬合金粉末材料が使用され、その超微粒超硬合金粉末材料をパルス通電焼結法により焼結して所望の形状に形成され、前記表面を成形するための成形面102が鏡面状にニヤネットシェープ焼結された後に研磨されている点に特徴がある。例文帳に追加

This formed die 100 is formed to a desired shape by using a binderless superfine sintered hard alloy material in the segment of a molding surface 102 for forming at least the surface of the forming die and sintering this superfine sintered hard alloy material by a pulse electrosintering process and the forming surface 102 for forming the above surface is subjected to nearnet shaping sintering to a mirror finished surface form then to polishing. - 特許庁

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