「パルスレーザ照射」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

炭酸ガスレーザ１２は、パルスレーザ光を照射する。例文帳に追加

The carbon dioxide gas laser 12 emits a pulsed laser beam. - 特許庁

パルスレーザー光源より短い間隔で撮影対象物にパルスレーザー光を照射できるパルスレーザー光源装置を提供する。例文帳に追加

To provide a pulse laser light source device which can emit a pulse laser light beam to an imaging object at an interval shorter than that of a pulse laser light source. - 特許庁

紫外線パルスレーザのパルス周波数を増やした低エネルギー密度のパルスレーザと、前記紫外線パルスレーザのパルス周波数を減らした高エネルギー密度のパルスレーザとを繰り返し照射する。例文帳に追加

A low energy density pulsed UV laser beam with its pulse frequency increased and a high energy density pulsed UV laser beam with its pulse frequency decreased are repeatedly applied. - 特許庁

パルスレーザー１から、パルスレーザー光２をレチクル４に照射すると、レチクル４の照射部分は急激に熱膨張する。例文帳に追加

When a pulse laser beam 2 is made to irradiate on a reticle 4 from a pulse laser 1, the irradiated part expands thermally suddenly. - 特許庁

パルスレーザー光２は、４方向からほぼ同時に照射される。例文帳に追加

The pulse laser light 2 is substantially simultaneously emitted from four directions. - 特許庁

レーザパルス照射方法並びに超短パルスレーザ装置例文帳に追加

LASER PULSE IRRADIATION METHOD AND ULTRA-SHORT PULSE LASER APPARATUS - 特許庁

複数パルスレーザ照射レーザ着火式エンジン及びその運転方法例文帳に追加

MULTIPLE PULSE LASER RADIATING LASER IGNITING ENGINE AND METHOD OF OPERATING THE ENGINE - 特許庁

光ファイバーを通してパルスレーザー光を照射することが好ましい。例文帳に追加

It is desirable to irradiate a pulse laser beam through an optical fiber. - 特許庁

次いで、このメッキ層３の表面に、パルスレーザ光１０を照射する。例文帳に追加

Then, the surface of the plated layer 3 is irradiated with pulse laser beam 10. - 特許庁

パルスレーザの照射回数は２０００００回以下であることが好ましい。例文帳に追加

The number of irradiation times with the pulse laser is preferably ≤200,000 times. - 特許庁

その際に、極短パルスレーザは基板側から照射される。例文帳に追加

In this process, the ultrashort pulse laser beam is made to irradiate the layer through the substrate side. - 特許庁

格子振動をする導体原子に対して、フェムト秒パルスレーザーを照射する第１パルスレーザーと、原子に対して１８０度反対方向からも上記第１パルスレーザーに対して、同位相のフェムト秒パルスレーザーを照射する第２パルスレーザーとからなる一対のフェムト秒パルスレーザーを導体原子に照射し格子振動を減衰させることによる、超電導体の形成方法である。例文帳に追加

A superconductor forming method is constituted by irradiating beams of a pair of femtosecond pulse lasers consisting of a fist pulse laser for irradiating a femtosecond pulse laser beam to conductor atoms of performing lattice vibration and a second pulse laser for irradiating a femtosecond pulse laser beam of the same phase to the first pulse laser beam even from the opposite direction of 180 degree to that of the first laser, to the conductor atoms. - 特許庁

超短パルスレーザ光Ｌが透過する被加工物２に対して超短パルスレーザ光Ｌを被加工物２の一方側（前面２ａ）から照射する。例文帳に追加

An ultrashort pulse laser beam L is irradiated to the workpiece 2 from one side (front surface 2a) of it , through which the ultrashort pulse laser beam is transmitted. - 特許庁

所定波長のパルスレーザ光Ｌを供給するパルスレーザ光源１０と、共役環状化合物を含む被反応物Ｓに対してパルスレーザ光源１０からのパルスレーザ光Ｌを照射するための照射光学系２０と、被反応物Ｓに対するパルスレーザ光Ｌの照射位置Ｐを制御する照射位置制御機構３５とを備えて光重合装置１Ａを構成する。例文帳に追加

The photopolymerization apparatus 1A is constituted of a pulsed laser light source 10 for providing pulsed laser light L of a predetermined wavelength, an irradiation optical system 20 for irradiating a material S to react containing a conjugated cyclic compound with the pulsed laser light L from the pulsed laser light source 10, and a radiation position controlling mechanism 35 for controlling the irradiation position P of the pulsed laser light L on the material S to react. - 特許庁

分析ヘッド５１は、パルスレーザ光３を伝送するレーザ光伝送部５２と、パルスレーザ光３を試料１６の照射表面１６ａに集光させるレーザ光集光部１０と、照射表面１６ａにパルスレーザ光３を照射するレーザ光照射部１５を有する。例文帳に追加

The analysis head 51 has a laser light transmission part 52 for transmitting the pulse laser light 3, a laser light condensing part 10 for condensing the pulse laser light 3 onto an irradiation surface 16a of the sample 16, and a laser light irradiation part 15 for irradiating the irradiation surface 16a with the pulse laser light 3. - 特許庁

パルスアーク溶接とパルスレーザとを同時に使用するパルスレーザ照射パルスアーク溶接方法において、パルスアーク溶接の溶接電流とパルスレーザの出力値Ｐｗとの同期を取りながら、かつ、パルスレーザの平均出力値Ｐｄを一定に維持する。例文帳に追加

To provide a pulse arc welding method by irradiation with a pulse laser simultaneously using pulse arc welding and a pulse laser, by which while the welding current of the pulse arc welding and the output value Pw of the pulse laser are made synchronous, the average output value Pd of the pulse laser can be kept constant. - 特許庁

被照射物９上において、第１のパルスレーザ光の照射領域が第２のパルスレーザ光の照射領域を包含するようにレーザ光が照射される。例文帳に追加

The article 9 is irradiated such that the irradiating region of the first pulse laser light covers the irradiating region of the second pulse laser light. - 特許庁

制御装置９は、回転体１１と共に回転する修正位置がレーザ照射位置に一致した時点で、レーザ照射位置にパルスレーザを照射するように、パルスレーザ照射装置７を制御する。例文帳に追加

The control unit 9 controls the pulse laser irradiation device 7 so as to irradiate a laser irradiation position with a pulse laser beam when the position of correction rotating with the rotator 11 matches the laser irradiation position. - 特許庁

前記紫外光を照射する光源６はパルスレーザーまたは連続波レーザーである。例文帳に追加

A pulse laser or a continuous wave laser is used as a light source 6 irradiating the ultraviolet light. - 特許庁

光源部からのパルスレーザ光線は、ターゲット部において液体キセノンを照射する。例文帳に追加

A pulse laser beam from the light source portion is applied to liquid xenon in the target portion. - 特許庁

半導体薄膜の形成方法、パルスレーザ照射装置、および半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM, PULSE LASER RADIATION APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

蒸着マスク２にパルスレーザ１０を照射して、蒸着剤を蒸着マスク２から分離する。例文帳に追加

The vapor deposition agent is separated from the vapor deposition mask 2 by irradiating the vapor deposition mask 2 with pulse laser 10. - 特許庁

光源部からのパルスレーザ光線は、ターゲット部のＳｎ蒸気源からの蒸気Ｓｎを照射する。例文帳に追加

A pulse laser beam from the light source part irradiates vapor Sn from a Sn vapor source of the target part. - 特許庁

導電膜１３Ｌ，１３Ｒ間にバイアス電圧を印加しつつパルスレーザー光を照射する。例文帳に追加

A pulse laser light is given while a bias voltage is applied between the conductive films 13L and 13R. - 特許庁

少なくとも高分子材料からなる母材３に、パルスレーザー１を集光照射する。例文帳に追加

Base material 3 consisting of at least polymer material is irradiated with a focused pulse laser 1. - 特許庁

アモルファス領域４，５は、超短パルスレーザの照射によって形成される。例文帳に追加

The amorphous regions 4, 5 are formed by irradiation with ultrashort pulsed laser. - 特許庁

パルスレーザ光16は、図の上方から第2のSi塊を透過してGe材に照射されている。例文帳に追加

The pulsed laser beam 16 is delivered to the Ge material after going through the second Si lump from the top of the drawing. - 特許庁

超短パルスレーザーの照射による衝撃波を利用した塑性接合法例文帳に追加

PLASTIC JOINING METHOD UTILIZING SHOCK WAVE BY IRRADIATION WITH ULTRA-SHORT PULSE LASER-BEAM - 特許庁

紫外、可視若しくは近赤外域の高ピークパワーパルスレーザビームを照射して抗菌する。例文帳に追加

The antibacterial method is carried out by irradiating high-peak pulse laser beams in the UV, visible or near IR region. - 特許庁

超短パルスレーザーの照射による衝撃波を利用した板材成形法例文帳に追加

METHOD OF FORMING METAL PLATE BY UTILIZING IMPULSE WAVE BY IRRADIATION OF ULTRA-SHORT PULSE LASER - 特許庁

光源部からのパルスレーザ光線は、ターゲット部によって供給されるＳｎワイヤを照射する。例文帳に追加

A pulsed laser beam from the light source portion irradiates a Sn wire supplied by the target portion. - 特許庁

パルスレーザの照射によってシリコン薄膜を結晶化させる際に、均一な結晶化を達成する。例文帳に追加

To achieve uniform crystallization when a silicon thin film is crystallized by the irradiation of a pulse laser. - 特許庁

次に、ガス状ターゲット２１０にメインパルスレーザ光１１１が照射される。例文帳に追加

Then, main pulse laser light 111 is irradiated on the gaseous target 210. - 特許庁

この突起部２２の先端部から低出力の連続するパルスレーザの照射を行う。例文帳に追加

The projecting part 22 is irradiated from its end part with a low output continuous pulse laser beam. - 特許庁

それゆえ、照射面形状制御部１４が、パルスレーザ光照射面を変更することで、パルスレーザ光照射面の変更に応じた波面形状の衝撃波を発生させることが可能になる。例文帳に追加

Therefore, it becomes possible to generate the shockwave of a wave surface shape corresponding to the change of the pulse laser light irradiation surface, by the irradiation surface shape control section 14 changing the pulse laser light irradiation surface. - 特許庁

メインパルスレーザ光の照射される照射点の直前で、ターゲット２００を気化させてガス状にするため、効率よくメインパルスレーザ光を照射することができる。例文帳に追加

Since the target 200 is vaporized to be in a gaseous state just before an irradiation point where the main pulse laser light is irradiated, the main pulse laser light can be efficiently irradiated. - 特許庁

衝撃波発生体５のパルスレーザ光が照射される面の形状は、変更可能であり、照射面形状制御部１４は、この衝撃波発生体５のパルスレーザ光照射面の形状を制御するようになっている。例文帳に追加

The shape of the surface irradiated with the pulse laser light of a shockwave generate body 5 can be changed, an irradiation surface shape control section 14 adjusts to control the shape of the pulse laser light irradiation surface of the shockwave generator 5. - 特許庁

超短パルスレーザーを適宜調整して発生する超短パルスレーザー発生装置と、前記超短パルスレーザー発生装置から照射された超短パルスレーザーを所定の形状に成形するフレキシブル・マスク・パターン・ジェネレーターと、該超短パルスレーザーを集光する光学系と、修復すべき電子部品を載置して位置決めする第１のステージとを含む電子部品の欠陥修復装置。例文帳に追加

A defect repairing device for electronic components includes an ultrashort pulse laser light emitting device which suitably adjusts and emits ultrashort pulse laser light, a flexible mask pattern generator that forms the ultrashort pulse laser light emitted by the ultrashort pulse laser light emitting device into a prescribed shape, an optical system which converges the ultrashort pulse laser light, and a first stage where an electronic component to be repaired is mounted and positioned. - 特許庁

レーザ照射部は、可視〜近赤外域の超短パルスレーザ光を出射するピコ秒パルスレーザやフェムト秒パルスレーザからなり、そこから出射されたレーザ光はケーブルに内包された照射用導光体４１を通って、把持部へ送られる。例文帳に追加

The laser irradiation part is composed of a picosecond pulsed laser and a femtosecond pulsed laser emitting ultrashort pulsed laser in visible to near-infrared areas, and the laser lights emitted therefrom are sent to the grip part through an irradiation light guide body 41 wrapped with a cable. - 特許庁

金属部材を液体中に配置した後前記金属部材表面上にパルスレーザー光を照射し、その後、パルスレーザー光を照射した前記金属部材表面上に硬質薄膜を生成させることを特徴とする。例文帳に追加

After disposing the metallic member in liquid, the surface of the metallic member is irradiated with a pulsed laser beam, and thereafter the hard thin film is formed on the metallic member surface irradiated with the pulse laser beam. - 特許庁

パルスレーザ光線を照射している加工中にパルスレーザ光線照射の不具合の発生を認識でき、適正な処置を採ることができるレーザ加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser beam machining device with which the generation of failure of pulse laser beam irradiation can be recognized during machining by emitting the a pulse laser beam and proper processing can be taken. - 特許庁

パルスレーザ光Ｌを部材７の表面に照射して被照射部６ｂを除去するレーザ加工において、パルスレーザ光のパルス幅を１０ピコ秒以下に選定する。例文帳に追加

In the laser machining where the surface of a member 7 is irradiated with pulsed laser light L to remove the part 6b to be irradiated, the pulse width of the pulsed laser light is selected to ≤10 picoseconds. - 特許庁

超短パルスレーザを用いて被加工物を加工するレーザ加工方法であって、１パルス照射時のフルエンスの加工閾値以下のフルエンスに設定した複数ショット数のパルスレーザを被加工物６に照射する。例文帳に追加

In the laser beam machining method where a work is machined using ultrashort pulse lasers, pulse lasers of two or more shots of which the fluence is set to the machining threshold or less of the fluence at the time when one pulse irradiation is applied to a work 6. - 特許庁

その際、パルスレーザのパルス毎のパルス照射痕１が、互いに重ならないように、レーザヘッドが移動する速度および軌道、照射するパルスレーザの出力パワーおよびＱスイッチ周波数等が設定される。例文帳に追加

At that time, a speed at which a laser head moves, an orbit in which the laser head moves, the output power and Q-switch frequency of a pulsed laser to be applied, or the like are determined such that pulse-irradiated marks 1 for each pulse by the pulsed laser do not overlap each other. - 特許庁

非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法であって、前記レーザ光は、紫外領域の波長を有する第１パルスレーザと、可視領域の波長を有する第２パルスレーザとからなり、前記第１パルスレーザ及び前記第２パルスレーザを、異なるタイミングで照射することを特徴とするシリコン結晶成長方法。例文帳に追加

In the method of growing a silicon crystal by irradiating an amorphous or polycrystalline silicon with laser light, the laser light has first pulse laser light of a wavelength in an ultraviolet range and second pulse laser light of a wavelength in a visible range, and the first and second pulse laser light are applied onto the crystal at different timing. - 特許庁