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ファーフィールドを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 32



例文

ファーフィールドパターン測定装置例文帳に追加

FAR-FIELD PATTERN MEASURING DEVICE - 特許庁

低閾値で、狭いファーフィールドパターンの半導体レーザーを得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor laser with low threshold and a narrow far field pattern. - 特許庁

垂直横モードの単一化が可能でファーフィールドパターンが良好な窒化物半導体レーザ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser element, with improved far field pattern and single vertical horizontal mode. - 特許庁

レーザ光のファーフィールドパターンが良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser device, where the far field pattern of a laser beam is good and a laser beam in single mode can be obtained. - 特許庁

例文

レーザ光にケラレを生じさせず、光量損失の発生とファーフィールドパターンにおける擾乱の発生とを防止できること。例文帳に追加

To prevent occurrence of a loss in the quantity of light and occurrence of disturbance in the far field pattern without causing any vignetting in the laser beam. - 特許庁


例文

適当なレンズ又は封入体形状により、輝度及びファーフィールド特性を向上させた高品質な発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a quality light-emitting diode which improves luminance and far field characteristics by an appropriate shape of a lens or an inclusion body. - 特許庁

ファーフィールドパターンのアスペクト比を調整可能なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device capable of adjusting an aspect ratio of a far-field pattern. - 特許庁

劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームを得る。例文帳に追加

To obtain a laser beam having an elliptical far field pattern profile obtained by forming a resonance surface on a nitride semiconductor which is grown on a sapphire substrate that is hard to cleave. - 特許庁

レーザ光のファーフィールドパターン形状が良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser element where the far-field pattern shape of a laser beam is satisfactory, and the laser beam of single mode can be obtained. - 特許庁

例文

劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームが得られるレーザ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a laser element in which a resonance face is formed in a nitride semiconductor grown on a sapphire substrate difficult to cleave and a laser beam having an elliptical far field pattern is obtained. - 特許庁

例文

半導体レーザLDから出力されたレーザビームLのファーフィールドパターンは、コリメータレンズ26によって平行光束とされた後、第1レンズ18によってアパーチャ部材20上に結像される。例文帳に追加

A collimator lens 26 collimates a far field pattern of a laser beam L outputted from a semiconductor laser LD into a parallel luminous flux and the image is formed on an aperture member 20 through a 1st lens 18. - 特許庁

また、半導体レーザ装置は、カメラの撮像面20aの長手方向と、半導体レーザ装置から放射されるレーザ光のファーフィールドパターン11a1、12a1、12b1の広い方向とが一致するように配置される。例文帳に追加

The semiconductor laser device is arranged so that the longitudinal direction of the imaging surface 20a of the camera may be aligned with the wide directions of the far field patterns 11a1, 12a1 and 12b1 of a laser beam radiated from the semiconductor laser device. - 特許庁

半導体レーザ18から出力されたレーザビームLのファーフィールドパターンを開口部24によって整形した後、その開口像を感光材料F上に形成する。例文帳に追加

A far-field pattern of a laser beam L emitted from a semiconductor laser 18 is refined by an aperture member, and then the aperture image is formed on a photosensitive material F. - 特許庁

この光学プローブの光学開口を光軸が通り、その光と同一光源の光の焦点が光軸の上で記録媒体の上に結ばれるようにファーフィールドレンズを設置する。例文帳に追加

A far field lens is installed so that an optical axis thereof passes through the optical opening of the optical probe and the light from the same light source is focalized on the optical axis on the recording medium. - 特許庁

共振面が平滑で、レーザ光のファーフィールドパターン形状の良好な、更にしきい値の低下された窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser device and a manufacturing method of it which attains a smooth resonance plane, a good far-field pattern shape of a laser beam and furthermore the reduction of a threshold. - 特許庁

複数の受光パターンを有する第1の光検出器によって光源からの光を受光し、光源のファーフィールドパターンの強度分布中心シフトを検出する。例文帳に追加

A first photodetector having a plurality of light receiving patterns receives light from a light source and detects a shift of an intensity distribution center of a far-field pattern of the light source. - 特許庁

このような傾きに合わせて、立ち上げミラー20を斜めに配置することにより、ファーフィールドパターンL2の長軸L21の方向の端部の光が立ち上げミラー20の上辺21で漏れ、モニター用受光素子40に届く。例文帳に追加

A raising mirror 20 is arranged in accordance with this inclination, so that light in an end part in a direction of a major axis L21 of a far-field pattern L2 leaks from an upper side 21 of the raising mirror 20 and reaches a photo detector 40 for monitor. - 特許庁

ファーフィールド用のワーキングディスタンスが確保された状態で開口数が大きく収差性能の良好な反射屈折対物レンズを提供する。例文帳に追加

To provide a cata-dioptric objective lens having a large numerical aperture and made excellent in aberration performance in a state where a working distance for far field is secured. - 特許庁

水平方向のファーフィールドパターンが狭い半導体レーザであっても、少ない部品点数で優れた波長選択性を確保し、広い波長帯域に渡って効率よく光出力を取り出すことができる外部共振器型の波長可変光源を実現すること。例文帳に追加

To provide an external resonator-type wavelength-variable light source capable of securing excellent wavelength selectivity with a small number of parts and taking out light output efficiently over a wide wavelength band range even when using a semiconductor laser having a far field pattern narrow in a horizontal direction. - 特許庁

そして、ホールドされた電圧が最大値とする電圧が3軸アクチュエータに加えられるので、SILは、近接場ではない距離(ファーフィールド)からニアフィールドまで接近し、ニアフィールドに入ったときにはSILの速度はほぼゼロになる。例文帳に追加

Since voltage in which held voltage is the maximum is applied to three axis actuator, SIL approaches to a near field from distance (far field) being not near field, when it enters into the near field, speed of SIL becomes almost zero. - 特許庁

結像されたファーフィールドパターンは、アパーチャ部材20によって主走査方向および副走査方向にビーム整形された後、第2レンズ22および第3レンズ24を介して記録フイルムFに導かれることで、画像の記録が行われる。例文帳に追加

The aperture member 20 shapes the formed far field pattern in the main scanning direction and the subscanning direction and the shaped beam is led to a recording film F via a 2nd lens 22 and a 3rd lens 24, where the image is recorded. - 特許庁

簡便な方法により、共振器端面と素子分離面との間のテラス状の水平面を確実になくして、良好なファーフィールドパターンを得ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor laser device, capable of obtaining an excellent far field pattern by definitely forming a terracing horizontal plane between a resonator end face and a device isolation face, using a simple method. - 特許庁

四角に形成された回折素子8の場合、光ビームのファーフィールドパターンLLの外側の略三角形の領域を利用して識別マーク9aを形成することにより、回折素子8の有効面積を犠牲にすることなく、より大きな識別マーク9aを形成することができる。例文帳に追加

In the diffractive element 8 formed rectangular, a large identification mark 9a is formed without sacrificing the effective surface area of the diffractive element 8 by forming the identification mark 9a using a nearly trianglular region outside of a far field pattern LL of an optical beam. - 特許庁

電気信号に変換された識別情報(ファーフィールドパターン)が、判定部27により、記憶部28に記憶された正しい鍵の識別情報と比較部され、合致する場合のみ、判定部27が電気信号により施錠部3が解錠する。例文帳に追加

Identification information (a far field pattern) converted into the electric signal is compared by a determining part 27 with the correct identification information of the key stored in a storage part 28, and only in the case of coincidence, the determining part 27 unlocks a locking part 3 by an electric signal. - 特許庁

また、ビーム調整手段34は、コリメータレンズ32より射出されるビームの外周部をカットする開口34Aで構成し、コリメータレンズ32によるファーフィールドパターンができる位置近傍に挿抜可能なようにソレノイド40によって位置決めする。例文帳に追加

The beam adjusting means 34 is constituted of an opening 34A for cutting an outer circumferential part of the beam emitted from the collimator lens 32 and is positioned by the solenoid 40 so that it can be inserted and pulled out in the vicinity of a position where a far field pattern by the collimator lens 32 is formed. - 特許庁

4極状の光強度分布を有する二次光源を照明瞳面に形成するために、入射光束を4つの光束に変換して光軸を中心とした4点状の光束をファーフィールドに形成する回折光学装置(6)を備えている。例文帳に追加

An illuminating optical device is equipped with a diffraction optical device (6) which converts an incident light flux into four light fluxes, so as to form a four-spot light flux around a light axis on a far field for the formation of a secondary light source having the four-pole distribution of light intensity on an illuminating pupil surface. - 特許庁

測定結果より、被測定物の光軸(z軸)と光の進行方向(直線OPの延在方向)とのなす角度θ、および測定位置Pの光軸のまわりの回転角ψに対する光強度P(θ,ψ)の分布すなわちファーフィールドパターンが求められる。例文帳に追加

An angle θ between the optical axis (z axis) of the object to be measured and the advancing direction of light (the extending direction of a straight line OP) and a far field pattern which is the distribution of light intensity P (θ, Ψ) of the measuring point P with respect to a rotation angle Ψ around the optical axis are obtained. - 特許庁

内周および外周方向に対物レンズをレンズシフトさせ、メインプッシュプル101の振幅減少が小さくなるように、レーザーを動かしファーフィールド調整することで、メインプッシュプル102のように、対物レンズの制御中心Oでメインプッシュプル振幅103が最大値となる。例文帳に追加

An objective lens is shifted in the inner peripheral and outer peripheral directions, a laser is moved and far field adjustment is performed so that amplitude reduction of main push-pull 101 becomes small, thereby, main push-pull amplitude 103 becomes the maximum value at the control center O of the objective lens like a main push-pull 102. - 特許庁

また、試験中は、試験信号発生部2のアンテナ部27からフェーズドアレイアンテナを構成する各アンテナ素子までの、それぞれの試験信号の伝搬距離の差異を補償するためのバイアス移相量を、バイアス移動量設定部4からフェーズドアレイアンテナに送出し、ファーフィールド環境を模擬する。例文帳に追加

During the test, an amount of biased phase shift for compensating the difference in propagation distance between respective test signals from an antenna section 27 of the test signal occurrence section 2 to each antenna element constituting the phased-array antenna is transmitted from a bias movement amount setting section 4 to the phased-array antenna, thereby simulating a far field environment. - 特許庁

コンパレータ20は、全反射戻り光量6とギャップサーボ開始閾値を比較することにより、SILがファーフィールド距離にあるか、ニアフィールド距離にあるかを判定し、その比較結果によってスイッチ24を切り替え、接近速度生成部23とギャップサーボ目標値生成部25の動作を選択する。例文帳に追加

A comparator 20 compares a full reflection return luminous quantity 6 with a gap servo threshold value to discriminate whether a SIL stays in a far field range or a near field range and activates a switch 24 depending on the result of comparison, and the switch 24 selects operations of an approach speed generating section 23 and a gap servo target value generating section 25. - 特許庁

半導体レーザの製造において、例えばオフ基板によって半導体レーザを構成したことにより半導体レーザの出射光のファーフィールドパターン(FFP)に水平ズレ角が発生する場合に、このFFPの水平ズレ角を修正し、所望の出射光特性を実現する半導体レーザの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for semiconductor laser that can correct a horizontal deviation angle of a far field pattern (FFP) of semiconductor laser's emission light and realize a desirable emission light property when the horizontal deviation angle arises in the FFP of the semiconductor laser's emission light by making up semiconductor laser, e.g., with an off substrate in semiconductor laser manufacture. - 特許庁

例文

金属膜8eは、視認性優れており、しかも四角に形成された回折素子8の場合、光ビームのファーフィールドパターンLLの外側の略三角形の領域を利用して識別マーク9aを形成することにより、回折素子8の有効面積を犠牲にすることなく、より大きな識別マーク9aを形成することができる。例文帳に追加

The metal film 8e has excellent visibility and when the diffractive element 8 is formed rectangular, a large identification mark 9a is formed without sacrificing the effective surface area of the diffractive element 8 by forming the identification mark 9a using a nearly triangular region outside of a far field pattern LL of an optical beam. - 特許庁

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