「値加子」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

半田バンプ４を形成した配線基板５上に熱硬化性樹脂１の膜を形成し、半田バンプ４を加熱して溶融させながら配線基板５上に半導体素子２を搭載すると同時に、熱硬化性樹脂１も硬化させて半導体素子２を配線基板５上に固定することにより、電気的接続と樹脂封止を同時に行え、工程が簡素化できるだけでなく、電気的接続を半田による金属結合により得るため、経年変化による接続抵抗値変動を大幅に低減し、高信頼性の半導体装置を実現することができる。例文帳に追加

In addition, since the electrical connection is obtained by a metallic bond by soldering, the change in the connection resistance due to changeover aging can be reduced significantly and a high reliability semiconductor device can be realized. - 特許庁

表示素子１６の、基板１２側に設けられた電極２０と、基板１４側に設けられた電極１８と、の内の何れか一方の電極の、他方の電極に向かい合う面側には、多孔質層２２が設けられており、多孔質層２２にはＥＣ１色素２４が保持され、電解質２６中にはＥＣ２色素２８が分散されており、これらのＥＣ１色素２４及びＥＣ２色素２８の各々について、消色状態から発色状態へ変化するために電極２０と電極１８との間に印加される電圧の閾値が、式（１）の関係を満たしている。例文帳に追加

Each of the display elements 16 includes an electrode 20 disposed on the substrate 12 side and an electrode 18 disposed on the substrate 14 side. - 特許庁

主制御基板３１０と、主制御基板３１０によって送信された制御コマンドに基づいて所定の処理をおこなう周辺基板３３０とを備える電子機器において、主制御基板３１０は、周辺基板３３０に送信する制御コマンドが所定の制御コマンドである場合、主制御基板３１０から送信されたデータの照合に用いる期待値を補正するための補正データや主制御基板３１０を認証するための認証データを付加する。例文帳に追加

In an electronic apparatus having the main control board 310 and the peripheral board 330 for performing predetermined processing based on a control command sent by the main control board 310, if the control command to be sent to the peripheral board 330 is a predetermined control command, the main control board 310 adds correction data for correcting an expected value used for matching data sent from the main control board 310 and authentication data for authenticating the main control board 310. - 特許庁

モータを検査又は診断する際に用いるインバータパルス試験電源のパルス立ち上がり時間が、インバータ駆動時に検査診断対象のモータ端子で観測されるサージ電圧の立ち上がり時間と異なる際には、モータ巻線ターン間にインバータ駆動時に発生するピーク電圧Ｖｍを印加するのに必要な値だけ、前記インバータパルス試験電源のサージ電圧の大きさΔＶを高くあるいは低くすることを特徴とする。例文帳に追加

When a pulse rising time of an inverter pulse testing power source used when inspecting or diagnosing a motor is different from a rising time of a surge voltage observed in a motor terminal of an inspection diagnosis object at an inverter driving time, the magnitude ΔV of the surge voltage of the inverter pulse testing power source is heightened or lowered as much as a value necessary for applying a peak voltage Vm generated at the inverter driving time between motor winding turns. - 特許庁

可変抵抗素子が、負荷回路の負荷抵抗特性又は前記電圧発生回路からの発生電圧条件の何れか一方、又は双方を変更することで設定された遷移条件の下で電圧発生回路１４からの発生電圧が印加されると、少なくとも３つの異なる抵抗特性の中から選択される一の抵抗特性に対して選択的に遷移され、少なくとも３値の情報の記憶が可能に構成されている。例文帳に追加

When a voltage generated by the voltage generation circuit 17 is applied under a transition condition determined by changing any one or both of the load resistance characteristic of load circuit and the condition of the generated voltage from the voltage generation circuit, the resistance characteristic is selectively changed to one of at least three different resistance characteristics, and at least ternary information can be stored in the variable resistance element. - 特許庁

圧電薄膜素子は、基板１上に、下部電極層２、圧電体薄膜層４および上部電極層３を有し、圧電体薄膜層４が、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とするペロブスカイト構造の結晶からなるものであり、下部電極層２と上部電極層３との間に常温で２０ｋＶ／ｃｍ以下の電界を印加したときの、電極間の電極面積１ｃｍ^２当たりに換算した電気抵抗値を２．５×１０^５Ω以上とするような電流ブロック層５を、下部電極層２と上部電極層３との間に備えている。例文帳に追加

Between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3, such a current block layer 5 as to let an electroresistance value become ≥2.5×10^5Ω, the electroresistance value being converted per electrode area 1 cm^2 between electrodes when an electric field of ≤20 kV/cm is applied at normal temperature between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3. - 特許庁

成分（Ａ）：式（１）で示される化合物を重合して得られる樹脂であって、ＧＰＣ分析における樹脂を検出するピークＰ、残存する式（１）で示される化合物を検出するピークＭとしたとき、ピークＰのポリスチレン換算重量平均分子量が１０００以上５０００００以下であり、かつピークＰ、ピークＭの面積値をそれぞれＡｐ、Ａｍとしたとき、面積比Ａｍ/（Ａｍ＋Ａｐ）が０〜１０％である樹脂；成分（Ｂ）：空孔形成用化合物；［２］上記［１］記載の組成物を基板に塗布し、加熱処理する工程を含む絶縁膜の製造方法。例文帳に追加

[2] The method for producing an insulating film comprises a process for coating a substrate with the composition [1] and heat-treating the substrate. - 特許庁

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートとを積層して構成された電気的に書き換え可能なメモリセルと、前記浮遊ゲートに電子１つを注入するために要する第１の電圧であって、前記第１の電圧の開きをもって段階的に高い電位を有する複数のしきい値変動パルスをそれぞれ一定期間前記メモリセルの制御ゲートに印加することを特徴とする。例文帳に追加

This nonvolatile semiconductor storage device has an electrically rewritable memory cell which is composed of a laminated floating gate and control gate on the semiconductor layer, and a plurality of threshold variable pulses having a stepwise high potentials with difference of a first voltage which is required for injecting one electron into the floating gate, are respectively impressed on the control gate of the memory cell during a predetermined period. - 特許庁

粒径により骨材を分類し、骨材の周りに結合材が均等に付着したものをモデル化し、シミュレーション中に周りの結合材の変形を考慮できるように拡張し、なおかつ加圧振動締固めも考慮できるように拡張したポーラスコンクリート内の連続空隙を算定できる３次元粒子要素法プログラムをコンピュータにアップロードし、結合材、骨材ならびに型枠のそれぞれの物性値と配合諸量、結合材の無変形量を変数としてシミュレーションを行い、ポーラスコンクリートの骨材・空隙の配置、実積率、連続・独立空隙分布、連続・独立空隙量を管理する。例文帳に追加

By the method, the arrangement of the aggregate/pores in the porous concrete, the solid volume percentage, the open/closed pore distribution and the open/closed pore volume are controlled by simulating with each physical property value and blending variables of each of the binder, the aggregate and a mold form and the non-deformation quantity of the binder as parameters. - 特許庁

質量％で、Ｃ：０．０８％以下、Ｓｉ：１．０％以下、Ｍｎ：４．０〜１５．０％、Ｎｉ：５．０〜１５．０％、Ｃｒ：１８．０〜２５．０％、Ｍｏ：０．５〜３．０％、Ｎ：０．３〜０．８％を含み、かつ残部実質的にＦｅと不可避不純物とからなるとともに、次式（１）のＡ値を３０．０〜４０．０％に調整したオーステナイト系ステンレス鋼で構成され、かつ引張強さは１０００〜２０００ＭＰａ、該引張強さと０．２％耐力との比で示される耐力比を６０〜９０％とする冷間加工がなされ、その格子結晶構造が面心立方晶を有することを特徴とする。例文帳に追加

The stainless steel spring wire is characterized in that: it is composed of austenitic stainless steel which consists of, by mass, ≤0.08% C, ≤1.0% - 特許庁

第11次5カ年計画においても、対内投資の「質の重視」がうたわれ、農業の近代化への貢献が期待できる投資、電子情報・石油化学・化学・自動車分野の投資、伝統的産業（軽工業、機械工業、紡績工業、原材料工業、建築業等）の改革と高付加価値化への貢献が期待できる投資、インフラ建設への投資、省エネルギー・環境保護に貢献する投資、発展が遅れているサービス産業（金融・保険・証券、商業・流通、観光等）への投資が奨励されている。例文帳に追加

The "11th 5-Year Plan" also emphasizes the "importance of quality" of inward investment, and recommends investment that can contribute to modernizing the agricultural industry, investment in IT, petrochemical, chemical, and automobile industries as well as investment that can contribute to reforming traditional industries (light industries, mechanical, spinning, raw material, construction industries, etc.) and to increasing the value added., Further, investment in infrastructure development, investment that can contribute to saving energy and protecting the environment, and investment in the lagging service industry is highlighted (finance, insurance, securities, commerce, logistics, and tourism, etc.). - 経済産業省

腕用のカフと、前記カフに空気を圧入するための加圧ポンプ部と、前記カフ内に圧入された空気を排気するための排気弁と、前記カフ内の圧力を計測するための圧力センサーと、水銀柱類似の棒グラフ表示を電子的に行うインジケーターバー及び当該インジケーターバー用の目盛りを有するアナログ表示部と、前記圧力センサーによる計測結果を前記インジケーターバーに表示するためのプロセッサー部とを有する電子血圧計であって、押下時の圧力を記憶させるためのひとつのホールドボタンを備え、血圧測定中に前記ホールドボタンが押下されるたびに、その時点の血圧値を前記インジケーターバー用の目盛り近傍にマーカー表示として残すことを特徴とする電子血圧計。例文帳に追加

The electronic blood pressure monitor provides one hold button to save the pressure when the button is pressed and leaves the blood pressure at that time remains near the scale for the indicating bar as a marker whenever the hold button is depressed during the measurement of the blood pressure. - 特許庁

中小企業の経営力の強化を図るため、①既存の中小企業支援者、金融機関、税理士法人等の中小企業の支援事業を行う者を認定し、中小機構によるソフト支援等その活動を後押しするための措置を講ずるとともに、②ものづくり産業のみならず、高付加価値型産業（クール・ジャパンとしての地域産業資源、農業、コンテンツ産業等）も世界に発信可能な潜在力を有する中で、中小企業の海外展開を促進するため、日本公庫及びNEXI を活用した中小企業の海外子会社の資金調達を円滑化するための措置を講ずることとした。例文帳に追加

The decision was taken to adopt the following measures to help strengthen SMEs’ business capabilities: (1) certification of parties providing support to SMEs,2) such as existing SME support providers, financial institutions, and tax accounting firms, in order to boost their activities through the provision of intangible forms of support by SMRJ; and (2) measures to facilitate financing of SMEs’ overseas subsidiaries using JFC and NEXI to promote overseas business expansion by SMEs to take advantage of the latent global appeal of not only manufacturing industry, but also high value added industries (e.g., regional industrial resources, agriculture, and content industries that can be promoted as part of the “Cool Japan” campaign).  - 経済産業省