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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 品位シリコンに関連した英語例文

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品位シリコンの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18



例文

製造されたシリコンは、光起電力又はエレクトロニクスの品位シリコン製造における原料として用いる。例文帳に追加

The produced silicon is used as a raw material for producing silicon with quality for generating photoelectromotive force or for electronics. - 特許庁

シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位シリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film. - 特許庁

したがって、シリコンウエハAの周囲の雰囲気は酸化膜形成プロセスの全工程を通じ一定し、シリコンウエハAに形成される酸化膜は高品位なものとなる。例文帳に追加

Therefore, the atmosphere around a silicon wafer A is constant throughout all the steps of an oxide film formation process, and an oxide film formed over the silicon wafer A is of high quality. - 特許庁

品位な膜質を有するシリコン酸化膜を基板上に成膜可能な成膜方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a film forming method or the like with which a silicon oxide film having high film quality can be formed on a substrate. - 特許庁

例文

膜厚の大きい高品位シリコン膜及びそれを形成するための簡易な方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon film of which thickness is large and of which quality is high, and to provide a convenient and simple method to form the silicon film. - 特許庁


例文

品位の金属シリコンから冶金精錬法より太陽電池用高純度化シリコンを製造するに当たり、設備費用、エネルギーコストの低減及び原料シリコンの歩留り向上を図ると共に、品質が安定であり、かつ生産性の高い高純度シリコンの製造法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing high-quality silicon, in which the equipment cost and the energy cost are reduced, the yield of a raw silicon material is improved, the quality of the high-quality silicon is stabilized and the productivity is increased when the high-quality silicon for solar cells is produced from low-grade metallic silicon by a metallurgical refining method. - 特許庁

その結果、支持基板500と単結晶シリコン層230の熱膨張係数の差に由来する熱応力が溝260で緩和されるため、貼り合わせ強度向上させるための熱処理や酸化工程などを行っても、転位やクラックのない高品位な単結晶シリコン層を得られる。例文帳に追加

As a result, thermal stress due to the difference of coefficients of thermal expansion between a retaining substrate 500 and the single crystal silicon layers 230 is relieved by the trenches 260 so that a single crystal silicon layer of high quality is obtained wherein dislocation and cracks are not developed even if thermal treatment, an oxidation process, etc., which are used for improving sticking intensity are performed. - 特許庁

シリコン基板上に形成したクラックが少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-quality nitride semiconductor element with less cracks, which is formed on a silicon substrate, and provide a nitride semiconductor wafer and a nitride semiconductor layer manufacturing method. - 特許庁

破砕層と共にマイクロ加工クラック内の残存研磨剤や不純物等による結晶欠陥や歪み層を完全に除去し、結晶特性が大幅に改善された高品位の半導体素子用シリコンウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon water for semiconductor element of high grade whose crystal characteristics are improved sharply by removing a breaking layer, a crystal defect due to residual abrasive agent, impurity, or the like in a micro-working crack, and a distortion layer, entirely. - 特許庁

例文

デバイス活性領域となる表面部が高い応力耐性、更には高品位の結晶性を有するシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon wafer the surface portion of which as a device active region includes high stress resistance and further includes crystallinity of high quality, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

例文

シリコンウエハの切り出し用にも適したワイヤソーにおいて、良好な加工品位を維持したうえで、切れ味を向上させ、使用に伴う切れ味の低下と砥粒の脱落を抑制する。例文帳に追加

To improve the cutting performance after holding a favorable machining quality and to suppress the degradation of the cutting performance and falling of abrasive grains by the use in a wire saw suited to the cutting of a silicon wafer. - 特許庁

シリコン等の脆性材料の切断加工において、従来の市販水溶性加工油剤より優れた切断性能及び加工表面品位を示し、さらに低起泡性である、優れた固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工油剤の提供。例文帳に追加

To provide an excellent water-soluble machining oil for a fixed-abrasive wire saw which exhibits cutting performance and machined surface grade superior to a conventional commercial water-soluble machining oil and moreover, has low foaming property, in cutting work of a brittle material such as silicon. - 特許庁

多結晶シリコン薄膜トランジスタは高移動度の特徴を活かし周辺駆動回路を内蔵可能であるが、反面プロセス温度が高く走査配線材料にアルミニウム系材料を使用することが困難であり大画面表示での信号遅延による表示品位低下が課題。例文帳に追加

To provide low-resistance gate wire forming method which uses a polycrystalline silicon thin-film transistor and makes it easy to form a large screen. - 特許庁

アルミハードディスク、ガラスハードディスク及びシリコンウエハ等を超精密にポリシングする工具、例えば、ポリシングパッド、不織布等の修正に要する時間を短縮し、被加工物のポリシングレイトの安定化と高品位な仕上げ面を得る。例文帳に追加

To shorten the time required for correcting tools for polishing an aluminum hard disc, a glass hard disc and a silicon wafer, etc., with super-high precision such as a polishing pad and nonwoven fabric, to stabilize a polishing rate of a workpiece, and to provide a high grade finished surface. - 特許庁

シリコン含有ポリビニルピロリドンをその表面および/または内部に保持した記録媒体に、顔料、好ましくは顔料とともに水溶性有機溶剤、非イオン性界面活性剤および定着剤を含み、残部が水であるインク組成物を用いて印字を行うことによって、所望の高画質品位の記録画像を得ることができる。例文帳に追加

The high-quality recorded image can be obtained by using an ink composition containing a pigment, preferably with a water-soluble organic solvent, a nonionic surface active agent, a fixing agent, and the balance of water to make printing on a recording medium holding a silicon-containing polyvinylpyrrolidone on the surface and/or in the inside. - 特許庁

シリコンを含有するスパッタリングターゲット14であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで900HV以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板1上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。例文帳に追加

By using a sputtering target 14, containing silicon and having a hardness of 900 HV or more in Vickers' hardness, a thin film for forming the mask pattern on a substrate 1 is formed by sputtering, and the high-quality mask blank that suppresses generating of defects is manufactured; and further, the transfer mask is manufactured by patterning the thin film. - 特許庁

このような記録媒体に、インクジェット方式で使用される、色材を含む水性インクを吐出すると、色材がシリコン含有ポリビニルピロリドンによって固定化されるので、色材の必要以上の浸透、拡散ひいてはにじみの発生が防止され、高品位画質を有する記録画像を形成することができる。例文帳に追加

When a water-based ink containing a coloring material used for an inkjet system is jetted, as the coloring material is fixed with the silicone-containing polyvinyl pyrrolidone, soaking, diffusing and blotting of the coloring material is prevented from generating more than necessity, and a recording image with a high image quality can be formed. - 特許庁

例文

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりGaN層を形成すれば、転位密度が5×10^8cm^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のGaN層の1×10^10cm^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。例文帳に追加

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method. - 特許庁

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