「形成域」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

素子分離領域の形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF ELEMENT ISOLATION REGION - 特許庁

素子分離領域の形成方法例文帳に追加

FORMATION METHOD OF ELEMENT SEPARATION REGION - 特許庁

切断起点領域の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING CUTTING START AREA - 特許庁

画像形成領域を短くすること。例文帳に追加

To shorten an image forming area. - 特許庁

素子分離領域の形成方法例文帳に追加

FORMATION METHOD FOR ELEMENT ISOLATION REGION - 特許庁

絶縁領域の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING INSULATION REGION - 特許庁

－地域の成長中核圏の形成例文帳に追加

Promoting regional growth strategies - 経済産業省

印刷領域形成部２０５は、扇形の印刷領域を形成する。例文帳に追加

The print region formation part 205 forms a fan-shaped print region. - 特許庁

印刷領域形成部２０４は、扇形の印刷領域を形成する。例文帳に追加

The print region forming section 204 forms a sectoral print region. - 特許庁

HDD１５には領域Ａと領域Ｂが形成される。例文帳に追加

A region A and a region B are formed in an HDD 15. - 特許庁

ｎ^−領域は、基板の内部に形成され、ｎ^^＋領域は、ｎ^−領域の内部に形成される。例文帳に追加

The n- region is formed inside the substrate, and the n+ region is formed inside the n- region. - 特許庁

絶縁膜５６は、画素領域１０のうちの非形成領域以外の領域に形成されている。例文帳に追加

An insulating film 56 is formed in a region other than a non-formation region within the pixel regions 10. - 特許庁

メモリセル形成領域のチャネル形成領域２５の下部にポケット領域としてｐ型半導体領域４５を形成する。例文帳に追加

A p-type semiconductor region 45 is formed as a pocket region below a channel forming region 25 in a memory cell forming region. - 特許庁

ｎＭＯＳ形成領域とｐＭＯＳ形成領域にマスク９を形成した後、ｐＭＯＳ形成領域にあるマスク９を除去し、ｎＭＯＳ形成領域とｐＭＯＳ形成領域に所定量の金属１１を堆積して、ｐＭＯＳ形成領域のゲート電極３ｂをフルシリサイド化する。例文帳に追加

After a mask 9 is formed at an nMOS formation region and a pMOS formation region, the mask 9 at the pMOS formation region is removed, and a prescribed amount of metal 11 is deposited at the nMOS formation region and the pMOS formation region, thus silicifying a gate electrode 3b at the pMOS formation region fully. - 特許庁

半導体装置１００は、ゲート電極１０８が形成された素子形成領域と、素子形成領域の外周に形成されるとともに素子分離領域１１８域が形成された外周領域と、を有する。例文帳に追加

The semiconductor device 100 has an element forming region in which a gate electrode 108 is formed, and an outer circumferential region formed on the outer circumference of the element forming region and in which an isolation region 118 is formed. - 特許庁

パターン形成領域Ｐは、第１パターン形成領域５５と、第１パターン形成領域５５に接続され、かつ第１パターン形成領域５５よりも幅の狭い第２パターン形成領域５６とを備えてなる。例文帳に追加

The pattern forming region P has a first pattern forming region 55, and a second pattern forming region 56 connected with the first forming region 55 and narrower than the first forming region 55. - 特許庁

導光板２は、多数のドットが形成されたドット形成領域Ｅ１と、ドットが形成されていない非ドット形成領域Ｅ２とを有する。例文帳に追加

The light guide plate 2 includes a dot forming region E1 with a number of dots formed, and a non-dot forming region E2 without dots formed. - 特許庁

終端部形成領域５に絶縁膜３３を形成し、絶縁膜３３及びセル形成領域３を覆うマスク材４７を形成する。例文帳に追加

An insulating film 33 is formed in a termination formation region 5, and a mask material 47 is formed over the insulating film 33 and a cell formation region 3. - 特許庁

ここで、トレンチｈの全てをＳＯＩ形成領域の内側に形成する。例文帳に追加

Here, the whole trench h is formed inside the SOI formation region. - 特許庁

ゲート電極１４０は素子形成領域１０４に形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 140 is formed in an element formation region 104. - 特許庁

シリコン層３に、矩形状の素子形成領域が形成されている。例文帳に追加

A rectangular element formation region is formed in a silicon layer 3. - 特許庁

メモリセル形成領域２の外側には、シールリング７が形成されている。例文帳に追加

A sealing ring 7 is formed outside the memory cell formation region 2. - 特許庁

次に素子形成領域２０上にゲート絶縁膜１００を形成する。例文帳に追加

Then, a gate insulating film 100 is formed on the element formation region 20. - 特許庁

そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。例文帳に追加

Then a ridge part 28 is formed in the light-emitting part formation region 6. - 特許庁

素子形成領域の１つにＭＯＳトランジスタ１が形成されている。例文帳に追加

A MOS transistor 1 is formed in one of the element formation areas. - 特許庁

パターン形成領域に前記機能液を配置し、膜パターンを形成する。例文帳に追加

The functional liquid is located on the pattern forming area to form a film pattern. - 特許庁

設定の形成領域以外の位置に半田が形成されることを防止する。例文帳に追加

To prevent solder from being formed in a region other than a set forming region. - 特許庁

第１のボディ領域３１は、素子形成膜に形成されている。例文帳に追加

A first body region 31 is formed in the element forming film. - 特許庁

そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。例文帳に追加

Then a ridge part 28 is formed in the light emission formation region 6. - 特許庁

素子形成領域の１つには、ＮＰＮトランジスタ１が形成されている。例文帳に追加

An npn transistor 1 is formed at one element formation region. - 特許庁

次に、ビット線形成領域にビット線拡散層９を形成する。例文帳に追加

Then, a bit line diffusion layer 9 is formed in the bit line formation region. - 特許庁

素子形成領域の１つにＮＰＮトランジスタ１が形成されている。例文帳に追加

An npn transistor 1 is formed in one of the element formation areas. - 特許庁

素子分離構造部形成領域のみを覆うレジストマスクを形成する。例文帳に追加

A resist mask is formed over the isolation structure part formation region alone. - 特許庁

ＳｉＯ_2膜１４ａの形成後は、電極指形成領域１６に各電極指１２ａを形成する。例文帳に追加

After forming of the SiO_2 film 14a, each electrode finger 12a is formed to the electrode finger forming regions 16. - 特許庁

各拡散領域を形成し、コンタクトホールを形成し、ポリシリコン電極３１〜３４を形成する。例文帳に追加

In addition, each diffusion region, contact holes, and polysilicon electrodes 31-34 are formed. - 特許庁

各拡散領域を形成し、コンタクトホールを形成し、電極配線を形成する。例文帳に追加

Then each diffusion region, contact holes, and electrode wiring are formed. - 特許庁

これらの領域は、膜層で形成することも、層に形成したリブ／溝で形成することもできる。例文帳に追加

The regions may be formed by film layers or ribs/grooves formed in the layers. - 特許庁

レジストパターン形成方法、不純物添加領域形成方法及び微細パターン形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, METHOD FOR FORMING DOPED AREA, AND METHOD FOR FORMING FINE PATTERN - 特許庁

先ず、コイル形成用のメッキ下地膜上に、コイル形成領域を画成するフレームを形成する。例文帳に追加

First a frame for constituting a coil formation area on a plating bedding film for coil formation is formed. - 特許庁

パターン形成方法は、撥液領域形成工程１０とパターン形成工程２０とからなっている。例文帳に追加

The pattern forming method comprises a liquid-repellent region forming process 10 and a pattern forming process 20. - 特許庁

また、電極形成領域Ｒには、カーボンナノチューブ６が形成されない領域である非形成領域６ａが設けられる。例文帳に追加

A non-forming region 6a where no carbon nanotube 6 is formed is provided in the electrode forming region R. - 特許庁

電極非形成領域Ｘは、電極形成領域Ｙにおける膜厚より薄く形成されている薄膜領域６２を有する。例文帳に追加

The electrode non-formed area X is provided with a thin-film area 62 formed more thinly than that provided in the electrode formed area Y. - 特許庁

次に、ロジック形成領域にソース・ドレイン領域９を形成した後、ロジック形成領域のＴＥＯＳ酸化膜５ｂを除去する。例文帳に追加

Then, after forming a source/drain region 9 in the logic formation region, the TEOS oxide film 5b of the logic formation region is removed. - 特許庁

このとき、Mo層３の形成領域は有効領域全面とするが、Si層４の形成領域は複数に分割して形成している。例文帳に追加

Here, although a forming region for an Mo layer 3 is formed on the entire face of the effective region, a forming region for an Si layer 4 is formed by dividing it into plural regions. - 特許庁

配置領域内で禁止領域でない領域を、長方形に分割し複数の発生領域群を発生領域形成手段により形成する。例文帳に追加

An region which is not the inhibition region in the arrangement region is divided into rectangles to form a plurality of generation region groups by a generation region forming means. - 特許庁