「形成域」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目)

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形成域の部分一致の例文一覧と使い方

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例文

領域分離装置、画像形成装置、領域分離方法および領域分離プログラム例文帳に追加

REGION SEPARATION DEVICE, IMAGE FORMATION APPARATUS, REGION SEPARATION METHOD, AND REGION SEPARATION PROGRAM - 特許庁

このことにより、メモリセル領域用と周辺回路領域用の素子分離領域が形成できる。例文帳に追加

Thus, the element isolation region for the memory cell region and the one for the peripheral circuit region can be formed. - 特許庁

このｐアノード領域３が形成されないｎ領域がｎドリフト領域２である。例文帳に追加

The n-type region where the p-type anode region 3 is not formed is an n-type drift region 2. - 特許庁

アクティブ領域９には、ボディ領域１１とドリフト領域１２とを形成する。例文帳に追加

A body region 11 and a drift region 12 are formed in an active region 9. - 特許庁

例文

溝３８は、第一領域２０、第二領域２２及び第三領域２４に跨って形成されている。例文帳に追加

A groove 38 is formed stretching over the first region 20 and the second region 22 and the third region 24. - 特許庁

例文

ソース領域２３及びドレイン領域２５はＮ＋不純物領域から形成される。例文帳に追加

The source region 23 and the drain region 25 are provided with an N+ impurity region. - 特許庁

Ｐウェル４の領域には、ソース領域としての２つのＮ+領域１３が形成されている。例文帳に追加

Two N+ regions 13 as source regions are formed in a region of the P well 4. - 特許庁

チャネル形成領域１０６の全体、及びソース・ドレイン形成領域１０７のうちチャネル形成領域１０６の両側に隣接する部分を覆うようにゲート電極１０４が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 104 is formed so that the entire channel forming region 106 and portions adjacent to both sides of the channel forming region 106 in the source/drain forming region 107 are covered. - 特許庁

高速トランジスタ形成領域ＨＳｎ、低リークトランジスタ形成領域ＬＬｎ及び中電圧トランジスタ形成領域ＭＶｎにゲート電極９ａ，９ｂ，９ｃを形成する。例文帳に追加

Gate electrodes 9a, 9b, 9c are formed in a high-speed transistor formation region HSn, a low leakage transistor formation region LLn, and a medium voltage transistor formation region MVn. - 特許庁

例文

半導体ウエハ１の半導体構造６が形成される半導体構造形成領域５の外周近傍に、半導体構造形成領域５よりも弾性率が大きい半導体ウエハ補強領域３を形成する。例文帳に追加

A semiconductor wafer reinforcing region 3 whose elastic modulus is larger than a semiconductor structure forming region 5 is formed at vicinity of an outer periphery of the semiconductor structure forming region 5 where semiconductor structures 6 of the semiconductor wafer 1 are formed. - 特許庁

例文

Ｐウェル領域２が形成されたＮ型シリコン基板１上にフォトレジスト３を形成した後、イオン注入法によりＮ型領域４およびＰ型領域５を形成してフォトダイオードを形成する。例文帳に追加

After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, an n-type region 4 and a p-type region 5 are formed by an ion implantation method to form a photodiode. - 特許庁

感光ドラム９の周面には、静電潜像が形成される像形成領域Ａ１と、像形成領域Ａ１に隣接する非像形成領域Ａ２とが設けられている。例文帳に追加

On the peripheral surface of the photosensitive drum 9, an image generation area A1 to generate electrostatic latent images and a non image generation area A2 located adjacent to the image generation area A1 are provided. - 特許庁

複数の陽極１４が形成された表示領域を備えた基板１０に、複数の画素形成領域５を区画形成するための隔壁４を表示領域上に形成する。例文帳に追加

A substrate 10 has a display region in which a plurality of anodes 14 are formed, and barrier plates 4 demarkating a plurality of pixel forming regions 5 are formed on the display region. - 特許庁

半導体装置は、半導体ウエハ１に素子が形成された素子形成領域１Ａと、半導体ウエハ１における素子形成領域１Ａの周囲に形成されたスクライブ領域３とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device includes an element formation region 1A in which an element is formed on the semiconductor wafer 1, and the scribe region 3 formed in a periphery of the element formation region 1A on the semiconductor wafer 1. - 特許庁

半導体基板３０の抵抗素子形成領域に抵抗素子となるポリシリコン膜３５ａを形成するとともに、トランジスタ形成領域にポリシリコンゲート３５ｂ及び高濃度不純物領域４０を形成する。例文帳に追加

A polysilicon film 35a to be a resistance element is formed in a resistance element forming region of a semiconductor substrate 30, and a polysilicon gate 35b and a high-concentration impurity region 40 are formed in a transistor forming region. - 特許庁

半導体装置１００は、基板（半導体基板１）と、基板に形成され、素子形成領域４を他の領域と分離する素子分離膜２と、素子形成領域４にて基板上に形成された半導体層３と、を有する。例文帳に追加

The semiconductor device 100 comprises: a substrate (a semiconductor substrate 1); an element isolation film 2 that is formed on the substrate and separates an element formation region 4 from the other region; and a semiconductor layer 3 formed on the substrate, in the element formation region 4. - 特許庁

基準形成領域は、基準表示領域に歪みのない画像を表示する場合に画像形成部に形成されるべき仮想の歪み画像の形成領域である。例文帳に追加

The reference forming region is a virtual forming region with a distortion image to be formed to an image forming region when an image without distortion is displayed on the reference display region. - 特許庁

ＮＭＯＳＦＥＴ形成領域８０とＰＭＯＳＦＥＴ形成領域８２に第１金属を含む膜１６を形成し、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域８２から膜１６を除去する。例文帳に追加

A film 16 including a first metal is formed in an NMOSFET formation area 80 and a PMOSFET formation area 82, and the film 16 is removed from the P-channel MOSFET formation area 82. - 特許庁

密なパターン形成領域と疎なパターン形成領域が同一基板上に混在する場合において、いずれのレジストパターン形成領域に対しても、良好な形状のレジストパターンの形成を可能にする。例文帳に追加

To form a resist pattern having a preferable profile in any resist pattern forming region even when a dense pattern forming region and a sparse pattern forming region are both present on one substrate. - 特許庁

次いで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域８０とＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域８２に第２金属を含む膜２２を形成し、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域８０から膜２２を除去する。例文帳に追加

Then, a film 22 including a second metal is formed in the N-channel MOSFET formation area 80 and the P-channel MOSFET formation area 82, and the film 22 is removed from the N-channel MOSFET formation area 80. - 特許庁

半導体層に設けられ、素子形成領域を区画する素子分離膜２００と、素子形成領域上に形成され、両端がそれぞれ素子分離膜２００上に延伸するゲート電極１３０と、素子形成領域内に形成され、ゲート電極１３０の直下に位置するチャネル形成領域を挟んで配置されるソース領域およびドレイン領域となる不純物領域１１０とを備える。例文帳に追加