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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 形成域の意味・解説 > 形成域に関連した英語例文

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形成域の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 35787



例文

つまり、メモリセル形成形成されているp型半導体領45を低耐圧MISFET形成形成されているp型半導体領48よりも深い位置に形成する。例文帳に追加

That is, the p-type semiconductor region 45 formed in the memory cell forming region is provided at a deeper position than the p-type semiconductor region 48 formed in a low-dielectric strength MISFET forming region. - 特許庁

素子形成2を他の領と分離する素子分離領3が形成された基板(半導体基板1)と、素子形成2に形成されたゲート溝4と、素子形成2にゲート溝4を挟んで離間して形成された一対の拡散領5を有する。例文帳に追加

A semiconductor device includes a substrate (semiconductor substrate 1) in which an element isolation region 3 for isolating an element formation region 2 from other regions is formed, a gate groove 4 formed in the element formation region 2, and a pair of diffusion regions 5 formed in the element formation region 2 and disposed separately from each other across the gate groove 4. - 特許庁

ベース領13やエミッタ領14を形成して半導体素子を形成する。例文帳に追加

A base region 13 and an emitter region 14 are formed to form a semiconductor device. - 特許庁

次に、素子形成150の表面内に第二のソース・ドレイン領7を形成する。例文帳に追加

Next, a second source-drain region 7 is formed in a front surface of the element formation region 150. - 特許庁

例文

そうしたセル領にセルゲートを形成し、選択トランジスタ領にはトランジスタを形成する。例文帳に追加

A cell gate is formed in the cell region and a transistor is formed in the selective transistor region. - 特許庁


例文

当該方法は接続レベルでの形成に整合した配線接続領形成する。例文帳に追加

A wiring connection region matching a formation region at the connection level is formed by this method. - 特許庁

素子分離膜2が形成されたSi基板1にNウェル領及びPウェル領形成する。例文帳に追加

N and P well regions are formed on an Si substrate 1 where an element isolation film 2 is formed. - 特許庁

従来はスクライブ線領形成されていたプロセスマークを半導体領形成する。例文帳に追加

The process mark that has been conventionally formed in the scribe line region is formed in the semiconductor region. - 特許庁

形成されたベース領に不純物を添加してエミッタ領形成する。例文帳に追加

Then, an emitter area is formed by doping impurity to the formed base area. - 特許庁

例文

レジストマスクは、配線形成105を覆い、かつ配線非形成107を露出する。例文帳に追加

The resist mask covers a wiring forming region 105 and exposes a wiring not forming region 107. - 特許庁

例文

チャネル形成108の膜厚は、不純物形成120の膜厚よりも薄い。例文帳に追加

The channel formation region 108 has a film thickness thinner than the film thickness of the impurity formation region 120. - 特許庁

形成装置、色変換装置、色形成プログラム、色変換プログラム例文帳に追加

COLOR GAMUT FORMING APPARATUS, COLOR CONVERTING APPARATUS, COLOR GAMUT FORMATION PROGRAM, COLOR CONVERSION PROGRAM - 特許庁

その後、素子分離領2に、前記素子形成1を取り囲む素子分離膜3を形成する。例文帳に追加

Then, the element isolation film 3 enclosing the element formation region 1 is formed in the element isolation region 2. - 特許庁

アライメントマークは、暗部を形成する凹凸領と、明部を形成する平坦領からなる。例文帳に追加

The alignment mark is comprised of an uneven region forming a dark part and a flat region forming a light part. - 特許庁

鋼材の非磁性領形成方法及び非磁性領形成された鋼材例文帳に追加

METHOD FOR FORMING NON-MAGNETIC REGION IN STEEL MATERIAL, AND STEEL HAVING NON-MAGNETIC REGION FORMED THEREON - 特許庁

鋼材の非磁性領形成方法において、より均一に非磁性領形成することである。例文帳に追加

To more uniformly form a non-magnetic region in a method of forming a non-magnetic region of a steel material. - 特許庁

形成10Aと、載置面形成10Bとでは、特性が異なっている。例文帳に追加

The hole forming region 10A and the placement face forming region 10B have different properties. - 特許庁

チャネル形成103に、ドットパターン上の不純物領104を形成する。例文帳に追加

An impurity region 104 in the form of a dot pattern is formed in a channel forming region 103. - 特許庁

鋼材の非磁性領形成方法及び非磁性領形成された鋼材例文帳に追加

METHOD FOR FORMING NON-MAGNETIC REGION OF STEEL MATERIAL, AND STEEL MATERIAL HAVING NON-MAGNETIC REGION FORMED THEREON - 特許庁

再帰反射領形成されたシート及び再帰反射領形成方法例文帳に追加

SHEET HAVING RETRO-REFLECTION REGION FORMED THEREON AND METHOD FOR FORMING RETRO-REFLECTION REGION - 特許庁

下層部10を形成する工程は、第1絶縁部12を、回路を形成するための第1回路形成110と、第1回路形成を取り囲む第1領120とに形成する工程と、ビア11を第1回路形成110に形成する工程とを備える。例文帳に追加

A process for forming the lower layer portion 10 includes a process for forming the first insulating part 12 on a first circuit forming region 110 for forming a circuit and a first region 120 for surrounding the first circuit forming region; and a process for forming the via 11 on the first circuit forming region 110. - 特許庁

シリコン基板であるウェハ1内に、デバイス形成2とPCM形成3とが設けられたチップ11を形成し、デバイス形成2にエピタキシャル層を形成する際に、PCM形成3にはエピタキシャル層を形成しない。例文帳に追加

When a chip 11 wherein a device formation area 2 and a PCM formation area 3 are provided is formed in a wafer 1 as a substrate and an epitaxial layer is formed in the device formation area 2, no epitaxial layer is provided in the PCM formation area 3. - 特許庁

非デバイス形成3にイオン注入領形成し、このイオン注入領の表面をLOCOS酸化することにより、非デバイス形成3に結晶欠陥を形成することができるため、デバイス形成2に結晶欠陥が形成されないようにできる。例文帳に追加

An ion implantation region is formed in a non-device formation region 3, and the surface of the ion implantation region is subjected to LOCOS oxidation, thus forming crystal defects in the non-device formation region 3, and hence preventing the crystal defects from being formed in a device formation region 2. - 特許庁

デジタル回路形成2とアナログ回路形成形成されているシリコン基板1のデジタル回路形成2とアナログ回路形成3との間の回路分離領4に、シリコン基板1の表面から内部にかけてクロストーク防止用の導電部5を形成する。例文帳に追加

A conductive part 5 for preventing crosstalk is formed toward the internal side from the surface of a silicon substrate 1 in a circuit isolating region 4 formed between a digital circuit forming region 2 and an analog circuit forming region 3 of the silicon substrate 1 where the digital circuit forming region 2 and the analog circuit forming region 3 are formed. - 特許庁

そして、この突出部24の下面には、溝状に形成された凹部24cが複数形成された凹部形成24aと、凹部24cが形成されておらず平坦に形成された平坦領24bとが形成されている。例文帳に追加

Recess formed regions 24a in which a plurality of groove-shaped recesses 24c are formed, and flat regions 24b in which the recesses 24c are not formed and which are formed flat, are formed on the lower surface of the projection 24. - 特許庁

そして、低耐圧MISFET形成および高耐圧MISFET形成にゲート電極を形成した後、メモリセル形成にゲート電極を形成する。例文帳に追加

After the gate electrode is formed in the low withstand voltage MISFET formation region and the high withstand voltage MISFET formation region, the gate electrode is formed in a memory cell formation region. - 特許庁

ガイドワイヤ1には、マーカ形成層4が形成される領であるマーカ形成40が設定されており、このマーカ形成40における芯線3の外周には、マーカ形成層4が部分的に設けられている。例文帳に追加

A marker forming region 40 being a region having the marker forming layer 4 formed thereto is set to the guide wire 1 and the marker forming layer 4 is partially provided to the outer periphery of the core wire 3 in the marker forming region 40. - 特許庁

コレクタ領1にはベース領2が形成され、さらに、ベース領2にはエミッタ領3が形成されている。例文帳に追加

A base region 2 is formed in a collector region 1, and the emitter region 3 is formed in the base region 2. - 特許庁

ドレイン領121内にボディ領15が形成され、ボディ領15内にN型ソース領16が形成される。例文帳に追加

A body region 15 is formed in the drain region 121, and an N-type source region 16 is formed in the body region 15. - 特許庁

半導体基板の表面領に分離領11が互いに平行に形成され、この分離領11の間にチャネル領12が形成される。例文帳に追加

On a surface of a semiconductor substrate, isolation regions 11 are mutually paralleled and channel regions 12 are formed therebetween. - 特許庁

外周領のP型コラム領106は、素子形成のP型コラム領106の深さ以上の深さに形成される。例文帳に追加

The P type column region 106 in the outer circumferential region is formed deeper than the P type column region 106 in the element forming region. - 特許庁

ドリフト領12及びコラム領14の上にはベース領13が形成され、その表面層にはソース領15が形成される。例文帳に追加

A base region 13 is formed on the drift region 12 and column region 14, and a source region 15 is formed in a surface layer thereof. - 特許庁

バーズビーク4が取り囲む領にベース領7を形成し、ベース領7に埋設するエミッタ領8を形成する。例文帳に追加

Further, a base region 7 is formed on a region enclosed by the bird's beaks 4, and an emitter region 8 to be embedded in the base region 7 is also formed. - 特許庁

銅シード層(112)の形成後で銅層(120)の形成前に、非相互接続領に銅が形成されないようにブロックするパターン(114)が形成される。例文帳に追加

After a copper seed layer 112 is formed, a pattern 114 which blocks the formation of copper in a non-interconnecting area is formed before the formation of a copper layer 120. - 特許庁

一 当該広地方計画区における国土の形成に関する方針例文帳に追加

(i) Policy concerning the spatial development in the said Regional Plan District;  - 日本法令外国語訳データベースシステム

二 当該広地方計画区における国土の形成に関する目標例文帳に追加

(ii) Objectives concerning the spatial development in the said Regional Plan District;  - 日本法令外国語訳データベースシステム

エミッタまたはコレクタ領はベース領とヘテロ接合を形成する。例文帳に追加

The emitter region or the collector region forms the base region and heterojunction. - 特許庁

第2の半導体領5は第1の半導体領4上に形成する。例文帳に追加

The second semiconductor region 5 is formed on the first semiconductor region 4. - 特許庁

前記領以外の領に前記フレックス部2が形成されている。例文帳に追加

In the area other than the above mentioned area, the flex portion 2 is formed. - 特許庁

一方、領Aの他の領には光触媒を形成する。例文帳に追加

Meanwhile, the photocatalyst is formed in an area other than the area A. - 特許庁

p^-拡散領5と間隔をあけてp拡散領3が形成される。例文帳に追加

A p diffusion region 3 is formed with an interval to the p^- diffusion region 5. - 特許庁

そのベース領3内にn形のエミッタ領4が形成されている。例文帳に追加

An n-type emitter region 4 is formed in the base region 3. - 特許庁

その後、ベース領17の表面にエミッタ領19を形成する。例文帳に追加

Then, an emitter region 19 is formed on the surface of the base region 17. - 特許庁

また、N型領5内には、N^−型領5bを形成する。例文帳に追加

In addition, an N^--type area 5b is formed within the N-type area 5. - 特許庁

ベース領206内には、エミッタ/ソース領208が形成されている。例文帳に追加

An emitter/source region 208 is formed within the base region 206. - 特許庁

メインピクセル部は単位ピクセル領の第1領形成される。例文帳に追加

A main pixel part is formed on a first region of the unit pixel region. - 特許庁

パッド部は、表示領を取り囲む周辺領形成される。例文帳に追加

The pad part is formed on a peripheral region surrounding the display region. - 特許庁

第2の領に第2の領のソース/ドレイン(304)が形成される。例文帳に追加

A second region source and a drain (304) are formed in the second region. - 特許庁

次に、TSV構造となる領にアイランド領形成する。例文帳に追加

Next, an island region is formed in a region forming a TSV structure. - 特許庁

例文

第2の領に第2の領のゲート誘電体(306)が形成される。例文帳に追加

A second region gate dielectric (306) is formed in the second region. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
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