「形成域」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

その後、基板３を再酸化して低電圧用ＭＯＳトランジスタ形成領域１に第２の酸化膜８を形成し、高電圧用ＭＯＳトランジスタ形成領域２にはそれよりも厚い第３の酸化膜９を形成する。例文帳に追加

After that, the substrate 3 is reoxidized to form a second film 8 on the region 1 and a third oxide film 9 which is thicker than the film 8 is formed in a high-voltage MOS transistor forming region 2. - 特許庁

Ｎ型のシリコン基板から成る同一の半導体基板１０に、フォトダイオード２を含む複数の画素セルが２次元状に形成された画素形成領域４と、周辺回路形成領域２０とが形成されている。例文帳に追加

On the same semiconductor substrate 10 composed of a N-type silicon substrate, the pixel formation region 4 on which a plurality of pixel cells including a photodiode 2 are two-dimensionally formed and the peripheral circuit formation region 20 are formed. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ形成領域に複数のワード線を形成するための第１の導電膜と半導体装置形成領域に第２の導電膜を形成する。例文帳に追加

A first conductive film for forming a plurality of word lines is formed in the memory cell array forming region of a non-volatile semiconductor storage device, and a second conductive film is formed in a semiconductor device forming region. - 特許庁

メモリセル部形成領域上の第１のゲート電極４を被覆するように絶縁膜を形成した後、周辺トランジスタ形成領域に第２のゲート酸化膜９を形成する。例文帳に追加

An insulation film is so formed as to cover first gate electrodes on a memory cell section formation region, and then a second gate oxide film 9 is formed in a periphheral transistor formation region. - 特許庁

記録紙の画像形成可能領域の全域に、画像形成ユニット３Ｔによって透明トナーを塗布し、この透明トナー層の上に、画像形成ユニット３Ｂ，３Ｃ，３Ｍ，３Ｙによって各色トナー画像を形成するようにする。例文帳に追加

The transparent toner is applied by the image forming unit 3T over the whole area of an image formation possible area of the recording paper sheet and respective color toner images are formed by the image forming units 3B, 3C, 3M and 3Y on the transparent toner layer. - 特許庁

Ｎ型ＭＩＳトランジスタ形成領域のゲート電極となるＮｉＳｉ膜１１０Ａを形成すると共にＰ型ＭＩＳトランジスタ形成領域のゲート電極となるＮｉ_3 Ｓｉ膜１１０Ｂを形成する。例文帳に追加

While an NiSi film 110A is formed as a gate electrode in an n-type MIS transistor formation region, an Ni_3Si film 110B is formed as a gate electrode in a p-type MIS transistor formation region. - 特許庁

素子配線形成装置５０は、メモリセルテストの結果に応じたパタンのヒューズ素子１１ａ〜１１ｆを半導体装置上に形成し、ヒューズ素子が形成された領域の上方の領域に素子又は配線を形成する。例文帳に追加

The element wiring forming apparatus 50 forms fuse elements 11a-11f in a pattern according to the results of memory cell test on the semiconductor device, and forms elements or wiring in a region above a region where the fuse elements are formed. - 特許庁

この感光性樹脂層７ａは、凹凸形成層６ｇの形成領域で厚くて凹凸形成層６ｇの非形成領域で薄く、かつ、表面形状がなだらかである。例文帳に追加

This photosensitive resin layer 7a is thick in the formation area of the unevenness formation layer 6a and thin in a non-formation area of the unevenness formation layer 6g, and has a smooth surface shape. - 特許庁

セル形成領域３のレジスト４９にトレンチゲートパターンに対応するゲート用レジストパターン５３を形成し、終端部形成領域５のレジスト４９にダミーレジストパターン５５を形成する。例文帳に追加

A resist pattern 53 for gates corresponding to a trench gate pattern is formed at the resist 49 of the cell formation region 3, and a dummy resist pattern 55 is formed in the resist 49 of the termination formation region 5. - 特許庁

レンズ形成領域Ｌ’を囲むバンクＢを形成する工程と、バンクＢを染色する工程と、レンズ形成領域Ｌ’に液滴を吐出してレンズ部Ｌを形成する工程とを有する。例文帳に追加

A manufacturing method includes a process of forming a bank B surrounding the lens formation region L', a process of dyeing the bank B, and a process of forming lens parts L by discharging liquid droplets in the lens formation region L'. - 特許庁

ＣＣＤ撮像装置の撮像面１３ａは、被写体像が形成される被写体像形成領域Ａ１と、突状部２７によるバーコード像が形成されるバーコード像形成領域Ａ２とに区分される。例文帳に追加

The imaging surface 13a of a CCD imaging apparatus is divided into a subject image forming area A1 where a subject image is formed and a bar code image forming area A2 where a bar code image by the protrusive part 27 is formed. - 特許庁

第１のトランジスタはチャネル形成領域が酸化物半導体により形成され、第２のトランジスタはチャネル形成領域がシリコンにより形成されたものを用いることができる。例文帳に追加

The first transistor may have a channel formation region formed by an oxide semiconductor, and the second transistor may have a channel formation region formed by silicon. - 特許庁

パターン形成領域に回路パターン形成用のパターン１１が形成され、周辺領域に凸部１５が形成されたテンプレート１を使用して半導体装置を製造する。例文帳に追加

A semiconductor is manufactured by using a template 1 formed with a pattern 11 for circuit pattern formation in a pattern formation region, and formed with a convex section 15 in a peripheral region. - 特許庁

Ｂ面のゲート電極５ａ及びゲート電極５ｂによりチャネル形成領域ＣＨ１が形成され、Ｃ面のゲート電極５ｂ及びゲート電極５ｃによりチャネル形成領域ＣＨ２が形成される。例文帳に追加

The gate electrode 5a and gate electrode 5b on the B plane form a channel formation region CH1, and the gate electrode 5b and gate electrode 5c on the C plane form a channel formation region CH2. - 特許庁

ＳｉＧｅ等の半導体膜が形成された領域と、酸化シリコン膜から成るゲート絶縁膜が形成された領域とが同一基板上に形成される際に、ゲート絶縁膜を精度良く形成する。例文帳に追加

To precisely form a gate insulating film when a region where a semiconductor film of SiGe etc., is formed and a region where a gate insulating film comprising a silicon oxide film is formed are formed on the same substrate. - 特許庁

読み取りトラック幅Ｗに対応して下部シールド層３に凸部３ａを形成し、ＡＭＲ素子６が形成される領域と、引き出し電極層８が形成される領域との間の絶縁層５に段差を形成する。例文帳に追加

A projecting part 3a is formed on a lower shield layer 3 corresponding to the read track width W and a step is formed on an insulating layer 5 between the area where an AMR element 6 is formed and the area where the lead-out electrode layer 8 is formed. - 特許庁

第１素子形成領域１２には第１トランジスタ２０２及び第２トランジスタ２０４が形成され、第２素子形成領域１３には第３トランジスタ３０２が形成される。例文帳に追加

A first transistor 202 and a second transistor 204 are formed in a first element formation region 12, and a third transistor 302 are formed in a second element formation region 13. - 特許庁

また、導電層が形成された電極形成領域５１の空隙度は、導電層が形成されていない電極非形成領域５３の空隙度よりも小さい。例文帳に追加

Moreover, an air gap degree of an electrode forming region 51 in which the conductive layers 5, 7 are formed is smaller than that of the electrode non-forming region 53 in which conductive layers 5, 7 are not formed. - 特許庁

続いて、全面に容量絶縁膜を形成し、その上に第２の導電層２０６を形成し、位置合わせマーク形成領域に第２の導電層２０６を残存させ、メモリセル領域にプレート電極２０６を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a capacitor insulating film is formed on the whole surface of the substrate 201, a second conducting film 206 is formed on the capacitor insulating film, the layer 206 is made to remain on the alignment mark formation region and a plate electrode 206 is formed on the memory cell region. - 特許庁

さらに、全面に絶縁膜２０７を形成し、絶縁膜２０７上のメモリセル領域に上層配線層２０８を形成すると同時に、位置合わせマーク形成領域に位置合わせマーク２０８−ａを形成する。例文帳に追加

Moreover, an insulating film 207 is formed on the whole surface of the substrate 201, an upper wiring layer 208 is formed on a memory cell region on the film 207 and at the same time, alignment marks 208-a are formed on the alignment mark formation region. - 特許庁

第１マスクパターンを用いて第１素子形成領域１２に第１ウェル２１０を形成し、第２マスクパターンを用いて第２素子形成領域１３に第２ウェル４１０を形成する。例文帳に追加

A first well 210 is formed in the first element forming region 12 using a first mask pattern, and a second well 410 is formed in the second element formation region 13 using a second mask pattern. - 特許庁

潜像形成手段３は、各色間で互いに重複しない潜像形成可能領域を各色ごとに多数設定し、各色潜像形成可能領域に対して対応する色の潜像をそれぞれ形成する。例文帳に追加

A latent image forming means 3 establishes a multiplicity of regions where a latent image can be formed for each color in which the colors do not overlap each other, and forms the latent image of the color corresponding to each region where a latent image can be formed for each color. - 特許庁

導電性被膜形成領域１０は金属缶１の底側に形成し、導電性被膜非形成領域１１は金属缶１の開口部側に形成する。例文帳に追加

An electro-conductive coating formed region 10 is formed at a bottom side of the metal can 1, and an electro-conductive coating non- formed region 11 is formed in an opening part side of the metal can 1. - 特許庁

そして、同一形態の配線１２ａによって一つのパターンを形成した第１の配線領域１２Ａが形成され、同一形態の配線１２ｂによって一つのパターンを形成した第２の配線領域１２Ｂが形成されている。例文帳に追加

A first wiring region 12A formed with one pattern by the wiring 12a of the same state is formed, and a second wiring region 12B formed with one pattern by the wiring 12b of the same state is formed. - 特許庁

Ｎチャンネル型トランジスタ（Ｎｃｈ−Ｔｒ）は、Ｐ型シリコン基板１の素子形成領域に形成され、メタル容量は、フィールド酸化膜４の容量形成予定領域に形成される。例文帳に追加

An N-channel transistor Nch-Tr is formed in the element forming area of the substrate 1 and a metal capacity is formed in the area of the film 4 which is intended to be used for the formation of the capacity. - 特許庁

続いて、上層レジスト膜１３にゲート電極の頂部形成領域となる上層開口部１３ａを形成すると共に、下層レジスト膜１２にゲート電極の脚部形成領域となる下層開口部１２ａを形成する。例文帳に追加

Subsequently, an upper opening 13a as the top formation region of the gate electrode is made in the upper resist film 13, and a lower opening 12a as a leg-part formation region of the gate electrode is made in the lower resist film 12. - 特許庁

強度増加領域形成工程、難透水領域形成工程により、それぞれ強度ゾーン６、難透水ゾーン７を形成し、その間に集水ゾーン１Ｂを形成する。例文帳に追加

A strength zone 6 and a hardly water-permeable zone 7 are formed by a strength increase region forming process and a hardly water-permeable region forming process, and a water collecting zone 1B is formed between them. - 特許庁

画像形成装置において、アノード及びカソードからなり、画像形成領域の異常放電を検知する手段と、該画像形成装置内の非画像形成領域で放電させる手段を有することを特徴とする。例文帳に追加

This image forming device is characterized by having a means 3 which consists of an anode 1 and a cathode 2 and detects an abnormal discharge of an image forming region 4, and a means 6 for discharging in a non- image forming region in the image forming device. - 特許庁

まず始めに、Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３を形成し、ＳｉＧｅ層３のうちのソース形成領域とドレイン形成領域とに挟まれた部分をエッチングして取り除き、トレンチを形成する。例文帳に追加

First, an SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and of the SiGe layer 3, a part sandwiched by a source forming region and a drain forming region is etched to be eliminated, and thus, a trench is formed. - 特許庁

不要電荷を排出するドレイン領域として機能するｎ型シリコン基板３の表層にＮ^＋層２を形成し、Ｎ^＋層が形成されたｎ型シリコン基板の受光部形成領域に溝部５を形成する。例文帳に追加

An N^+-layer 2 is formed on the surface layer of an n-type silicon substrate 3, functioning as a drain region for discharging unwanted charges, and grooves 5 are formed in a forming region for a light-receiving part in the n-type silicon substrate wherein the N^+-layer is formed. - 特許庁

ユーザの処理の煩雑化を抑制しながら、画像の重複領域や空白領域の形成を抑制することを可能とする画像形成システム、画像形成装置及び画像形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming system, an image forming apparatus, and an image forming method capable of suppressing the formation of a duplicate region of image and a blank region while suppressing the complication of processing by a user. - 特許庁

これにより、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚と、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚の差が緩和される。例文帳に追加

Thereby, the difference of the total film thickness of the films formed in the p-channel MISFET forming region and the total film thickness of the films formed in the n-channel MISFET forming region is reduced. - 特許庁

バルク成長層に素子が形成されるバルク素子領域の素子形成面と、埋め込み絶縁膜上のシリコン層に素子が形成されるＳＯＩ素子領域の素子形成面の高さはほぼ等しい。例文帳に追加

In this device, the element forming surface of the bulk element region having the element formed in the growth layer is substantially equal in height to the element forming surface of the SOI element region having the element formed in the silicon layer on the embedding insulating film. - 特許庁

ＳＢＳＩ法よって製造される半導体装置であって、素子分離層１３を「素子形成領域１０を囲み、囲んだ範囲内でＳＯＩ形成領域１ａとＳＯＩ形成領域１ｃとの間を仕切ると共に、ＳＯＩ形成領域１ｂとＳＯＩ形成領域１ｄとの間を仕切る」平面形状に形成している。例文帳に追加

In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin". - 特許庁

ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。例文帳に追加

A gate insulating film is formed over a gate electrode, and a microcrystalline semiconductor film which functions as a channel formation region is formed over the gate insulating film, and a buffer layer is formed over the microcrystalline semiconductor film, and a pair of source and drain regions are formed over the buffer layer, and a pair of the source and drain electrodes in contact with the source and drain regions are formed. - 特許庁

画像形成部による画像形成での使用色材量を単一の画像よりも小さい領域を単位として予測し、予測結果を画像形成部による画像形成と同時期に画像形成部へ通知する。例文帳に追加

To predict a use color material amount in image forming by an image forming part with a region smaller than a single image as a unit, and notify the image forming part of a prediction result in the same period as the image forming by the image forming part. - 特許庁

第ｋ_1の屈折率変調形成領域Ｗ_k1と第ｋ_2の屈折率変調形成領域Ｗ_k2とは互いに一部が重なっている。例文帳に追加

A k_1-st refraction factor modulation forming area W_k1 and a k_2-nd refraction factor modulation forming area W_k2 mutually overlap one part. - 特許庁

表面反転層６は、半導体基板１の光電変換領域４が形成された領域に、インジウムを導入して形成する。例文帳に追加

The surface inversion layer 6 is formed by introducing indium into the region in the semiconductor substrate 1 where the photoelectric conversion region 4 is formed. - 特許庁

該処理された面上に窒素原子の細分された層を形成し、その後、処理された面上に第２の領域または第１の領域を形成する。例文帳に追加

A layer with finely separated nitrogen atoms is formed on the treated face, and then the second region or the first region is formed on the treated face. - 特許庁

ヒューズ形成領域１４は、同一工程で形成される他のビアや配線領域における配線層１３を下部電極１３１として含む。例文帳に追加

A fuse forming area 14 includes a wiring layer 13 in the other via or wiring area formed in the same process as a lower electrode 131. - 特許庁

シリコン基板２のソース／ドレイン領域４の形成領域をエッチングで除去し、ＳｉＧｅ層を選択的に形成する。例文帳に追加

The forming region of source/drain region 4 on a silicon substrate 2 is removed by etching to form an SiGe layer selectively. - 特許庁

容量形成領域１４は、同一工程で形成される他のビアや配線領域における配線層１３を下部電極１３１として含む。例文帳に追加

A capacitor formation region 14 includes a wiring layer 13 in other vias and wiring regions formed in the same process as a lower electrode 131. - 特許庁

ゲート電極形成後、一旦選択的に半導体膜をソース領域及びドレイン領域に形成する。例文帳に追加

After a gate electrode is formed, a semiconductor film has once selectively been formed in a source region and a drain region. - 特許庁

回路基板２０はグランド電極形成領域ＧＡとグランド電極非形成領域ＮＧＡを備えている。例文帳に追加

A circuit board 20 includes a ground electrode formation region GA and a ground electrode non-formation region NGA. - 特許庁

その後、ソース・ドレイン領域が形成され、そのソース・ドレイン領域にニッケルシリサイド層がそれぞれ形成される。例文帳に追加

Thereafter, source to drain regions are formed, and the nickel silicide layer is formed in the source to drain regions. - 特許庁