「抵抗状態」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

制御回路ＣＣは、可変抵抗素子ＶＲの状態を低抵抗状態から高抵抗状態にするリセット動作を実行する。例文帳に追加

The control circuit CC executes reset operation to set the state of a variable resistance element VR to a high resistance state from a low resistance state. - 特許庁

書換え可能エレメント(134,234)は、高抵抗状態と低抵抗状態との間でプログラム可能である。例文帳に追加

The elements (134, 234) can be programmed between a high resistance state and a low resistance state. - 特許庁

身体、または心の状態に突然、無抵抗に入り込む例文帳に追加

pass suddenly and passively into a state of body or mind  - 日本語WordNet

位置または状態の変化に抵抗する例文帳に追加

resistant to change of position or condition  - 日本語WordNet

有機体が病気に抵抗できる状態例文帳に追加

the condition in which an organism can resist disease  - 日本語WordNet

電極２は、酸化物層３から酸素イオン５を受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層３に酸素イオン５を供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The electrode 2 changes to the high resistance state from the low resistance state by receiving the oxygen ion 5 from the oxide layer 3 and changes to the low resistance state from the high resistance state by giving the oxygen ion 5 to the oxide layer 3. - 特許庁

酸化物層３は、電極２に酸素イオン５を供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、電極２から酸素イオン５を受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The oxide layer 3 is capable of changing to the high resistance state from the low resistance state by giving oxygen ion 5 to the electrode 2 and changing to the low resistance state from the high resistance state by receiving the oxygen ion 5 from the electrode 2. - 特許庁

抵抗溶接機の溶接状態送信装置例文帳に追加

TRANSMISSION DEVICE FOR WELDING CONDITION OF RESISTANCE WELDING MACHINE - 特許庁

抵抗溶接における溶接状態の検知法例文帳に追加

METHOD FOR DETECTING WELDING CONDITION IN RESISTANCE WELDING - 特許庁

状態検出方法及び絶縁抵抗低下検出器例文帳に追加

STATE DETECTION METHOD AND INSULATION RESISTANCE DETERIORATION DETECTOR - 特許庁

軽荷状態における舵の造波抵抗を抑える。例文帳に追加

To suppress the wave making resistance of a rudder in the light load condition. - 特許庁

状態検出方法及び絶縁抵抗低下検出器例文帳に追加

STATE DETECTION METHOD AND INSULATION RESISTANCE DECLINE DETECTOR - 特許庁

これら４つの抵抗値状態は検出可能に異なる。例文帳に追加

These four resistance states differ detectably. - 特許庁

高抵抗状態と低抵抗状態の間の抵抗値差が過度に小さくなるのを回避するのに適した抵抗変化型素子、および、そのような素子の抵抗スイッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a variable resistance element suitable for avoiding excessive reduction of a resistance value difference between a high resistance state and a low resistance state, and also to provide a resistance switching method of the element. - 特許庁

インスリン抵抗性およびインスリン抵抗性を特徴とする疾病状態の治療方法例文帳に追加

METHOD FOR THE TREATMENT OF INSULIN RESISTANCE AND DISEASE STATES CHARACTERIZED BY INSULIN RESISTANCE - 特許庁

このバイパス電路２２の途中に、抵抗値の大きな、ＯＦＦ状態保持用抵抗２３を設ける。例文帳に追加

In a portion of this bypass electrical path 22, an off-state holding resistor 23 having large resistance value is provided. - 特許庁

入力データ信号が高電圧論理状態では、可変抵抗器は低抵抗値に切り替わる。例文帳に追加

When the input data signal is at a high logic level, the variable resistor is switched to be a low resistance. - 特許庁

この状態で可変抵抗器Ｒ２０１の抵抗値を、所望の動作周波数になるように調整する。例文帳に追加

While in this state, the resistance value of a variable resistor R201 is adjusted to become a desired operating frequency. - 特許庁

多様な抵抗状態を呈する抵抗体を利用した不揮発性メモリ素子、及び、その駆動方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING RESISTIVE ELEMENT SHOWING VARIOUS RESISTANCE STATES, AND METHOD OF DRIVING THE SAME - 特許庁

キャパシタに電圧印加し、ブレークダウンさせて、キャパシタの抵抗成分は抵抗変化素子の低抵抗状態と同じ程度の値とする。例文帳に追加

By applying a voltage to the capacitor to break it down, the resistance component of the capacitor is made almost the same as the lowered resistance of the variable resistance element. - 特許庁

１次側抵抗体２の電圧ＯＮ状態を、２次側抵抗体３の加熱時の抵抗値の変化率を判定して検出する。例文帳に追加

A voltage ON state of the primary side resistor 2 is detected by determining a resistance value changing rate of the secondary side resistor 3 in a heating time. - 特許庁

第３状態は、第２電流により第２回路の抵抗値が第２抵抗値よりも大きな第５抵抗値に変化する。例文帳に追加

In a third state, the resistance value of the second circuit is changed into a fifth resistance value larger than the second resistance value by the second current. - 特許庁

抵抗膜接続部１２は、近接検出部１０２が動作している状態のときに、抵抗膜１１Ｘと抵抗膜１１Ｙとを電気的に接続する。例文帳に追加

A resistive membrane connecting part 12 connects the resistive membrane 11X and the resistive membrane 11Y electrically while the approach detecting part 102 is activated. - 特許庁

抵抗変化素子を有する記憶装置であって、抵抗変化素子の抵抗状態のばらつき抑制が図られた記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a storage device having a variable resistance element and being suppressed in the dispersion of the resistance state of the variable resistance element. - 特許庁

基準素子は、トンネル絶縁層を自由磁化層と固定磁化層とで挟んだ構造を有し、磁気抵抗素子の低抵抗状態の抵抗と高抵抗状態の抵抗との間の抵抗を有し、第１の方向と直交する第２の方向に長い平面形状を有する。例文帳に追加

The reference element has such a structure as a tunnel insulation layer is sandwiched by a free magnetization layer and a fixed magnetization layer, has a resistance between the resistance in the low resistance state and the resistance in the high resistance state of the magnetoresistive element, and has a planar shape elongated in a second direction perpendicular to the first direction. - 特許庁

更に、本発明の不揮発性半導体メモリ素子の駆動方法は、前記抵抗体（１２）の抵抗状態がリセット抵抗状態からセット抵抗状態に変化する途中に、前記抵抗体（１２）に流れる電流値を調節することにより、前記抵抗体（１２）の抵抗状態を制御するステップを含むことを特徴とする。例文帳に追加

Further, the method of driving the nonvolatile semiconductor memory device comprises a step of controlling the resistance state of the resistive element (12) by adjusting a value of current which flows to the resistive element (12) while the resistance state of the resistive element (12) changes from the reset resistance state to the set resistance state. - 特許庁

抵抗検出部６ａが、センサ素子が高温状態にあるときの第１センサ抵抗を検出し、センサ素子が高温状態と低温状態の間を遷移している中間状態にあるときの第２センサ抵抗を検出する。例文帳に追加

The resistance detection part 6a detects not only first sensor resistance when the sensor element is set to the high temperature state but also second sensor resistance at an intermediate state wherein the sensor element is transited between the high temperature state and the low temperature state. - 特許庁

前記プログラム素子は、その電流経路に所定の電位差が形成されることによって当該電流経路の状態が高抵抗状態から低抵抗状態に又は低抵抗状態から高抵抗状態に不可逆的に変化される構造を持つ。例文帳に追加

The program element has a structure in which the state of a current route changes irreversibly from a high-resistance state to a low-resistance state or from a low-resistance state to a high-resistance state, due to a prescribed potential difference in the current route. - 特許庁

書き換え動作（消去および書き込み動作）対象のメモリセルの可変抵抗素子の抵抗状態に拘わらず、当該可変抵抗素子の抵抗状態を抵抗値の最も低い消去状態とするための消去電圧パルスを印加する。例文帳に追加

Despite a resistive state of a variable resistive element of a memory cell to be rewritten (an erasing and writing operation), an erasing voltage pulse for making the resistive state of the variable resistive element a lowest erasure state is applied thereto. - 特許庁

モジュール１０は通常の温度状態では低抵抗値（ＰＴＣ素子１のロー状態の抵抗値）を示し、温度異常状態では互いに異なる高抵抗値（抵抗器２の抵抗値）を示すようにＰＴＣ素子１により切り換え可能である。例文帳に追加

The module 10 indicates a low-resistance value (the resistance value of the low-state of the PTC element 1) in a normal temperature state, and is switched with the PTC element 1 so as to indicate mutually different high resistance values (the resistance value of the resistor 2) in a temperature abnormality state. - 特許庁

抵抗値を適切に制御することにより、高抵抗状態または低抵抗状態に変化させるのに必要な電圧を可変抵抗素子に印加することの可能なメモリセルを提供する。例文帳に追加

To provide a memory cell which applies a voltage required to change it into a high resistance state or a low resistance state, to a variable resistance element by suitably controlling the resistance value. - 特許庁

これは、第１の比較的高い抵抗状態と第２の比較的低い抵抗状態の間の多層構造を切り換えるのに必要な電流である。例文帳に追加

It is the current required for switching the multilayer structure between the first relatively high resistance state and the second relatively low resistance state. - 特許庁

ＭＴＪ（３７）は第１の比較的高い抵抗状態と第２の比較的低い抵抗状態との間に切り換えることができる。例文帳に追加

The MTJ (37) can be switched between a first relatively high resistance state and a second relatively low resistance state. - 特許庁

欠陥のあるメモリセルを高抵抗状態または抵抗状態に固定するハード障害による不具合を回避する。例文帳に追加

To avoid trouble due to a hardware fault which fixes a memory cell having a defect in a high-resistance state or a low resistance state. - 特許庁

記憶素子３１ａ〜３１ｃは、電気抵抗が相対的に高い第１の状態と、電気抵抗が相対的に低い第２の状態とを有する。例文帳に追加

The memory elements 31a-31c are provided with a first state wherein an electric resistance is relatively high and a second state wherein the electric resistance is relatively low. - 特許庁

酸化物層４は、酸化物層３から酸素イオン５を受容することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層３に酸素イオン５を供与することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The oxide layer 4 can change from low resistance state to high resistance state by receiving the oxygen ion 5 from the oxide layer 3, and from the high resistance state to the low resistance state by giving the oxygen ion 5 to the oxide layer 3. - 特許庁

酸化物層３は、酸化物層４に酸素イオン５を供与することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層４から酸素イオン５を受容することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The oxide layer 3 can change from low resistance state to high resistance state by giving an oxygen ion 5 to the oxide layer 4, and from the high resistance state to the low resistance state by receiving the oxygen ion 5 from the oxide layer 4. - 特許庁

ＭＲＡＭデバイス内のメモリセルの抵抗状態を感知する回路例文帳に追加

CIRCUIT FOR SENSING MEMORY CELL RESISTIVE STATE IN MRAM DEVICE - 特許庁

酸化物層３は、酸化変性部２ａから酸素イオン４を受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、酸化変性部２ａに酸素イオン４を供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The oxide layer 3 can receive an oxygen ion 4 from the oxidation denaturation part 2a to change from a high resistance state to a low resistance state, and can provide the oxidation denaturation part 2a with an oxygen ion 4 to change from a low resistance state to a high resistance state. - 特許庁

酸化変性部２ａは、酸化物層３に酸素イオン４を供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、酸化物層３から酸素イオン４を受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The oxidation denaturation part 2a can provide the oxide layer 3 with an oxygen ion 4 to change from a high resistance state to a low resistance state, or can receive an oxygen ion 4 from an oxide layer 3 to change from a low resistance state to a high resistance state. - 特許庁

シャント抵抗器の接続端子、及びバッテリー状態検知装置例文帳に追加

CONNECTION TERMINAL OF SHUNT RESISTOR, AND BATTERY STATE DETECTION DEVICE - 特許庁

ライトワンスエレメント(136,236)は、高抵抗状態から低抵抗状態にプログラム可能であるアンチヒューズエレメントとすることができるか、又は低抵抗状態から高抵抗状態にプログラム可能であるヒューズエレメントとすることができる。例文帳に追加

The elements (136, 236) are made to anti-fuse elements programmable from the high resistance state to the low resistance state or from the low resistance state to the high resistance state. - 特許庁

酸素供給層３は、酸素受容層４に酸素イオンを供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸素受容層４から酸素イオンを受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。例文帳に追加

The oxygen supply layer 3 can change from a low-resistance state to a high-resistance state by giving oxygen ions to the oxygen reception layer 4, and from the high-resistance state to the low-resistance state by receiving oxygen ions from the oxygen reception layer 4. - 特許庁

拡張電極４３下部の基板２１を前記高比抵抗の状態とする。例文帳に追加

The substrate 21 below the extension electrode is made a state of high resistivity. - 特許庁

この状態でセメントが充填されてセメント抵抗器となる。例文帳に追加

Cement is charged in this state to make a cement resistor. - 特許庁