「抵抗状態」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

ＭＲＡＭデバイス中のメモリセルの抵抗状態を信頼性よくかつ低コストで感知することができるようなメモリセル抵抗状態感知回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a memory cell resistive state sensing circuit capable of reliably and also inexpensively sensing the resistive state of a memory cell in an MRAM device. - 特許庁

入力スイッチ１４は、チャージポンプ回路１２０ａの起動開始から所定のソフトスタート期間、オン抵抗が高い状態にてオンし、その後、オン抵抗を低い状態にてオンする。例文帳に追加

The input switch 14 turns on the on-resistance at a high state during a predetermined soft start period from the start of activation of the charge pump circuit 120a, and then, turns on the on-resistance at a low state. - 特許庁

また抵抗器３、コンデンサ４、抵抗器２５を電気的に有意とすることで、通信回線側の状態に影響を与えることがなく、しかもモデムにて所定の信号を受信可能とする高インピーダンス状態を形成する。例文帳に追加

Also, by making the resistor 3, the capacitor 4 and the resistor 25 electrically significant, the state of a communication channel side is not affected and a high impedance state where prescribed signals can be received in the modem is formed. - 特許庁

溶接中に検出される電流値、電圧値から抵抗値を算出し、予め設定された値と算出された抵抗値を比較することで、部品の欠落状態や異物かみ込み状態を検出する。例文帳に追加

An omission of a part and a biting of foreign matter are detected by calculating a resistance from an electric current and a voltage detected during a welding work and comparing the calculated resistance with a preliminarily set value. - 特許庁

磁気メモリ素子は、強磁性自由層を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を備え、第１の比較的高い抵抗状態と第２の比較的低い抵抗状態を示す。例文帳に追加

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction (MTJ) including a ferromagnetic free layer, and exhibits a first relatively high resistance state and a second relatively low resistance state. - 特許庁

第３電極への電圧印加のみで低抵抗状態と高抵抗状態のスイッチングが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a low resistance state and a high resistance state can be switched only by applying a voltage on a third electrode, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

重荷状態運行時および軽荷状態運行時共に大きな造波抵抗減少効果が得られ、更に増速したときにおいても大きな造波抵抗減少効果を期待出来るバウパットを提供する。例文帳に追加

To provide a bow pad for producing great wave-making resistance reducing effects both during heavy-load operation and during light-load operation while producing promising great wave-making resistance reducing effects even during further increasing a speed. - 特許庁

一方、バスアクセスがない場合には、カウントアップを継続し、カウント値がＬｉｍｉｔ値に達すると、プルアップ抵抗６をオン状態とし、バスアクセスがあるまで、プルアップ抵抗６のオン状態を維持する。例文帳に追加

When any bus access is not performed, the timer pull-up control circuit 5 continues the count-up, and when the count value reaches the Limit value, it turns a pull-up resistance 6 into an ON state, and maintains the ON state of the pull-up resistance 6 until the bus access is performed. - 特許庁

該超伝導スクリーンは、通常の伝導状態における、その電気抵抗値が、通常の伝導状態における、該超伝導導体に使用される材料の電気抵抗値よりも少なくとも５０倍大きい超伝導材料からなる。例文帳に追加

The superconducting screen is composed of a superconducting material whose electrical resistance value in the normally conductive state is at least 50 times greater than the electrical resistance value of the material used for the superconducting conductor in the normally conductive state. - 特許庁

定電流回路Ｉは、低抵抗状態の第１ＭＲ素子を流れる電流と、高抵抗状態の第１ＭＲ素子を流れる電流との間の値を有する参照電流を出力する。例文帳に追加

The constant current circuit I outputs the reference current of a value between the current running in the first MR element at the low-resistance steady state and the current running in the first MR element at the high-resistance steady state. - 特許庁

コントローラ１８は、電気抵抗体２２の抵抗値からバルーン１４の膨張状態を把握し、これを元にバルーン１４が内壁面３０ａから受ける反力を検出し、管路３０の屈曲状態を検出する。例文帳に追加

A controller 18 grasps the expansion state of the balloon 14 from resistance values of the electric resistors 22 to check a reaction against the balloon 14 from the internal wall surface 30a based on the values, thereby detecting the bending state of the duct 30. - 特許庁

記憶素子１０は、ＭＯＳトランジスタ３０の非線形電流電圧特性とは逆の非線形電流電圧特性を有し、印加された電圧の極性に応じて高抵抗状態または低抵抗状態に変化する。例文帳に追加

The memory device 10 has an inverse nonlinear current-voltage characteristic with respect to the nonlinear current-voltage characteristic of the MOS transistor 30, and it is changed into the high resistance state or the low resistance state according to the polarity of the applied voltage. - 特許庁

測定対象物Ｉに接触子２と接触子３とを接触させた状態で、測定対象物Ｉの抵抗値を乾燥状態で抵抗測定部７が測定する。例文帳に追加

In the state where a contactor 2 and a contactor 3 are in contact with the measuring object I, the resistance measuring part 7 measures a resistance value of the measuring object I in the dry state. - 特許庁

この状態で、噴霧装置などを使用して水などの液体を測定対象物Ｉに噴霧し、測定対象物Ｉの抵抗値を湿潤状態で抵抗測定部７が測定する。例文帳に追加

In this state, a liquid such as water is sprayed to the measuring object I by using a spraying device or the like, and the resistance measuring part 7 measures the resistance value of the measuring object I in the wet state. - 特許庁

この超伝導電流制限器は、ゼロ抵抗の超伝導状態と、クエンチヒータアセンブリを通って流れる電流を減少させるように通常抵抗をもつ定常状態と、を有する。例文帳に追加

The superconducting current limiter has a superconducting state with zero resistance and a normal state with a normal resistance to decrease an electric current flowing through the quench heater assembly. - 特許庁

水滴や油滴等が発熱抵抗体部に付着した場合と、無しの通常の場合とを区別して発熱抵抗体の加熱状態を検出する手段，加熱状態により加熱時間を制限する回路手段を設ける。例文帳に追加

A means for detecting the heated state of heat resistor by distinguishing between the case with adhesion of water droplet, oil droplet, etc., and the case without adhesion as usual and a circuit means regulating heating time by the heated state are provided. - 特許庁

電磁石２２ｘに通電すると、従動ギヤ２７が電磁石に吸着されて非回動状態に固定され、これに伴い抵抗付与手段１７も非回動状態に固定され、操作軸１３の回動に抵抗を与える。例文帳に追加

When the electromagnet 22x is energized, the driven gear 27 is adsorbed to the electromagnet, fixed to a non-rotation state, so that the resistance adding means 17 is also fixed to the non-rotation state to add resistance to the rotation of the operation shaft 13. - 特許庁

滑動部が前記ＯＮ状態位置及びＯＦＦ状態位置間を移動する際、ワイパーを伝導部材と抵抗部材との上で摺動させることによって、回路の抵抗を線形変化するようにする。例文帳に追加

When the sliding part moves between the ON-state position and the OFF-state position, the wiper slides on the conductor member and the resistance member, thereby realizing linear change of a circuit resistance. - 特許庁

低抵抗状態から高抵抗状態へのスイッチングが生じる極性１６とは逆の極性１４の電圧を素体２に印加することによってエレクトロフォーミング処理しておく。例文帳に追加

The voltage of polarization 14 inverse to the polarization 16 in which switching to a high resistance state from a low resistance state generates is applied to the element body 2, and thereby electroforming treatment is carried out. - 特許庁

抵抗部材１３の中間部の支持部７ｄからのを外れを阻止する支持状態及び抵抗部材１３の中間部の支持部７ｄからの取り外しを許容する取外状態に、切換自在な支持部材１４を備える。例文帳に追加

A support member 14 is provided that is capable of freely switching between the support state that prevents the intermediate part of the resistance member 13 from being removed from the support part 7d, and the removal state that allows the intermediate part of the resistance member 13 to be removed from the support part 7d. - 特許庁

トラクタにトレーラを牽引した状態と牽引しない状態とのそれぞれにおいて、空気抵抗の低減を図ることが可能な空気抵抗低減装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide an air resistance reducing device capable of reducing air resistance in each of a towed state of a trailer by a tractor and no towed state of the trailer. - 特許庁

荷箱を積載した状態に加えて、非積載状態でも貨物車両の空気抵抗を低減できる車両の空気抵抗低減装置を提供する。例文帳に追加

To provide an air resistance reducing device of a vehicle capable of reducing air resistance of a cargo vehicle in a loaded state of a loading box, as well as a non-loaded state. - 特許庁

水滴や油滴等が発熱抵抗体部に付着した場合と、無しの通常の場合とを区別して発熱抵抗体の加熱状態を検出する手段，加熱状態により加熱時間を制限する回路手段を設ける。例文帳に追加

This thermal air flowmeter is provided with a means for detecting the heating state of the heating resistor and a circuit means for restricting a heating time according to the heating state, by discriminating the case where the waterdrops, the oil-drops or the like adhere to the heating resistor part from the ordinary non-adhering case. - 特許庁

高抵抗状態（“１”を保持している状態）への“１”の再書込を行なわないから、メモリセルの抵抗比が大きくとれるようになり、読出信号が大きくでき、読出アクセスタイムを高速にすることができる。例文帳に追加

Since no re-writing of "1" is conducted to a high resistive state (the state in which "1" is held), the resistive ratio of the memory cell is made greater, the reading output signals are made larger and the reading access time is made faster. - 特許庁

高抵抗状態（“１”を保持している状態）への“１”の再書込を行なわないから、メモリセルの抵抗比が大きくとれるようになり、読出信号が大きくでき、読出アクセスタイムを高速にすることができる。例文帳に追加

Since the data "1" are not rewritten to a high-resistance state (state of holding "1"), the resistance ratio of the memory cell can be taken large, the reading signal can be enlarged, and reading access time becomes fast. - 特許庁

バッテリ劣化状態判定手段３３は、バッテリ内部抵抗算出手段３２により算出されたバッテリ４１の内部抵抗に基づき、バッテリ４１の劣化状態を判定する。例文帳に追加

A battery deterioration state determination means 33 determines the deterioration state of the battery 41, based on the internal resistance of the battery 41 calculated by the calculation means 32. - 特許庁

主抵抗回路Ａは、オンダイターミネーション回路をオフ状態とする場合にオフされオン状態とする場合にオンされるトランジスタp1と、抵抗素子r0とを備える。例文帳に追加

The main resistor circuit A includes a transistor p1 to be turned off in the case of turning off the on-die termination circuit and turned on in the case of turning on the on-die termination circuit, and a resistor element r0. - 特許庁

滑動部は、ワイパーを前記抵抗部材の長手方向に沿って他端部と接触したＯＮ状態、及び抵抗部材の一端部と接触したＯＦＦ状態となるように移動するように構成される。例文帳に追加

The sliding part is constituted so as to move the wiper in such a manner that an ON-state connected with the other end portion along the length direction of the resistance material and an OFF-state connected with the one end portion of the resistance member are obtained. - 特許庁

信号電流がモニタされると、この回路は、選択されたメモリセル（１７５）が第１の抵抗状態と第２の抵抗状態のいずれにあるかを判定するために、信号電流と平均基準電流を比較することができる。例文帳に追加

When the signal current is monitored, this circuit can compare the signal current with an average reference current in order to decide whether the selected memory cell (175) is in a first resistance state or a second resistance state. - 特許庁

アクセルペダルを踏み込んだとき一方の制動部材２３が無荷重接触状態から押されて抵抗力を発生し、戻したときもう一方の制動部材２５が無荷重接触状態から押されて抵抗力を発生する。例文帳に追加

When the accelerator pedal is operated, one brake member 23 is pressed from a non-load contact state to generate the resistance force, and when the accelerator pedal is returned, the other brake member 25 is pressed from a non-load contact state to generate the resistance force. - 特許庁

前記第１ステージの電流量は、前記複数の相変化セルのうちセット抵抗状態となるために最も大きい電流量が必要な相変化セルをセット抵抗状態にする電流量である。例文帳に追加

The current at the first stage is a current which makes a phase change cell requiring a maximum current a set resistance state among the plurality of phase change cells to be the set resistance state. - 特許庁

外部端子に外部抵抗素子が接続されていない状態で、スイッチを導通状態にして内部抵抗素子をＺＱ端子に電気的に接続する。例文帳に追加

The switch is in conduction state, and then the internal resistive element is electrically connected to a ZQ terminal in the state that the external resistive element is not connected to the external terminal. - 特許庁

絶縁抵抗低下検出器自体の故障を検出することができる状態検出方法及び当該状態検出方法を実施した絶縁抵抗低下検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a state detection method capable of detecting failure of an insulation resistance deterioration detector itself and to provide the insulation resistance deterioration detector using the state detection method. - 特許庁

船舶の軽荷状態での航行時における船舶用舵の造波抵抗を減少して、軽荷状態における船舶の抵抗を低減することができる船舶用舵、船舶用舵のラダーホーン及び船舶等を提供する。例文帳に追加

To provide a rudder for a vessel, a rudder horn for the vessel rudder and the vessel etc. capable of reducing vessel resistance in the light load condition by reducing wave making resistance of the vessel rudder when the vessel in sailing in the light load condition. - 特許庁

注入電荷増幅器(30)は、センシングされたメモリセルが基準セルと比較して第1の抵抗状態であるか、又は第2の抵抗状態であるかを判定する。例文帳に追加

The injection charge amplifier (30) determines whether a sensed memory cell is in a first or second resistive state as compared to a reference cell. - 特許庁

相変化材料の少なくとも一部は、第１および第２の電極のうちの少なくとも１つに対して加えられるスイッチング信号に呼応して、低電気抵抗状態と高電気抵抗状態を切り換えるように作動する。例文帳に追加

In response to a switching signal, added to at least one of the first and second electrodes, at least a part of phase-change material operates so that a low electrical resistance state and a high electrical resistance state are switched. - 特許庁

電圧印加部１４、１６間に電圧出力部２１から電圧を印加し、待機状態となる非押圧状態では第１抵抗体１１、第２抵抗体１２を非導通とすることで消費電力を生じない構成とした。例文帳に追加

The power consumption is not generated by applying a voltage between the voltage applying sections 14 and 16 from a voltage output section 21, and bringing the first resistor 11 and the second resistor 12 to a nonconductive state under a non-pushing state as a standby state. - 特許庁

特に、抵抗素子ＴＤＲ１と不揮発性メモリＮＶＭ１とは互いに電気的に接続され、不揮発性メモリＮＶＭ１のオン状態またはオフ状態により、抵抗素子ＴＤＲ１の導通状態または非導通状態が切り替わる。例文帳に追加

In particular, the resistance element TDR1 and the nonvolatile memory NVM1 are mutually electrically connected, and the resistance element TDR1 is changed between a conductive state or nonconductive state depending on the ON state or OFF state of the nonvolatile memory NVM1. - 特許庁

制御信号Ｓによってスイッチング素子１をオン状態に制御すればプルアップ抵抗が接続された状態になり、オフ状態に制御すればプルアップ抵抗が接続されていない状態になるので、後の設計変更に対応できる。例文帳に追加

When the switching element 1 is controlled into an on state with the control signal S, a state in which the pull-up resistance is connected can be obtained, and when the switching element 1 is controlled into an off state, a state that the pull-up resistance is not connected can be obtained. - 特許庁

コンデンサーの片側電極となるスライダ２を抵抗体１に沿って相対的に移動可能に設けると共に、スライダと抵抗体との間を絶縁状態に形成し、抵抗体のうちスライダが面する部分とスライダとの間でコンデンサーを形成し、抵抗体の両端を入力側とし、スライダと抵抗体の一端とを出力側とする。例文帳に追加

A capacitor is formed between the slider and the part which the slider faces of the resistor, and both ends of the resistor become an input side, and the slider and one end of the resistor becomes an output side. - 特許庁

被溶接物を抵抗溶接電極で挟み込んで押圧した状態で電流を流し、接触抵抗により発熱した熱で接合する抵抗溶接において、抵抗溶接電極と被溶接物との押圧接触面が溶接時に溶融せず、溶接後に容易に被溶接物から取外しできる抵抗溶接電極を実現することを課題とする。例文帳に追加

To provide a resistance welding electrode wherein the press-contact face between the resistance welding electrode and a welding article are not melted in welding and thereby the electrode can be removed easily from the welding article, in the resistance welding for joining the welding articles by the heat generated by the contact resistance by carrying in a current in a state of pressing while clamping the welding article with the resistance welding electrodes. - 特許庁

水抵抗型中性点接地抵抗器の抵抗性能を充電状態で管理する抵抗値管理方法であって、前記抵抗器から採取した内部溶液の導電率を、前記溶液中に浸漬した一対のチタン、チタン合金、炭素などからなる電極間に電圧あるいは電流を印加して計測することにより管理する。例文帳に追加

In the resistance value controlling method which controls a resistance quality of the water rheostat type neutral grounding resistor in its charged state, the electric conductivity of an internal solution taken from the above-mentioned resistor is measured in order to carry out the control by applying voltage or current across a pair of electrodes made of titanium, a titanium alloy, carbon or the like which are immersed in the solution. - 特許庁

抵抗ユニットＵ内の複数の検査用抵抗素子を選択的に用いて端子１ａ−２ａ間の接触抵抗ｒ１を考慮して検査基準抵抗値を満たす出力インピーダンスに設定し、検査ボード２の電流源５から検査用抵抗素子を通じて所定電流を印加した状態で半導体集積回路装置１を検査する。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit device 1 is inspected with a predetermined current applied from a current source 5 of an inspection board 2 through an inspection resistor element, selectively using a plurality of the inspection resistor element in a resistor unit U and by setting the output impedance to satisfy an inspection standard resistance value taking the contact resistance r1 between terminals 1a-2a in consideration. - 特許庁

抵抗膜式タッチパネルの押下位置座標を検出するタッチパネル装置において、状態設定部２２は、押下位置の各軸座標を検出する際、一方の抵抗膜の電極間に一定電圧を加え、かつ、他方の抵抗膜の電極端子を開放すると共に、他方の抵抗膜の一つの電極端子を座標検出端子とし、この端子を抵抗を介してプルアップ、プルダウンする。例文帳に追加

A state setting part 22 of this touch panel device that detects the depressed position coordinates of a resistance film type touch panel opens the electrode terminals of one of both resistance films while applying the fixed voltage between electrodes of the other resistance film, uses one of electrode terminals of the former resistance film as a coordinate detection terminal and pulls up and down the coordinate detection terminal via resistance when each of axial coordinates of depressed positions is detected. - 特許庁

制御部は、抵抗変化層を、第１抵抗値を有する第１状態から、第１抵抗値よりも低い第２抵抗値を有する第２状態に変化させるセット動作において、第１配線にセット動作電圧を印加する際に、第１配線の電位の変化に基づいて第１配線に供給される電流の上限値を増やす。例文帳に追加

In the set operation of changing the resistance change layer from the first state of having a first resistance value to the second state of having a second resistance value lower than the first resistance value, the control unit increases the upper limit value of the current to be supplied to the first wiring on the basis of the change of the potential of the first wiring when applying a set operation voltage to the first wiring. - 特許庁