| 例文 (610件) |
極薄金属膜の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 610件
前記第１金属薄膜２７と第２金属薄膜２８は再分極処理用の電極として用いる。例文帳に追加
First and second thin metal films 27, 28 are employed as electrodes for repolarization processing. - 特許庁
そして、上記陰極電極４が金属薄膜と金属酸化物薄膜とからなる。例文帳に追加
And, the above negative electrode 4 consists of a metal thin film and a metal oxide thin film. - 特許庁
金属抵抗１は、抵抗金属薄膜２０と一対の電極金属１２とで構成されている。例文帳に追加
The metal resistor 1 is constituted of a resistor metal thin film 20 and a pair of electrode metals 12. - 特許庁
そして、上記透明陽極電極２および透明陰極電極４が金属薄膜と金属酸化物薄膜とからなる。例文帳に追加
The positive electrode 2 and the negative electrode 4 each comprise a thin metal film and a thin metal oxide film. - 特許庁
前記プラズモン共鳴金属薄膜が透光性を有する金属薄膜又は金属メッシュと該金属薄膜又は金属メッシュ上に金属ナノクラスタを金属錯体とともに量子ドットとして析出させてなる錯体結晶とからなり、前記透明導電性電極を兼用することができる。例文帳に追加
The Plasmon resonance metal thin-film comprises a metal thin-film or a metal mesh having light transmissivity and complex crystal obtained by depositing the metal nano-clusters together with metal complex as quantum dots on the metal thin-film or the metal mesh, thereby serving also as a transparent conductive electrode. - 特許庁
下地金属薄膜１３と電気的に接続された導電性薄膜９と反射電極である第３の金属薄膜１０、１１とを備えている。例文帳に追加
A conductive thin film 9 electrically connected to the base layer metal thin film 13 and a third metal thin films 10 and 11 to be reflection electrodes are provided. - 特許庁
電極である金属薄膜４が圧電セラミックス膜３の上面に取り付けられ、金属線メッシュ５が、金属薄膜４を覆って金属薄膜４の上面に取り付けられる。例文帳に追加
A metal thin film 4 as an electrode is fitted onto an upper surface of the piezoelectric ceramic film 3, and metal wire meshes 5 are fitted onto an upper surface of the metal thin film 4 to cover the metal thin film 4. - 特許庁
抵抗金属薄膜２０は、電極金属１２の一部とのみ接触して、この電極金属間に有意抵抗値を提供する。例文帳に追加
The resistor metal thin film 20 is in contact only with part of the electrode metals 12 to provide a significant resistance value between the electrode metals. - 特許庁
極めて薄い金属酸化物薄膜を、厚み精度良く、且つ確実に形成し得る金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a metal oxide thin film that can form a very thin metal oxide thin film with good thickness accuracy with reliability. - 特許庁
卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６の側面は卑金属薄膜４と同じ金属原子を含む卑金属酸化物７で覆われている。例文帳に追加
Side surfaces of the base metal thin film 4, dielectric thin film 5, and upper electrode 6 are covered with base metal oxide 7 containing the same metal atom with the base metal thin film 4. - 特許庁
エポキシ樹脂組成物からなる極薄金属膜付き接着シート例文帳に追加
ADHESIVE SHEET WITH EXTREMELY THIN METAL FILM AND COMPRISING EPOXY RESIN COMPOSITION - 特許庁
電極28と金属反射薄膜36との間でリークが生じにくい。例文帳に追加
Leakage then will not occur between the electrodes and the metal reflecting thin film 36. - 特許庁
ナノ金属微粒子含有炭素薄膜電極及びその製造方法例文帳に追加
NANO-METAL PARTICLE INCLUDING THIN FILM CARBON ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
本発明は、金属薄膜電極及びその製造方法に関する。例文帳に追加
To provide a thin metal film electrode and a fabricating method thereof. - 特許庁
前記金属薄膜はフォトリソグラフィ加工で電極に形成される。例文帳に追加
The metallic thin film is formed as an electrode by a photolithography process. - 特許庁
ゲート電極１などとなる金属薄膜またはソース電極７およびドレイン電極６などとなる金属薄膜として、金属からなる層１ａと金属に窒素原子を添加した層１ｂを有する金属薄膜を用いる。例文帳に追加
As a metal thin film acting as the gate electrode 1, etc., or a metal thin film acting as the source electrode 7, the drain electrode 6, etc., the metal thin film which has a layer 1a, consisting of a metal, and a layer 1b in which the nitrogen atom is added to the metal, is used. - 特許庁
配線金属１６は、電極金属１２とのみ接触し、抵抗金属薄膜２０とは接触していない。例文帳に追加
The interconnection metal 16 is in contact only with the electrode metals 12, but not with the resistor metal thin film 20. - 特許庁
窒化アルミニウム薄膜−金属電極積層体およびそれを用いた薄膜圧電共振子例文帳に追加
ALUMINUM NITRIDE THIN FILM-METALLIC ELECTRODE STACK, AND THIN FILM PIEZOELECTRIC RESONATOR USING IT - 特許庁
金属薄膜の上層側に形成されたコンタクトホールは、金属薄膜と画素電極とが重畳する領域に複数形成されている。例文帳に追加
A plurality of contact holes formed on the above layer side of the metal thin film are formed on an area where the metal thin film is superimposed on the pixel electrode. - 特許庁
電極部材３１は金属製の薄膜からなるとともに、該金属製の薄膜は、発熱面３０ａの縁部３０ｂに貼付されている。例文帳に追加
The electrode member 31 consists of a metallic thin film, which is stuck on the marginal portion 30b of the heat generating surface 30a. - 特許庁
両面金属化ポリプロピレンフィルムの表面への金属薄膜の形成時に、一方の面に設けられた、外部電極と接続される第一の金属薄膜を先に形成し、その後に他方の面に第二の金属薄膜を形成することにより、引き出し電極と外部電極との接続を安定させる。例文帳に追加
When the metal thin film is formed on surfaces of both-surface metallized polypropylene film, a first metal thin film, which is provided on one surface and connected to the external electrode, is formed in first, and then a second metal thin film is formed on the other surface to stabilize connection between a drawing electrode and the external electrode. - 特許庁
コネクターは、転写板に金属膜を介して形成された配線部用金属薄層が金属膜と共に熱圧着により転写されて形成された配線部と、金属膜がパターニングされて形成された電極とを有する。例文帳に追加
This connector 1 has wiring parts 11 composed by transferring a wiring part-use metal thin film formed on a transferring plate through a metal film together with the metal film by means of thermocompression bonding, and electrodes 12, 21 formed by patterning a metal film. - 特許庁
ゲート絶縁膜とゲート電極の間に薄膜金属層を有する半導体装置において、薄膜金属層を構成する金属がゲート絶縁膜に混入するのを防ぐ。例文帳に追加
To provide a semiconductor device including a thin film metal layer between a gate insulating film and a gate electrode by which mixing of metal constituting the thin film metal layer into the gate insulating film is prevented. - 特許庁
有機ＥＬ素子５０の電子注入電極８は、金属薄膜８１および金属酸化膜８２の積層構造を有する。例文帳に追加
Each electron injecting electrode 8 of the elements 50 has a layered structure composed of a metal thin film 81 and a metal oxide film 82. - 特許庁
電子注入電極１２は、金属薄膜２５と透明導電膜２６との積層構造を有する。例文帳に追加
The electron injection electrode 12 has a lamination structure of a metal thin film 25 and a transparent conductive film 26. - 特許庁
電極金属膜間のリーク電流が少ない薄膜圧電体素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a thin-film piezoelectric element which has a small leak current between electrode metal films and its manufacturing method. - 特許庁
厚膜上部電極を使用して金属箔上に薄膜コンデンサを作製する方法例文帳に追加
METHOD OF MAKING THIN FILM CAPACITOR ON METAL FOIL USING THICK FILM TOP ELECTRODE - 特許庁
陽極接合に用いる金属薄膜の耐酸化性を向上させ、剥離しにくい膜を作成する。例文帳に追加
To produce a film which hardly causes peeling by improving oxidation resistance of a metal thin film that is used for anode bonding. - 特許庁
基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。例文帳に追加
After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided. - 特許庁
半導体層とゲート電極９との界面に、ソース・ドレイン電極方向に突き出た金属酸化膜７／金属膜８の積層膜、金属薄膜、或いは、抵抗性金属酸化膜７のいずれかからなる電界緩和膜６を挿入する。例文帳に追加
An electric field weakening film 6 protruding toward a source and a drain electrode directions, constituted of either one of a laminated film of a metal oxide 7/metal film 8, a metal thin film, or a resistant metal oxide 7, is inserted between a semiconductor layer and the gate electrode 9. - 特許庁
金属及び／又は合金を主体とする薄膜中に含有される金属及び／又は合金の少なくとも一部を、アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンを吸蔵・放出可能な活物質で置換してなるアルカリ金属又はアルカリ土類金属イオン電池用電極。例文帳に追加
This is the electrode for an alkaline metal ion or an alkaline earth metal ion battery in which at least one part of metal and/or alloy contained in a thin film in which the metal and/or an alloy is the main component is substituted by an active material capable of storing and releasing the alkaline metal ions or the alkaline earth group metal ions. - 特許庁
この集積型薄膜光電変換装置では、透明導電膜４上に、さらに薄膜光電変換ユニット５、金属電極膜６が配置される。例文帳に追加
In the integrated thin film photoelectric converter, a thin film photoelectric conversion unit 5 and a metal electrode film 6 are further arranged on the transparent conductive film 4. - 特許庁
第３ゲート電極は、上部表面において第１金属シリサイドの厚さより薄い第２金属シリサイド膜２２を有する。例文帳に追加
A third gate electrode comprises the second metal silicide film 22 which is thinner than the first metal silicide on the top surface. - 特許庁
極めて薄い状態で金属の拡散防止と金属との密着性を保持したバリアメタル膜２３を作成する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a metal film capable of producing a barrier metal film preserving diffusion prevention of a metal and adhesiveness with the metal under an extremely thin state. - 特許庁
キャリヤとなる樹脂フイルム上に形成された金属薄膜と該金属薄膜との置換反応及び無電解めっきにより形成された銅極薄膜と該銅薄膜上に電解めっきにより形成された銅薄膜からなることを特徴とするキャリヤ付き極薄銅箔。例文帳に追加
The extremely thin copper foil with the carrier consists of the thin metallic film formed on a resin film constituting the carrier, the extremely thin copper film formed by the substitution reaction with the thin metallic film and electroless plating and the thin copper film formed on the extremely thin copper film by electrolytic plating. - 特許庁
ＳＡＷデバイス１０において、比較的質量の大きいすだれ状電極を形成する場合、すだれ状電極用金属薄膜１８が比重の大きい金属材料で構成されていれば、堆積させるすだれ状電極用金属薄膜１８の膜厚を薄くすることができる。例文帳に追加
When interdigital electrodes with a comparatively large mass is formed in the SAW device 10, a film thickness of a metallic thin film 18 for the interdigital electrode that is manufactured through deposition is made thin by using a metallic material with high specific gravity for the metallic thin film 18 for the interdigital electrode. - 特許庁
電極28と金属反射薄膜36との間に流れるリーク電流が減少する。例文帳に追加
Leakage current flowing between the electrodes 28 and the metal reflecting thin film 36 is decreased. - 特許庁
金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜例文帳に追加
NON-POLAR a-PLANE GALLIUM NITRIDE THIN FILM GROWN BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - 特許庁
薄板状の母材金属に多孔質部を形成し、陽極酸化することで酸化皮膜を形成する。例文帳に追加
A porous portion is formed on a thin plate-like base metal and anodized to form an oxide coating. - 特許庁
金属配線８０ａはボトムゲート型薄膜トランジスタ６０のゲート電極となっている。例文帳に追加
The metal wiring 80a is served as the gate electrode of a bottom-gate thin film transistor 60. - 特許庁
上面の金属薄膜は給電回路２３により給電し、接地電極２７は接地する。例文帳に追加
The metallic thin film on the upper face is fed by a power feeding circuit 23 and the ground electrode is grounded. - 特許庁
カラー陰極線管およびその蛍光反射用金属薄膜の形成方法例文帳に追加
COLOR CATHODE-RAY TUBE AND METHOD OF FORMING METAL THIN FILM FOR FLUORESCENT REFLECTION - 特許庁
透光性薄膜金属電極を形成する際に基板温度を１０〜１００℃に保って、形成する。例文帳に追加
A transparent thin film metal electrode is formed, when keeping a substrate at 10 to 100°C. - 特許庁
空隙５を介し梁１と梁１上の反射面８と電極３を兼ねる金属薄膜がある。例文帳に追加
The beam 1 and the reflecting surface 8 on the beam 1 and a metal thin film servicing as the electrode are present across the gap 5. - 特許庁
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