「極薄金属膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

薄膜１５の少なくとも一部に導電性領域（ソース電極１４、ドレイン電極１５）を備えた半導体装置１であって、前記導電性領域は、金属ナノ粒子１４が絶縁性分子を介して結合した前記薄膜１５に、エネルギー線Ｅが照射されることで、前記絶縁性分子の結合が解かれたものであり、前記金属ナノ粒子１４を融解させて結合させたものである。例文帳に追加

In a semiconductor device 1 having a conductive region (source electrode 14, drain electrode 15) in at least a part of a thin film 15, the thin film 15 where metal nano particles 14 are bonded through insulating molecules is irradiated with an energy beam E in the conductive region thus unbonding the insulating molecules and fusing and bonding the metal nano particles 14. - 特許庁

前記真空度検査デバイスはベース基板と、前記ベース基板に対向させた状態で該ベース基板に接合されるリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティに金属薄膜抵抗を設置し、前記金属薄膜抵抗を外部の電極と導通させる貫通電極を形成することで構成される。例文帳に追加

The vacuum inspection device is structured by arranging the base substrate, the lid substrate joined to the base substrate and facing the base substrate, a metal thin film resistance arranged in the cavity formed between the base substrate and lid substrate, and a through electrode for conducting the metal thin film resistance to an external electrode. - 特許庁

ｓｐ^2型Ｐ原子を含む金属錯体化合物、並びに、一対の電極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記金属錯体化合物を含有し、両極間に電圧を印加することにより発光する有機エレクトロルミネッセンス素子である。例文帳に追加

This electroluminescent element supporting a metal complex compound containing sp^2 type P atom and an organic thin membrane consisting of at least one layer or in a plurality of layers having a luminescent layer between a pair of electrodes is provided with that at least one layer of the organic thin membrane layers contains the metal complex compound and the organic electroluminescent element emits light by impressing an electric voltage between the two electrodes. - 特許庁

特定構造を有する金属錯体化合物、並びに、陰極と陽極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記金属錯体化合物を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。例文帳に追加

In a metal complex compound having a specific structure and an organic electroluminescent device that has at least a monolayer or multiple layers of organic thin film layers between the cathode and the anode, at least one layer in the organic thin film layers is the organic electroluminescent device including the metal complex compounds as a single or multiple components. - 特許庁

シート状の第１圧電体層２１、第２圧電体層２２、第３圧電体層２３、及び第４圧電体層２４を、各々の間に個別電極２５と共通電極２６をスクリーン印刷しながら積層し、最上層に第１金属薄膜２７を、最下層に第２金属薄膜２８を形成して圧電素子２０を構成する。例文帳に追加

First, second, third and fourth sheet-like piezoelectric layers 21, 22, 23 and 24 are laminated while screen printing individual electrodes 25 and common electrodes 26 between respective layers and a first thin metal film 27 is formed on the uppermost layer while a second thin metal film 28 is formed on the lowermost layer thus constituting a piezoelectric element 20. - 特許庁

少なくともカーボンブラックとフッ素樹脂微粒子から構成されたガス拡散電極の反応層又は／及びガス供給層において、電極面とおおよそ垂直に薄膜状金属体が電極の表裏を貫通し、電極断面における該金属体の平均面積率が電極面面積の１０パーセント以下であるガス拡散電極。例文帳に追加

In a reaction layer or/and a gas supply layer, constituted of at least carbon black and fluororesin fine particles, of a gas diffusion electrode, thin film-shaped metal bodies penetrate from the front side to the back side of the electrode nearly vertically to the electrode surface and the average area ratio of the metal bodies in the cross section of the electrode is ≤10% of the electrode surface area. - 特許庁

内部直列接続型の直列限流素子は、合金分流保護膜付超電導薄膜の両端および中間部に純金属を蒸着して電極部を形成し、それらの電極部にハンダを介して金属基材超電導テープを接続し、両端の電極のみならず中間の電極においても超電導接続を行う。例文帳に追加

In the internal series connection type current-limiting element, electrodes are formed by evaporating pure metal to both ends and an intermediate part of a superconductive thin film with an alloy shunt protective film; metal base material superconducting tapes are connected the electrodes through solder; and superconductive connection is carried out on the electrodes at both the ends, and also on the intermediate electrode. - 特許庁

また、前記フォトレジスト膜に対するイリジウムの金属薄膜のエッチング選択性が高められて、所望の良質なエッチングプロファイルのイリジウム電極を形成することができる。例文帳に追加

Moreover, the etching selectivity of the metallic thin film of iridium to the photoresist film is increased. - 特許庁

従来の可変焦点液体レンズは、光の入射領域両面に、電極となる薄膜化された金属膜を形成しているため、波長領域によっては透過率が低くなっている。例文帳に追加

To solve the problem that transmittance becomes low depending on a wavelength range since metal films made into thin films to be electrodes are formed on both sides of an incident area of light in a conventional variable-focus liquid crystal lens. - 特許庁

水素透過性に優れ、膜厚が０.１〜５μｍ程度と極薄くても、割れや破損及び変形のないＰｄ系水素透過金属膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a Pd-based hydrogen permeable metal membrane which is excellent in hydrogen permeability, and causes no cracking, damage and deformation even when its membrane thickness is very thin, about 0.1-5 μm. - 特許庁

その後、保護膜のエッチング（工程Ｓ１４）と金属薄膜の形成とを（工程Ｓ１６）行ない、リフトオフ法を用いて電極層（工程Ｓ１８）を形成する。例文帳に追加

The method further comprises the steps of then etching the protective film (step S14), forming a metal thin film (step S16), and forming an electrode layer by using a lift-off method (step S18). - 特許庁

またＭｇＡｌ_2Ｏ_4膜は薄くても高い耐湿性を有するため、金属蒸着電極の膜厚を小さくすることができ、セルフヒーリング性を高めることができる。例文帳に追加

The MgAl_2O_4 film also has a high humidity resistance even with a thin film; thereby the film thickness of the metal vapor deposition electrode can be reduced while increasing the self-healing performance. - 特許庁

そして、電気絶縁性の有機膜５１がシンチレータ３を密封するとともに、電極パッド１１、２２と配線４とを被覆し、さらにその上に金属薄膜５２が形成されている。例文帳に追加

An electrically insulating organic film 51 seals the scintillator 3, covers the pads 11 and 22 and the wirings 4 and a metal thin film 52 is further formed thereon. - 特許庁

そして、マスターモデル６のレジスト膜７に金属薄膜７を蒸着した後、電極板８と電気接合し、反転パターンを備えた成型用の上金型１１を得る。例文帳に追加

Then a metal thin film 7 is vapor deposited on the resist film 5 of the master model 6, electrically joined to an electrode plate 8 to obtain an upper mold 11 for molding having the reverse pattern. - 特許庁

非磁性金属元素は、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、又はＨｆから選択される元素の一種又は二種以上からなり、極薄膜の膜厚は、５０〜１５０オングストロームである。例文帳に追加

The nonmagnetic metallic elements are composed of one or more kinds selected from Nb, Zr, Ta and Hf, and the film thickness of the extra-thin film is 50 to 150 angstrom. - 特許庁

好ましくは、セラミック層２を得るためのセラミックグリーンシートの表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１００ｎｍ以下とし、内部電極８，９を薄膜形成法によって形成された金属膜をもって構成する。例文帳に追加

Preferably, the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the ceramic green sheet for obtaining the layer 2 be set at a roughness of lower than 100 nm and that the electrodes 8 and 9 be constituted of a metal film formed through a thin-film forming method. - 特許庁

電極膜を薄膜化しても高温高湿下での経年劣化を十分に抑制できるようにしたフィルムコンデンサ用金属化フィルムの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a metallized film for a film capacitor sufficiently preventing the degradation by aging under high temperature and high humidity even if an electrode film is made thinner. - 特許庁

カンチレバー５の背面に形成された金属薄膜５ａに対向して、カンチレバー５が固定された台座部４の透明体４ａの下面にＩＴＯ導電膜である対向電極９を設ける。例文帳に追加

A counter electrode 9 that is an ITO conductive film is provided on the undersurface of a transparent body 4a of a pedestal part 4 fixed with a cantilever 5 opposing to a metal thin film 5a formed on the back face of the cantilever 5. - 特許庁

高い応答特性が得られると共に金属系の電極材料との密着性が良い保護膜が形成された薄膜サーミスタ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin-film thermistor element in which high response characteristics can be obtained and on which a protective coating having good contact with a metal-system electrode material is formed. - 特許庁

光電極１は、３００ｎｍ〜２μｍの周期Λを有する構造が表面２ａに形成された基板２と、多孔質膜４の他面４ｂと基板２の表面２ａとの間に形成された金属薄膜３と、を更に備える。例文帳に追加

Further, the photoelectrode 1 includes: a substrate 2 having a structure with a period Λ of 300 nm to 2 μm formed on its surface 2a; and a metallic thin film 3 formed between the other face 4b of the porous film 4 and the surface 2a of the substrate 2. - 特許庁

そして、電極パッド１１、２２と配線４とは保護樹脂層６内に封入され、電気絶縁性の有機膜５１がシンチレータ３を密封するとともに、保護樹脂層６を被覆し、さらにその上に金属薄膜５２が形成されている。例文帳に追加

The pads 11 and 22 and the wirings 4 are sealed in a protective resin layer 6, an electrically insulating organic film 51 seals the scintillator 3, covers the layer 6 and a metal thin film 52 is further formed thereon. - 特許庁

有機層１４と陰極１６との間にキャリア注入障壁を低下させるための金属／有機膜から成る超薄膜積層を１層以上有するバッファ層１５を介在させる。例文帳に追加

A buffer layer 15 having one or more layers of ultra-thin film lamination comprising a metallic/organic film to lower a carrier injection barrier is interposed between the organic layer 14 and the negative electrode 16. - 特許庁

金属膜をエッチングして導体パターンの端面に所望角度のテーパを付ける方法、および、上下電極間のショートを防止できる薄膜キャパシタ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method for so tapering the end surface of a conductor pattern by etching a metal film as to give it a desired taper-angle, and to provide a thin-film capacitor element capable of preventing its short-circuit generated between its upper and lower electrodes. - 特許庁

本発明の一実施例による電気二重層キャパシタ用電極は、アルミニウム薄膜と、上記アルミニウム薄膜上にアルミニウムより伝導性の高い高伝導性金属を積層した集電体と、上記アルミニウム薄膜上に電極物質が上記高伝導性金属と接触するように形成されるグルーブと、上記グルーブと上記アルミニウム薄膜上に上記電極物質でコーティングされた電極層と、を含むことができる。例文帳に追加

The electrode for an electric double layer capacitor includes: a collector having an aluminum thin film and a highly conductive metal that has higher conductivity than aluminum and is laminated on the aluminum thin film; a groove formed on the aluminum thin film so that an electrode material makes contact with the highly conductive metal; and an electrode layer coated with the electrode material and formed on the groove and the aluminum thin film. - 特許庁

本発明は、金属微粒子を用いた電極ペーストを用いることなく、銅-ニッケル含有ペーストを用いてミクロン単位の薄膜となる外部電極ペーストを提供することである。例文帳に追加

To provide an external electrode paste formed into a thin film in a micron range by using a copper-nickel-containing paste without using an electrode paste using metal fine particles. - 特許庁

電気化学的発s電装置は、正極及びその集電体を含む薄膜と、後に負極を構成することを意図されたホスト金属シートと、アルカリイオンに対して伝導性を有する電解質と、アルカリイオン源とを備えている。例文帳に追加

The electrochemical power generation device includes a thin membrane containing a positive electrode and a positive current collector, a host metal sheet intended to later on constitute a negative electrode, an electrolyte having alkali ion conductivity, and a source of alkali ions. - 特許庁

したがって、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを遮光性金属によって形成しても、光電変換半導体薄膜のチャネル領域への光入射量を多くすることができる。例文帳に追加

Even if the source electrode S and drain electrode D are formed of the light shielding metal, therefore, the amount of light entering the channel region of the photoelectric conversion semiconductor thin film is increased. - 特許庁

基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、ルテニウム（Ｒｕ）と窒素（Ｎ）とから構成された導電薄膜よりなる下部電極層１０３と、金属酸化物層１０４と、上部電極１０５とを備える。例文帳に追加

The lower electrode layer 103 made of a conductive thin film composed of ruthenium (Ru) and nitrogen (N), the metal oxide layer 104, and an upper electrode 105 are provided on a substrate 101 via an insulating layer 102. - 特許庁

基材１１の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜１２に対向すべく、正電極１３と負電極１４を交互に複数対配置する。例文帳に追加

Positive electrodes 13 and negative electrodes 14 are alternatively arranged in a plurality of pairs so as to be opposed to the electrically conductive metal oxide thin film 12 formed on the surface of a base material 11. - 特許庁

リチウムと合金化しない金属からなる集電体（例えば、銅箔）の上にシリコンを含む活物質層（例えば、非晶質シリコン薄膜）を設けた電極を負極として用いたリチウム二次電池のサイクル特性を高める。例文帳に追加

To improve the cycle characteristic of a lithium secondary battery using an electrode with an active substance layer containing silicon (such as amorphous silicon thin film) on a collector consisting of metal which is not alloyed with lithium (for example, copper foil), as a negative electrode. - 特許庁

ソース電極およびドレイン電極を遮光性金属によって形成しても、光電変換半導体薄膜のチャネル領域への光入射量を多くする。例文帳に追加

To increase the amount of light entering a channel region of a photoelectric conversion semiconductor thin film even if a source electrode and a drain electrode are formed of a light shielding metal. - 特許庁

正極１及び負極２の少なくとも一方の金属活物質２ａの上に、Ｌｉイオンと反応せず、Ｌｉイオンが通過し、かつＬｉイオン導電性を有しない薄膜２ｂを設けることを特徴としている。例文帳に追加

A thin film 2b not reacting to Li ion, through which Li ion passes, and having no Li ion conductivity is provided on a metallic active material 2a of at least one of a positive electrode 1 and a negative electrode 2. - 特許庁

強誘電体キャパシタの電極材料である白金族等の貴金属膜厚を薄くし、かつ電極高さは厚くすることが可能な強誘電体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device capable of reducing the film thickness of noble metal such as platinum as a material for the electrode of a ferroelectric capacitor and increasing the height of the electrode. - 特許庁

高エネルギーのレーザビームを用いずに裏面金属電極層のパターニングが可能でかつその裏面電極層の直接的保護層を備えた集積型薄膜太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide an integrated thin film solar cell which can pattern the rear face metal electrode layer without using a high energy laser beam and provides a direct protective layer of its back electrode layer. - 特許庁

この薄膜太陽電池は、基板１０、第１電極層１００、光電変換層１１０、透明電極層１２０、及び金属粒分散構造１３０を有する。例文帳に追加

This thin-film solar cell includes a substrate 10, a first electrode layer 100, a photoelectric conversion layer 110, a transparent electrode layer 120, and a metal particle dispersion structure 130. - 特許庁

コンタクト層１０７の上には金属蒸着による透光性薄膜正電極１１０が、ｎ^+ 層１０３上には負電極１４０が形成されている。例文帳に追加

By metallic depositions, a translucent thin-film positive electrode 110 is formed on a contact layer 107, and a negative electrode 140 is formed on an n+ layer 103. - 特許庁

陽極２の上には有機層４が積層形成され、有機層４の上には金属薄膜からなる陰極５が積層形成されて所定パターン形状の発光エリア３を形成する。例文帳に追加

An organic layer 4 is laminated on the anode 2, and a cathode 5 made of a metal thin film is laminated on the organic layer 4 to form a luminescence area 3 having a prescribed pattern shape. - 特許庁

駆動電極１０３に電圧を印加するためのパッド１０５は前記駆動電極１０３とオーミックに電気的接続され、かつ、ワイヤボンディング可能なコンタクト用金属薄膜が形成されている。例文帳に追加

A pad 105 for applying a voltage to the drive electrode 103 makes electrical ohmic connection with the drive electrode 103 and provided with a thin metallic contact film which can be wire bonded. - 特許庁

積層構造のゲート電極をもつ薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極上の絶縁層のステップカバレージの低下を防止し、かつ、前記第１金属層のヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）の生成を防止する。例文帳に追加

To prevent deterioration of insulating layer step coverage on a gate electrode, while preventing generation of a hillock on a first metal layer, in a thin-film transistor with a multilayer structure gate electrode. - 特許庁

ソース電極及びドレイン電極から選ばれる少なくとも１つを、平均粒径５０ｎｍ以下の金属微粒子群から実質的になる層を熱融着して形成する有機薄膜トランジスタの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing an organic thin-film transistor is used to form at least one selected from a source electrode and a drain electrode by thermal fusion of a layer made substantially of metallic fine particle group of 50nm in average particle size. - 特許庁

この場合、薄膜２７は、第１の接続電極２３及び半導体チップ３１のバンプ電極３２よりも低融点の金属（錫等）からなっている。例文帳に追加

In this case, each thin film 27 is made of a melting-point metal (tin, etc.), lower than the one of each first connection electrode 23 and the one of each bump electrode 32 of a semiconductor chip 31. - 特許庁

陽極２及び絶縁層１５の上には有機層６が積層形成され、有機層６の上には金属薄膜による陰極７が積層形成される。例文帳に追加

Organic layers 6 are laminated on the anode 2 and the insulating layers 15, and a cathode 7 made of a metal thin film is laminated on the organic layers 6. - 特許庁

光導波路コア１の上方に、ヒータ、電極パッド、及びヒータと電極パッドとを結ぶ配線領域からなる金属薄膜領域２が形成されている。例文帳に追加

A metal thin film region 2 including a heater, an electrode pad and a wiring region connecting the heater to the electrode pad is formed at an upper part of an optical waveguide core 1. - 特許庁

高価な金属や資源を無駄にすることなく、どのような大きさや形状の基板上にも、均一な裏面電極層を効率的にかつ低コストで形成することのできる薄膜太陽電池用裏面電極の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a back electrode for a thin film solar cell, the method efficiently and inexpensively forming a uniform back electrode layer even on a substrate having any size and any shape without wasting an expensive metal and resource. - 特許庁

オーム型抵抗発熱体電極１と金属電極３との間に絶縁性薄膜２を挟持することにより、オーム型抵抗発熱体が積層された非オーム型抵抗発熱体であるMIM素子４を構成している。例文帳に追加

An MIM element 4 as a non-ohmic resistance heating unit with the ohmic resistance heating unit stacked thereon is constituted by sandwiching the insulating thin film 2 between the ohmic resistance heating unit electrode 1 and the metal electrode 3. - 特許庁