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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 極薄金属膜に関連した英語例文

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極薄金属膜の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 610



例文

垂直型有機トランジスタ1では、活性層30,50は、誘電率が3.5以上であるp型活性有機半導体化合物からなり、ソース電20は、ドレイン電60を形成する金属の仕事関数値と異なる仕事関数値を有する金属から形成されることを特徴とする。例文帳に追加

In the vertical organic thin-film transistor 1, active layers 30 and 50 are made of a p-type active organic semiconductor compound having a permittivity of 3.5 or more, and a source electrode 20 is made of a metal having a different work function from a metal for forming a drain electrode 60. - 特許庁

固体電解質型燃料電池用のセパレータ1であって、板状の金属製セパレータ部材2とガス透過孔を有する燃料基板3とを固定して成り、金属製セパレータ部材2及び燃料基板3の各一方側の面をイオン伝導性を有する4で被覆した。例文帳に追加

This is the separator 1 for the solid electrolyte fuel cell in which a plate-shaped metallic separator member 2 and a fuel electrode substrate 3 having a gas permeable hole are fixed, and each one side face of the metallic separator member 2 and the fuel electrode substrate 3 is covered by a thin film 4 having an ion conductivity. - 特許庁

この抵抗変化層23は下部電層20の表面に形成された金属層22と同じ金属母体を有する金属酸化物からなり、この抵抗変化層23と、抵抗変化層23に接続する領域の下部電層20aおよび上部電層25とにより記憶素子27を構成している。例文帳に追加

The resistance change layer 23 is made of metal oxide having the same metal base as that of a metal thin-film layer 22 formed on the surface of the lower electrode layer 20, and a storage element 27 is composed of the resistance change layer 23, a lower electrode layer 20a in an area connecting with the resistance change layer 23 and the upper electrode layer 25. - 特許庁

アルミを含んだ上層と下層金属層との積層から加工されるドレイン電は反射電を兼ねており、しかも、ドレイン電と画素電とのコンタクト抵抗が低いトランジスタを備えたトランジスタアレイ基板をマスク枚数を追加することなく提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor array substrate equipped with a thin film transistor in which a drain electrode to be worked from the lamination of metallic layers in upper and lower layers containing aluminum is also used as a reflecting electrode, and the contact resistance of a drain electrode and a pixel electrode is low without adding the number of masks. - 特許庁

例文

そして、有機トランジスタ10において、金属粒子7は、ソース電5とドレイン電6との間の有機半導体4の一主面に配置される。例文帳に追加

In the organic thin film transistor 10, the metal particles 7 are arranged on one major surface of the organic semiconductor film 4 between the source electrode 5 and the drain electrode 6. - 特許庁


例文

燃料電2と、酸化剤電4Aとしての触媒・酸化物・高分子電解質層4および金属触媒層5と、これらに挟持された高分子からなる電解質3とにより発電素子を構成する。例文帳に追加

A generating element comprises a fuel electrode 2, a catalyst/ oxide/polymer electrolyte thin layer 4 and a metal catalyst layer 5 serving as the oxidant electrode 4A, and an electrolyte membrane 3 formed of a polymer membrane sandwiched inbetween. - 特許庁

金属製の板のプレス成形を経て形成された流路形成部材を接合体とセパレータとの間に組み込んだ燃料電池における接合体の損傷を抑制する。例文帳に追加

To provide a fuel cell suppressing damage of a membrane electrode assembly in the fuel cell in which a flow passage forming member formed through press forming of a thin metal plate is assembled between the membrane electrode assembly and a separator. - 特許庁

トランジスタ基板1上の下地絶縁11上に、陽酸化されると透明となるアルミニウム系金属からなるゲート電12、補助容量ライン6および反射層7を同時に形成する。例文帳に追加

A gate electrode 12 composed of an aluminum type metal which gets transparent on anodic oxidation, an auxiliary capacitance line 6 and the reflection layer 7 are simultaneously formed on a base insulating film 11 on a thin film transistor substrate 1. - 特許庁

本発明は、受光側の電としてメッシュ電を用い、ITO等の金属酸化物からなる透明導電を用いずに、電荷取出し効率の良好な有機太陽電池を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide an organic thin-film solar cell having favorable charge extracting efficiency not using a transparent conductive film formed of a metal oxide such as an ITO but using a mesh electrode as an electrode at a light-receiving side. - 特許庁

例文

次に下層ゲート電としてマイクロクリスタルシリコン14を堆積した後、上層ゲート電として金属15を続けて堆積する。例文帳に追加

Then, a micro crystal silicon thin film 14 is deposited as a lower layer gate electrode, and then a metal film 15 is formed in succession as an upper layer gate electrode. - 特許庁

例文

型の固体電解コンデンサの陽体として好適な箔状の多孔質バルブ金属体を製造する際に、高容量を可能にする厚の厚いスパッタの形成に有効なメタルマスクを提供する。例文帳に追加

To provide a metal mask effective for forming a sputtering film having a thick film thickness achieving high capacity when a foil-shaped porous valve metal anodic body suitable as an anodic body of a thin type solid electrolytic capacitor is manufactured. - 特許庁

本発明は、受光側の電としてメッシュ電を用い、ITO等の金属酸化物からなる透明導電を用いずに、電荷取出し効率の良好な有機太陽電池を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide an organic thin-film solar cell excellent in electric charge extraction efficiency using a mesh electrode as a light receiving side electrode without using a transparent conductive film composed of metal oxide such as ITO. - 特許庁

電池板は樹脂フィルムに金属を成した集電体10を用いて形成されるので板の軽量化がなされ、重量エネルギー密度の高い電池を構成することができる。例文帳に追加

Since this battery electrode plate is formed by using a collector 10 in which metal thin film is formed over a resin film, weight reduction of the plate is carried out, and thus the battery having high weight energy density can be constituted. - 特許庁

プラスチックフィルム支持体層と、金属金属酸化物及び導電性高分子物質の中から選ばれた少なくとも1種の導電性材料からなる導電性層との積層体において、上記導電性層表面が炭素材料により被覆されているプラスチックフィルム電とする。例文帳に追加

In a laminate of a plastic film support layer and a conductive thin film layer composed of at least one kind of conductive material selected from a metal, a metal oxide, and a conductive polymer substance, the surface of the conductive thin film layer is made as the plastic film electrode covered by a carbon material thin film. - 特許庁

補助電13を形成する際、金属製のの全応力(内部応力×厚)が1.3×10^5dyn/cm以下になるように成される。例文帳に追加

When the auxiliary electrode 13 is formed, it is formed so that the total stress (internal stress × film thickness) of the metallic film becomes 1.3×10^5 dyn/cm or less. - 特許庁

転写によって形成されたレジストパターン5上に電金属6を成し、リフトオフ法によってレジスト2と共に剥離する。例文帳に追加

A metallic thin film 6 for electrode is deposited on the resist pattern 5 formed by the transfer and the thin film 6 is exfoliated together with the resist film 2 by a lift-off method. - 特許庁

導体パターン3の表面を、コンデンサ素子12の下部電形成領域17を除いて、第1のレジスト13で覆い、導体パターン3の全面に金属層5を形成する。例文帳に追加

The surface of a conductor pattern 3 except the lower electrode forming region 17 of a thin film capacitor element 12 is covered with a first resist film 13, and a metal film layer 5 is formed on all the surface of the conductor pattern 3. - 特許庁

その後、これらの正電13、負電14と導電性金属酸化物12の間に電解液15を介在させた状態で、両電13,14に電源16から電圧を印加する。例文帳に追加

Thereafter, in a state where an electrolytic solution 15 is interposed among the positive electrodes 13, the negative electrodes 14 and the electrically conductive metal oxide thin film 12, voltage is applied to both the electrodes 13, 14 from a power source 16. - 特許庁

次に、この平滑化層8にスルーホール9a、9bを形成した後、その上に金属を形成し、フォトプロセスを用いてゲート電とソース電及び画素電2aを形成する。例文帳に追加

After through holes 9a and 9b are formed in this smoothing layer 8, a metallic thin film is formed on this layer 8, and a photo process is used to form gate electrodes, source electrodes, and pixel electrodes 2a. - 特許庁

デバイス100は、金属からなる下地電2と、第1の誘電体層4、第1の内部電10、第2の誘電体層6、第2の内部電12、第3の誘電体層8と、を備える。例文帳に追加

The thin film device 100 includes a base electrode 2 made of metal, a first dielectric layer 4, a first inner electrode 10, a second dielectric layer 6, a second inner electrode 12, and a third dielectric layer 8. - 特許庁

絶縁性の基板上に金属の電が形成された電付き基板を低温で加圧加熱して基板に電を低温拡散接合する。例文帳に追加

The low-temperature diffused junction of the electrode to the substrate is carried out by pressure heating at low temperature the substrate with the electrode in which the electrode of the metal thin film is formed in the insulative substrate. - 特許庁

集電箔10の表面にカーボン等の負12を形成し、この負の正に対向する表面に金属14を形成する。例文帳に追加

An anode 12 of carbon or the like is formed on the surface of a collector foil 10, and a metal thin film 14 is formed on the surface of the anode facing a cathode. - 特許庁

また、下部電表面のアルミナ8aの一部を除去して、第3金属層16の他の一部を用いて下部電7に接続された引出電17bを形成する。例文帳に追加

A part of the alumina thin film 8a on the surface of the lower electrode 7 is removed off, and an extraction electrode 17b connected to the lower electrode 7 is formed by the use of the other part of the third metal layer 16. - 特許庁

接続リード28aと電パッド64aとを接合し、金属29と電パッド64bとを接合して、電力供給源6aと電基体32の電気的接続を得る。例文帳に追加

A connection lead 28a is jointed to an electrode pad 64, and a metal thin film 29 is jointed to an electrode pad 64b, and an electric connection between the power supply source 6a and the electrode base 32 is attained. - 特許庁

反応性スパッタ成法により下電金属などのを複数の基板に連続的に形成した場合でも、組成や質にばらつきの発生しない非線形素子の製造方法、形成方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonlinear element manufacturing method, a thin film forming method, a nonlinear element, and a nonlinear electrooptical device, which can avoid variations in composition and film quality even when such a thin film as a metallic film for a lower electrode is continuously formed on a plurality of substrates. - 特許庁

本発明は、透明電の上面に形成された金属を有する試料を平行平板型プラズマエッチング装置のチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電との間に高周波電圧を印加して前記金属をプラズマエッチングする補助電の形成方法である。例文帳に追加

A specimen having a metallic thin film formed on the upper surface of the transparent electrode is disposed on a specimen stage in a chamber of a parallel flat plasma etching apparatus, a gas containing fluorine atom is introduced into the chamber, and applying a high frequency voltage between the specimen table, and an opposite electrode disposed to be faced to the specimen table so as to etch the metallic thin film with the plasma. - 特許庁

リチウムと合金化しない金属から形成された集電体11と、集電体11の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む12とを備え、12が網目状のクラック15aを備えているとする。例文帳に追加

The thin film electrode is composed of the current collector 11 made of a metal not alloyed with lithium, and the thin film 12 formed on the current collector 11 containing elements alloyed with lithium and having reticulate cracks 15. - 特許庁

リチウムと合金化しない金属から形成された集電体2と、集電体2の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む3とを備え、3の空隙率が、1%以上40%未満である1とする。例文帳に追加

The thin film electrode 1 comprises a current collector 2 made of metal not alloying with lithium, and a thin film 3 formed on the current collector 2, containing an element alloying with lithium, having porosity of not less than 1% and not more than 40%. - 特許庁

本発明のEL素子の製造方法は,任意の固体基板上に,ITO等の第一電12,酸化アルミニウム等の絶縁13,高誘電体層14,MG金属を順次積層する工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the EL element includes a process to laminate a first electrode 12 of ITO thin film or the like, an insulating thin film 13 of aluminum oxide or the like, a high dielectric layer 14 and MG metal thin film on an arbitrary solid substrate successively. - 特許庁

透明基板10(A)上に、透明高屈折率層20(a)、銀又は銀合金からなる金属層30(b)が透明導電性層として、A/a/b/aの構成で積層されており、積層面内に積層されていない部分も有するパターニングされた透明電例文帳に追加

The pattered transparent electrode is prepared by stacking a transparent high refractive index thin film layer (a) and a metal thin film layer 30 (b) made of silver or a silver alloy on a transparent substrate 10 (A) as transparent conductive thin film layers in the constitution of A/a/b/a, and forming no stacked parts within the stacked surface. - 特許庁

半導体基板上に金属パターンを形成する方法等に利用できる、剥離除去用接着シートを用いたのパターン形成方法であって、接着剤による汚染等のないパターンを確実に形成しうる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin-film pattern forming method using an adhesive sheet for peeling off a thin film, utilizable in methods of forming metal electrode patterns on a semiconductor substrate, etc., whereby a thin film pattern without contamination of adhesives, etc., can be formed surely. - 特許庁

リチウムと合金化しない金属から形成された集電体11と、集電体11の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む12とを備え、12が凸部14および凹部15を備え、凸部14の高さH1が2μm以上20μm以下であるとする。例文帳に追加

The thin film electrode is composed of the current collector 11 made of a metal not alloyed with lithium, and the thin film 12 formed on the current collector containing an element alloyed with lithium, wherein the thin film 12 has convex parts 14 with heights H1 of 2 μm or higher and 20 μm or lower, and a recess part 15. - 特許庁

トランジスタ及び該トランジスタに電気的に接続された画素電を有する表示装置において、前記トランジスタ及び前記画素電は、該画素電に接した金属を介して電気的に接続され、前記画素電は、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物を含む酸化物半導体であることを特徴とするものである。例文帳に追加

The display device having thin film transistors and pixel electrodes electrically connected with the thin film transistors is characterized in that the thin film transistors and the pixel electrodes are electrically connected via metallic electrodes in contact with the pixel electrodes, and the pixel electrodes are an oxide semiconductor film containing a chemical compound of an indium oxide and a zinc oxide. - 特許庁

の製造方法は、基板11の平坦な上面にそのペーストを塗布して所定の厚さに成する工程と、熱処理によりペーストにおける溶媒を除去して金属微粒子を焼成することにより基板11上に12を得る工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of the thin film electrode consists of a process forming a membrane with a given thickness by coating a paste on a flat upper surface of a substrate 11, and a process obtaining a thin film electrode 12 on the substrate 11 by calcinating the metal fine particles eliminating a solvent in the paste by a heat treatment. - 特許庁

光反射性金属(121)を含む裏面電(12)と、一導電型層(131)、結晶質シリコン系からなる光電変換層(132)および逆導電型層(133)を含むシリコン系光電変換ユニット(13)と、透明前面電(14)とを備える。例文帳に追加

The silicon thin-film photoelectric conversion device is provide with a rear side electrode 12 containing a light-reflective metal film 121; a silicon thin-film photoelectric conversion unit 13 containing a one-conductivity type layer 131, a photoconductive layer 132 made of a crystalline silicon thin film, and an inverse-conductivity type layer 133; and a transparent front side electrode 14. - 特許庁

本発明は、金属パイプ等に封入して使用されるサーミスタの絶縁耐圧性能を向上させ、感熱に接続された外部引出端子部と櫛歯電の電材料に起因する特性変動を無くし、長期信頼性に優れたサーミスタを提供する。例文帳に追加

To provide a thin film thermistor which improves its dielectric strength performance, is prevented from varying in characteristics due to an external leading terminal connected to a heat-sensitive film and the electrode material of an interdigital electrode, and demonstrates excellent long-term reliability. - 特許庁

金属および合金を用いて作製した医療用の針および穿刺針に0.001−2.0ミクロン厚のの有機絶縁性1を被成した針および穿刺針。例文帳に追加

The medical needle is made using a metal and an alloy and is a needle and a puncture needle coated by a 0.001-2.0 micrometer thick extremely thin organic insulating film 1. - 特許庁

第1の基板1の表面に金属の反射板3を有し、かつ絶縁性4を介してITO電5を有する反射型液晶セル構成において、第1の基板1のITO電5を信号側とし、第2の基板9のITO電6を走査側とした。例文帳に追加

In the reflection type liquid crystal cell structure having a metal thin film reflector 3 on the surface of a first substrate 1 and having an ITO electrode 5 with an insulating thin film 4 interposed, the ITO electrode 5 on the first substrate 1 is used for signals, while an ITO electrode 6 on the second substrate 9 is used for scanning. - 特許庁

まず、検知電形成工程にて、基体15上にガス検知層4における電気的特性の変化を検出するための検知電6を形成し、続く形成工程にて、ガス検知層4の主成分をなす金属元素からなるを、検知電6を覆うよう形成する。例文帳に追加

A sensing electrode forming step forms a sensing electrode 6 for sensing changes in electrical characteristics of a gas sensing layer 4, on a substrate 15, and a subsequent thin film forming step forms a thin film of a metal element forming a principal component of the gas sensing layer 4, over the sensing electrode 6. - 特許庁

少なくともバリウムとスカンジウムを含む複合酸化物からなる電子放射物質を多孔質金属基体中に含浸させた含浸型陰において、前記複合酸化物中のスカンジウム原子の含有量が0.01mol%以上、1mol%以下で、かつ前記多孔質金属基体表面に金属を有さない含浸型陰とする。例文帳に追加

In an impregnated type cathode which is formed by impregnating the electron emission material consisting of compound oxide including at least barium and scandium into porous metal bases, the content of scandium atoms in the compound oxide is not less than 0.01 mol%, nor more than 1 mol%, and also the cathode has not a metal thin film on the porous metal base surface. - 特許庁

また、陽パターン3の配線部15が、透明陽部13と同一の透明導電材料によって形成された透明配線層22と、その透明配線層22上に金属格子21と同一の低抵抗金属材料によって形成された遮光性を有する金属23とを備えて構成されている。例文帳に追加

A wiring part 15 of the positive electrode pattern 3 is comprised of a transparent wiring layer 22 made of the same transparent conductive material as the transparent electrode part 13 and a metallic film 23 made of low resistance metal material same as the metal lattice 21 having light shielding function, formed on the transparent wiring layer 22. - 特許庁

透明高屈折率5と金属6と導電性ポリマー7とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電であって、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層3に隣接するが、仕事関数が調整された導電性ポリマー7である有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電とする。例文帳に追加

In the transparent electrode for organic electroluminescent elements, comprising a transparent high refractive index thin film 5; a metal thin film 6; and a conductive polymer thin film 7, a film adjacent to an emission layer 3 in the organic electroluminescent element is the conductive polymer thin film 7, where the work function is adjusted. - 特許庁

これによって、負において金属リチウムの局部的な析出がおこり、第2のリチウムイオン伝導性を突き抜けた場合、その部位の析出した金属リチウムは硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質との接触により、リチウムイオン伝導性に欠ける層が化学的に形成される。例文帳に追加

Thereby, local deposition of lithium is generated in the negative electrodes; and when it pierces a second lithium ion conducting thin film, lithium deposited at that position comes into contact with the sulfide-based lithium ion conducting solid electrolyte, so that a layer lacking lithium ion conductivity is chemically formed. - 特許庁

用ペーストは、Pd系合金,Pt系合金,Au系合金,Ag系合金又はNi系合金のいずれかからなる粒径が1〜40nmの金属微粒子と、その金属微粒子が分散した水又は有機溶剤とを備える。例文帳に追加

The paste for a thin film is equipped with metal fine particles made from either Pd system alloy, Pt system alloy, Au system alloy, Ag system alloy or Ni system alloy with their particle diameters of 1 to 40 nm, and water or an organic solvent with the metal fine particles dispersed. - 特許庁

導電体層は、クラスター状であり、P型半導体とルイス酸とを含む第1の層と、第1の層よりも陽側に設けられ、N型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属とを含む第2の層とを有する。例文帳に追加

The conductive thin film layers are in cluster shapes, and include a first layer having a p-type semiconductor and a lewis acid and a second layer provided closer to the anode side than the first layer and including an N-type semiconductor, an alkaline metal or an alkaline earth metal. - 特許庁

この周縁部1Aは、中央領域1Bよりも開口率が小さく、金属面が多くなるようにパターンエッチングされているため、電引き出しのための導通安定性が高く、また、接着性も良好で金属の剥離の問題も低減される。例文帳に追加

The circumferential edge part 1A has a numerical aperture smaller than that at the central region 1B and since pattern etching is carried out to increase the metal surface, high conduction stability is ensured when an electrode is led out and stripping of the metal thin film is reduced because of high adhesive properties. - 特許庁

このように構成することにより、金属が繊維やフィルムに密着し、またドライメッキ法で金属を密着させることにより、密着強度が高く、且つ基材の柔軟性を変えない為、後の加工がし易いという特徴がある。例文帳に追加

In the gloves the adhesive strength is high and subsequent processing is readily carried out since the flexibility of the base material is not changed by making an ultrathin film of the metal closely adhere to fibers or films by composing the gloves in the manner or making the metal closely adhere to the base material by the dry plating method. - 特許庁

非磁性支持体1上に磁性層2と、カーボンを主体とした保護層3と、性基を有する潤滑剤からなる潤滑層4とを有する金属型の磁気記録媒体100であって、保護層3は、金属が0.5at%〜50at%含有されてなる。例文帳に追加

In the magnetic recording medium 100 of a metal thin film type having a magnetic layer 2, a protective layer 3 mainly made of carbon and a lubricant layer 4 comprising a lubricant having a polar group on a non-magnetic supporting body 1, the protective layer 3 contains 0.5 to 50 at% metal. - 特許庁

導電体層は、クラスター状であり、P型半導体とルイス酸とを含む第1の層と、第1の層よりも陽側に設けられ、N型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属とを含む第2の層とを有する。例文帳に追加

The conductive thin film layers are in a cluster state and have a first layer including a p-type semiconductor and a Lewis acid, and a second layer provided closer to the anode side than the first layer and including an N-type semiconductor and an alkaline metal or an alkaline earth metal. - 特許庁

例文

有機EL素子の製造装置において、有機層の機能が高温で損なわれるのを防止しつつ、金属材料の補充のための金属材料蒸発源の移動操作と加熱源への通電操作とを効率良く行う有機EL素子の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL element manufacturing apparatus which can efficiently perform the moving operation of a metal material evaporation source to supply a metal electrode material and an energization operation to a heat source while preventing the function of an organic thin film layer from being impaired at high temperature. - 特許庁

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