「極薄金属膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

リチウム含有金属（リチウム金属薄膜2）上に無機固体電解質薄膜3を形成したリチウム電池負極において、無機固体電解質薄膜3上を可撓性の保護シート4で覆う。例文帳に追加

The inorganic solid electrolyte thin membrane 3 is covered with a flexible protection sheet 4, in a negative electrode of a lithium battery with the inorganic solid electrolyte thin membrane 3 formed on lithium- containing metal (a lithium metal thin film 2). - 特許庁

不動態膜を形成する金属極薄板を発熱体として使用する面状発熱体において、前記金属極薄板に中間金属を溶着し、当該中間金属上に電流リード線をハンダ溶接したことを特徴とする面状発熱体。例文帳に追加

For the plane heating element using a metal extra-thin plate forming a passive film as a heating element, intermediate metal is welded to the metal extra-thin plate and current lead wires are soldered on the intermediate metal. - 特許庁

透明導電膜層は、電極層上にまたは基材と電極層との間に形成され、金属薄膜と金属酸化物薄膜が複数回積層されて形成される。例文帳に追加

The transparent conductive film layer is formed on the electrode layer or between the substrate and the electrode layer by a plurality of lamination of a metal thin film and a metal oxide thin film. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる陽極電極２であって、金属薄膜と有機金属酸化物薄膜とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極である。例文帳に追加

The positive electrode 2 is used for the organic electroluminescence element, and it is the transparent electrode for organic electroluminescence elements which consists of a metal thin film and an organic metal oxide thin film. - 特許庁

本発明では、銅等の比較的比重の大きい金属材料ですだれ状電極用金属薄膜１８を形成することによって、比較的質量の大きいすだれ状電極を、薄い電極膜厚で形成することができる。例文帳に追加

The interdigital electrode with a comparatively large mass can be manufactured with a thin electrode film thickness, by forming the metallic thin film 18 for the interdigital electrode with a metallic material, having a comparatively high specific gravity such as copper. - 特許庁

ニッケルを主成分としこれに還元性金属を含む陰極基体金属１と、その表面に設けられたバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物からなる電子放射物質層２と、この電子放射物質層２と前記陰極基体金属１との間にIII ａ族に属する金属とＶａ族〜VIII族に属する金属からなる金属薄膜層３を設けた。例文帳に追加

An oxide cathode comprises a cathode base metal 1 containing nickel as a main component and reducing metal, an electron emission material layer 2 provided on the surface thereof and formed of alkali earth metal oxide containing barium and a metal thin layer 3 provided between the electron emission material layer 2 and the cathode base metal 1 and formed of metal belonging to a IIIa group and metal belonging to Va-VIII groups. - 特許庁

透明絶縁基板１上に少なくとも第１の金属膜２、陽極酸化膜３、第１の絶縁膜４、多結晶シリコン膜５、第２の絶縁膜６、及び、第２の金属膜７を順に積層して薄膜半導体装置を構成する。例文帳に追加

At least, a first metallic film 2, an anode oxide film 3, a first insulating film 4, a polycrystalline silicon film 5, a second insulating film 6, and a second metallic film 7 are successively laminated on a transparent insulating substrate 1. - 特許庁

金属基板１上の少なくとも一部に多孔質半導体薄膜層２を設けた半導体光電極であって、該金属基板として表裏につながる細孔を持つ多孔質金属自立基板を用いた色素半導体光電極。例文帳に追加

A porous semiconductor thin film layer 2 is provided at least in a portion on a metal substrate 1 to form a semiconductor photoelectrode, and a porous metal self-supporting substrate having pores connecting with the inside and outside is used as the metal substrate. - 特許庁

金属・有機物界面の電子注入エネルギーバリアを測定するにあたり、トンネル電子供給用のチップ１から極薄膜の金属電極２を介し、金属・有機物界面３に弾道電子５を打ち込む。例文帳に追加

For measuring the electron injection energy barrier on the interface between metal and organic matter, a ballistic electron 5 is knocked from a chip 1 for supplying a tunnel electron to the interface 3 between metal and organic matter through a metal electrode 2 with an extremely thin film. - 特許庁

半導体チップ１０の電極パッド１が形成されている面に、電極パッド１と接続した金属薄膜４を形成する工程と、金属薄膜４を互いに電気的に独立した複数の金属薄膜片に分割するように、金属薄膜４を物理的に切断する工程とから半導体装置を製造する。例文帳に追加

The semiconductor apparatus is manufactured by a process of forming a metal thin film 4 connected with an electrode pad 1 on a face where the electrode pad 1 is formed of a semiconductor chip 10 and a process of physically cutting off the metal thin film 4 so as to divide the metal thin film 4 into a plurality of metal thin film pieces electrically independent from each other. - 特許庁

電極１６と金属薄膜１４との間に、エタノール混合燃料を充填したときに、光源２０によって、プリズム１２を透過させて、複数の入射角で金属薄膜１４に光を照射させ、光検出部２２によって、金属薄膜１４で反射された、光源２０からの光を受光する。例文帳に追加

A light source 20 irradiates a metal thin film 14 with light at a plurality of angles of incidence through a prism 12, and an optical detection portion 22 receives light from the light source 20 which is reflected by the metal thin film 14 when an ethanol-blended fuel is charged between an electrode 16 and the metal thin film 14. - 特許庁

配線材料については耐酸化性金属からなる薄膜層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする薄膜層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる薄膜層からなる3層以上の構造とし、また透明電極材料に金属酸化物を使用する。例文帳に追加

A wiring material has a three or more layered structure, consisting of a thin-film layer consisting of oxidation resistant metal, a thin-film layer formed thereon and consisting of or essentially of aluminum and 9 thin- film layer formed thereon and consisting of oxidation resistant metal and metal oxide is used for transparent electrode material. - 特許庁

本発明の一実施例による金属薄膜電極の製造方法は、基材上に金属粉末、有機バインダ及び有機溶媒を含む金属ペーストを塗布して金属薄膜を形成する段階と、金属薄膜を有機酸と水系液の比が１０：９０〜９０：１０の雰囲気で還元焼成する段階と、を含む。例文帳に追加

The method of fabricating a thin metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes: applying a metal paste including a metal powder, an organic binder and an organic solvent onto a substrate to form a thin metal film; and subjecting the thin metal film to reduction firing in an atmosphere containing an organic acid and an aqueous solution in a ratio ranging from 10:90 to 90:10. - 特許庁

下部電極１４には仕事関数の大きい貴金属が利用され、誘電体薄膜１６には、ペロブスカイト型酸化物薄膜が利用される。例文帳に追加

A noble metal having a large work function is used for the lower electrode 14, and a perovskite oxide thin film is used for the dielectric thin film 16. - 特許庁

ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。例文帳に追加

An n-type polycrystalline Si thin film 3 and a p-type polycrystalline Si thin film 4 are formed on the metal electrode 2 by an epitaxial growth method. - 特許庁

ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び該薄膜が金属基板上に形成された電極材料例文帳に追加

FORMING METHOD OF DIAMOND-LIKE CARBON THIN FILM AND ELECTRODE MATERIAL FORMED WITH THE THIN FILM ON METAL BASE BOARD - 特許庁

金属薄膜２の両面に、それぞれ高屈折率材料からなる薄膜１，３が積層されてなる太陽電池用透明電極である。例文帳に追加

The transparent electrode for the solar cell is constituted by laminating thin films 1 and 3 of high-refractive-index materials on both the surfaces of a metal thin film 2. - 特許庁

まずセラミックシート１０の上に薄膜形成法により内部電極となる金属薄膜１１を形成する。例文帳に追加

A metal thin film 11, which will function as an internal electrode, is formed on each ceramic sheet 10 by a thin film formation method. - 特許庁

本発明による透明断熱シートは、プラスチックからなる透明な基体シート上に、導電性の極薄金属膜と、その上下に積層された透明金属酸窒化物からなるセラミック薄膜とで構成される多層薄膜を設けてなり、その極薄金属膜に近い側から外に向かってセラミック薄膜の屈折率が順次低くなるような積層膜で構成されることを特徴とするものである。例文帳に追加

The transparent heat insulation sheet comprises a layered film including a plastic transparent substrate sheet and a multilayer thin film disposed thereon, the multilayer thin film comprising a conductive ultrathin metal film and ceramic thin films comprising a transparent metal oxynitride layered on and under the ultrathin metal film, in which the refractive indexes of the ceramic thin films gradually decrease outwardly from a side close to the ultrathin metal film. - 特許庁

側面電極６は、所定ピッチの電極パターンを有する金属薄膜３２を形成し、その後、金属薄膜３２の表面にメッキ層を堆積して形成される。例文帳に追加

The side electrode 6 is formed by forming a metal thin film 32 having an electrode pattern with a predetermined pitch and then depositing a plated layer on the surface of the metal thin film 32. - 特許庁

側面電極６は、所定ピッチの電極パターンを有する金属薄膜３２を形成し、その後、金属薄膜３２の表面にメッキ層を堆積して形成される。例文帳に追加

The side face electrode 6 is formed by forming a thin metallic film 32 having an electrode pattern of a predetermined pitch, and thereafter depositing a plating layer on the surface of the thin metallic film 32. - 特許庁

ラミネート体９，９の金属薄膜６，６の一方をそれぞれ陽極２，陰極３と導通させるとともに、ラミネート体の金属薄膜の他方をケース外に延出して引き出し端子６ａ，６ｂとする例文帳に追加

One-end sides of the metal thin film 6 of the laminate bodies 9 are conducted to the positive electrode 2 and the negative electrode 3 respectively, and the other sides of the metal thin film 6 of the laminate bodies 9 are extended to the outside of the case as lead terminals 6a, 6b. - 特許庁

ステンレス鋼などからなる金属薄板の表面に極薄の貴金属膜を被覆して、低い接触抵抗性を有する金属セパレータ用基材、その製造方法、および前記基材を用いた燃料電池用の金属セパレータを低コストで提供する。例文帳に追加

To provide a base material for metal separator having low contact resistance by coating an ultrathin precious metal over the surface of a metal thin plate comprising a stainless steel, etc., and to provide a method of manufacturing the base material for metal separator, and the metal separator for fuel cell using the base material at low cost. - 特許庁

ソース・ドレイン電極１４，１５上に、金属バッファー膜１８と透明導電膜２０を成膜し、これらを同時にエッチングして金属薄膜バッファー層１８と透明電極２０を形成する。例文帳に追加

The metal buffer film 18 and the transparent conductive film 20 are formed on the source/drain electrodes 14 and 15, and then subjected to etching for the formation of the metal thin film buffer layer 18 and the transparent electrode 20. - 特許庁

その表面側に、突起部１２の形状に合わせて金属薄膜１８を形成し、且つ当該金属薄膜１８を覆うように形成され共通電極１１として機能する導電性透明塗布膜を設けた。例文帳に追加

On the front surface of the color filter, a thin metal film 18 is formed, in matching with a shape of the projecting part 12, and a conductive transparent coated film which is formed so as to cover the thin metal film and functions as a common electrode is provided. - 特許庁

１対の対向電極４は、金属電極部からなる第１電極４ａと、金属電極部が絶縁層薄膜５により被覆されてなる第２電極４ｂとからなる。例文帳に追加

A pair of counter electrodes 4 includes a first electrode 4a formed of a metallic electrode and a second electrode 4b wherein the metallic electrode part is coated with an insulating layer thin film 5. - 特許庁

貴金属電極上に液相供給法により原料を供給したＭＯＣＶＤ法で金属酸化物薄膜を形成する場合、貴金属膜との界面近傍における組成比の化学量論比からのずれを抑制し、薄膜化を図ること。例文帳に追加

To make a film thinner by preventing deviation of a composition ratio in the vicinity of an interface with a noble metal film from a stoichiometric ratio, when a metal oxide thin film is formed by MOCVD, in which a raw material is supplied onto a noble metal electrode by a liquid-phase supplying method. - 特許庁

金属膜からなる下部電極及びこの下部電極から引き出される配線部位と、圧電体薄膜とを形成した後、前記基板の表面に金属膜を形成する。例文帳に追加

After forming a lower electrode comprised of a metal film, a wiring part drawn from the lower electrode and a piezoelectric thin film, the metal film is formed on the surface of a substrate. - 特許庁

薄膜金属電極層と電気絶縁性基板との付着力の向上を図り、さらに、基板の表面もしくは表裏両面に薄膜金属電極層が、ほぼ均一かつ同時に容易に形成可能な薄膜電極の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin-film electrode, which improves an adhesive force between a thin-film metal electrode layer and an electrically insulative substrate, and further forms the thin-film metal electrode layer approximately uniformly, simultaneously and easily on the surface or the both sides of the substrate. - 特許庁

導電体薄膜層は、Ｐ型半導体とアクセプタとを含むｐ型有機半導体薄膜と、ｐ型有機半導体薄膜よりも陽極側に設けられ、Ｎ型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属などのドナーとを含むｎ型有機半導体薄膜とを有する。例文帳に追加

The conductive thin film layer has a p-type organic semiconductor thin film containing a p-type semiconductor and an acceptor, and a n-type semiconductor thin film provided on the anode side with respect to the p-type organic semiconductor thin film while containing a N-type semiconductor and a donor such as alkaline metal or alkaline earth metal. - 特許庁

金属薄膜を形成し、これを陽極酸化することにより誘電体を形成する薄膜コンデンサにおいて、金属薄膜とその下地絶縁層との密着性を確保し、かつコンデンサ特性の良好な薄膜コンデンサ及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a thin-film capacitor, which ensures adhesion between a metal thin film and its foundation insulation layer and is superior in capacitor characteristics, wherein a metal thin film is formed and a dielectric is formed by anode oxidation of it, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

また、メモリー素子は、金属−絶縁体相転移する二酸化バナジウム薄膜が製造された基板と、二酸化バナジウム薄膜と接する導電性金属からなる電極と、を備えてなる。例文帳に追加

Further, the memory device comprises the substrate on which the vanadium dioxide thin film undergoing metal-insulator phase transition is manufactured, and the electrodes consisting of the electrically conductive metal contiguous to the vanadium dioxide thin film. - 特許庁

一面に金属薄膜が形成された第１のガラス基板と、金属薄膜によって陽極接合された第２のガラス基板と、を備える接合基板である。例文帳に追加

The bonding substrate is provided with a first glass substrate that is formed with a metal thin film on its one surface and with a second glass substrate that is anode bonded by the metal thin film. - 特許庁

反応装置１０は、一方の面に金属薄膜３５が形成された中央ガラス基板３０と、金属薄膜３５によって陽極接合された上部ガラス基板３６と、を備える。例文帳に追加

The reactor 10 has a central glass substrate 30 on whose one surface a metal thin film 35 is formed and an upper glass substrate 20 anodically joined by the metal thin film 35. - 特許庁

金属薄膜と不織布繊維との密着性が良好であり、金属薄膜の割れや剥離が少ない電池用電極基板の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of an electrode substrate for a battery having high adhesion between a metallic film and nonwoven fabric fibers and reducing break and peeling off of the metallic film. - 特許庁

導電性被膜９としては、炭素、金属、または合金からなる薄膜を用いて陽極酸化現象を利用する方式と、錫−アンチモン等の金属または金属合金酸化物からなる被膜を用いて陰極還元現象を利用する方式とがある。例文帳に追加

The conductive membrane 9 employs a membrane comprising carbon, metal or an alloy, that is, a type utilizing anodic oxidation or a membrane comprising metal such as tin-antimony or a metal alloy oxide, that is, a type utilizing cathodic reduction. - 特許庁

有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極に用いられる陽極電極２を、金属薄膜５と有機金属酸化物薄膜６とガスバリア膜７との積層体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極とする。例文帳に追加

The transparent electrode for the organic electroluminescence element made of a laminated body of a metal thin film 5, an organic metal oxide thin film 6, and a gas barrier film 7, is utilized as a positive electrode 2. - 特許庁

この発明は、誘電体層を形成するためのセラミック原料中に金属粉末又は有機金属化合物を含有させ、焼成の際に誘電体層から金属を追い出させて誘電体層と内部電極層の間に電気的障壁となる金属薄膜層を形成させたものである。例文帳に追加

In the case of baking, metal is driven out from the dielectric layers, thereby forming a thin film metal layer that is an electric barrier between the dielectric layers and an internal electrode layer. - 特許庁

超伝導超格子構造３のメサ構造部分３Ａは、金属薄膜４を介して、λ／４マイクロストリップライン（長さがマイクロ波の波長の１／４）８に電気的に接合されており、メサ構造部分３Ｂは、金属薄膜４を介して金属電極９に接続されている。例文帳に追加

A mesa structure part 3A of the structure 3 is electrically connected to a λ/4 microstrip line (a length is 1/4 of the wavelength of a microwave) 8, and a mesa structure 3B is connected to a metal electrode 9 via a metal thin film 4. - 特許庁

この薄膜スイッチ１４の一方の側面には、薄膜スイッチ１４の電極１０に対応する位置に金属ドーム２０を備えた金属板２２と、薄膜スイッチ１４の電極１０に対応する位置に凸部２６を設けた絶縁性の中間スペーサ２８とが設けられている。例文帳に追加

A metallic plate 22 comprising metallic domes 20 on the positions corresponding to the electrodes 10 of the thin switch 14, and an insulating intermediate spacer 28 comprising convex portions 26 on the positions corresponding to the electrodes 10 of the thin switch 14 are mounted on one side surface of the thin film switch 14. - 特許庁

金属電極形成時における蒸着源からの輻射熱による有機膜のガラス転移を防ぎ、配線抵抗の低い金属電極を有する有機薄膜ＥＬパネルとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic thin film electroluminescence panel including a metal electrode having a low wiring resistance and a method for manufacturing the same by preventing glass transition of an organic film due to radiation heat generated in a vapor deposition source in forming the metal electrode. - 特許庁

可視光に対する光反射率は金属電極層１４の厚さにより異なり、厚さを調節することにより、すなわち金属電極層１４を形成している膜を薄膜化することにより光反射率が５０％以下となる。例文帳に追加

Since the light reflectance relating to the visible light is different by thickness of the layer 14, the light reflectance is regulated to be 50% or less by adjusting the thickness, that is, by thinning a film forming the layer 14. - 特許庁

内部電極１４形状の離型層１１を有するベースフィルム１０上に、薄膜形成法により金属膜１２を作製する。例文帳に追加

In this method, a metallic film 12 is produced on a base film 10 having release layers 11 having the shapes of internal electrodes 14 by the thin film forming method. - 特許庁

その後、レジスト３１を除去し、金属薄膜３１上にメッキ膜６を形成して側面電極を設ける。例文帳に追加

Then, the resist 31 is removed and the plated film 6 is formed on the metal thin film 32 to provide the side electrode. - 特許庁

電極金属材料の仕事関数が、大きいほど放電電圧が高く、また、導電性薄膜の膜厚が厚いほど放電電圧が高くなる。例文帳に追加

The greater the work function of a metallic electrode material is, the higher the discharge voltage is, and the thicker the film thickness of the conductive thin film, the higher the discharge voltage becomes. - 特許庁