「窒素元素」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。例文帳に追加

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements. - 特許庁

III−Ｖ化合物半導体層３は、インジウム元素、アルミニウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含んでいる。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor layer 3 includes: an indium element; an aluminum element; a gallium element; and a nitrogen element. - 特許庁

窒素と更なる電気陽性元素を含む合成物（リンまたは金属などの）例文帳に追加

a compound containing nitrogen and a more electropositive element (such as phosphorus or a metal)  - 日本語WordNet

元素の具体例としては、水素、炭素、酸素、窒素、カルシウムなどが挙げられる。例文帳に追加

examples of elements are hydrogen, carbon, oxygen, nitrogen, and calcium.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

窒素元素を含むルチル型酸化チタンであることができる。例文帳に追加

This photoresponsive material can also be the rutile type titanium dioxide containing nitrogen element. - 特許庁

その非金属元素はホウ素、酸素および窒素からなる群から選択される。例文帳に追加

The nonmetallic element is selected from the group consisting of boron, oxygen and nitrogen. - 特許庁

窒素−３族元素化合物半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FABRICATING NITROGEN-GROUP III ELEMENT COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

元素群Ｇ１は、水素、ボロン、窒素、シリコン、及びチタンを含む。例文帳に追加

An element group G1 includes hydrogen, boron, nitrogen, silicon, and titanium. - 特許庁

活性領域５は、少なくともインジウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含む半導体から成っており、例えばＩｎＧａＮ層を含む。例文帳に追加

The active region 5 includes a semiconductor including at least an indium element, a gallium element, and a nitrogen element, and includes, for example, an InGaN layer. - 特許庁

少なくとも表面層が、窒素を３〜２５原子％と、ＩＩｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素、ＶＩＩａ族元素及びＶＩＩＩ族元素から成る群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を４〜２２原子％含有する硬質炭素膜。例文帳に追加

The hard carbon film is provided at least the surface layer of which contains 3-25 atomic% nitrogen and 4-22 atomic% of at least one kind of metal element selected from a group consisting of a group IIb element, a group IIIa element, a group IVa element, a group Va element, a group VIa element, a group VIIa element and a group VIII element. - 特許庁

酸素、水素、窒素、炭素といった元素名や元素、酸化、還元、溶解、分析といった化学用語、細胞、生物の分類といった生物学用語は宇田川榕菴の造語である。例文帳に追加

Yoan created the coined terms such as element names; oxygen (酸素, sanso), hydrogen (水素, suiso), nitrogen (窒素, chisso), carbon (炭素, tanso), chemical terms; element (元素, genso), oxidation (酸化, sanka), reduction (還元, kangen), dissolution (溶解, yokai), analysis (分析, bunseki), and biological terms; cell (細胞, saibo), classification of organisms (生物の分類, seibutsu no bunrui).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ドロップレットを形成した後に窒素を含むガスを供給すると、ドロップレットの構成元素と窒素との化合物が形成される。例文帳に追加

When a nitrogen-containing gas is supplied after the droplets were formed, a compound of nitrogen and an element that constitutes the droplet is formed. - 特許庁

アンモニアガス等の窒素元素源を、ＳＫＤ６１材からなる予備成形体のキャビティ面に拡散させて窒素拡散層３２を形成する。例文帳に追加

A nitrogen diffusion layer 32 is formed by diffusing a nitrogen element source such as gaseous ammonia on a cavity surface of a preliminarily molded body made of SKD 61 material. - 特許庁

IIIＢ族元素含有化合物と含窒素化合物を溶媒に溶解した後、溶媒を蒸発して得られた均一混合物を加熱してIIIＢ族元素含有化合物を還元して含窒素化合物の窒素によりIIIＢ族元素を窒化することを特徴とするIIIＢ族窒化物の合成方法。例文帳に追加

In the synthetic method for group IIIB nitride, a group IIIB element-containing compound and a nitrogen-containing compound are dissolved into a solvent, thereafter, the solvent is evaporated, the obtained uniform mixture is heated to reduce the group IIIB element-containing compound, and, the group IIIB elements are nitrided with nitrogen in the nitrogen-containing compound. - 特許庁

無機系肥料において、ゼオライトは、窒素およびカリウムの少なくとも一方の元素を含む。例文帳に追加

In the inorganic fertilizer, zeolite contains at least one element of nitrogen and potassium. - 特許庁

チタンとアルカリ土類金属との複合酸化物の酸素サイトの一部を窒素元素で置換する。例文帳に追加

A part of the oxygen site of a composite oxide of titanium with an alkaline earth metal is substituted with elementary nitrogen. - 特許庁

ＩＩＩ族元素及び窒素を含む液体２１０を基板２２０上に広げる。例文帳に追加

A liquid 210 containing group III elements and nitrogen is spread on a substrate 210. - 特許庁

シリコン基板中の窒素元素量の測定方法およびゲート絶縁膜の形成方法例文帳に追加

METHOD OF MEASURING AMOUNT OF NITROGEN ELEMENT IN SILICON SUBSTRATE, AND METHOD OF FORMING GATE INSULATING FILM - 特許庁

排ガス導入部１２１は、加熱容器１１０の内部に窒素元素を含む排ガスを導入する。例文帳に追加

The exhaust gas introducing part 121 introduces the exhaust gas including nitrogen element into an interior of the heating container 110. - 特許庁

２．０≦ＵｒｃＹ（ＥＳＣＡにより測定されたＹにおけるウレタン基由来の窒素元素の原子％）≦４．０（％）…式（１）例文帳に追加

...Expression (1) - 特許庁

窒素元素とガリウム元素を含む粉末の製造方法、およびそれを利用した窒化ガリウム単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING POWDER CONTAINING NITROGEN AND GALLIUM ELEMENTS AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL USING THE POWDER - 特許庁

III−Ｖ族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、Ｖ族元素として砒素、燐及び窒素を含む。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements. - 特許庁

ＧａＮなどの第１３族金属窒化物を添加すれば、液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比も調整することができる。例文帳に追加

By adding the group 13 metal nitride such as GaN, the molar ratio between the nitrogen element and the group 13 metal element in the liquid can be adjusted as well. - 特許庁

元素分析装置における炭素・窒素安定同位体比等の検出能力を向上させることができる元素分析用前処理装置を提供すること。例文帳に追加

To enhance the detection capacity of the carbon-nitrogen stable isotope ratio, or the like, of an elemental analyzer. - 特許庁

前記周期律表におけるIIIＡ族元素が、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎであり、前記ＶＡ族元素が窒素である態様が好ましい。例文帳に追加

The group IIIA elements are preferably Al, Ga and In and the group VA elements are preferably nitrogen. - 特許庁

ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。例文帳に追加

By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed. - 特許庁

反応容器１０１内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ｇａ(ガリウム))を含む物質（１０２）と少なくとも窒素元素を含む物質（１０３）とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。例文帳に追加

In a reaction chamber 101, a cubic III nitride crystal composed of a group III metallic element (for example, gallium(Ga)) and nitride elements is grown from a material 102, containing an alkali metal and at least the group III metallic element and another material 103, containing at least nitrogen element. - 特許庁

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る半導体層１５をＧａＡｓ基板１１上に形成する。例文帳に追加

A semiconductor layer 15 consisting of the group III-V compound semiconductor containing a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element is formed on a GaAs substrate 11. - 特許庁

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含んでおり良好な光学特性を示すIII−Ｖ化合物半導体の半導体層を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a semiconductor layer of group III-V compound semiconductor which contains a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element, and shows a good optical property. - 特許庁

インジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含むのIII−Ｖ化合物半導体層から成るIII−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体の成膜温度より低い温度で成膜される。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor layer consisting of a III-V compound semiconductor layer containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements, and nitride elements is deposited at a temperature lower than a depositing temperature of an AlGaN semiconductor. - 特許庁

第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。例文帳に追加

A group 13 nitride crystal containing the Si element is produced by performing crystal growth with Si intake efficiency of 10% or more using the material containing a group 13 element, a nitrogen element and the Si element. - 特許庁

この異元素は、周期表第IIIＢ族及び／又は第ＶＢ族の元素であり、とくにIIIＢ族元素がボロン、ＶＢ族元素が窒素であることが好ましい。例文帳に追加

This different element is an element of a group IIIB and/or a group VB of a periodic table, and in particular, the element of the group IIIB is boron and the element of the group VB is nitrogen, preferably. - 特許庁

構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses excessive diffusion of nitrogen atoms, and improves nitrogen concentrations of an insulating film, when the insulating film including nitrogen and silicon as constituent elements is formed. - 特許庁

窒素化合物の存在下にて金属ガリウム粉末またはガリウム化合物粉末を粉砕することによって、窒素元素とガリウム元素を含む粉末を製造する。例文帳に追加

A powder containing nitrogen and gallium elements is produced by pulverizing a metal gallium powder or a gallium compound powder in the presence of a nitrogen compound. - 特許庁

窒素、リン、カリウム、カルシウム、マグネシウムの５元素を含み、窒素元素の含有量を１００とした時の酸化物換算したカルシウムの含有量が５０以下であることを特徴とする肥料組成物。例文帳に追加

The fertilizer composition contains 5 elements of nitrogen, phosphorus, potassium, calcium and magnesium and the content of calcium expressed in terms of oxide assuming the content of nitrogen element to be 100 is ≤50. - 特許庁

遷移元素を担持させた窒素含有酸化チタンからなる光触媒物質と、白金族元素を担持させた窒素含有酸化チタンからなる光触媒物質と、を混合した光触媒体とする。例文帳に追加

The photocatalyst is made by mixing a photocatalytic substance made of nitrogen-containing oxidized titanium carrying a transition element, and a photocatalytic substance made of nitrogen-containing oxidized titanium carrying a platinum group element. - 特許庁

まず、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液（フラックス）中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させ、III族元素窒化物結晶基板１３を形成する。例文帳に追加

The group III element nitride crystal substrate 13 is formed by allowing nitrogen of a nitrogen-containing gas and a group III element to react to crystallize in a melt (a flux) containing at least one of alkali metal and alkaline earth metal. - 特許庁

シリコン基板上のシリコン酸化膜を除去し、それにより露出したシリコン基板表面の窒素元素量をＸＰＳにより測定することで、シリコン基板中の窒素元素量を測定する。例文帳に追加

A silicon oxide film is eliminated from a silicon substrate to expose a silicon substrate surface on which the amount of the nitrogen element is measured by XPS. - 特許庁

窒素族元素を含む有機性汚泥を乾燥、炭化、灰化処理して窒素元素を多量に含む処理物を得、土養分材料（肥料、土壌改良剤等）を得ること。例文帳に追加

To provide a method which dries, carbonizes or ashes an organic sludge containing a nitrogen group of atom to obtain a nitrogen-rich soil nutrient material (such as a fertilizer and a soil conditioner). - 特許庁

水素貯蔵材は、ＡｌＨ_3の構成元素であるＡｌと、窒素含有化合物の構成元素であるＮとが配位結合をなすことによって形成された窒素含有化合物−ＡｌＨ_3結合体からなる。例文帳に追加

The hydrogen storage material is composed of a nitrogen-containing compound-AlH_3 bonded material formed by bonding Al which is a constituent element of AlH_3 to N which is a constituent element of the nitrogen-containing compound by a coordinate bond. - 特許庁

１３族窒化物半導体ナノ粒子の粒径分布が変動係数で５０％以下であり、１３族元素と窒素の原子数の比（１３族元素：窒素）が１：０．９５〜１：１．０５である。例文帳に追加

In the group 13 nitride semiconductor nanoparticles, the particle diameter distribution of the group 13 nitride semiconductor nanoparticles is ≤50% by the coefficient of variation, and the ratio in the number of atoms between the group 13 element(s) and nitrogen, (the group 13 element(s): nitrogen) is 1:0.95 to 1:1.05. - 特許庁

窒素含有化合物をフッ素元素でフッ素化することによる三フッ化窒素の製造方法であって、該フッ素化が、無水フッ化水素中、−２０℃〜０℃の温度において、フッ素／窒素含有出発化合物のモル比が３を超えない条件で行われる、三フッ化窒素の製造方法。例文帳に追加

The nitrogen trifluoride is prepared by fluorinating a nitrogen- containing compound with elemental fluorine in anhydrous hydrogen fluoride at a temperature of from -20°C to 0°C and the molar ratio of fluorine to the starting compounds of not over 3. - 特許庁

III族元素窒化物結晶の製造方法であって、窒素含有ガスおよびドーパントを含むガスの雰囲気中で、アルカリ金属を含む融液中において、III族元素と前記窒素と前記ドーパントとを反応させることにより結晶成長させる工程を含むIII族元素窒化物結晶の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the nitride crystal of the group III element includes a process for growing the crystal by reacting the group III element, nitrogen and a dopant in a melt containing an alkali metal in an atmosphere of a gas containing the nitrogen-containing gas and the dopant. - 特許庁

Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a III-V compound semiconductor capable of reducing piling-up of nitrogen composition in the vicinity of an interface when the III-V compound semiconductor containing a nitrogen element and an arsenic element as V-family configuration elements is grown on the foundation III-V compound semiconductor. - 特許庁

このとき、減圧下で、酸化膜を窒素などのＶ族元素を含むガスに暴露することにより、酸化膜内に窒素などのＶ族元素が拡散し、比誘電率の大きい，より緻密なＶ族元素を含有したゲート絶縁膜９が形成される。例文帳に追加

At this time, the oxide film is exposed to the gas containing the group V elements such as nitride or the like under a reduced pressure, whereby the group V elements such as nitride or the like are diffused into the oxide film, to form the gate insulating film 9 containing the more minute group V elements with a large relative dielectric constant. - 特許庁