「"窒素元素"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シリコン基板上のシリコン酸化膜を除去し、それにより露出したシリコン基板表面の窒素元素量をＸＰＳにより測定することで、シリコン基板中の窒素元素量を測定する。例文帳に追加

A silicon oxide film is eliminated from a silicon substrate to expose a silicon substrate surface on which the amount of the nitrogen element is measured by XPS. - 特許庁

III−Ｖ化合物半導体層３は、インジウム元素、アルミニウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含んでいる。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor layer 3 includes: an indium element; an aluminum element; a gallium element; and a nitrogen element. - 特許庁

窒素元素とガリウム元素を含む粉末の製造方法、およびそれを利用した窒化ガリウム単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING POWDER CONTAINING NITROGEN AND GALLIUM ELEMENTS AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL USING THE POWDER - 特許庁

ＰＵＥアクチュエータを構成するＰＵＥに、カチオン成分として窒素元素を含むイオン性液体を添加することである。例文帳に追加

A PUE constituting a PUE actuator is added with an ionic liquid containing a nitrogen element as a cation component. - 特許庁

第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。例文帳に追加

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements. - 特許庁

活性領域５は、少なくともインジウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含む半導体から成っており、例えばＩｎＧａＮ層を含む。例文帳に追加

The active region 5 includes a semiconductor including at least an indium element, a gallium element, and a nitrogen element, and includes, for example, an InGaN layer. - 特許庁

窒素元素含有Ｒｕ化合物から得られたＲｕＴｅ_２を活性成分として含む燃料電池用触媒。例文帳に追加

The catalyst for the fuel cell contains as an active component RuTe_2 obtained from a nitrogen element-contained Ru compound. - 特許庁

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むＩＩＩ−Ｖ系化合物半導体から構成されている。例文帳に追加

The layer 5 is constituted of a III-V compound semiconductor containing an at least nitrogen element as a V group element. - 特許庁

アンモニアガス等の窒素元素源を、ＳＫＤ６１材からなる予備成形体のキャビティ面に拡散させて窒素拡散層３２を形成する。例文帳に追加

A nitrogen diffusion layer 32 is formed by diffusing a nitrogen element source such as gaseous ammonia on a cavity surface of a preliminarily molded body made of SKD 61 material. - 特許庁

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むIII−Ｖ系化合物半導体から構成されている。例文帳に追加

The active layer 5 is made of a group III-V based compound semiconductor containing at least nitrogen element as a group V. - 特許庁

ＧａＮなどの第１３族金属窒化物を添加すれば、液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比も調整することができる。例文帳に追加

By adding the group 13 metal nitride such as GaN, the molar ratio between the nitrogen element and the group 13 metal element in the liquid can be adjusted as well. - 特許庁

窒素元素含有Ｒｕ化合物としてはＲｕ（ＮＯ）（ＮＯ_３）_３が好ましく、ＲｕＴｅ_２は炭素系基体に被着されていることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to use Ru(NO)(NO_3)_3 as a nitrogen element-contained Ru compound, and it is preferable that RuTe_2 is coated on a carbon system base body. - 特許庁

反応容器１０１内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ｇａ(ガリウム))を含む物質（１０２）と少なくとも窒素元素を含む物質（１０３）とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。例文帳に追加

In a reaction chamber 101, a cubic III nitride crystal composed of a group III metallic element (for example, gallium(Ga)) and nitride elements is grown from a material 102, containing an alkali metal and at least the group III metallic element and another material 103, containing at least nitrogen element. - 特許庁

窒素元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層中の窒素元素の組成比を、当該III−Ｖ族化合物半導体層の厚み方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a formation method of a III-V compound semiconductor layer which uniformizes a composition ratio of nitrogen element in the III-V compound semiconductor layer containing nitrogen element in a thickness direction of the III-V compound semiconductor layer, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor light element. - 特許庁

ゲート電極膜の形成にあたっては、プラズマ窒化処理後かつ熱処理前の前記シリコン基板中の窒素元素量をＭ_1、熱処理後のシリコン基板中の窒素元素量をＭ_2としたとき、Ｍ_2／Ｍ_1が２以下となる条件で熱処理を行う。例文帳に追加

In forming a gate electrode film, the silicon substrate is subjected to heat treatment under the condition: M_2/M_1≤2, where M_1 denotes the amount of the nitrogen element in the silicon substrate after a plasma nitriding process and before the heat treatment, and M_2 denotes the amount of the nitrogen element in the silicon substrate after the heat treatment. - 特許庁

導電性担体１と、該導電性担体１の表面に修飾される金属ナイトライド粒子２Ａと、該導電性担体１の表面に配位される窒素元素３と、窒素元素３の表面および金属ナイトライド粒子２Ａの表面に担持される触媒金属粒子４と、からなる触媒担持担体３０である。例文帳に追加

The catalyst carrying carrier 30 includes: a conductive carrier 1; a metal nitride particle 2A modified on the surface of the conductive carrier 1; a nitrogen element 3 ordinated to the surface of the conductive carrier 1; and a catalyst metal particle 4 supported on the surfaces of the nitrogen element 3 and the metal nitride particle 2A. - 特許庁

本発明は、窒素元素を有し、アスペクト比（長さ／直径）が４０〜５０，０００の範囲内であるカーボンナノファイバーと、上記窒素元素に結合した触媒微粒子とを有する不織布状の触媒微粒子担持カーボンナノファイバーを含有することを特徴とする燃料電池用触媒電極層を提供することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

The catalytic electrode layer for the fuel cell has an nonwoven fabric nano-fiber with the catalytic particulate supported thereon, wherein the carbon nano-fiber has a nitrogen element with an aspect ratio (length/diameter ratio) in a range of 40 to 50,000, and the catalytic particulate combined with the nitrogen element. - 特許庁

配線用薄膜を、ＣｒＮターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するＣｒ膜を下層膜２とし、Ｃｒターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないＣｒ膜を上層膜１とした二層構造とする。例文帳に追加

A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas. - 特許庁

窒素化合物の存在下にて金属ガリウム粉末またはガリウム化合物粉末を粉砕することによって、窒素元素とガリウム元素を含む粉末を製造する。例文帳に追加

A powder containing nitrogen and gallium elements is produced by pulverizing a metal gallium powder or a gallium compound powder in the presence of a nitrogen compound. - 特許庁

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る半導体層１５をＧａＡｓ基板１１上に形成する。例文帳に追加

A semiconductor layer 15 consisting of the group III-V compound semiconductor containing a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element is formed on a GaAs substrate 11. - 特許庁

さらには、前記窒素元素を含むカチオン成分が脂肪族系であるカチオン、なかでも直鎖型アルキル置換第４級アンモニウムであることを好ましい。例文帳に追加

Further, preferably, the cation component containing the nitrogen element is an aliphatic cation, among others, straight-chain alkyl-substituted quaternary ammonium. - 特許庁

窒素、リン、カリウム、カルシウム、マグネシウムの５元素を含み、窒素元素の含有量を１００とした時の酸化物換算したカルシウムの含有量が５０以下であることを特徴とする肥料組成物。例文帳に追加

The fertilizer composition contains 5 elements of nitrogen, phosphorus, potassium, calcium and magnesium and the content of calcium expressed in terms of oxide assuming the content of nitrogen element to be 100 is ≤50. - 特許庁

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含んでおり良好な光学特性を示すIII−Ｖ化合物半導体の半導体層を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a semiconductor layer of group III-V compound semiconductor which contains a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element, and shows a good optical property. - 特許庁

蛍光体を構成する金属元素を２種以上含有する合金を含む原料を、酸化亜鉛の共存下に、窒素元素を含有する雰囲気中で加熱する窒化物又は酸窒化物蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing nitride or oxynitride phosphor includes heating a starting material comprising an alloy comprising two or more metal elements constituting a phosphor under coexistence of zinc oxide in a nitrogen element-containing atmosphere. - 特許庁

銅配線１７上表面を窒素元素を含む原料ガスを用いてプラズマ処理することにより窒化銅層２４を形成し、その後、シリコン窒化膜１８を形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film 18 is formed, after plasma processing surface of a copper wiring 17 with a raw gas, including nitrogen element to form copper nitride layer 24. - 特許庁

インジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含むのIII−Ｖ化合物半導体層から成るIII−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体の成膜温度より低い温度で成膜される。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor layer consisting of a III-V compound semiconductor layer containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements, and nitride elements is deposited at a temperature lower than a depositing temperature of an AlGaN semiconductor. - 特許庁

第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。例文帳に追加

A group 13 nitride crystal containing the Si element is produced by performing crystal growth with Si intake efficiency of 10% or more using the material containing a group 13 element, a nitrogen element and the Si element. - 特許庁

ｐ型の不純物を含む第１のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を窒素元素を含まないガスでエッチングして、第１のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。例文帳に追加

A part of the surface of a first group III nitride semiconductor layer is exposed by etching a layer formed on the surface of the first group III nitride semiconductor layer containing a p-type impurity with a gas containing no nitrogen element. - 特許庁

窒素族元素を含む有機性汚泥を乾燥、炭化、灰化処理して窒素元素を多量に含む処理物を得、土養分材料（肥料、土壌改良剤等）を得ること。例文帳に追加

To provide a method which dries, carbonizes or ashes an organic sludge containing a nitrogen group of atom to obtain a nitrogen-rich soil nutrient material (such as a fertilizer and a soil conditioner). - 特許庁

本発明は、酸素が存在するところで、アンモニアが酸化され、窒素の酸化状態がより高い種、好ましくは窒素元素Ｎ_２になるように、Ｐｔ、Ｐｄ又はＲｕなどの貴金属系触媒を利用する。例文帳に追加

Under a condition in which oxygen is present, noble metal-based catalyst such as Pt, Pd and Ru is used so that ammonium is oxidized, and a species becomes a kind of higher oxidized state of nitrogen, preferably, nitrogen element N_2. - 特許庁

ＥＤＸ分析装置９内の試料室へ試料を導入し、試料に電子線を照射しＥＤＸスペクトルより、窒素元素の特性Ｘ線のピークを分析することにより、リチウムの存在が可能となる。例文帳に追加

The sample is introduced in a sample chamber in the EDX analyzer 9 and irradiated with electron rays, and then a characteristic X-ray peak of a nitrogen element is analyzed from an EDX spectrum, thereby checking the presence of the lithium. - 特許庁

第１３族金属窒化物結晶を成長させる液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比（Ｎ／第１３族金属）を３．５〜５０の範囲内に保持する。例文帳に追加

The molar ratio between a nitrogen element in a liquid growing a group 13 metal nitride crystal and a group 13 metal element (N/group 13 metal) is held in the range of 3.5 to 50. - 特許庁

ｎ型の不純物を含むか又はｉ型の第２のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を、窒素元素を含まないガスでエッチングして、第２のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。例文帳に追加

A part of the surface of a second group III nitride semiconductor layer is exposed by etching a layer formed on the surface of a second group III nitride semiconductor layer containing a n-type impurity or of i-type with a gas containing no nitrogen element. - 特許庁

前駆体の溶液または分散液の塗布膜に半導体変換処理を行って形成される金属酸化物半導体薄膜であって、窒素元素の含有率が０．０１ｐｐｍ〜４５００ｐｐｍであることを特徴とする半導体薄膜。例文帳に追加

The metal oxide semiconductor thin film is formed, by executing semiconductor conversion treatment on a coating film of a solution of a precursor or a dispersion liquid, with the content range of nitrogen element being 0.01-4,500 ppm. - 特許庁

窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。例文帳に追加

A nitrogen element in the silicon nitride is dispersed in the semiconductor layer 12 comprising the active polycrysalline silicon film to compensate grid distortion in the active polycrystalline silicon film, whereby a desired interface characteristic between the semiconductor layer 12 and the insulating layer 6 is satisfied. - 特許庁

ＣＶＤ法により作製した炭化ケイ素体であって、窒素元素の含有量が０．１〜１００ｐｐｍであり、かつケイ素以外の金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、比抵抗が０．０１〜１０Ω・ｃｍである炭化ケイ素体。例文帳に追加

This silicon carbide body is a silicon carbide body produced by a CVD method, has 0.1-100 ppm content of nitrogen element, ≥10 ppm content of metal element except silicon and 0.01-10 Ω.cm resistivity. - 特許庁

磁気メモリ素子１０を製造する際に、記憶層１、トンネル絶縁膜２、磁化固定層３を含む各層を形成し、その後、磁気メモリ素子１０の酸素元素又は窒素元素の分布を検査する工程を行う。例文帳に追加

In manufacturing a magnetic memory device 10 there are performed steps of: forming layers including a memory layer 1, a tunnel insulating film 2, and a magnetization fixing layer 3; and thereafter of inspecting the distribution of oxygen elements or nitrogen elements in the magnetic memory device 10. - 特許庁

また、少なくとも記憶層１と、トンネル絶縁膜２と、磁化固定層３とを有して成る磁気メモリ素子１０に対して、電子エネルギー損失分光法により、酸素元素又は窒素元素の分布を検査する。例文帳に追加

Further, for the magnetic memory device 10 composed of at least the memory layer 1, the tunnel insulating film 2, and the magnetization fixing layer 3, the distribution of the oxygen elements or the nitrogen elements is inspected by an electron energy loss spectroscopic method. - 特許庁

このように低温で焼成することで、絹焼成体に窒素元素が１８ｗｔ％〜３５ｗｔ％程度多く残留し、水素吸着性に優れる。例文帳に追加

Thus, by calcining at the low temperatures, nitrogen element remains in the silk calcined body, in the range of about 18 to 35 wt%, by which the adsorbability is excellent. - 特許庁

(A) 窒素元素の含有量が樹脂１kg当たり0.55ｇ以下であるポリアリーレンサルファイド樹脂100重量部に対し、(B) 無機充填材５〜400重量部を配合する。例文帳に追加

The composition is obtained by compounding 5-400 pts.wt. of (B) an inorganic filler to 100 pts.wt. of (A) a polyarylene sulfide resin having a nitrogen element content of ≤0.55 g per 1 kg of the resin. - 特許庁

本発明に係る皮膚外用剤は、絹素材を５００℃〜１０００℃の温度範囲で焼成して炭化して成る絹焼成体であって、窒素元素を１８ｗｔ％〜３５ｗｔ％含む絹焼成体を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The skin preparation for external use comprises a baked matter of silk obtained by baking and carbonizing a silk raw material within a temperature range of 500-1,000°C, and comprises the baked matter of silk containing 18-35 wt% of the nitrogen element. - 特許庁

本発明は、窒素元素を有しカーボンナノファイバーを形成可能な窒素含有ポリマー、および有機金属化合物を含有する原料組成物を、エレクトロスピニング法により、上記窒素元素がカーボンナノファイバーに残留し、かつ、カーボンナノファイバーを形成可能な条件で紡糸する紡糸工程を有することを特徴とする金属微粒子担持カーボンナノファイバーの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

The method for producing a carbon nanofiber supporting metallic fine particles contains a spinning step to spin a raw material composition containing a nitrogen-containing polymer having a nitrogen element and capable of forming a carbon nanofiber and an organometallic compound by an electrospinning method under a condition to stay the nitrogen element in the carbon nanofiber and capable of forming the carbon nanofiber. - 特許庁

窒化物半導体素子１では、半導体領域５は、第１のIII−Ｖ化合物半導体から成り、第１のIII−Ｖ化合物半導体の層はインジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含む半導体から成る。例文帳に追加

In the nitride semiconductor element 1, a semiconductor area 5 consists of a first III-V compound semiconductor, and the layer of the first III-V compound semiconductor consists of a semiconductor containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements and nitride elements. - 特許庁

炭素数４０〜４００の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルケニル基を分子中に少なくとも１個有する含窒素化合物の含有量が、窒素元素換算で０．０５質量％以下であることを特徴とする、含酸素燃料エンジン用潤滑油組成物。例文帳に追加

The lubricating oil composition for oxygen-containing fuel engine contains ≤0.05 mass% nitrogen-containing compound, in terms of nitrogen element, having at least one 40-400C straight or branched-chain alkyl or alkenyl group in the molecule. - 特許庁

少なくとも窒素元素を含む一定ガス圧力の雰囲気中で、レーザー光をパルス状にチタン酸化物焼結物に照射し、該チタン酸化物と対抗する位置に配した基板上に、部分窒化チタン酸化物薄膜を製膜する。例文帳に追加

A titanium oxide sintered material is irradiated with pulsed laser light in an atmosphere including at least a nitrogen element at constant gas pressure so as to form a partially nitrided titanium oxide thin film on a substrate placed at a position opposing to the titanium oxide material. - 特許庁