「窒素元素」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ミクロポーラス炭素系材料であって、炭素骨格中に窒素を有し、３次元の長周期規則構造と、内部にミクロ細孔とを有し、ＢＥＴ表面積が１５００ｍ^２／ｇ以上であり、窒素／炭素の元素比が０．０７以上である。例文帳に追加

This microporous carbon-based material has nitrogen in the carbon skeleton, a three-dimensional long-period regular structure having micropores in the inside, a BET surface area of ≥1,500 m^2/g and a nitrogen/carbon elemental ratio of ≥0.07. - 特許庁

最近のナノ評価では、われわれは時々、セラミックスの主要な構成元素である酸素、炭素および窒素などの軽元素を直接的に観察する必要がある。例文帳に追加

In recent nano-characterization, we sometimes need to directly observe light elements such as oxygen, carbon and nitrogen which are main constituent atoms in ceramics.  - 科学技術論文動詞集

なお、酸素元素含有雰囲気を構成するのはオゾンあるいは活性酸素であり、不活性元素含有雰囲気を構成するのは窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンである。例文帳に追加

Ozone or active oxygen is used for constituting the oxygen element-containing atmosphere, and nitrogen, helium, neon, argon, krypton or xenon is used for constituting the inert element-containing atmosphere. - 特許庁

蛍光体を構成する金属元素を２種以上含有する合金を含む原料を、酸化亜鉛の共存下に、窒素元素を含有する雰囲気中で加熱する窒化物又は酸窒化物蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing nitride or oxynitride phosphor includes heating a starting material comprising an alloy comprising two or more metal elements constituting a phosphor under coexistence of zinc oxide in a nitrogen element-containing atmosphere. - 特許庁

チタンアルコキシドと含窒素配位子を結合させ、さらに、Ｎｂ、Ｙ、Ａｕ、Ｐｔのうち少なくとも一種類の金属元素を添加することによって金属元素が添加されたチタンオキシナイトライド前駆体を得る。例文帳に追加

This metal element-added titanium oxynitride precursor is obtained by bonding a titanium alkoxide and a nitrogen-containing ligand together and adding at least one metal element selected from Nb, Y, Au and Pt. - 特許庁

もちろん、金属元素を添加した半導体膜を、希ガス元素、窒素、およびアンモニアから選ばれた一種または複数種を主成分とする気体をプラズマ化した雰囲気中に曝してから加熱処理を行なってもよい。例文帳に追加

Heat treatment may be effected after a semiconductor film added with a metallic element is exposed to a plasma atmosphere of gas principally comprising one kind or a plurality of kinds selected from rare gas element, nitrogen and ammonia. - 特許庁

アルカリ金属元素を含有する窒素酸化物等吸着剤を再生するにあたり、この吸着剤を還元剤の存在下で加熱処理した後、水洗し、次いでアルカリ金属元素を含浸させる。例文帳に追加

In the case of regenerating the adsorbent for nitrogen oxides, etc., containing an alkali metal element, the adsorbent is heat-treated in the presence of a reducing agent, then is washed and is impregnated with the alkali metal element. - 特許庁

第１３族金属窒化物結晶を成長させる液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比（Ｎ／第１３族金属）を３．５〜５０の範囲内に保持する。例文帳に追加

The molar ratio between a nitrogen element in a liquid growing a group 13 metal nitride crystal and a group 13 metal element (N/group 13 metal) is held in the range of 3.5 to 50. - 特許庁

カルボン酸とハロゲン化又はハロゲノカルボン酸希土類元素又はガリウムとの付加化合物、ハロゲン化希土類元素又はガリウムと窒素又は酸素供与体との無水付加化合物、それらの製造方法及び触媒としての使用例文帳に追加

ADDITION COMPOUND OF CARBOXYLIC ACID WITH HALIDE OR HALOGENOCARBOXYLATE OF RARE EARTH ELEMENT OR GALLIUM, ANHYDROUS ADDITION COMPOUND OF HALIDE OF RARE EARTH ELEMENT OR GALIUM WITH NTIROGEN OR OXYGEN DONOR, AND PRODUCTION METHOD AND CATALYTIC USE THEREOF - 特許庁

遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない軟磁性層を使用した垂直二層膜媒体。例文帳に追加

Soft magnetic layers which contain a transition metal element and rare earth element, has an axis of easy magnetization and does not contain at least either of nitrogen and oxygen are used for the vertical two-layered film medium. - 特許庁

本発明の電池用負極の製造方法では集電体１１上に金属元素Ｍと酸素、窒素、炭素の少なくともいずれかである元素Ａからなる活物質層を形成する。例文帳に追加

In a method of manufacturing a negative electrode for a battery, an active material layer including a metal element M and an element A which is at least either oxygen, nitrogen, or carbon is formed on a current collector 11. - 特許庁

ＷＮ_ｘ層４は、Ｚｒ、Ｈａ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏおよびＷよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と、窒素および炭素の少なくとも一方の元素とからなる塩化ナトリウム型構造の電極層であればよい。例文帳に追加

The WN_x layer 4 can be an electrode layer of a sodium chloride-type structure formed of at least one type of element selected from a group formed of Zr, Ha, Nb, Ta, Mo and W and an element of nitrogen or carbon. - 特許庁

ＣＶＤ法により作製した炭化ケイ素体であって、窒素元素の含有量が０．１〜１００ｐｐｍであり、かつケイ素以外の金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、比抵抗が０．０１〜１０Ω・ｃｍである炭化ケイ素体。例文帳に追加

This silicon carbide body is a silicon carbide body produced by a CVD method, has 0.1-100 ppm content of nitrogen element, ≥10 ppm content of metal element except silicon and 0.01-10 Ω.cm resistivity. - 特許庁

磁気メモリ素子１０を製造する際に、記憶層１、トンネル絶縁膜２、磁化固定層３を含む各層を形成し、その後、磁気メモリ素子１０の酸素元素又は窒素元素の分布を検査する工程を行う。例文帳に追加

In manufacturing a magnetic memory device 10 there are performed steps of: forming layers including a memory layer 1, a tunnel insulating film 2, and a magnetization fixing layer 3; and thereafter of inspecting the distribution of oxygen elements or nitrogen elements in the magnetic memory device 10. - 特許庁

また、少なくとも記憶層１と、トンネル絶縁膜２と、磁化固定層３とを有して成る磁気メモリ素子１０に対して、電子エネルギー損失分光法により、酸素元素又は窒素元素の分布を検査する。例文帳に追加

Further, for the magnetic memory device 10 composed of at least the memory layer 1, the tunnel insulating film 2, and the magnetization fixing layer 3, the distribution of the oxygen elements or the nitrogen elements is inspected by an electron energy loss spectroscopic method. - 特許庁

遷移元素及び希土類元素の少なくとも１種とアルミニウムとを含有し、かつ、窒素と結合していないアルミニウム系成分が１重量％以下である窒化アルミニウム系蛍光体。例文帳に追加

This aluminum nitride-based fluorescent substance contains at least one kind of a transition element and a rare earth element and further contains aluminum, wherein an aluminum-based component which does not combine with nitrogen is contained in an amount of ≤1 wt.%. - 特許庁

鉄に対する窒素の原子数比（Ｎ／Ｆｅ換算）は０を超え０．０５以下であり、かつ鉄に対する金属元素の原子数比（金属元素／Ｆｅ換算）は０を超え０．０５以下とする。例文帳に追加

The ratio of the number of nitrogen atoms to the number of iron atoms (in terms of N/Fe) is more than 0 and not higher than 0.05, and the ratio of the number of metal atoms to the number of iron atoms (in terms of metal atom/Fe) is more than 0 and not higher than 0.05. - 特許庁

ＫＬ_２Ｏ_４：Ｍｎ（ＫはＭｇ，Ｚｎから選ばれた一種以上の元素、ＬはＡｌ，Ｇａ，Ｂから選ばれた一種以上の元素）で表される蛍光体の酸素の一部が窒素によって置換されている蛍光体。例文帳に追加

This phosphor is obtained by substituting part of oxygen of the phosphor expressed by the formula: KL_2O_4:Mn [wherein, K is ≥1 kind of an element selected from Mg and Zn; and L is ≥1 kind of an element selected from Al, Ga and B] with nitrogen. - 特許庁

反応性真空蒸着法によって白金に酸素と窒素、あるいは酸素と硼素、あるいは酸素と窒素と硼素を含有する薄膜を形成する工程、前記白金に酸素と窒素、あるいは酸素と硼素、あるいは酸素と窒素と硼素を含有する薄膜を還元処理して、白金を主構成元素とするくもの巣状構造の触媒を形成する工程を有する電極触媒層の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method includes a process for forming a thin film of platinum that contains oxygen and nitrogen, oxygen and boron, or oxygen, nitrogen, and boron by a reactive vacuum vapor deposition method; and a process for forming a catalyst of web structure whose main component element is platinum in a reducing process, with the thin film of the platinum containing oxygen and nitrogen, oxygen and boron, or oxygen, nitrogen, and boron. - 特許庁

また、窒素化合物を連続的に活性化しながら、この活性化された雰囲気にIII Ａ族元素から選択される１以上の元素を含む有機金属化合物を間欠的に導入して、窒素及び前記III Ａ族元素を含む窒化物系化合物による膜を基板上に形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing the semiconductor device, while a nitride is continuously being activated, an organic metal compound comprising at least one element selected out of III A group element is intermittently introduced in the activated atmosphere to form on a substrate, a film of nitride group compound comprising nitrogen and the III A group element. - 特許庁

排気通路内に窒素酸化物吸着材４を配置し、該窒素酸化物吸着材４は、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆｅ)、チタン(Ｔｉ)、スカンジウム（Ｓｃ）及びイットリウム（Ｙ）の元素群の内、少なくとも一種類の元素Ａとリチウム（Ｌｉ）を構成元素とする一般式ＬｉＡｘＯｙ又はＬｉＡｘＰＯ_4で示されるリチウム複合酸化物で形成する。例文帳に追加

A nitrogen oxide adsorbent 4 is arranged in the exhaust duct. - 特許庁

発熱コイル９は、鉄又はニッケルを主成分とするとともに、アルミニウム及びクロムのうち少なくとも一方を含有してなり、さらに、１０００℃における窒化物生成自由エネルギーがクロムよりも低い元素たる窒素ゲッター元素を少なくとも１種含み、各窒素ゲッター元素の含有量は０．００１質量％以上２質量％以下であり、窒素ゲッター元素の総含有量は０．００１質量％以上４質量％以下である。例文帳に追加

The heating coil 9 is mainly composed of iron and nickel, it contains at least one of aluminum or chrome, it includes at least one of nitrogen getter elements being elements with nitride forming free energy lower than chrome at 1000°C, a content of each nitrogen getter element is 0.001-2mass%, and a total content of the nitrogen getter elements is 0.001-4mass%. - 特許庁

金元素を含む鉄鋼部材を窒化処理することにより得られた窒化部材であって、窒素化合物層を表層部に有し、該表層部の表面部に、内部よりも合金元素の濃度が低い合金元素低濃度領域を有する。例文帳に追加

The nitrided member is obtained by subjecting a gold element-containing steel member to nitriding treatment, and, its surface layer part is provided with a nitrogen compound layer, and the surface part of the surface layer part is provided with an alloy element low concentration region in which the concentrations of alloy elements are lower than those of the inside. - 特許庁

不純物元素の含有量が少なくかつ不純物元素でない窒素等の元素の含有量も少なく、ｐ型半導体等として好適に使用可能な炭化ケイ素焼結体、その製造に好適な炭化ケイ素粉末及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a silicon carbide sintered compact capable of using suitably for a p-type semiconductor because of a small content of an impurity element and small content of an element like nitrogen not the impurity element, silicon carbide powder suitable for manufacturing therefore and a method of manufacturing the silicon carbide powder. - 特許庁

第ＩＩＩ族元素として硼素（Ｂ）を含みかつ第Ｖ族元素としてリン（Ｐ）を含む、室温での禁止帯幅を２．８エレクトロンボルト（ｅＶ）以上３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）系半導体に、さらにリン（Ｐ）と電気陰性度を異にする第Ｖ族元素、特に窒素（Ｎ）を添加する。例文帳に追加

A boron phosphide(BP) based semiconductor, containing boron(B) as a group III element and phosphorus(P) as a group V element, and having a forbidden band width of 2.8 eV-3.4 eV under room temperature is further added with a group V element, especially nitrogen(N), having electrical negativity which is different from that of phosphorus(P). - 特許庁

選択トランジスタは、半導体基板上の第３の絶縁膜１０２ｂと、アルミニウム酸化物であり、４価カチオン元素、５価カチオン元素、Ｎ（窒素）のうち少なくとも１種の元素を含有する第４の絶縁膜１０６ｂと、第２の制御電極１０８ｂと、第２のソース／ドレイン領域を有する。例文帳に追加

The select transistor includes a third insulating film 102a on the semiconductor substrate, a fourth insulating film 106b made of an aluminum oxide and containing at least one of a tetravalent cationic element, a pentavalent cationic element, and N (nitrogen), a second control gate electrode 108b, and a second source/drain region. - 特許庁

遷移金属元素等からなる固体表面に、不活性ガス等のイオンを衝突させることにより、ナノスケールの凹凸からなるナノ構造を生じさせた、窒素分子を活性化する機能を有する窒素分子活性化材料及びその作製方法。例文帳に追加

The nitrogen molecule activating material has a nanostructure made up of nano sized protrusions/recesses which are produced by letting ions of inert gases etc. collide against the surface of a solid consisting of transitional metal elements etc. and has the function of activating nitrogen molecules. - 特許庁

炭素数４０〜４００の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルケニル基を分子中に少なくとも１個有する含窒素化合物の含有量が、窒素元素換算で０．０５質量％以下であることを特徴とする、含酸素燃料エンジン用潤滑油組成物。例文帳に追加

The lubricating oil composition for oxygen-containing fuel engine contains ≤0.05 mass% nitrogen-containing compound, in terms of nitrogen element, having at least one 40-400C straight or branched-chain alkyl or alkenyl group in the molecule. - 特許庁

アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。例文帳に追加

On a substrate where amorphous silicon etc., are formed, an alloy layer consisting essentially of copper containing metal elements and nitrogen is formed in a nitrogen plus argon atmosphere by using a copper-metal alloy target to which metal having negative generation free energy for nitride is added. - 特許庁

適用できる法定の規定によって許可された限度をこえるアンモニアの生成および／または他のいかなる種類の毒性物質生成を避けつつ高い比活性で、硝酸塩を窒素元素に還元することが可能な水の脱窒素方法を供給すること。例文帳に追加

To provide a denitrification method for water which is capable of reducing nitrate to a nitrogen element with high specific activity while evading the formation of ammonia and/or any kind of other toxic materials exceeding the limit permitted by applicable legal regulation. - 特許庁

カーボンナノウォールやカーボンナノチューブなどのカーボンナノ構造体をプラズマＣＶＤで製造する方法と同じであるが、窒素ガスのプラズマや窒素ラジカルのプラズマ中への注入により、炭素を構成元素とする透明導電膜を製造することができる。例文帳に追加

Although this method is same as a method of manufacturing a carbon nano structure such as carbon nanowall and carbon nanotube by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition), a transparent conductive film having carbon as the constituent element can be manufactured by filling it in a plasma of nitrogen gas or a plasma of nitrogen radical. - 特許庁

この製造方法は、純鉄や鉄合金、鉄化合物といったFeを含有する母材に磁場を印加した状態で、窒素雰囲気といった窒素元素含有ガス雰囲気下で上記母材を加熱してα”Fe_16N_2相を生成する工程を具える。例文帳に追加

The manufacturing method includes a step of generating an α"Fe_16N_2 phase by heating an Fe-containing base material such as pure iron, an iron alloy or an iron compound in a nitrogen element-containing gas atmosphere such as a nitrogen atmosphere, while applying a magnetic field to the base material. - 特許庁

発光層が発光材料と正孔輸送性の芳香族アミンを含み、また、電子輸送層が、炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンの中から選ばれる元素で構成され、かつ電子受容性窒素を含むヘテロアリール環構造からなる化合物を含有することを特徴とする発光素子。例文帳に追加

The light-emitting element includes a light-emitting layer which contains a light-emitting material and an aromatic amine having hole transportability, and an electron transporting layer which is made of an element selected from elements of carbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, silicon, and phosphorus and contains a compound composed of a heteroaryl ring structure containing an electron-accepting nitrogen. - 特許庁

貴金属および遷移金属のうちの少なくとも一種の金属から成る活性成分と、周囲の窒素酸化物濃度に応じて窒素酸化物を吸放出するＮＯｘ吸蔵材と、Ａ_2Ｏ_2ＳＯ_4および／またはＡ_2Ｏ_2Ｓ（Ａは希土類元素）と表わされる化合物とを備える排ガス浄化用触媒を用いる。例文帳に追加

The catalyst for cleaning the exhaust gas is used, which is provided with an active component comprising at least one kind of metal of noble metal and transition metal; an NOx occulusion material for sucking/releasing a nitrogen oxide according to a peripheral concentration of nitrogen oxide; and a compound represented by A_2O_2SO_4 and/or A_2O_2S (A is rare earth element). - 特許庁

金属珪素粉末と、窒化促進元素を有する水溶性化合物の水溶液又はアルコール溶液を混合して成形し、該成形体を窒素ガス中、又は窒素ガスを含む非酸化性雰囲気中で反応焼結を行う窒化珪素反応焼結体の製造方法。例文帳に追加

In the production method for a silicon nitride reaction sintered compact, a metallic silicon powder is mixed with an aqueous solution or an alcohol solution of a water-soluble compound having a nitriding acceleration element and molded; and the resultant molded product is reaction sintered in a non-oxidative atmosphere containing a nitrogen gas. - 特許庁

ビニルアルコール単位および窒素を含有する重合単位を構成要素として含む架橋ポリマー粒子であって、元素分析により特定される乾燥重量中の窒素含有量が１０．０〜１８．０重量％の範囲にあり、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により特定される表面窒素濃度が３．０〜９．５ａｔ％の範囲にある架橋ポリマー粒子。例文帳に追加

The crosslinked polymer particle comprises a vinyl alcohol unit and a polymerization unit containing nitrogen as the constituents wherein the nitrogen content in the dry weight of the particle as determined by the elemental analysis is in the range of 10.0-18.0 wt.% and the surface nitrogen concentration as determined by X-ray photoelectron spectroscopic analysis (XPS) is in the range of 3.0-9.5 at%. - 特許庁

半導体基板を蒸着工程の行われる反応チャンバ内にローディングする段階、前記反応チャンバ内に低温で分解可能な窒素元素を含む窒素雰囲気ガスを投入して前記反応チャンバ内を窒素雰囲気に形成する段階及び前記反応チャンバ内にシリコンソースガス及び酸素ソースガスを投入して前記半導体基板上にシリコンオキシド層を蒸着する段階を含む。例文帳に追加

The method comprises the step of loading a semiconductor substrate into the reaction chamber for performing deposition, the step of charging nitrogen atmosphere gas which contains a nitrogen element decomposable at low temperature into the reaction chamber to generate a nitrogen atmosphere in the reaction chamber, and the step of charging silicon source gas and oxygen source gas into the reaction chamber to deposit a silicon oxide layer on the semiconductor layer. - 特許庁

単結晶基板上に、Ｖ族元素として少なくとも窒素および砒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させる工程を包含し、該化合物半導体層を結晶成長させる工程が、窒素原料がアルミニウムと、少なくとも該化合物半導体層の結晶成長表面で相互作用するように、該単結晶基板上に窒素原料を供給する工程を包含する。例文帳に追加

A process where an III-V compound semiconductor layer comprising at least nitrogen and arsenic as group V elements is crystal-grown on a single crystal substrate is comprised, which comprises a process where a nitrogen material is supplied on the single crystal substrate so that the nitrogen material at least interacts with an aluminum on the crystal growth surface of the compound semiconductor layer. - 特許庁

導電性担体１と、該導電性担体１の表面に修飾される金属ナイトライド粒子２Ａと、該導電性担体１の表面に配位される窒素元素３と、窒素元素３の表面および金属ナイトライド粒子２Ａの表面に担持される触媒金属粒子４と、からなる触媒担持担体３０である。例文帳に追加

The catalyst carrying carrier 30 includes: a conductive carrier 1; a metal nitride particle 2A modified on the surface of the conductive carrier 1; a nitrogen element 3 ordinated to the surface of the conductive carrier 1; and a catalyst metal particle 4 supported on the surfaces of the nitrogen element 3 and the metal nitride particle 2A. - 特許庁

本発明は、窒素元素を有し、アスペクト比（長さ／直径）が４０〜５０，０００の範囲内であるカーボンナノファイバーと、上記窒素元素に結合した触媒微粒子とを有する不織布状の触媒微粒子担持カーボンナノファイバーを含有することを特徴とする燃料電池用触媒電極層を提供することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

The catalytic electrode layer for the fuel cell has an nonwoven fabric nano-fiber with the catalytic particulate supported thereon, wherein the carbon nano-fiber has a nitrogen element with an aspect ratio (length/diameter ratio) in a range of 40 to 50,000, and the catalytic particulate combined with the nitrogen element. - 特許庁

アルカリ金属又はアルカリ土金属の何れか一方とアルミナを含む担体と、アルカリ金属、アルカリ土金属又は希土類元素からなる群から選択される１種以上の窒素酸化物吸蔵元素と、白金、パラジウム、ルテニウム、銀、金、及びロジウムからなる群から選択される１種以上の貴金属と、を含む窒素酸化物吸蔵還元触媒を提供する。例文帳に追加

The NOx storage and reduction catalyst includes: a carrier containing either an alkali metal or an alkali-earth metal, and alumina; at least one of NOx storage element selected from a group consisting of alkali metals, alkali-earth metals, or rare-earth elements; and at least one novel metal selected from a group consisting of platinum, palladium, ruthenium, silver, gold, and rhodium. - 特許庁

配線用薄膜を、ＣｒＮターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するＣｒ膜を下層膜２とし、Ｃｒターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないＣｒ膜を上層膜１とした二層構造とする。例文帳に追加

A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas. - 特許庁

内燃機関の排気ガスを窒素酸化物捕捉型の排気浄化触媒により浄化する排気浄化装置であって、アルカリ金属元素或いはアルカリ土類金属元素とＴｉを主たる成分とする複合酸化物を有する硫黄分捕捉材を窒素酸化物捕捉型廃棄浄化触媒の上流側の排ガス流路に設置されていることを特徴とする。例文帳に追加

The exhaust emission control device cleans exhaust gas of the internal combustion engine by a nitrogen oxides collection type exhaust gas cleaning catalyst, wherein a sulfur collecting material having a composite oxide with an alkali metal element or an alkaline earth metal element and Ti as the main components is set in an exhaust gas flow passage upstream of the nitrogen oxides collection type exhaust gas cleaning catalyst. - 特許庁

また、１３族元素と窒素原子との結合を含む結晶粒子に、少なくとも窒素原子と炭素原子との結合を含む修飾有機化合物で被覆してなる半導体粒子蛍光体の製造方法であって、１３族元素化合物と、前記修飾有機化合物とを混合した合成溶液を加熱する工程を含むことを特徴とする、半導体粒子蛍光体の製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for producing the semiconductor phosphor particles comprises coating the crystalline particles including bonds between a 13th family element and a nitrogen atom with at least a modified organic compound including bonds between a nitrogen atom and a carbon atom and comprises a process for heating a synthetic solution prepared by mixing the compound of the 13th family element with the modified organic compound. - 特許庁

III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共にＶ族元素としてヒ素及び窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体およびＧａＡｓを成長する際に、ＧａＡｓの結晶品質を向上可能なIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a III-V compound semiconductor capable of improving the crystal quality of GaAs, when growing the III-V compound semiconductor containing gallium and indium as a group III element and containing arsenic and nitrogen as group V elements, and GaAs. - 特許庁