「窒素元素」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

水素を多く含む試料中の窒素または窒素を含む複数の元素を測定対象とする元素分析において、他の共存成分の測定に影響を与えることなく、共存ガス成分中から選択的に炭化水素を除去・処理して測定する元素分析方法および元素分析装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an elemental analysis method and apparatus for measuring by selectively removing and treating a hydrocarbon from coexisting gas components without having influence on the measurement of other coexisting components, in an elemental analysis for measuring nitrogen or a plurality of elements including nitrogen in a sample containing a lot of hydrogen. - 特許庁

金属粒子と、窒素および／または硫黄を構成元素とする化合物とを含むポリエステル組成物であって、金属粒子を構成する金属元素のポリエステル組成物に対する含有量をＭ（ミリモル／ｋｇ）、窒素元素のポリエステル組成物に対する含有量をＮ（ミリモル／ｋｇ）、硫黄元素のポリエステル組成物に対する含有量をＳ（ミリモル／ｋｇ）としたとき、Ｍ、ＮおよびＳが次式を満足しているポリエステル組成物とする。例文帳に追加

The polyester composition contains the metal particles and a compound having nitrogen and/or sulfur as constituent element(s). - 特許庁

無機リン酸塩灰岩で、また、すべての生きている細胞の中の有機リン酸塩として一般的に起こる窒素族の多価の非金属元素例文帳に追加

a multivalent nonmetallic element of the nitrogen family that occurs commonly in inorganic phosphate rocks and as organic phosphates in all living cells  - 日本語WordNet

ＰＵＥアクチュエータを構成するＰＵＥに、カチオン成分として窒素元素を含むイオン性液体を添加することである。例文帳に追加

A PUE constituting a PUE actuator is added with an ionic liquid containing a nitrogen element as a cation component. - 特許庁

抗酸化剤は可逆的な酸化還元能を有し、炭素酸素,窒素の４元素より構成される炭化水素系化合物である。例文帳に追加

The antioxidant has reversible oxidation-reduction ability, and is a hydrocarbon compound comprising four elements of carbon, oxygen, nitrogen and hydrogen. - 特許庁

さらに前記の窒素原子を含む導電性高分子が、炭素より電気陰性度の大きな元素を含む官能基を有することが好ましい。例文帳に追加

Furthermore, the electroconductive polymer containing the nitrogen atoms preferably has functional groups containing an element having larger electronegativity than that of carbon. - 特許庁

ＮＭＯＳ領域（またはＰＭＯＳ領域）の半導体基板１０１に対して、窒素（またはハロゲン元素）を導入する。例文帳に追加

Nitrogen (or halogen element) is diffused into a semiconductor substrate 101 of NMOS region (or PMOS region). - 特許庁

無機顔料を含むセラミック用着色ペーストに、酸素、炭素、水素、窒素以外の元素を含まない有機顔料を分散させて形成した。例文帳に追加

The indicating material is formed by dispersing an organic pigment containing no element except oxygen, carbon, hydrogen and nitrogen in a coloring paste for ceramic which contains an inorganic pigment. - 特許庁

窒素元素含有Ｒｕ化合物から得られたＲｕＴｅ_２を活性成分として含む燃料電池用触媒。例文帳に追加

The catalyst for the fuel cell contains as an active component RuTe_2 obtained from a nitrogen element-contained Ru compound. - 特許庁

第１の半導体層及び第２の半導体層が、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で形成されている。例文帳に追加

The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed from a group III-V chemical compound semiconductor containing nitrogen as group-V elements. - 特許庁

プラズマ処理は、酸素、水素および窒素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含むガスを用いて行うことができる。例文帳に追加

The plasma treatment may be performed by using a gas containing at least one kind of element selected from among a group consisting of oxygen, hydrogen and nitrogen. - 特許庁

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。例文帳に追加

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions. - 特許庁

吸着ガスとしては、試料１１の元素に吸着し易い（吸着率の高い）ガス種、例えば窒素ガスが選ばれる。例文帳に追加

A gas easily adsorbed on the element of the sample 11 (high adsorption rate) like nitrogen gas is selected. - 特許庁

酸素または窒素は、磁性膜３を構成する元素と結合して磁性膜３中で化合物を形成する。例文帳に追加

Oxygen or nitrogen is bonded with an element which constitutes the magnetic film 3 to form a compound in the magnetic film 3. - 特許庁

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むＩＩＩ−Ｖ系化合物半導体から構成されている。例文帳に追加

The layer 5 is constituted of a III-V compound semiconductor containing an at least nitrogen element as a V group element. - 特許庁

井戸層２１ａ、２１ｂは、Ｖ族元素として窒素および砒素を少なくとも含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。例文帳に追加

The well layers 21a and 21b are made of III-V compound semiconductor, containing at least nitrogen and arsenic as a group V element. - 特許庁

このゲート絶縁膜２０５に含まれる界面窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上でハロゲン元素が含まれる。例文帳に追加

The concentration of nitrogen included in the interface of the gate insulation film 205 is more than 1×1020 (/cm3), and it also includes a halogen element. - 特許庁

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むIII−Ｖ系化合物半導体から構成されている。例文帳に追加

The active layer 5 is made of a group III-V based compound semiconductor containing at least nitrogen element as a group V. - 特許庁

膜１５は、酸素および窒素の少なくともいずれか一方を構成元素として含みIII族窒化物と異なる無機化合物からなる。例文帳に追加

The film 15 is composed of an inorganic compound which comprises either oxygen or nitrogen as a constituent element and is different from a group III nitride. - 特許庁

元素として窒素を含有するガスを含むガス雰囲気中において、薄膜２１５と基板２２０をアニールし、スピンコート膜２１５を結晶化させる。例文帳に追加

The thin film 215 and the substrate 220 are annealed to crystallize spincoated film 215 in a gaseous atmosphere containing gas including nitrogen as an element. - 特許庁

基材上に形成され、１３族元素と窒素と１５原子％以上の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜。例文帳に追加

The semiconductor film is characterized by being formed on the base material, and containing a group 13 element, nitrogen, and oxygen of not less than 15 atom%. - 特許庁

バインダー２５５及び３５５は、酸素、窒素、硫黄及びりんから選ばれる１種以上の元素を含有する水不溶性高分子からなる。例文帳に追加

The binders 255 and 355 are made of a water insoluble polymer that contains one kind or more element selected from oxygen, nitrogen, sulfur, and phosphorus. - 特許庁

添加元素群の窒化物は、窒素雰囲気中で加熱処理することによって、ワイヤ材料の表面側に分散される。例文帳に追加

The nitrides of the group of additive elements are dispersed on the surface side of the wire material by heating treatment in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

この製造方法によって得られる本発明のシリコンウェーハは、酸素、炭素、窒素の少なくともいずれか1種類以上の元素を高濃度に有する。例文帳に追加

The silicon wafer obtained by the manufacturing method has a high concentration of at least one kind of elements of oxygen, carbon and nitrogen. - 特許庁

蛍光体を構成する金属元素を２種以上含有する合金を、窒素含有雰囲気下で加熱することを特徴とする蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the phosphor comprises heating an alloy containing two or more metal elements constituting the phosphor in a nitrogen-containing atmosphere. - 特許庁

これによって、これまで困難であった水溶液中の微量の炭素、窒素、硫黄などの非金属元素の正確な汚染状態を把握できる。例文帳に追加

Accurate contamination state of a trace of nonmetallic element, e.g. carbon, nitrogen, or sulfur, in aqueous solution can thereby be grasped. - 特許庁

また、Ｖ族元素の原料の供給量に対する窒素の原料の供給量を少なくすることができる。例文帳に追加

The supplied amount of nitrogen material can be reduced with respect to that of the V element material. - 特許庁

三価の遷移金属元素と含窒素芳香族系配位子との錯体の代表例としては、三価のルテニウムの錯体を挙げることができる。例文帳に追加

The typical example of the complex based on the trivalent transition metal element and the aromatic ligand containing hydrogen is the trivalent ruthenium complex. - 特許庁

窒素元素含有Ｒｕ化合物としてはＲｕ（ＮＯ）（ＮＯ_３）_３が好ましく、ＲｕＴｅ_２は炭素系基体に被着されていることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to use Ru(NO)(NO_3)_3 as a nitrogen element-contained Ru compound, and it is preferable that RuTe_2 is coated on a carbon system base body. - 特許庁

このように成形品が硬化しないのは、絹焼成体を粉砕した炭素粉材料に多量の窒素成分（元素）が残存しているからと考えられる。例文帳に追加

The reason for such no hardening of the molded product is supposed to be the fact that much nitrogen component(element) remains in the carbon powder material. - 特許庁

元素Ａ、ユーロピウム（Ｅｕ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、および窒素（Ｎ）を、下記組成式（２）の原子数比で含有する赤色蛍光体。例文帳に追加

There is disclosed the red phosphor which contains an element A, europium (Eu), silicon (Si), carbon (C), oxygen (O) and nitrogen (N) at the atomic number ratio of composition formula (2). - 特許庁

離型層４においては、Ｙ_２Ｏ_３の少なくとも表面に４Ａ族元素のカチオンであるＺｒ^４＋と窒素とが導入されている。例文帳に追加

In the mold release layer 4, Zr^4+ as a cation of a 4A group element and nitrogen are introduced onto at least the surface of Y_2O_3. - 特許庁

III族原料の供給条件に影響を受けることなく窒素の混晶化を行うことができる、窒素と窒素以外のV族元素とをV族組成に有するIII-V族化合物半導体を得る為の結晶成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of growing a crystal by which nitrogen can be mixed in crystals without being affected by the supply condition of a group III raw material and a III-V compound semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen in a group V composition can be obtained. - 特許庁

希土類元素および鉄を含む組成の磁石粉末を窒化する希土類磁石粉末の製造方法であって、前記磁石粉末に過剰に窒素を侵入させる過窒化工程と、前記磁石粉末に過剰に含まれる窒素を排出する過剰窒素排出工程とを含む製造方法。例文帳に追加

The method for producing a rare earth magnet powder where a magnet powder having a composition containing a rare earth element(s) and iron is nitrided includes: an over-nitriding stage for surplusly infiltrating nitrogen into the magnet powder; and a surplus nitrogen exhausting stage for exhausting nitrogen surplusly comprised in the magnet powder. - 特許庁

Ｖ族として窒素および他の元素を含むIII−Ｖ化合物半導体層を成長する方法では、III−Ｖ化合物半導体層を成長するための有機窒素原料Ｇ４をヒータ５９を用いて加熱して、有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させる。例文帳に追加

In the method for growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen and other elements as a group V is composed, an organic nitrogen material G4 is at least partially decomposed by heating the organic nitrogen material G4 for growing the group III-V compound semiconductor layer by using a heater 59. - 特許庁

ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属と液体の窒素化合物とを含む混合物を加熱して溶解させることによって、上記少なくとも１つのIII族元素と上記窒素化合物とを反応させてIII族窒化物結晶を成長させる。例文帳に追加

In the production method, a mixture containing at least one group III element selected from among gallium, aluminum, and indium, an alkali metal, and a liquid nitrogen compound is melted by heating, thereby reacting the group III element with the nitrogen compound to grow a group III nitride crystal. - 特許庁

この生成と共に、鉄含有反応物Ｇ_ＦｅＣｏｍｐ、窒素ソース１７からの窒素元素を含む第１の物質のガスＧ_Ｎおよびガリウム元素を含む第２の物質のガスＧ_Ｇａを反応管２１に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム２３を基板１上に形成する。例文帳に追加

The iron-containing reactant gas G_FeComp, a nitrogen element-containing first substance gas G_N from a nitrogen source 17 and a gallium element-containing second substance gas G_Ga are supplied to a reaction tube 21 to form iron-added gallium nitride 23 on the substrate 1. - 特許庁

ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。例文帳に追加

The method for growth of the group III nitride compound semiconductor layer using a nitrogen source in the state of radicals, plasmas, or atoms includes a first step for alternately repeating a process to supply only the dopant element, and a process to simultaneously supply a compound including the group III element and a nitrogen raw material. - 特許庁

窒素元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層中の窒素元素の組成比を、当該III−Ｖ族化合物半導体層の厚み方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a formation method of a III-V compound semiconductor layer which uniformizes a composition ratio of nitrogen element in the III-V compound semiconductor layer containing nitrogen element in a thickness direction of the III-V compound semiconductor layer, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor light element. - 特許庁

ゲート電極膜の形成にあたっては、プラズマ窒化処理後かつ熱処理前の前記シリコン基板中の窒素元素量をＭ_1、熱処理後のシリコン基板中の窒素元素量をＭ_2としたとき、Ｍ_2／Ｍ_1が２以下となる条件で熱処理を行う。例文帳に追加

In forming a gate electrode film, the silicon substrate is subjected to heat treatment under the condition: M_2/M_1≤2, where M_1 denotes the amount of the nitrogen element in the silicon substrate after a plasma nitriding process and before the heat treatment, and M_2 denotes the amount of the nitrogen element in the silicon substrate after the heat treatment. - 特許庁

および遷移元素及び希土類元素の少なくとも１種とアルミニウムとを含む原料を、窒素を含む雰囲気中で窒化合成させた後、窒素を含む雰囲気中１０５０℃を超える温度で焼成することにより窒化アルミニウム系蛍光体を製造する方法。例文帳に追加

The method for producing the aluminum nitride-based fluorescent substance comprises subjecting a raw material containing at least one kind of the transition element and the rare earth element and further containing the aluminum to nitriding synthesis in an atmosphere containing nitrogen, and then firing the synthesized material at a temperature higher than 1,050°C in an atmosphere containing the nitrogen. - 特許庁

周期律表IVa、Va、VIa族金属元素およびボロン、アルミニウム、シリコン、ゲルマニウムの群から選択される1種以上の元素と、炭素、窒素の1種以上の組み合わせからなる化合物薄膜Aと炭素と窒素を主成分とする化合物薄膜Bを交互に繰り返し積層した薄膜積層体とする。例文帳に追加

This thin film laminated body is formed by laminating, alternately and repeatedly, a compound thin film A composed of a combination of one or more elements selected from the group consisting of group IVa, Va, VIa metallic elements in the periodic table, boron, aluminum, silicon, and germanium and either or both of carbon and nitrogen and a compound thin film B composed essentially of carbon and nitrogen. - 特許庁

この窒素は、ふつうの状態では不活性です、最強の電気力でも使わないと、窒素は大気中のほかの元素や、その他まわりにある元素と直接結びついたりしません。これはまったく不活性で、つまりは安全な物質だと言っていいでしょう。例文帳に追加

This nitrogen in its ordinary state is an inactive element; no action short of the most intense electric force, and then in the most infinitely small degree, can cause the nitrogen to combine directly with the other element of the atmosphere, or with other things round about it; it is a perfectly indifferent, and therefore to say, a safe substance.  - Michael Faraday『ロウソクの科学』

窒素と窒素以外のV族元素を含む混晶半導体を活性層とする自励発振型半導体レーザにおいて、安定して自励発振する半導体レーザ等を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a self-oscillation semiconductor laser employing a mixed-crystal semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen as an active layer and oscillating stably. - 特許庁

過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、炭化水素、含酸素化合物あるいは一酸化炭素の存在下、窒素酸化物を含むガスから窒素酸化物を除去するための触媒を、卑金属元素を用いて安価に提供することである。例文帳に追加

To inexpensively provide a catalyst for removal of NOx from gas containing NOx in the presence of hydrocarbons, oxygen-containing compounds or carbon monoxide in an oxidative atmosphere in which excess oxygen is present by using base metal elements. - 特許庁