「窒素元素」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

除去工程では、プラズマで活性化させたＮ原子を含むガスを供給して、成膜工程において形成した膜中の不純物となる特定元素を除去するとともに窒素を混入させる。例文帳に追加

In the removal process, gas involving N atoms activated by plasma is supplied to remove a specific element as an impurity in a film formed in the film formation process, and to mix nitrogen into the film. - 特許庁

少なくとも炭素を構成元素とする原料物質と水素ガスと窒素ガスとを含む雰囲気のプラズマにより、透明性且つ導電性を有する膜を形成する透明導電膜の製造方法。例文帳に追加

This is a method of manufacturing the transparent conductive film by which a film having transparency and conductivity is formed from a plasma including a raw material having at least carbon as a constituent element and an atmosphere containing hydrogen gas and nitrogen gas. - 特許庁

Ｎ_2キャリアガスと、ＩＩＩ族元素の源化合物、窒素源化合物及びｐ型不純物を含む反応性化合物とを反応チャンバ内に供給する。例文帳に追加

The reaction chamber is supplied with an N_2 carrier gas, a source compound made from group III elements, and a reactive compound containing a nitrogen source compound, and a p-type impurity. - 特許庁

ｐ型の不純物を含む第１のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を窒素元素を含まないガスでエッチングして、第１のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。例文帳に追加

A part of the surface of a first group III nitride semiconductor layer is exposed by etching a layer formed on the surface of the first group III nitride semiconductor layer containing a p-type impurity with a gas containing no nitrogen element. - 特許庁

あらかじめ、植物の根圏に必須栄養元素を供給するための複数の管路を埋設しておき、この管路を通じて、窒素、リン酸、カリ等の要素を単独で放出し、植物に選択的に吸収させるようにした。例文帳に追加

Plural pipelines for supplying essential nutrient elements to the rhizosphere of a plant are previously buried and the elements such as nitrogen, phosphoric acid or potassium are solely released through the pipelines so as to selectively absorb the elements in the plant. - 特許庁

素子分離領域は、連続した半導体層において、素子間を電気的に分離するために、選択的に酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上の不純物元素を添加して形成する。例文帳に追加

The element isolation region is formed by selective addition of an impurity element of at least one or more kinds of oxygen, nitrogen, and carbon to electrically isolate elements from each other in one continuous semiconductor layer. - 特許庁

窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上およびハロゲン元素が含まれる窒化酸化膜をゲート絶縁膜に用いることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。例文帳に追加

This transistor features usage of an oxynitride film having halogens and a nitrogen concentration of 1×1020 (per cm3) or higher as a gate insulating film 105. - 特許庁

２価鉄、０価および／または１価の銅、アルカリ金属元素および平均粒子径が１０〜５０μｍの無機物（例えば、ケイソウ土）を含有する窒素酸化物および／または硫黄酸化物の吸着剤。例文帳に追加

The adsorbent for nitrogen oxides and/or sulfur oxides contains iron(II), copper(0 and/or I), and an inorganic substance (e.g. diatomaceous earth) of an inorganic alkali metal element and having an average particle diameter of 10 to 50 μm. - 特許庁

シリコン、炭素、水素および窒素を構成元素として含み、Ｓｉ−Ｈ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびメチレン結合（−ＣＨ_２−）を含む絶縁材料を、銅配線の拡散防止膜として用いる。例文帳に追加

An insulating material, containing silicon, carbon, hydrogen and nitrogen as constituting elements of a diffusion preventing film and containing Si-H bond, Si-C bond and methylene bond (-CH_2-), is used as a diffusion preventing film of a copper wiring. - 特許庁

良好な発光特性を有する、Ｖ族元素の砒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体に窒素を混晶化したIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming an III-V compound semiconductor layer of good light-emitting characteristics where an III-V compound semiconductor comprising an arsenic of group V element is mixed with nitrogen for mixed- crystal. - 特許庁

シリコンおよびIII族元素の窒素化合物を選択的に結晶成長させるにあたり、これらエピタキシャル層を低温で形成することのできる、エピタキシャル層の形成方法の提供が望まれている。例文帳に追加

To provide a method for forming an epitaxial layer at a low temperature at realization of the selective crystal growth of silicon and III group element nitrogenous substances. - 特許庁

ＥＤＸ分析装置９内の試料室へ試料を導入し、試料に電子線を照射しＥＤＸスペクトルより、窒素元素の特性Ｘ線のピークを分析することにより、リチウムの存在が可能となる。例文帳に追加

The sample is introduced in a sample chamber in the EDX analyzer 9 and irradiated with electron rays, and then a characteristic X-ray peak of a nitrogen element is analyzed from an EDX spectrum, thereby checking the presence of the lithium. - 特許庁

上記目的を達成するために、従来の炭素、窒素を主にした標識でなく、硫黄元素に着目した安定同位体を使用した標識により上記課題を解決するものである。例文帳に追加

In order to attain the purpose, a conventional label mainly composed of carbon or nitrogen is not used but a label using a stable isotope of a sulfur element is used. - 特許庁

窒素（Ｎ）と他のＶ族元素を同時に含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層を有する半導体発光素子において、前記活性層は量子井戸活性層であり、導電型がｎ型であることを特徴としている。例文帳に追加

In this semiconductor light emitting element having an active layer comprising a III-V group mixed crystal semiconductor containing nitrogen (N) and other V group elements concurrently, the active layer is a quantum well layer of the n-type conductivity. - 特許庁

ヒ素、燐および窒素をＶ族構成元素として含む半導体結晶を成長する場合、該半導体表面の品質低下を縮小可能な、III−Ｖ化合物半導体光素子を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing III-V compound semiconductor optical element by which deterioration of quality of a surface of a semiconductor can be reduced, when a semiconductor crystal containing arsenic, phosphorous and nitrogen as group V constituent elements is grown. - 特許庁

ｎ型の不純物を含むか又はｉ型の第２のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を、窒素元素を含まないガスでエッチングして、第２のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。例文帳に追加

A part of the surface of a second group III nitride semiconductor layer is exposed by etching a layer formed on the surface of a second group III nitride semiconductor layer containing a n-type impurity or of i-type with a gas containing no nitrogen element. - 特許庁

前駆体の溶液または分散液の塗布膜に半導体変換処理を行って形成される金属酸化物半導体薄膜であって、窒素元素の含有率が０．０１ｐｐｍ〜４５００ｐｐｍであることを特徴とする半導体薄膜。例文帳に追加

The metal oxide semiconductor thin film is formed, by executing semiconductor conversion treatment on a coating film of a solution of a precursor or a dispersion liquid, with the content range of nitrogen element being 0.01-4,500 ppm. - 特許庁

ＴＭＩ、ＴＭＩ以外のIII族元素の原料及び窒素ガスの供給を停止し水素ガスの供給を開始した後にアンモニアガスの供給を継続することにより行ってもよい。例文帳に追加

Further, the particle suppression processing may be performed by continuously supplying the ammonia gas, after the supply of TMI, the material of group III element other than TMI, and the nitrogen gas is stopped and then the supply of hydrogen gas is started. - 特許庁

窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。例文帳に追加

A nitrogen element in the silicon nitride is dispersed in the semiconductor layer 12 comprising the active polycrysalline silicon film to compensate grid distortion in the active polycrystalline silicon film, whereby a desired interface characteristic between the semiconductor layer 12 and the insulating layer 6 is satisfied. - 特許庁

上記超硬合金基材の上に、チタン、クロム、バナジウム、シリコンおよびアルミニウムの群から選択される１種以上の元素と、炭素および窒素から選択される１種以上の組合せからなる化合物薄膜が被覆されている。例文帳に追加

The cemented carbide basic material is covered with a compound thin film composed of a combination of one or more selected form a group of titanium, chrome, vanadium, silicon, and aluminum and one or more selected from carbon and nitrogen. - 特許庁

混合体１４中のボロン、窒素、水素、カーボンのうち少なくとも一つ以上の元素の割合は、第一の材料と第二の材料の合計に対し３０atomic％以下、好ましくは０．５atomic％以上２０atomic％以下である。例文帳に追加

The ratio of at least one or more elements of boron, nitrogen, hydrogen and carbon in the mixture 14 is 30 atomic% or lower to the sum of the first material and the second material, preferably between 0.5 atomic% and 20 atomic%. - 特許庁

基板表面に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの内の１以上の元素及び窒素を含む半導体層を、マスクを用いて形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the nitride semiconductor element comprises the step of forming a semiconductor layer containing at least one or more of elements selected from the group consisting of Al, Ga and In on the surface of a substrate by using a mask. - 特許庁

全体を１００ａｔ％としたときに、１５〜３０ａｔ％のＶａ族元素と、１．５〜６ａｔ％の酸素（Ｏ）および／または窒素（Ｎ）と、残部がチタン（Ｔｉ）と不可避不純物とからなることを特徴とするチタン合金。例文帳に追加

The alloy has a composition containing, by atom, 15 to 30% of the group Va elements, 1.5 to 6% oxygen (O) and/or nitrogen (N), and the balance titanium (Ti) with inevitable impurities. - 特許庁

例えば、熱処理を１ｐｐｍ以上の酸素又は／及び窒素を含む雰囲気下又は大気雰囲気下で、母材自体の少なくとも１種の構成元素の酸化反応又は窒化反応の最低温度以上の温度で行なう。例文帳に追加

For example, the heat treatment is carried out under the atmosphere containing ≥1 ppm oxygen or/and nitrogen or under the air atmosphere at a temperature not lower than the lowest temperature in the oxidizing reaction or nitriding reaction of at least one constituent element of the base material itself. - 特許庁

このように低温で焼成することで、絹焼成体に窒素元素が１８ｗｔ％〜３５ｗｔ％程度多く残留し、水素吸着性に優れる。例文帳に追加

Thus, by calcining at the low temperatures, nitrogen element remains in the silk calcined body, in the range of about 18 to 35 wt%, by which the adsorbability is excellent. - 特許庁

(A) 窒素元素の含有量が樹脂１kg当たり0.55ｇ以下であるポリアリーレンサルファイド樹脂100重量部に対し、(B) 無機充填材５〜400重量部を配合する。例文帳に追加

The composition is obtained by compounding 5-400 pts.wt. of (B) an inorganic filler to 100 pts.wt. of (A) a polyarylene sulfide resin having a nitrogen element content of ≤0.55 g per 1 kg of the resin. - 特許庁

メソポーラスシリカを担体とし、アルミニウム、鉄、マンガン及びイットリウムからなる群から選択される少なくとも一種類の元素の酸化物を担持させた窒素酸化物除去触媒を用いる。例文帳に追加

The nitrogen oxide-removing catalyst is used, which includes mesoporous silica, as a carrier, and an oxide of at least one of element selected from the group consisting of aluminum, iron, manganese and yttrium, the oxide being supported by the carrier. - 特許庁

基材と基材上に形成された硬質皮膜とを備えた摺動部品であって、前記硬質皮膜の最表面層（表層）に窒素と金属元素とを添加した非晶質炭素被膜を設けたことにある。例文帳に追加

The sliding component includes a substrate and a hard film formed on the substrate, wherein the hard film has an amorphous carbon film containing nitrogen and a metal element, which are added, formed on its topmost surface layer (surface layer). - 特許庁

低密着性材料の少なくとも表面において、４Ａ族元素のカチオンの量は０ｍｏｌ％を超えかつ２０ｍｏｌ％以下であるとともに窒素の量は０．０１ｍｏｌ％以上かつ１０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。例文帳に追加

In at least the surface of the low adhesion material, the amount of the cation of 4A the group element is preferably more than 0 and 20 mol% or less, and the amount of nitrogen is 0.01 to 10 mol%. - 特許庁

本発明は、希少元素を用いることなく上記のような用途に用いることができる高窒素の含有の高強度鋼を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a high nitrogen-containing high-strength steel which can be used for applications in steel structures such as a ship, a bridge, a building, a construction machine and the like without using a rare element. - 特許庁

シールド部の材料を強固にすることにより、繰り返し使用可能回数を向上させた、１３族元素窒素化合物の結晶を製造するための圧力容器の提供。例文帳に追加

To provide a pressure vessel for producing a crystal of a group 13 element nitride compound, in which a material for a shield part is strengthened and thereby which can be used repeatedly with an increased frequency. - 特許庁

ゲッタリングシンクとなる半導体膜の窒素濃度を１×１０^18atoms/cm^3以下、且つ酸素濃度を８×１０^19atoms/cm^3以下とし、更に希ガス元素の濃度が１×１０^20atoms/cm^3以上であることを特徴とする。例文帳に追加

Concentration of nitrogen in a semiconductor film which is to become a gettering sink is set to be 1×10^18 atoms/cm^3 or lower, its oxygen concentration is set to 8×10^19 atoms/cm^3, and its rare gas element concentration is set to 1×10^20 atoms/cm^3. - 特許庁

本発明に係る皮膚外用剤は、絹素材を５００℃〜１０００℃の温度範囲で焼成して炭化して成る絹焼成体であって、窒素元素を１８ｗｔ％〜３５ｗｔ％含む絹焼成体を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The skin preparation for external use comprises a baked matter of silk obtained by baking and carbonizing a silk raw material within a temperature range of 500-1,000°C, and comprises the baked matter of silk containing 18-35 wt% of the nitrogen element. - 特許庁

三価の遷移金属元素と含窒素芳香族系配位子との錯体の非水溶媒の溶液とチウラム類とを接触させて化学発光せしめ、その発光強度を測定してチウラム類の濃度を定量する。例文帳に追加

A non-water solvent solution of a complex produced from a trivalent transition metal element and an aromatic ligand containing hydrogen is kept in contact with thiurams to cause chemiluminescence and the intensity of the emission is measured to determine the concentration of the thiuams. - 特許庁

５−含窒素不飽和ヘテロ環置換イミノベンゾ［ａ］フェノキサチン類またはその塩を工業的に高収率で安価、かつ残留する白金族元素触媒が少ない製造及び精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing and purifying 5-nitrogen-containing unsaturated heterocyclic ring-substituted iminobenzo [a] phenoxathins or their salts, industrially, at a high yield, at a low cost, and in a manner where the amount of remaining platinum group element catalyst is small. - 特許庁

Ｈｆ系酸化膜形成直後に特定元素の除去工程を効率的に実施し、さらに、成膜工程で成膜したＨｆ系酸化膜に窒素を混入させて、その熱的安定性を高め、不純物の拡散を抑える。例文帳に追加

To effectively implement the removal process of a specific element just after the formation of an Hf-based oxide film, and to improve thermal stability and hence suppress the diffusion of an impurity by mixing nitrogen into the Hf-based oxide film formed in a film formation process. - 特許庁

磁性層の厚さを0.０９μｍ以下に設定し、この磁性層に、鉄および窒素を少なくとも構成元素とし、かつ、Ｆｅ_16Ｎ_2 相を少なくとも含んだ平均粒子径が５〜５０ｎｍの粒状ないし楕円状の磁性粉末を含有させる。例文帳に追加

The thickness of a magnetic layer is set at ≤0.09 μm and granular or elliptic magnetic powder of 5 to 50 nm in average particle size containing iron and nitrogen as components and containing at least an Fe_16N_2 phase is incorporated into the magnetic layer. - 特許庁

本発明は、窒素元素を有しカーボンナノファイバーを形成可能な窒素含有ポリマー、および有機金属化合物を含有する原料組成物を、エレクトロスピニング法により、上記窒素元素がカーボンナノファイバーに残留し、かつ、カーボンナノファイバーを形成可能な条件で紡糸する紡糸工程を有することを特徴とする金属微粒子担持カーボンナノファイバーの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

The method for producing a carbon nanofiber supporting metallic fine particles contains a spinning step to spin a raw material composition containing a nitrogen-containing polymer having a nitrogen element and capable of forming a carbon nanofiber and an organometallic compound by an electrospinning method under a condition to stay the nitrogen element in the carbon nanofiber and capable of forming the carbon nanofiber. - 特許庁

本発明に係る窒化アルミニウム含有物の製造方法は、窒化物の生成自由エネルギーがアルミニウムより小さい元素である触媒元素を、窒素雰囲気下で加熱された溶融アルミニウム中に位置させることにより、触媒元素を触媒とした窒化反応を生じさせ、窒化アルミニウムを含有する窒化アルミニウム含有物を生成する第１熱処理工程を具備する。例文帳に追加

The process for producing the aluminum nitride containing material includes a first heat treatment step where a catalyst element having a smaller free energy of formation of nitride than that of aluminum is positioned in molten aluminum heated in a nitrogen atmosphere to cause nitridation using the catalyst element as a catalyst and form a material containing aluminum nitride. - 特許庁

窒化物の生成自由エネルギーがアルミニウムより小さい元素である触媒元素を含む触媒元素含有粉末２２とアルミニウム粉末２１を混合した混合粉末を、アルミニウム粉末の融点以上１４００℃以下の窒素雰囲気下で反応させることにより、窒化アルミニウム粉末を製造する。例文帳に追加

The aluminum nitride powder is produced by reacting a mixture of a powder 22, containing a catalyst element having a smaller free energy for generating a nitride than that of aluminum, and an aluminum powder 21 under nitrogen atmosphere at not lower than the melting point of the aluminum powder and not higher than 1,400°C. - 特許庁

必須添加元素と任意に含まれ得る任意添加元素とを添加元素とする質量％で、０．５０〜０．９０％のＣ及び１５．０〜２５．０％のＣｒを含み、微細炭化物及び／又は微細炭窒化物を少なくとも結晶粒内に分散析出させた高窒素高Ｃｒオーステナイト鋼からなる排気バルブ用耐熱鋼である。例文帳に追加

The heat resistant steel for an exhaust valve is composed of a high nitrogen-high Cr austenitic steel which contains 0.50 to 0.90% C and 15.0 to 25.0% Cr as additional elements comprising essential additional elements and optional additional elements which can be optionally contained, wherein fine carbides and/or fine carbonitrides are at least precipitated into crystal grains in a dispersed manner. - 特許庁

具体的な一例としては、遷移金属と含窒素芳香族系配位子との錯体及び／又は希土類元素の硝酸アンモニウム塩を酸化して遷移金属元素及び／又は希土類元素の酸化数を増加させ、次いで、この酸化体と燐化合物類とを接触させて化学発光せしめ、化学発光強度を測定することにより燐化合物類の濃度を定量する。例文帳に追加

As an example, complex of a transition metal and a nitrogen-containing aromatic ligand and/or ammonium nitrate of a rare earth element is oxidized, to increase the oxidation number of the transition metallc element and/or the rare earth element and this oxidized compound is subsequently brought into contact with phosphorus compounds to emit light chemically and chemical emission intensity is measured to determinate the concentration of phosphorus compounds. - 特許庁

窒素ガス雰囲気下、ガリウム、アルミニウム等のIII族元素と、ナトリウム等のアルカリ金属を坩堝に入れ、加熱加圧して溶融し、単結晶を育成する際に、前記坩堝として（Ａ）融点若しくは分解温度が２１００℃以上の窒素非含有材質製の坩堝若しくは（Ｂ）希土類酸化物、アルカリ土類金属酸化物、Ｗ、ＳｉＣ、ダイヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボンからなる群から選択される少なくとも一つの材質製の坩堝を使用する。例文帳に追加

A group III element such as gallium or aluminum and an alkali metal such as sodium are put into a crucible in a nitrogen gas atmosphere and thermally melted under pressure, thus growing a single crystal. - 特許庁

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。例文帳に追加

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere. - 特許庁

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。例文帳に追加

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal. - 特許庁