「耐圧」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

高耐圧パワー半導体デバイスの構造と製造方法例文帳に追加

HIGH WITHSTAND VOLTAGE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

III族窒化物半導体を有する半導体素子の耐圧を高くすること。例文帳に追加

To increase the breakdown voltage of a group III nitride semiconductor device. - 特許庁

重量の増加を抑えて、管の耐圧を高めることができるようにする。例文帳に追加

To heighten the pressure resistance of a pipe by suppressing increase in the weight. - 特許庁

ｏｎ特性と耐圧性に優れた半導体素子を実現すること。例文帳に追加

To achieve a semiconductor device that is superior in on-characteristics and the breakdown voltage. - 特許庁

ダイヤモンドを用いた高耐圧・高耐熱・高周波用パワーデバイス例文帳に追加

HIGH WITHSTAND VOLTAGE/HIGH HEATPROOF/HIGH FREQUENCY POWER DEVICE USING DIAMOND - 特許庁

耐食耐圧性容器の管台取付構造及びその施工方法例文帳に追加

NOZZLE INSTALLATION STRUCTURE OF CORROSION AND PRESSURE RESISTANT CONTAINER, AND CONSTRUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

耐圧性及び電気的特性に優れる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device excellent in withstanding voltage and electrical characteristics. - 特許庁

高耐圧半導体装置及びこれを用いた電力変換器例文帳に追加

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRIC POWER TRANSDUCER USING IT - 特許庁

高耐圧で微細化に優れた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with high withstand voltage and excellent in microfabrication. - 特許庁

半導体装置１の高耐圧素子領域７において、シリコン基板２の表面に高耐圧素子用ゲート絶縁膜１０を形成し、この高耐圧素子用ゲート絶縁膜１０上に、高耐圧素子用ゲート電極１１を形成する。例文帳に追加

In a high withstand voltage element area 7 of the semiconductor device 1, a gate insulating film 10 for the high withstand voltage element is formed on the surface of a silicon substrate 2 and a gate electrode 11 for the high withstand voltage element is formed on the gate insulating film 10 for the high withstand voltage element. - 特許庁

情報端末用耐圧防爆ケースおよびその窓の形成方法例文帳に追加

PRESSURE RESISTANT EXPLOSION-PROOF CASE FOR INFORMATION TERMINAL, AND METHOD OF FORMING WINDOW THEREOF - 特許庁

耐圧容器１０の内部はガス充填室１２となっている。例文帳に追加

A gas filled chamber 12 is provided inside the vessel 10. - 特許庁

温度特性に優れ作動効率を落とさずに耐圧性能を向上させる。例文帳に追加

To improve pressure resistance without deteriorating operation efficiency while having superior temperature characteristics. - 特許庁

導通抵抗が低い高耐圧の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device whose conductive resistance is low and whose breakdown strength is high. - 特許庁

半導体装置およびその耐圧不良自己検出システム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SELF DETECTION SYSTEM FOR DEFECTIVE CAPABILITY AGAINST BREAKDOWN VOLTAGE - 特許庁

また、駆動ＩＣ３０Ｙに要求される耐圧性能も低くすることができる。例文帳に追加

Breakdown voltage performance that the driving IC 30Y demands can be set low. - 特許庁

低電圧駆動を可能としつつ、ドレイン耐圧を向上させる。例文帳に追加

To improve the drain breakdown voltage of a semiconductor device while the device is enabled to be driven on a low voltage. - 特許庁

シリコン基板１上に高耐圧絶縁膜ＩＨ１を形成した後、高耐圧絶縁膜ＩＨ１の表面を削って膜厚を薄くし、高耐圧絶縁膜ＩＨ１と隣接するようにして中耐圧絶縁膜ＩＭ１を形成する。例文帳に追加

After a high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed on a silicon substrate 1, a surface of the high-breakdown-voltage insulating film IH1 is ground to decrease the thickness of the film, and an intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed adjacent to the high-breakdown-voltage insulating film IH1. - 特許庁

半導体リレー装置において、高耐圧化、高耐温化及び小型化を図る。例文帳に追加

To provide a compact semiconductor relay device with high-voltage resistance, and high-heat resistance. - 特許庁

逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of improving reverse breakdown voltage. - 特許庁

高耐圧の部品を低減した放電灯点灯装置を提供する。例文帳に追加

To provide a discharge lamp lighting device reducing the number of parts with high withstand voltages. - 特許庁

半導体装置の耐圧特性を向上することを課題とする。例文帳に追加

To improve voltage withstanding characteristics of a semiconductor device. - 特許庁

耐圧が高く、製作の容易なｎｐｉｎ型光変調器を提供する。例文帳に追加

To provide an npin type optical modulator in which pressure resistance is high and manufacturing is easy. - 特許庁

金属プレス等の金型耐圧面の現場溶接肉盛補修方法例文帳に追加

BUILD-UP REPAIR METHOD BY FIELD WELDING OF PRESSURE- RESISTANT SURFACE OF DIE OF METAL PRESS OR THE LIKE - 特許庁

横型高耐圧ＭＯＳＦＥＴ及びこれを備えた半導体装置例文帳に追加

LATERAL TYPE HIGH-DIELECTRIC-STRENGTH MOSFET AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED THEREWITH - 特許庁

同一の半導体チップ上に高耐圧ＦＥＴと低電圧ＦＥＴの両方を有する半導体装置において高耐圧部ゲート電極のエッジ部でゲート電極の導電物質残りによって高耐圧ゲート酸化膜の破壊耐圧が低下するのを防止する。例文帳に追加

To prevent the breakdown strength of a high-breakdown voltage gate oxide film from being reduced due to the residues of a conductive material contained in a gate electrode at the edge of a high withstand voltage gate electrode in a semiconductor device, having both of a high-breakdown voltage FET and a low-voltage FET on the same semiconductor chip. - 特許庁

耐圧の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that is high in withstand voltage and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

この電池電圧検出部２には、高耐圧の当該電池電圧検出部２を構成するために一例として高耐圧コンデンサ４ａ〜４ｃが配設され、特に、当該高耐圧コンデンサ４ａ〜４ｃとしてセルの電池電圧の３倍以上の耐圧のものが使用されている。例文帳に追加

Highly voltage-resistant capacitors 4a to 4c, for example, are arranged in the battery voltage detection part 2 for constructing the highly voltage-resistant battery voltage detection part 2, and those having voltage resistance of three times or higher of the battery voltage of the cells are used as the highly voltage-resistant capacitors 4a to 4c. - 特許庁

半導体装置の耐圧と信頼性の向上を容易に達成する。例文帳に追加

To easily attain improvement in the breakdown voltage and reliability of a semiconductor device. - 特許庁

絶縁耐圧評価方法及び半導体集積回路装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF EVALUATING INSULATION BREAKDOWN VOLTAGE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE - 特許庁

所望の耐圧性能を有する圧力容器を精度よく作製する。例文帳に追加

To precisely manufacture a pressure container having desired pressure-resistant capacity. - 特許庁

高耐圧を有する電解コンデンサの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electrolytic capacitor having a high withstand voltage. - 特許庁

絶縁性、耐圧性に優れ、且つ、組立容易なコイル部品を提供する。例文帳に追加

To provide coil parts which are superior in insulation and breakdown strength and are easy to assemble. - 特許庁

静電耐圧特性を向上させ、かつ発光効率を向上させること。例文帳に追加

To improve electrostatic breakdown voltage and luminous efficiency. - 特許庁

耐圧が高く、オン抵抗の低い電力用半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device having a high breakdown voltage and low on resistance. - 特許庁

また、ストライプの開口により空乏層を形成して高耐圧を得る。例文帳に追加

Moreover, high breakdown strength can be obtained by forming a depletion layer by the opening of a stripe. - 特許庁

ドリフト部の周りの耐圧構造部が並列ｐｎ構造を有する半導体装置において、その耐圧構造部の占有面積の拡大を招かずに、耐圧構造部の表面電界を緩和でき、高耐圧化を図ることができる半導体装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having high breakdown-proof strength by relaxing a surface field at a breakdown-proof structure without enlarging the area of the breakdown-proof structure with respect to the semiconductor device having a parallel p-n structure at the breakdown-proof structure around a drift. - 特許庁

ＭＯＳ半導体装置で微細化と高耐圧を達成する。例文帳に追加

To achieve increase in fineness and breakdown voltage of a MOS semiconductor device. - 特許庁

オン抵抗と耐圧のトレードオフの関係をさらに改善する。例文帳に追加

To improve the relation of the trade-off of on-resistance and withstand voltage. - 特許庁

また、高耐圧素子領域７において、シリコン基板２の表層部に、高耐圧素子用ゲート電極１１に対向するチャネル領域３８隣接する高耐圧側ソース領域１３および高耐圧側ドレイン領域１４を形成する。例文帳に追加

In the high withstand voltage element area 7, a high withstand voltage side source region 13 and a high withstand voltage side drain region 14 adjacent to a channel region 38 opposed to the gate electrode 11 for the high withstand voltage element are formed on a surface layer part of the silicon substrate 2. - 特許庁

誘電特性測定用耐圧容器センサーに用いる絶縁体例文帳に追加

INSULATOR USED FOR PRESSURE-RESISTANT CONTAINER SENSOR FOR MEASURING DIELECTRIC PROPERTY - 特許庁

高い耐圧を容易に実現可能な半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element wherein a high breakdown voltage is easily realized. - 特許庁

高耐圧電界効果トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの高耐圧、高信頼性化を図る。例文帳に追加

To improve the breakdown voltage and reliability of a plasma display panel. - 特許庁

高耐圧トレンチＭＯＳトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TRENCH MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁