「耐圧」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

横型高耐圧トレンチＭＯＳＦＥＴの平面レイアウトに関して、Ｎ^^^^+ソース領域６およびＮ^+ドレイン領域７を横切る方向をｘ方向とし、このｘ方向に直交する方向をｙ方向とした場合、Ｎ^+ドレイン領域７のｙ方向の端部をＮ^-オフセットドレイン領域３で囲む。例文帳に追加

Related to a planar layout of a horizontal high breakdown voltage trench MOSFET, when a direction cutting across an n^+ source region 6 and an n^+ drain region 7 is an x-direction and a direction orthogonal to the x-direction is a y-direction, an end of the n^+ drain region 7 in the y-direction is enclosed by an n^- offset drain region 3. - 特許庁

本発明の配管耐圧試験データ収集システムは、配管系統１に接続されたテストポンプ２及び圧力計３と、圧力計３に接続されたデータ収集装置４と、データ収集装置４に接続または内蔵されたデータ送信手段と、データ送信手段を介して遠隔的に接続可能なデータ記録装置６とからなる。例文帳に追加

The piping pressure test data collection system according to the present invention is composed of a test pump 2 and a pressure gauge 3 connected to a piping system 1, a data collection device 4 connected to the pressure gauge 3, a data transmitting means which is connected to or built in the data collection device 4, and a data recording device 6 which can be remotely connected through the data transmitting means. - 特許庁

なお、外殻ケース１を電気絶縁材料で形成したため、前記電気接続としては単なる導体接続でもよいが、念のため、金属板３と点灯回路基板２の回路グランド４とがチップ型コンデンサによる１６〜１００Ｖ程度の低耐圧のコンデンサ５を介して電気接続されている。例文帳に追加

Because the outer shell case 1 is formed of electrical insulating materials, this may be a simple conductor connection as the electrical circuit, but the metal plate 3 and the circuit ground 4 of the lighting circuit substrate 2 are electrically connected with each other by way of a capacitor 5 of low voltage-resistance of about 16 to 100 V with a chip-type capacitor for the sake of confirmation. - 特許庁

色画像を保持する中間転写体と、中間転写体に当接して中間転写体上に形成されたトナー層から余剰なキャリアを除去するキャリア除去ローラとを備えた液体現像電子写真装置において、中間転写体は耐圧層を形成して高電圧バイアスを印加しても火花放電が発生しないように構成する。例文帳に追加

The liquid developing electrophotographic device equipped with the intermediate transfer body which holds a color image and the carrier removing roller which abuts against the intermediate transfer body to remove excessive carriers form a toner layer formed on the intermediate transfer body is characterized in that the intermediate transfer body has a breakdown voltage resistant layer formed to cause no spark discharge even when applied with a high-voltage bias. - 特許庁

ｎ^+ カソード層、高比抵抗のｎドリフト層１２、ｐアノード領域１３およびアノード電極１５、カソード電極１６からなるダイオードの周辺耐圧構造において、最外周ガードリング１４ａと素子端部の周辺電極１８との間のフィールド絶縁膜１７上に同心状の複数個の導電性リング２０を配置する。例文帳に追加

In the peripheral breakdown strength structure of a diode comprising an n+ cathode layer, an n drift layer 12 of high specific resistance, a p-anode region 13, an anode electrode 15, and a cathode electrode 16, a plurality of conductive rings 20 are arranged concentrically on a field insulation film 17 between an outermost circumferential guard ring 14a and the peripheral electrode 18 at a terminal end part. - 特許庁

直流電源１からモータ４への電力供給を遮断する際、リレー制御装置８は、ＳＭＲ５Ｇをオフさせた後に所定のタイムアウト時間内にコンデンサ２の電圧が所定の放電完了電圧まで低下しなかった場合、コンデンサ２のリレーオフ後の電圧変化量がＳＭＲ５Ｇの溶着耐圧値以下であるか否かを判断する。例文帳に追加

When blocking power supply from the DC power supply 1 to a motor 4, a relay control device 8 determines whether an amount of voltage change after relay-off of the capacitor 2 is below a welding withstand-pressure value of SMR5G when voltage of the capacitor 2 is not reduced to a prescribed discharge completion voltage within a prescribed time-out time after turning off SMR5G. - 特許庁

所望の絶縁耐圧に応じた厚さｄ１の絶縁物１０３によって隔てられた下部電極１０２から上部電極１０１へ、電気的または磁気的な結合を利用して信号を伝送する信号伝送デバイス１００において、絶縁物１０３には、突状の段差１０７が上部電極１０１の最外縁部分１０６もしくは最外縁部分１０６の外側に形成される。例文帳に追加

In the signal transmission device 100 transmitting signals with the use of electric or magnetic coupling from a lower electrode 102 separated by the insulator 103 of a thickness d1 in accordance with a desired withstanding voltage to an upper electrode 101, the insulator 103 has a protruded stepped part 107 formed at an outermost edge part 106 or outside of the outermost edge part 106 of the upper electrode 101. - 特許庁

温水を循環する第一の循環回路１９に搬送手段としての耐圧ポンプ２０を設け、暖房用の強制対流型熱交換器としての第一の二重管熱交換器２３を上流側に設け、風呂追い焚き用の強制対流型熱交換器としての第二の二重管熱交換器２４を下流側に設けている。例文帳に追加

A pressure pump 20 as a conveying means is provided in the first circulation circuit 19 for circulating hot water, the first double tube heat-exchanger 23 is provided as a forced convection type heat exchanger for the heating, in an upstream, and the second double tube heat-exchanger 24 is provided as a forced convection type heat exchanger for the reheating for the bath, in a downstream. - 特許庁

最外周セグメント及び／又は最内周セグメントの突出部における段差深さがその他のセグメントの突出部における段差深さよりも浅い場合が生じても、カソード電極とゲート電極間の耐圧特性を確保し且つ動特性の劣化を生じさせることなく、より安定した圧接型半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a pressure welding semiconductor device which is capable of ensuring breakdown voltage characteristics between a cathode electrode and a gate electrode, never deteriorates its dynamic characteristics, and is kept stable in characteristics even if it occurs that the depth of a level difference at the projection of an outermost segment and/or an innermost segment is smaller than that of a level difference at the projections of the other segments. - 特許庁

制御用トランジスタおよび高耐圧用のＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜２５ｂ，２５ｄ用の酸化シリコン膜を熱酸化と該熱酸化後のＣＶＤにより形成してから、この酸化シリコン膜をＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ｂで除去し、その後、熱酸化処理によりＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ｂにゲート絶縁膜２５ｃ用の酸化シリコン膜を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film for gate insulating films 25b, 25d of a control transistor and a high withstand voltage MISFET is formed by thermal oxidation and by CVD after the thermal oxidation, and the silicon oxide film is removed in a MISFET formation region 1B, and thereafter a silicon oxide film for a gate insulating film 25c is formed in the MISFET formation region 1B by thermal oxidation processing. - 特許庁

これにより、自立補助部材は耐圧縮及び耐引張の機能を兼ね備えることになるので、可動部移動時に多連ケーブルに生じる圧縮応力及び引張応力に対応しつつ多連ケーブルを支えることができ、多連ケーブルをケーブルベア内部に収納しなくても、可動部移動時の多連ケーブルの上下変動を略完全に抑制することができる。例文帳に追加

Since the self-supporting auxiliary member resultantly has both compression-resistant function and tensile-resistant function, the multiple cable can be supported while responding to compression stress and tensile stress generated in the multiple cable in moving a movable part, and the vertical variation of the multiple cable in moving the movable part can be almost completely restrained even if the multiple cable is housed in a cable bear. - 特許庁

ＤＳＩ法やＤＲＩ法などの射出溶着工法を用いて、射出成形された合成樹脂部品を金型内で溶着させて得られる合成樹脂成形品の溶着部の強度を高めることができ、かつ溶着部廻りの剛体強度及び内部圧力に対する耐圧強度を高めることができる溶着部の接合構造を提供する。例文帳に追加

To provide a connecting structure of a fusion bonding part capable of raising a strength of the fusion bonding part of a synthetic resin molding obtained by fusion bonding an injection molded synthetic resin component by using an injection fusion binding method such as a DSI method, a DRI method or the like and raising a rigidity strength around the bonding part and a pressure resistant strength against an internal force. - 特許庁

また、前記基板４０にリード線３８のコネクタ５９を介して接続される電空変換部２４が耐圧防爆容器である第２ケーシング５２の内部に配設され、前記第２ケーシング５２の連結部６０が第１ケーシング３４の挿入孔５０に挿入されて前記第１ケーシング３４と第２ケーシング５２とが連結されている。例文帳に追加

The base 40 is provided with an electropneumatic converting part 24 connected through a connector 59 of a lead wire and installed inside a second casing 52 as a flame-proof enclosure, and a connecting part 60 of the second casing 52 is inserted into an insertion hole 50 of the first casing 34 to connect the first casing 34 and the second casing 52. - 特許庁

本発明のポリオレフィン系農業用フィルムは、ポリオレフィン系樹脂１００重量部と、硼珪酸ガラスを主成分とし且つ平均粒径が１０〜８０μｍで、耐圧強度が１９．６ＭＰａ以上で、真密度が０．３０〜０．８０ｇ／ｃｍ^3である中空球状フィラー１〜５０重量部とを含有することを特徴とする。例文帳に追加

This polyolefin agricultural film comprises 100 pts.wt. of a polyolefin resin, and 1-50 pts.wt. of a hollow globular filler which has borosilicate glass as the main ingredient, an average particle diameter of 10-80 μm, resisting pressure strength of ≥19.6 MPa and true density of 0.30-0.80g/cm^3. - 特許庁

大気圧より大きい圧力の酸素雰囲気下において、吸収液が注入された耐圧容器内で前記試料を燃焼する工程と、前記吸収液を回収してｐＨ５．０〜５．５の範囲内に調整する工程と、ｐＨを調整した前記吸収液の電位をフッ素イオン電極により測定する工程により、試料に含まれるフッ素の定量を精度よく、かつ迅速に定量することができるようになる。例文帳に追加

Fluorine contained in the sample determined precisely and rapidly by processes for: burning the sample in a pressure-resistant container, in which an absorbing liquid is injected, under an oxygen atmosphere having pressure higher than atmospheric pressure; recovering the absorbing liquid to adjust the pH thereof to 5.0-5.5; and measuring the potential of the absorbing liquid adjusted in its pH. - 特許庁

完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ２１０は、単結晶シリコンデバイス形成層１０３に形成されており、高耐圧型ＭＯＳトランジスタ及びＥＳＤ保護素子３１０は、ＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層１０３及び埋め込み酸化膜１０２の除去されたシリコン基板上に形成されている。例文帳に追加

A complete depletion-type high-speed MOS transistor 210 is formed in a single-crystal silicon device formation layer 103, and a high breakdown strength-type MOS transistor and an ESD preventive element 310 are formed on a silicon substrate from which the formation layer 103 on an SOI substrate and a buried oxide film 102 have been removed. - 特許庁

本発明の耐圧構造物１００は、第１すり合わせ面１１１を有するガラス製の第１構造部１１０と、第１すり合わせ面１１１と接合する第２すり合わせ面１２１を有するガラス製の第２構造部１２０と、第１すり合わせ面１１１及び第２すり合わせ面１２１のそれぞれの面に形成された金属膜２１１、２２１と、からなることを特徴とする。例文帳に追加

The pressure-resistive structure 100 includes a first glass-made structure part 110 having a first fitting face 111, a second glass-made structure part 120 having a second fitting face 121 joined with the first fitting face 111, and metal films 211, 221 formed on respective faces of the first fitting face 111 and the second fitting face 121. - 特許庁

誤動作により消火剤貯蔵容器から消火剤が誤って放出されても、正常消火時の放出と同じ圧力しか開閉弁および一次配管にかからず、これらの耐圧グレードを正常消火時の放出に耐えるものに押えることができるし、安全装置が不要になる消火システムを得る。例文帳に追加

To obtain a fire extinguishing system unnecessitating a safety device by applying only the same pressure as that discharged at the time of normally extinguishing fire to a stop valve and a primary piping even though a fire extinguisher is erroneously discharged from an extinguisher storing container so as to control the pressure-resistant grade to withstand discharge at the time of normally extinguishing fire. - 特許庁

海底ケーブル内に埋設される光ファイバーの外周に配置され、凹曲面と凸曲面を有する略扇型異形線が組合されて光ファイバーの耐圧層を構成する異形線であって、少なくとも前記凹曲面には軸芯と交差する方向の条溝および／またはクロス溝が、全長若しくは部分的に形成されたものである。例文帳に追加

In the irregular-shaped line arranged in the outer periphery of the optical fiber laid in the submarine cable, and constituting the pressure-resistant layer of the optical fiber by combining nearly fan-shaped irregular lines, lined grooves and/or cross grooves in the direction crossing the axial center are formed over the whole length or partially at least on the recessed face. - 特許庁

貯水部と、貯水部からの水の供給により発電する水力発電機とを備える水力発電システムに、貯水部より低所に設置され、水に難溶性のガスのハイドレートを分解させることにより発生するガスの圧力上昇により、前記貯水部に水を供給する密閉耐圧容器をさらに備えさせる。例文帳に追加

The hydroelectric power generation system comprises a reservoir and a hydroelectric generator for power generation by water supply from the reservoir and is further equipped with a closed pressure-tight container which is installed at a place lower than the reservoir and supplies water to the reservoir by pressure rise of a gas caused through breakdown of the hydrate of a gas hardly soluble to water. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのオフセット電圧ならびにニー電圧を低減しながら、エミッタ抵抗の上昇によるエミッタ層からベース層への注入効率の低下、ベース層とコレクタ層の間の耐圧の劣化、または欠陥導入による信頼性低下などの基本的なトランジスタ特性の悪化を抑制できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a heterojunction bipolar transistor capable of suppressing the deterioration of basic transistor characteristics such as deterioration of injection efficiency from an emitter layer to a base layer caused by increase of emitter resistance, deterioration of withstand voltage between the base layer and a collector layer, and deterioration of reliability caused by defective introduction while reducing an offset voltage and a knee voltage of the heterojunction bipolar transistor. - 特許庁

セグメント駆動用高耐圧出力ポート１０２の同時変化の影響でセグメント駆動制御信号Ｓ６１１が急激に立ち上がり、蛍光表示管内の配線間容量６０８を介してデジット駆動制御信号Ｓ６１０に発生するパルス応答ノイズＳ１０１を漏れ発光ノイズ検出回路１０３で検出する。例文帳に追加

Pulse response noise S101, which occurs in a digit drive control signal S610 due to a sudden rise of a segment drive control signal by the influence of a simultaneous change of a segment drive high withstand voltage output port 102 via capacitance 608 between wirings around a vacuum fluorescent display tube, is detected by a leakage light emitting noise detecting circuit 103. - 特許庁

変形させることなく石英ガラスの気密封着を確実に達成することができ、しかも、石英ガラスの封着作業において高い時間的効率が得られる石英ガラス用封着材料を提供し、また、溶融気密封着した石英ガラスバルブ製ランプと同等の耐圧強度を有し、寸法精度が高くて所期の形状が得られると共に、高い気密性を有する封止構造が得られ、しかも、長い使用寿命を有するランプを提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a sealing material having a long life in sealing a quartz glass where a perfect sealing including pressure resistance comparable to quartz bulb, dimensional accuracy and airtightness is achieved without deformation. - 特許庁

半導体スイッチ素子自体の耐圧を高める等コスト面、効率面で不利となる保護対策ではなく、過電圧発生時その主回路端子間をクランプするクランプ回路を使用した過電圧保護対策を採用するとともに、当該クランプ回路の誤動作を効果的に抑制しうる半導体回路装置を得ることを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor circuit device which adopts not a protective measure that becomes disadvantageous in the cost aspect or efficiency aspect such as raising the breakdown voltage of a semiconductor switch element itself but a protective measure against overvoltage using a clamp circuit for clamping the circuit between main circuit terminals on the occurrence of an overvoltage, and also can suppress the malfunction of the clamp circuit effectively. - 特許庁

本発明に係る半導体試験装置１は、プローバ２、測定装置３、電子制御装置４を備えており、半導体素子１０のゲート漏れ電流測定、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の逆耐圧測定、ゲート・ソース間の降伏電圧測定、およびゲート閾値電圧測定が可能である。例文帳に追加

The semiconductor testing device 1 includes a prober 2, the measuring device 3 and an electronic control device 4, and can perform gate leakage current measurement of a semiconductor element 10, reverse withstand voltage measurement between a gate and a drain, and between the gate and a source, breakdown voltage measurement between the gate and the source, and gate threshold voltage measurement. - 特許庁

芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステル化合物とを含む反応混合物を重縮合せしめてポリカーボネートを製造するに際して、送液配管として、耐熱性、耐真空性、耐圧性、耐食性を有し、その表面が滑らかであり、かつ、その曲管部の配管曲率が当該配管内径の５倍以上の配管を使用する。例文帳に追加

In producing a polycarbonate by polycondensing a reaction mixture containing an aromatic diol compound and a diester carbonate compound, a liquid-transferring pipe having heat resistance, resistance to vacuum, resistance to pressure, corrosion resistance and smooth surface, and in which the piping curvature of the curved part is more than 5 times of inner diameter of the pipe, is used. - 特許庁

イオン発生素子と高電圧発生回路と接続するための高耐圧リード線や独立したイオン発生素子が不要となり、イオン発生素子と高電圧発生回路との接続作業やリード線の線処理が不要となり、部材や作業にかかるコストを削減でき、確実にイオンを発生することができる。例文帳に追加

A high voltage withstanding lead wire for connecting an ion generating element and a high voltage generating circuit, and an independent ion generating element become unnecessary, and furthermore connection work of the ion generating element and the high voltage generating circuit and wire treatment of the lead wire become unnecessary, whereby cost relevant to the member and work can be reduced and ion can be generated surely. - 特許庁

さらに、誘電体層１０８はゲートショットキ電極１０６からドレインオーミック電極１０７に向かって先細の先細部１０９を有するので、ゲートショットキ電極１０６に近いほど電界の集中を緩和する効果が高くなり、特に、電極間の電界分布を均一化して高耐圧化を図れる。例文帳に追加

Since the dielectric layer 108 has a portion 109 tapered from the gate Schottky electrode 106 toward the drain ohmic electrode 107, the effect of relaxing concentration of electric field increases as the gate Schottky electrode 106 is approached, and a high breakdown voltage can be attained by making the electric field distribution uniform between the electrodes. - 特許庁

電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for improving the resistivity of a drift layer in a semiconductor substrate, mitigating an electric field in a vertical direction in a Schottky barrier diode region and improving a backward withstand voltage while reducing on-state resistance at the time of forward bias of a field effect transistor. - 特許庁

本発明は、薄いシートを用いて高容量・高信頼性の積層セラミックコンデンサを製造する方法に関するものであり、誘電体層を薄層化してもショート率の悪化・絶縁耐圧の低下を抑制できる、電極埋め込みシート及びそれを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide a sheet embedding an electrode in which degradation of short rate and fall of breakdown strength can be suppressed even if a dielectric layer is made thin, and to provide a process for manufacturing a highly reliable high capacity multilayer ceramic capacitor by using a thin sheet. - 特許庁

高圧力仕様の冷媒ガスを使用する密閉型電動圧縮機において、密閉容器に要求される耐圧力性能を確保する一方で、密閉容器を組み立てる際の円周溶接に必要とする加熱熱量を低減し、併せて比較的短時間の内に円周溶接を終了する密閉型電動圧縮機を提供する。例文帳に追加

To provide an enclosed electric compressor using refrigerant gas of a high-pressure specification, ensuring pressure-tight performance required for a closed container, reducing a heat quantity for heating necessary for circumferential welding in assembling of the closed container and completing the circumferential welding in a relatively short time. - 特許庁

本発明は、フラットディスプレイ装置及びフラットディスプレイ装置の試験方法に関し、例えば絶縁基板上に駆動回路を一体に形成した液晶表示装置に適用して、耐圧の低いトランジスタを用いる場合であっても、信頼性の劣化を有効に回避して確実に欠陥画素に係るスクリーニングを実行することができるようにする。例文帳に追加

To securely carry out screening for a defective pixel by effectively avoiding deterioration in reliability even when a transistor with low breakdown voltage is used by applying a flat display device and a testing method for the flat display device to, for example, a liquid crystal display device having a driving circuit formed on an insulating substrate in one body. - 特許庁

ソース電極−ゲート電極間に形成される絶縁膜にしきい値電圧を低くするような歪み特性を持たせ、ドレイン電極−ゲート電極間に形成される絶縁膜７にきい値電圧を高くするような歪み特性を持たせることで、素子のオン抵抗（Ｒ_ＯＮ）を小さく、耐圧を高く保つ。例文帳に追加

The ON resistance (R_ON) of an element is maintained small and withstand voltage thereof is maintained higher by giving a distortion characteristic to lower the threshold voltage to an insulating film formed between source and gate electrodes, and also giving a distortion characteristic to raise the threshold voltage to an insulating film 7 formed between drain and gate electrodes. - 特許庁

フォトリソグラフィ処理等によって形成されるスペーサ及びカラーフィルタを構成する着色層を有する液晶装置に関して、この液晶装置の表示画面が押圧されるときの耐圧を高く維持しつつ、基板の組み合わせズレや、アライメント時の位置ズレ等が発生する場合でも表示品質が低下するのを防止する。例文帳に追加

To prevent display quality from lowering even when displacement in assembling substrates or mispositional in alignment or the like occurs, while maintaining high resistance to pressure applied to a display screen of a liquid crystal device, in a liquid crystal device having spacers formed by a photolithography processing and so on and colored layers constituting color filters. - 特許庁

不揮発性半導体記憶素子と高耐圧素子とを同一の半導体基板に混載した半導体装置において、従来の製造工程に対して、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、メモリサイズを縮小化したときのパンチスルーの発生を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same capable of suppressing the generation of punch through upon contracting a memory size without adding a photolithographing process on a conventional manufacturing process, in the semiconductor device in which a nonvolatile semiconductor memory element and a high pressure resistant element are mounted on the same semiconductor substrate under a mixed state. - 特許庁

Ｓｉ基板の異方性エッチングおよび高濃度ボロンエッチングストップを利用して形成されるインクジェットヘッドにおいて、縦型炉にてボロンドープを行う場合、ボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減し、Ｓｉ基板表面に高絶縁耐圧の絶縁膜を形成することを可能とする。例文帳に追加

To reduce damage to an Si substrate by uniforming thermal diffusion of boron during boron doping in a vertical furnace and to realize formation of an insulating film with high insulation withstand pressure on a surface of the Si substrate, when an ink-jet head is formed with use of anisotropic etching and a high-density boron etching stop to the Si substrate. - 特許庁

許容絶縁耐圧を考慮してセラミックケース５６の厚さを調整すると共に、半導体素子１０の機械的強度(剛性)を考慮して半導体素子１０の構成部材であるアノード電極１１，カソード電極１２，モリブデンディスク５２ａ，５２ｂの厚さをそれぞれ可能な限り薄くしたことにより、前記半導体素子１０内の熱抵抗を低減することができる。例文帳に追加

The thickness of a ceramic case 56 is adjusted with taking into account the allowable dielectric strength and components of a semiconductor element 10, i.e., an anode electrode 11, cathode electrode 12 and Mo discs 52a, 52b are each made as thin as possible where thermal resistance in the semiconductor element 10 can be reduced. - 特許庁

血液浄化用中空糸膜において、ポリマー溶液中のポリマー分率を高めることで中空糸膜の耐圧、破断強度を向上することができ、血液浄化器組立性の向上、臨床使用時の血液リークトラブルの低減が可能であるが、それは溶質透過性を犠牲にするものであった。例文帳に追加

This hollow fiber membrane can solve the problem of a conventional hollow fiber membrane for hemocatharsis that enhancing the polymer fraction of a polymer solution can improve the pressure resistance and rupture strength of the hollow fiber membrane and can improve the assembly workability of a hemocatharsis device and can reduce blood leak troubles during clinical use, but on the other hand, sacrifices solute permeability. - 特許庁

エラストマリップ部材３２の本体部分３２２を支承する耐圧補強リング３３の先端部と、シールリップ３２３における回転軸２との密接面の背後のテーパ状内周面３２３ａとの間に、このテーパ状内周面３２３ａと対応するテーパ状支持面３８１ａを有するシールリップ支持部３８を設けたものである。例文帳に追加

In this seal, a seal lip supporting part 38 having a tapered supporting surface 381a corresponding to a tapered inside surface 323a is mounted between the tip of a pressure-resistant reinforcing ring 33 supporting a body part 322 of the elastomer lip member 32 and the tapered inside surface 323a behind the tightly fitting surface to a rotation shaft 2 in the seal lip 323. - 特許庁

本発明は、ホ−スとして必要な耐圧性を持ち、生産性、安価な生産設備で実現できるホ−スを提供することを目的としたものであり、生産性が悪く、生産設備を大型のものとなる繊維糸にて形成された補強層を形成する代わりに、不織布層を用いて性能は勿論であるが、生産コスト的に優れたホ−スを提供するものである。例文帳に追加

To provide a hose having pressure resistance necessary for a hose and capable of being realized by productive facilities of low cost with high productivity, and to provide the hose capable of improving the performance and the manufacturing cost by using a non-woven fabric layer for a reinforcement layer formed by using fiber yarn of low productivity and needing a large-scaled productive facilities. - 特許庁

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。例文帳に追加

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics. - 特許庁

溶融樹脂の流動および冷却固化挙動に対するネジ山形成部分の影響を、口筒部の周方向に沿ってできる限り均等となるようにすることを技術的課題とし、もって高い耐圧性および耐熱性を兼ね備え、安定して高いシール性、および省資源化を得ることを目的とする。例文帳に追加

To provide an opening tubular neck part of a synthetic resin bottle which makes influence of a threaded portion against the flow and behaviors of cooling and solidifying of a molten resin uniform as much as possible along the circumferential direction of the opening tubular neck part, has both high pressure resistance and heat resistance, can attain stably high sealability, and can save resources. - 特許庁

ローバーあるいは磁気ヘッドスライダの浮上面研磨加工後に、ドライエッチングを行うと、研磨加工時の塑性流動による導電性スメアを除去することは可能であるが、磁気抵抗効果膜の中間層の端面に損傷領域が形成され、出力の低下或いは絶縁耐圧の低下などの問題が発生する。例文帳に追加

To solve such a problem that when dry etching is performed after grinding a row bar or a floating plane of a magnetic head slider, conductive smear caused by plastic flow in grinding can be eliminated, while a damage region is formed at an end plane of an intermediate layer of a magneto-resistance effect film, and output is reduced or dielectric strength is reduced. - 特許庁

イオン化物質、蛋白質等の生体関連物質などを高い回収率で分離精製できる陽イオン交換体及びイオン化物質、蛋白質等の生体関連物質などを高い回収率で分離精製でき、しかも、耐圧性及び通液性に優れる陽イオン交換体の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a cation exchanger capable of separating and purifying substances relevant to living bodies such as ionized substances, proteins, and the likes at high recovery ratio and to provide a method for producing a cation exchanger capable of separating and purifying substances relevant to living bodies such as ionized substances, proteins, and the likes at high recovery ratio and excellent in pressure resistance and liquid permeability. - 特許庁

ゲート電圧発生回路１３は、コアからの信号に応じて、ＰチャネルのトランジスタＭ１〜Ｍ３およびＮチャネルのトランジスタＭ１１〜Ｍ１３のゲートにゲート耐圧内の電圧を出力し、電圧３ＶＤＤの電源の電圧およびグランドの電圧が出力ノードに出力されるようにする。例文帳に追加

A gate voltage generating circuit 13 outputs a voltage within a gate breakdown voltage to the gates of the P channel transistors M1 to M3 and the N channel transistors M11 to M13 according to the signal from the core, so that the voltage of the power source of a voltage 3VDD and the voltage of the ground can be output to the output node. - 特許庁