「耐圧」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

ＳＯＩ基板上に、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタと、高耐圧型ＭＯＳトランジスタとを混載し、高精度なアナログＩＣが形成された半導体装置を、ＥＳＤ破壊に強く、またダイシング工程での割れ欠けなどを防止し、さらに、トリミングの位置決め精度を高くすることでコストダウンを可能にする形で提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where highly accurate analog ICs are formed by mounting perfect depletion high speed MOS transistors and high breakdown strength MOS transistors mixedly on an SOI substrate while reducing the cost by enhancing strength against ESD breakdown, preventing cracking in the dicing process and enhancing the positioning accuracy of trimming. - 特許庁

横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート電極配線の電圧が横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜破壊耐圧の約２分の１になったとき、保護ダイオード１１が降伏を起こし、ゲート電極配線の電圧の降下を防止し、横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜の損傷を防止する。例文帳に追加

When the voltage of the gate electrode interconnection of the transistor 5 becomes about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5, the protective diode 11 is broken down, droppage in the voltage of the gate-electrode interconnection is prevented, and damages to the gate oxide film of the transistor 5 is prevented. - 特許庁

表示出力制御回路１２から順次出力されるデジットスキャン表示データを、デジット時間シフトレジスタ１５の設定に基づいて、外部で並列接続されるデジット駆動端子（デジット表示データ用の高耐圧出力端子２）からデジット駆動信号が同時に出力されるようにデジット波形制御回路１４において時間シフトする。例文帳に追加

Digit scan display data successively output from a display output control circuit 12 is temporally shifted in a digit waveform control circuit 14 on the basis of setting of a digit time shift register 15 so that digit driving signals are simultaneously output from digit driving terminals (high voltage output terminals 2 for digit display data) connected in parallel on the outside. - 特許庁

装置本体１２の内部空間３６には、ガスを供給するためのガス供給系統３８と、ガス供給系統３８により供給されるガスを計測する本質安全防爆構造機器が配置された本質安全防爆領域４０と、ガス供給系統３８よりも下方に配置された耐圧防爆領域４２とが設けられている。例文帳に追加

An internal space 36 of a device main body 12 includes: a gas supply system 38 for supplying gas; a substantially safe anti-explosion structure area 40 in which substantially safe anti-explosion structure equipment for measuring the gas supplied form the gas supply system 38 is arranged; and a pressure resistant anti-explosion area 42 arranged below the gas supply system 38. - 特許庁

ＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、内部にオミックパターン電極を備え、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成することによって、ノーマリ−オフ動作すると共に高耐圧及び高電流で動作可能な、半導体素子及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element operating in the normally-off mode and in a high-breakdown voltage and high-current state by forming a Schottky electrode in a source region of an FET, including an ohmic pattern electrode therein, and forming a gate electrode in a part of a source electrode region and a part of a nitride semiconductor region, and provide a manufacturing method for the same. - 特許庁

よって、ボンデットキャンセラーシール１が圧力（遠心油圧）を受けても、突起２の外周側の隅２ｂのアールが突起２に生じる応力を分散し、突起２の外周側の隅２ｂに応力集中を生じることがなく、ボンデットキャンセラーシール１が破損することを防止でき、耐圧性に優れることができる。例文帳に追加

Even when a bonded canceller seal 1 receives pressure (centrifugal oil pressure), the round form of the outer circumferential corners 2b of the protrusions 2 disperses stress generated in the protrusions 2 to prevent stress concentration in the outer circumferential corners 2b of the protrusions 2, so that the bonded canceller seal 1 is protected from damage and given appreciable pressure resistance. - 特許庁

α−シアノ−３−フェノキシベンジルクリサンテマートを溶解した液化炭酸ガスが加圧充填されてなる耐圧容器から、室内でのα−シアノ−３−フェノキシベンジルクリサンテマートの濃度が０．１〜２．５ｇ／ｍ^３の範囲内になるように該液化炭酸ガスを噴射する、トコジラミを駆除する方法を提供する。例文帳に追加

The method for controlling the bedbugs includes jetting the liquefied carbon dioxide gas containing α-cyano-3-phenoxybenzyl chrysanthemate dissolved therein, from a pressure-resistant container which is pressure-filled with the liquefied carbon dioxide gas so that the concentration of the α-cyano-3-phenoxybenzyl chrysanthemate may be within the range of 0.1-2.5 g/m^3 in a room. - 特許庁

ガラス基板上に形成されてきた表示電極やアドレス電極を含む基板上を数百オングストローム以下のシロキサン系酸化物薄膜（１３１）、もしくはチタン系酸化物薄膜（１８１）で表面処理を行うことにより、誘電体ガラス層を薄く形成しても絶縁耐圧を確保し、加えて放電電圧の上昇を抑え、かつ、高輝度のプラズマディスプレイパネルを得ることができる。例文帳に追加

A substrate having a display electrode and an address electrode formed on a glass substrate is provided with a surface treatment with a siloxane oxide thin film 131 or a titanium oxide thin film 181 of a few hundreds angstroms or less to retain a breakdown voltage even if a dielectric glass layer is formed thinner, furthermore, the discharge voltage is prevented from increasing, and a plasma display panel with high brightness can be obtained. - 特許庁

本発明による水中又は地中通信装置は、低周波磁界を伝送媒体として地中又は水中に設置して通信を行うものであって、測定センサ１１に接続した通信回路１２と、この通信回路に接続して電気信号から磁気信号への変換または磁気信号から電気信号への変換を行うソレノイドコイル１３とを耐圧容器１４に収納して成る。例文帳に追加

The underwater or underground communication apparatus which is provided in ground or water to make communications by using a low-frequency magnetic field as a transmission medium consists of a communication circuit 12 connected to a measurement sensor 11, and a solenoid coil 13 connected to the communication circuit to convert an electric signal to a magnetic signal and vice versa which are housed in a pressure-resistant container 14. - 特許庁

この発明のフラットパネル型放射線検出器は、放射線感応型の半導体膜１と共通電極２を、有効画素領域ＳＡを覆う薄膜部分８Ａをバイアス電圧給電用のリード線４の接続領域を覆う厚膜部分８ａよりも薄くした保護モールド被覆としての高耐圧の硬化性合成樹脂膜８で覆っている。例文帳に追加

In a flat panel radiation detector, a radiation sensitive semiconductor film 1 and a common electrode 2 are covered with a hardening synthetic resin film 8 of a high breakdown voltage as a protective mold coating, so that a thin film 8A covering an effective pixel region SA is made thinner than a thick film 8a, covering a connection region of a lead wire 4 for bias voltage supply. - 特許庁

電荷保持特性及び絶縁耐圧を維持したまま浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜（酸化膜換算膜厚）を薄膜化でき、制御ゲート加工後に必要な酸化工程において、浮遊ゲート及び制御ゲートにバーズビークが侵入して容量が低下するのを防止できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To enable to thin an insulation film (a film thickness converted to an oxide film) between a floating gate and a control gate with charge holding characteristics and dielectric strength maintained, and to prevent reduction in capacitance due to a bird's beak entering the floating gate and the control gate in a required oxidation process after the control gate is processed. - 特許庁

火工品の消費申請などといった煩雑な手続きを不要にしたうえで、コストの低減及び取り扱い性の向上を実現することができ、加えて、機体のパラシュート収納部の近傍に耐圧構造を採用する必要がないので、機体質量の軽減をも実現することが可能であるパラシュート押出し装置を提供する。例文帳に追加

To provide a parachute extruding device capable of reducing cost and improving a handling property in addition to eliminating troublesome procedure such as application for ammunition consumption and reducing mass of a vehicle body as it is unnecessary to adopt a pressure-proofing structure in the neighborhood of a parachute storage part of the vehicle body. - 特許庁

半導体装置に関し、キャップ層とチャネル層との間に低濃度ドーピング層やノンドープ層を介在させてゲートに於ける順方向及び逆方向の耐圧を向上させたＨＥＭＴであっても、何らの問題も派生することなく、ソース電極やドレイン電極などのオーミック・コンタクトを良好にとれるようにする。例文帳に追加

To realize optimal ohmic contact of a source electrode or a drain electrode, etc., without generating failure even in an HEMT where a lightly doped layer or an undoped layer is provided between a cap layer and a channel layer, and a breakdown strength in the normal and reverse directions of a gate is improved. - 特許庁

同タイプの他機種にまったく同じ部品で取り付けることができるとともに、耐圧性、気密性、耐アウトガス性等を損なうことなく、パルス管冷凍機のコールドヘッドに対するガス圧縮機やバルブユニット等の機械的な可動部品の運動に起因する微小な電気ノイズの影響を防止することのできるパルス管冷凍機を提供する例文帳に追加

To provide a pulse tube refrigerator installable on the same types of other models with exactly the same parts and capable of preventing the effect of minute electric noise resulting from the motion of mechanical movable parts such as a gas compressor and a valve unit for the cold head of the pulse tube refrigerator without impairing pressure resistance, airtightness, and outgas resistance. - 特許庁

第１導電型の不純物を含むIII族窒化物半導体領域の表面に、トレンチが形成されており、そのトレンチを第２導電型の不純物を含むIII族窒化物半導体領域が充填している半導体装置において、電界が局所的に集中することを防止して、半導体装置の高耐圧化を実現する。例文帳に追加

To achieve high breakdown voltage characteristics by preventing the local concentration of an electric field in a semiconductor device wherein trenches are formed on the top surface of a group III nitride semiconductor region containing first conductivity-type impurities and the trenches are filled with group III nitride semiconductor regions containing second conductivity-type impurities. - 特許庁

水素を加熱前の水素発生材料において固体状態で保存している、すなわち、水素は固体物質である金属アミドおよび金属水素化物に構成元素として取り込まれているので、当該水素発生材料を備えた水素発生装置に大きな耐圧性を付与することもなく、装置全体の重量やサイズをコンパクト化できる。例文帳に追加

Since the hydrogen is preserved in a solid state in the hydrogen generating material before the heating, namely, the hydrogen is, as a constituting element, taken into the metal amide and metal hydroxide as solid substances, the weight and size of the whole device can be compacted without imparting high pressure resistance to the hydrogen generator provided with the hydrogen generating material. - 特許庁

このように素子分離と半導体基板１との境界に窒素イオンを含有する半導体領域８を設けたので、ウエルを構成する不純物（特に、ｐ型ウエルを構成するホウ素）の拡散を防止し、素子分離近傍の不純物濃度の低下を防止することができ、分離耐圧を確保することができる。例文帳に追加

Thus, the semiconductor region 8 containing nitrogen ions disposed between the element separation portion and the semiconductor substrate 1 can prevent diffusion of impurities (particularly, boron constituting the p-type well) constituting the wells and thus can prevent reduction in the impurities concentration in the vicinity of the element separation portion, thereby ensuring pressure resistance at the element separation portion. - 特許庁

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit. - 特許庁

陽極酸化絶縁層について表面の平面性を良好にできて耐圧性も向上でき、放出電子の軌道を安定化でき、これを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置について、扱う情報信号の再現性（解像度）を向上できる電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electron emitting element and its manufacturing method, capable of realizing satisfactory surface flatness of an anodic oxide insulating layer, of realizing enhanced withstand voltage properties, and of stabilizing the trajectories of emitted electrons, and providing an electron source, a photographing device and an image forming device, each using the same and capable of improving the reproducibility (resolution) of information signals to be handled. - 特許庁

適度の吸着水を含有する繊維により形成されたマットを気密耐圧容器に入れ、該容器内を減圧した後、ホウ酸エステルを該容器内に注入して気化させ、マットを形成する繊維中に浸透したホウ酸エステルが加水分解して生成するホウ酸など加水分解生成物を該マット中に均一に固着させる。例文帳に追加

A mat made of fiber containing a suitable amount of absorbed water is thrown into a pressure-resistant hermetic container, the container is evacuated and then a borate (ester) is poured into the container to vaporize the borate (ester) and to uniformly fix within the mat a hydrolyzate such as boric acid produced through the hydrolysis of the borate (ester) permeating into the fiber forming the mat. - 特許庁

バッテリ電圧を検出する手段と、前記手段により検出されたバッテリ電圧とクランプ電圧の差がハイサイドドライバの耐圧以上となった場合、ハイサイドドライバを遮断し、ローサイドドライバをオンすることによりクランプ電圧を発生させずにソレノイドへの電流供給を遮断する。例文帳に追加

A load drive apparatus comprising a means for detecting a battery voltage and a means for shutting off the supply of current to a solenoid without producing a clamp voltage by shutting off a high-side driver and turning on a low-side driver, when the difference between a battery voltage detected by the former means and a clamp voltage exceeds the withstand voltage of the high-side driver. - 特許庁

背面基板２上に、データ電極１０、これを覆う第１誘電体層１７、プライミング電極１５、これを覆う第２誘電体層１８を順に形成するとともに、データ電極１０の一部にくり抜き部１０ａを設けることで、製造時におけるデータ電極１０の変形を防ぎ、データ電極１０とプライミング電極１５の絶縁耐圧を向上させる。例文帳に追加

By sequentially forming, on a back substrate 2, data electrodes 10, a first dielectric layer 17 covering them, priming electrodes 15, and a second dielectric layer 18 covering them, and by forming a bored part 10a in a part of each data electrode 10, deformation of the data electrodes 10 in manufacturing is prevented, and the withstand voltage of the data electrodes 10 and the priming electrode 15 is improved. - 特許庁

低耐圧領域１０は、該領域において接合面にかかる電界方向の該領域幅が、サイリスタ１００のブレークダウン電圧によって該領域に生成される空乏層幅より広く、サイリスタ１００のブレークオーバ電圧によって接合面がブレークダウンする範囲において狭く形成される。例文帳に追加

The low-voltage region 10 is formed such that its width in a direction of an electric field applied to a junction surface in the region is wider than a width of a depletion layer created on the region by a breakdown voltage of the thyristor 100 and its width is narrow in a range where the junction surface is subject to breakdown by a breakover voltage of the thyristor 100. - 特許庁

自動ブレーキ制御の実行時に２系統のブレーキ回路１，２の液圧均一化を図ることを可能とするとともに、高圧をリリーフするリリーフバルブを廃止してコストダウンならびに装置の小型化を図ることができ、加えて、耐圧設計値に対するマージンを確保してリリーフ機能を確実に得ることと、制御領域における圧力可変幅を広く確保して高い制御性能を得ることとの両立を図ること。例文帳に追加

To reduce cost and to miniaturize a device by disusing a relief valve for relieving high pressure while uniforming the hydraulic pressure of brake circuits 1, 2 of two systems when executing automatic brake control and further to provide a positive relief function by ensuring a margin for a withstanding pressure design value, and high control performance by ensuring a wide pressure variable width in a control region. - 特許庁

ボーリング孔内に充分に接地抵抗低減材が充填でき、小さなボーリング径を確保しつつ大径の高耐圧ケーブルを適用可能とした高性能な接地装置を提供すると共に、接地抵抗低減材充填用の注入管の施工等が容易に行える接地装置の施工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-performance grounding device that allows a boring hole to be sufficiently filled with a grounding resistance reducing material and allows use of a high tension cable having a large diameter while assuring a small boring diameter, and to provide a construction method for the grounding device allowing easy construction of an injection tube for filling the grounding resistance reducing material. - 特許庁

温水を循環する第一の循環回路１９に搬送手段としての耐圧ポンプ２０を設け、暖房用の強制対流型熱交換器としての第一の二重管熱交換器２３を上流側に設け、風呂追い焚き用の強制対流型熱交換器としての第二の二重管熱交換器２４を下流側に設けている。例文帳に追加

A pressure-resisting pump 20 as a conveying means is mounted on a first circulation circuit 19 for circulating the hot water, a first double pipe heat exchanger 23 as a forcible convection type heat exchanger for room heating is mounted on an upstream side, and a second double pipe heat exchanger 24 as a forcible convection type heat exchanger for reheating the bath is mounted on a downstream side. - 特許庁

半導体基板の一部にＳＯＩ構造が形成され、ＳＯＩ構造中に、レーザトリミング用ヒューズ素子５１０と、レーザトリミング位置決め用パターン６１０と、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ２１０と、複数の抵抗体によって形成されたプリーダー抵抗４１０とが形成され、半導体基板中に、高耐圧型ＭＯＳトランジスタと、ＥＳＤ保護素子３１とが形成される。例文帳に追加

An SOI structure is formed in a part of a semiconductor substrate wherein a fuse element 510 for laser trimming, a pattern 610 for positioning laser trimming, a full depletion high rate MOS transistor 210, and a pleader resistor 410 comprising a plurality of resistors are formed in the SOI structure while a high breakdown strength MOS transistor and an ESD protective element 31 are formed in the semiconductor substrate. - 特許庁

これにより、ＧａＮ層３におけるＡｌＧａＮ層４との接触面付近に発生する２次元電子ガス８による電流経路の低抵抗化と、各電極５、６と２次元電子ガス８との間の電流経路の低抵抗化によりドレイン・ソース間抵抗を低減でき、高耐圧化と低オン抵抗化を両立できる。例文帳に追加

This can reduce the resistance of a current path by a secondary electron gas 8 generated near a contact surface with the AlGaN layer 4 in the GaN layer 3, and resistance between a drain and a source by the reduction of the resistance of the current path between the respective electrodes 5, 6 and the secondary electron gas 8, thereby making compatible the high breakdown strength and the low on-resistance. - 特許庁

このように、スーパージャンクションがｎ^+型基板１の主表面１ａ全面に形成されるようにすれば、マスクずれ等によってスーパージャンクションの形成位置がずれても、必ずｐ型ベース領域５やｎ型ソース領域６の下にスーパージャンクションが形成されるため、確実にＭＯＳＦＥＴの耐圧を得ることができる。例文帳に追加

With the super-junction formed over the entire surface of the main surface 1a of the n+ type substrate 1, the super-junction is formed surely under a p-type base region 5 and n-type source region 6, even if the super-junction formation position deviates due to dislocation of a mask, etc., providing surely an MOSFET with withstand voltage. - 特許庁

首部を一端にのみ有する高圧ガス容器の支持装置において、前記高圧ガス容器内のガス圧の変化に依らず高圧ガス容器を確実に支持するとともに、高圧容器外周部の補強材料の剥離などによる高圧ガス容器全体の耐圧強度の低下を防ぐことができる小型化された支持装置を提供する。例文帳に追加

To provide a miniaturized support device capable of securely supporting a high pressure gas vessel irrespective of the change of the gas pressure in the vessel and preventing the pressure resistance of the whole vessel from being reduced owing to a stripping of a reinforcement material on an outer peripheral part of the vessel in the support device of the high pressure gas vessel having a neck only at one end. - 特許庁

トランジスタ間のスイッチング特性のばらつきが非常に少なく、回路基板上に配置したときにその占有面積を極めて小さくすることができ、電気絶縁性の高い基板を用いることにより高耐圧でしかもトランジスタ間の電気的干渉が非常に起こりにくいスイッチング素子を実現する。例文帳に追加

To realize a switching element in which variation of switching characteristics is suppressed significantly among transistors, occupation area can be reduced extremely when the switching element is mounted on a circuit board, and a high breakdown voltage can be attained while suppressing electric interference among transistors by employing a highly dielectric substrate. - 特許庁

落盤又は崩壊防止のため、岩盤固結薬剤を薬剤貯蔵タンクからポンプによって岩盤の亀裂や穴に注入する地山強化工法に用いるものであって、該薬剤貯蔵タンクに該岩盤固結薬剤を供給するもので、薬剤排出ノズル、薬剤充填開口、気体充填用開口を有する耐圧容器と、高圧気体ボンベとから成り、該気体充填用開口と該高圧気体ボンベとをレギュレーターを介して接続されたもの。例文帳に追加

The gas charging opening and the high pressure gas cylinder are connected to each other through a regulator. - 特許庁

バインダの硬化過程でホルムアルデヒドを発生させず、また水に浸漬したとき負に帯電するパルプ繊維をバインダで結合する際、このバインダがこのパルプ繊維に均一に含浸されることを可能とし、更に、低圧損、高耐圧、高耐熱、高ろ過効率を有するフィルタを与える、パルプ繊維の結合方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for bonding pulp fibers, not evolving formaldehyde in the curing process of a binder, capable of uniformly impregnating the binder into the pulp fibers in binding the pulp fibers to be negatively charged when immersed in water with the binder, providing a filter having low pressure loss, high pressure resistance, high heat resistance and high filtration efficiency. - 特許庁

Ｐ型アノード層の不純物濃度に依存せずに耐圧を保持しながら、Ｐ型アノード層の不純物濃度によってオン電圧を制御してライフタイム制御無しでオン電圧とリカバリー損失のトレードオフ特性を制御することができ、かつスナップオフ現象を抑制できる半導体装置を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that allows controlling the trade-off characteristics between on-voltage and recovery loss without lifetime control by controlling the on voltage by the impurity concentration of a P-type anode layer and allows preventing snap-off phenomenon, while maintaining the withstand voltage without depending on the impurity concentration of the P-type anode layer. - 特許庁

本発明の課題は、エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムとブチルゴムとをヒドロシリコン架橋して得られ、耐熱性、耐圧縮永久歪や耐熱老化性に優れ、ゴム組成物として良好な硬さを有し、特に、ガスバリア性および機械強度に優れるゴム組成物を提供することである。例文帳に追加

To provide a rubber composition obtained by hydrosilicon cross-linking an ethylene-α-olefin-a non-conjugated polyene random copolymer rubber and a butyl rubber, excellent in heat resistance, compressive permanent distortion resistance and heat-aging resistance, having a good hardness as the rubber composition, and especially excellent in gas barrier property and mechanical strength. - 特許庁

半導体チップ４６のエミッタ電極４６ｅの周囲には耐圧構造４７が形成され、半導体チップ４６と銅パターン１２との間に導電性スペーサ１４を介挿し、半導体チップ４６のエミッタ電極４６ｅを、ハンダ１５、導電性スペーサ１４およびハンダ１３を順次介して銅パターン１２に接続する。例文帳に追加

A breakdown voltage structure 47 is formed around an emitter electrode 46e of a semiconductor chip 46, conductive spacer 14 is disposed between the semiconductor chip 46 and a copper pattern 12, and the emitter electrode 46e of the semiconductor chip 46 is connected to the copper pattern 12 sequentially via a solder 15, the conductive spacer 14 and a solder 13. - 特許庁

耐圧性能の向上したＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法を提供すること、ＬＤＤ（低濃度ドープドレイン）用サイドスペーサーを作成する工程を省略できる製造方法、及び、ゲート電極材料としてポリシリコン以外の高融点金属材料が使用可能な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a MOS semiconductor device which is enhanced in withstand voltage and a method of manufacturing the same, in which a process through which an LDD(Lightly Doped Drain) side spacer is formed can be dispensed with, and high-melting metal material other than polysilicon can be used as a gate electrode material. - 特許庁

表面の平坦性が低い基体であっても、当該基体上に、平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性、保存安定性等に優れた光デバイス用保護膜を形成するために好適な組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition suitable for forming a protective film for an optical device, which film is forming a highly flat cured film even on a substrate of a low flatness surface, and is excellent in transparency, surface hardness, heat resistance, pressure resistance, acid resistance, alkali resistance, sputtering resistance and storage stability. - 特許庁

熱交換媒体用配管として、単位管材の組み合わせによる配管形成を極めて高能率で容易に行え、管材同士の連結部を完璧に封止でき、管路の振動を防止して優れた耐久性を付与でき、管材として肉厚の小さいものを用いても充分な耐圧強度を確保し得る手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means for a heat exchange medium piping capable of extremely efficiently, easily conducting piping forming with assembling unit tubes, completely sealing a joint part of tubes each other, imparting excellent durability with preventing piping vibration and securing sufficient proof strength even though a thin tube is used. - 特許庁

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。例文帳に追加

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition. - 特許庁

比較的大きな電圧振幅を有する出力信号を生成する場合であっても、適度な動作速度を有するとともに、絶縁耐圧を比較的高く設定することができるレベルシフト回路を提供し、以て、適切な電圧範囲を有する出力信号を出力することができる信号出力回路を提供する。例文帳に追加

To provide a signal output circuit which outputting an output signal having an appropriate voltage range, by providing a level shift circuit which has an appropriate operating speed and is capable of setting a comparatively high insulation breakdown voltage even when generating an output signal having a comparatively large voltage amplitude. - 特許庁

所定の表面形状を採用した熱交換用プレートによる熱交換器の製造過程で、重ね合せたプレート同士の接触箇所を確実且つ速やかに拡散接合して、隣合うプレートの一体化部分を大幅に増加させ、熱交換器の耐圧強度を大幅に高められる熱交換器製造方法、及び、当該方法で用いられる熱交換用プレートを提供する。例文帳に追加

To provide a heat exchanger manufacturing method and a heat exchange plate used in the method, capable of significantly increasing an integrated part of plates adjacent to each other and significantly improving compressive strength of the heat exchanger by surely and quickly diffusion-joining a contact part of the stacked plates in a manufacturing process of the heat exchanger with the heat exchange plates having the prescribed surface shape. - 特許庁

電気石・花崗岩・ダイヤモンド・水晶・真珠などの天然石，セラミック，貝殻，珊瑚類などで遠赤外線波長を有する鉱物の粉体からなる添加物２に囲まれた耐圧容器１内に原料３を入れ、気抜きをしてから加圧加温して炭化物とし、出来た炭化物を爆発にて細分化するようにしたものである。例文帳に追加

Starting material 3 is put in a pressure vessel 1 enclosed with an additive 2 comprising powder of a mineral having the wavelengths of far IR, e.g. a natural stone such as tourmaline, granite, diamond, rock crystal or a pearl, a ceramic, a shell or coral, after degassing, the starting material is carbonized by pressing and heating, and the carbonized material is finely divided by an explosion. - 特許庁

ＤＲＡＭにおいて、ワード線の低抵抗化、接合リークの抑制、拡散層と取り出し電極との接触面積の増大によるコンタクト抵抗の低減とＤＲＡＭセルの縮小化、ワード線・取り出し電極間の耐圧確保を図り、実効チャネル長を延ばすことで短チャネル効果を抑制しトランジスタ特性の安定化を図る。例文帳に追加

To suppress short channel effect to contrive stabilization of transistor characteristic by contriving resistance of a word line, suppression of connection leak, reduction of contact resistance due to increase of a contact area of a dispersion layer and a taking-out electrode, reduction of a dram cell and voltage resistance securing between the word line and the taking-out electrode, and extending effective channel length in a dram. - 特許庁

耐圧ホース本体２における内面ゴム層４の外周面で、接続用口金具３に対するホース締結部位またはその近傍から生コンクリート圧送方向の下流側に向けて所定の長さ範囲Ｌに亘る外周面部分に、内面ゴム層４とは異なる色相を有する有色テープ状体７を周方向に所定のピッチ間隔Ｐで巻き付けている。例文帳に追加

In the outer peripheral surface of an inside rubber layer 4 in a pressure-proof hose body 2, the outer peripheral surface portion over a predetermined longitudinal range L from a hose fastening portion for a connection metal fitting 3 or its neiborhood toward downstream of the ready-mixed concrete pressure feeding direction is circumferentially wound at pedetermined pitch intervals P with a colored tapelike body 7 having different hue from the inside rubber layer 4. - 特許庁