「耐圧」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

静電耐圧素子３０は、面発光型半導体レーザ２０に対して逆極性となるよう（逆方向の整流作用を有するよう）並列に接続されており、面発光型半導体レーザ２０を静電破壊から保護するとともに、面発光型半導体レーザ２０から射出されるレーザ光の一部を吸収する。例文帳に追加

The electrostatic discharge element 30 is connected in parallel with the semiconductor laser 20 so as to be a reversed polarity thereto (so as to have a rectifying action in the opposite direction), and absorbs a part of the laser beam ejected from the semiconductor laser 20 while protecting the semiconductor laser 20 from an electrostatic discharge damage. - 特許庁

本発明が解決しようとする課題は、同心円状に配置された複数の円筒電極間に形成される間隙で、塩素イオン溶液を電解し、生成された電解液を希釈水で希釈して、次亜塩素酸を含んだ殺菌用水を製造する装置において、電極寿命を延ばすために最も効果のある電極の直接的な冷却手段を提供すること、同時に電解槽の小型化および耐圧化を図ることである。例文帳に追加

To provide a means for directly cooling electrodes which is most effective in increasing the lives of the electrodes in an apparatus producing sterilizing water containing hypochlorous acid by electrolyzing a solution of chloride ions in a space formed between a plurality of cylindrical electrodes disposed concentrically, and diluting generated electrolytic solution with dilution water; to make an electrolytic cell small and pressure resistant. - 特許庁

それによって、サブミクロンＣＭＯＳトランジスタの形成領域にパンチスルーストッパー領域４を形成するとともに、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗の形成領域にパンチスルーストッパー領域が形成されるのを防ぐ。例文帳に追加

Consequently, a punch through stopper region 4 is formed in a region for forming a submicron CMOS transistor while preventing formation of the punch through stopper region in a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor. - 特許庁

第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。例文帳に追加

To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface. - 特許庁

有機高分子物質の付着または溶着した被洗浄物から有機高分子物質を除去するとき、流体により耐圧槽から溶出する金属不純物、有機不純物などによって被洗浄物を汚染させず、さらに、処理に必要なタクトタイムを短縮するができる有機高分子物質の除去装置および除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide the removing apparatus of organic polymer substances that can reduce tact time required for treatment without contaminating an object to be washed with metal and organic impurities or the like being eluted from a pressure resistant tank by fluid, when the organic polymer substances are removed from the object to be washed where the organic polymer substance adheres or welds, and to provide the removing method of the organic polymer substances. - 特許庁

０．９３９〜０．９４６ｇ／ｃｍ^３の密度を有する架橋ポリエチレン管であって、モデル配管を用いた配管施工性試験における鞘管への最大押し込み力を３００Ｎ以下に抑え、かつ、耐圧耐久性を高めて熱間内圧クリープ試験における管の破壊時間を１７０時間以上とした架橋ポリエチレン管。例文帳に追加

The cross-linked polyethylene tube having a density of 0.939-0.946 g/cm^3 is formed such that maximum push-in force to a shield tube in a piping workability test using model piping is kept to 300 N or less and that the breaking time of the tube in a hot internal pressure creep test is 170 hours or more by enhancing pressure-proof durability. - 特許庁

メモリセル用のトランジスタと高耐圧回路部用のトランジスタとを１つの半導体基板上に形成するのに適しており、また、シェアードコンタクトプラグ部分の側壁絶縁膜が除去された構造で電気的特性の劣化の少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is suitable for forming a transistor for memory cell and a transistor for a circuit with a high breakdown voltage on one and the same semiconductor substrate and which has such a structure that a side wall insulation film of a shared contact plug part is removed and has little deterioration in electric properties, and also to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

そしてこのことにより、密閉容器４内圧力が上昇し上部鏡板１が変形しても、電源ターミナル８溶接部または吐出管１０の溶接部外周の円弧状金属体１５，１５ａが、電源ターミナル８または吐出管１０の変形を抑制し、密閉容器４の耐圧強度を向上し切り欠き部Ｇａ，Ｇｂにより水滴の除去が容易となり、錆の発生を防止する。例文帳に追加

Even though the internal pressure of the vessel 4 causes deformation of the upper end plate 1, the metal piece 15 or 15a suppresses deformation of the power supply terminal 8 or discharge pipe 10, which enhances the pressure strength of the vessel 4, and removal of water drops is facilitated by the cutouts Ga and Gb to ensure that rust generation is prevented. - 特許庁

鞍型形状の樹脂製燃料タンク等のような深絞り形状部を有する製品で、高耐圧性能等の高品質が要求される中空樹脂製品のブロー成形用金型及びそのブロー成形方法並びに当該ブロー成形により得られる深絞り形状燃料タンクの提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a blow mold for a hollow resin product having a deep- drawn shaped part and requiring high qualities such as high pressure resisting performance and the like, e.g. a resin-made fuel tank with a saddle-shape part and the like, a blow-molding method therefor, and a deep-drawn-shaped fuel tank obtained by blow molding. - 特許庁

簡易くん蒸装置は、クリ３を収納する耐圧性の処理容器２と、この処理容器２内の空気を排気して同処理容器内を減圧する排気ポンプ６と、この処理容器２内に空気中の酸素濃度に比べて十分酸素濃度が低い窒息性ガスを充填して加圧するガス供給源８とを備える。例文帳に追加

This simple fumigating device is equipped with a pressure resistant treating container 2 for housing chestnuts 3, an exhausting pump 6 for reducing pressure in the treating container 2 by exhausting air in the treating container 2, and a gas-supplying source 8 for filling and compressing a suffocating gas having a sufficiently low oxygen concentration as compared with that in air into the treating container 2. - 特許庁

チューブ内へ突起部を突設して熱交換性能及びチューブの耐圧性を高めるようにした熱交換器において、チューブ外面に形成される凹部深さをチューブとヘッダタンクとのろう付け不良が発生しない程度の深さにしてチューブの製造コストの低廉化を図りながら両者のろう付け性を良好にし、かつチューブの剛性を十分に確保する。例文帳に追加

To provide a heat exchanger having protruded portions formed inside a tube for improving heat exchanging performance and tube pressure resistance, wherein the tube is kept sufficiently rigid by setting the depths of recessed portions to be formed in the outer faces of the tube such that no poor brazing occurs between the tube and a header tank for producing good brazing performance therebetween while reducing manufacturing cost for the tube. - 特許庁

高圧水収容タンク、酸素と水素の混合ガス噴射ノズル、点火装置及び燃焼室を備えた耐圧容器より構成された装置を用いて、金箔片を浮遊させた高圧水中で酸素と水素の混合ガスを燃焼させ、その燃焼ガスで金箔片を加熱することにより金の超微粒子の溶解水を製造する。例文帳に追加

By using an apparatus composed of a high pressure water storage tank, a mixed gas ejection nozzle of oxygen and hydrogen and a pressure container provided with an ignition device and a combustion chamber, a mixed gas of oxygen and hydrogen is burned in high pressure water on which gold foil pieces are floated, the gold foil pieces are heated by the combustion gas and, thereby, the water dissolving superfine particle of gold is produced. - 特許庁

電線の被覆材である架橋ポリエチレンの廃材を新たな樹脂製品に成形して再利用する方法、およびその再利用によって成形した樹脂製品に関するものであって、耐衝撃性，耐圧性，形状保持性（剛性）等の機械的強度が優れた樹脂製品を成形できるようにし、樹脂製品の製造コストを軽減すると共に、廃材のリサイクルを促進する。例文帳に追加

To mold a resin product excellent in mechanical strength such as impact resistance, pressure resistance, or shape holding properties (rigidity), to reduce the production cost of the resin product, and to promote the recycling of a waste material with respect to a method for recycling the waste material of crosslinked polyethylene of an electric wire coating material into a new resin product and the resin product molded through the recycling. - 特許庁

耐圧容器に充填された殺虫・防虫剤などを溶解してなる液化炭酸を、噴射ノズルと連接した細管を経由して散布することにより、噴射により細管内で気化した炭酸ガスを細管内で奪われた気化熱により冷却せしめ、殺虫・防虫剤を含む二酸化炭素を粒子状で散布する。例文帳に追加

The method for spraying the pest-controlling agent involves spraying liquid carbon dioxide packed in a pressure-resistant container and dissolving the insecticide/insect repellent or the like through a narrow tube connected with a jetting nozzle as particle shapes of the carbon dioxide containing the insecticide/insect repellent formed by cooling the carbon dioxide gas vaporized in the narrow tube by the heat of vaporization absorbed in the narrow tube by jetting. - 特許庁

また、平均電界が６ｋＶ／ｍｍ〜１７ｋＶ／ｍｍとなる超低周波電圧を、１０分〜１００分課電して、絶縁破壊の有無を調べ、絶縁破壊したケーブルについて、１年から１０年の余寿命が無かったと判定し、絶縁破壊しなかったケーブルについては、１年から１０年の余寿命があり、かつ耐圧討験前後でＡＣ残存性能が低下していないと判定する。例文帳に追加

Also very low frequency voltage with average voltage field of 6 kV/mm to 17 kV/mm is charged for 10 to 100 minutes to test breakdown and no life expectancy for 1 to 10 years is judged for the breakdown cable and the existence of life expectancy of 1 to 10 years and no lowering of AC remaining performance after the withstand voltage test are judged for no breakdown cables. - 特許庁

燃料電池に接続されて燃料を貯蔵する燃料タンクにおいて，燃料注入口及び耐圧維持のためのピンホールを備えるタンク本体と，タンク本体に貯蔵される燃料の表面に位置するフロート，及びピンホールとフロートの上部に両端部が接続される空気管を備える燃料タンクを提供する。例文帳に追加

The fuel tank to store fuel connected to a fuel cell is equipped with a tank main body with a fuel injection mouth and a pin hole to retain pressure-tight, a float located on a surface of the fuel stored in the tank main body, and an air pipe with its both end parts connected to the pin hole and an upper part of the float. - 特許庁

一定温度に加熱された耐圧性の光学セル中にある圧縮した気体に、周期的な微小圧力変動加えながら可視光線または紫外線を照射し，この時誘発される光散乱現象の量を圧力変動振幅に対応した吸光度変化として計測し、その振幅の大きさから密度揺らぎ現象を定量的に評価することを特徴とする。例文帳に追加

The compressed gas contained in a pressure-resistant optical cell which is heated at a constant temperature, is irradiated with visible light or ultraviolet light while being loaded with a periodic minute pressure fluctuation, and the amount of light scattering phenomenon induced in the above operation is measured as an absorbance variation corresponding to magnitudes of the pressure fluctuation, and a density fluctuation phenomena is quantitatively evaluated from the magnitude of the absorbance variation. - 特許庁

各種石油プラントにおける機器・配管等の耐圧部材に腐食が生じている場合でも、ＨＩＣやＨＡ等の水素に起因する損傷を検出することができ、ＨＩＣやＨＡによる機器等を構成する鋼材の損傷を正確に検出することができる水素に起因する損傷及び腐食減肉現象の検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of inspecting damages and a corrosion thickness reduction phenomenon caused by hydrogen, capable of detecting the damage resulting from the hydrogen in HIC, HA or the like, even when pressure-proof member in equipment/wiring or the like are corroded in various petroleum plants, capable of detecting accurately the damages caused by HIC, HA of a steel material constituting the equipment or the like. - 特許庁

また、戸建免震建物の蓄熱工法は、戸建免震建物の免震構造を、基礎耐圧スラブ６と１階床スラブ１１との間に配置される積層ゴム支承２０を用いた免震構造とし、１階床スラブ１１を鉄筋コンクリート構造とし、１階床スラブ１１を蓄熱体として用いている。例文帳に追加

Also, the heat accumulating method for the detached vibration-isolated building has a vibration-isolating structure using the laminated rubber pivot 20 placed between the foundation bearing slab 6 and the first-floor slab 11 while the first-floor slab 11 is a reinforcing concrete structure and the first-floor slab 11 is used as a heat accumulating body. - 特許庁

配管同士を接続するための定尺の合成樹脂製剛性管であって、耐圧強度に優れていると共に良好な排水機能を発揮し、且つ接続すべき配管同士の開口端部の位置がズレていても簡単且つ正確に接続することができ、また、地震等によって配管の位置が変動してもその変動に対応して変形することができるようにする。例文帳に追加

To improve pressure-proof strength, to exhibit the superior drain function, to easily and surely allow the connection even if a position of an opening end part of mutual connecting pipes is dislocated, and to allow deformation in response to a change even if a position of the pipes changes by an earthquake in a synthetic resin rigid pipe having the standard length for connecting the mutual pipes. - 特許庁

マイクロホンを不透水性かつ通音性のある特殊な防水フィルムと、弾力性ある耐圧パットを用い該反射音を空気振動によりエレクトレットマイクロホンに伝送し、電気信号に変換する多層構造の耐候性シ−トで保護したエレクトレットコンデンサ−構造の水陸両用防水マイクロホンを構成したことにより解決した。例文帳に追加

In a structure of an amphibious waterproofing microphone of an electret capacitor structure, the microphone is protected by a certain unique waterproofing film having water non-permeability and sound passing capability, and a weather resistance sheet of a multilayered structure in which a reflected sound is transmitted to an electret microphone by air vibrations by use of a resilient pressure resistance pad, to be converted into an electric signal. - 特許庁

ＳＯＩＭＯＳトランジスタの高速化、低消費電力化を図るためにＳＯＩ層の厚さを薄くしても、ＳＯＩウエーハに形成される縦型バイポーラトランジスタの耐圧を確保でき、ベース−コレクタ間の寄生容量を小さく抑えた高速動作用のＢＩＣＭＯＳ集積回路デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a BICMOS integrated circuit device for a high-speed operation capable of securing the breakdown strength of a vertical bipolar transistor formed on an SOI wafer, even when the thickness of an SOI layer is reduced so as to accelerate an SOIMOS transistor and reduce power consumption and suppressing parasitic capacitance between a base and a collector. - 特許庁

反応容器に少なくとも原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で窒化物結晶を成長させる際に、反応容器としてその一部に圧力調整領域（２３）を備えたものを用いる。例文帳に追加

After sealing the reaction vessel filled with at least a raw material and an ammonia solvent, the reaction vessel is loaded in a pressure-resistant vessel, the inside of the reaction vessel is made to a supercritical state and/or a subcritical ammonia atmosphere, and the nitride crystal is developed in the reaction vessel using one provided with a pressure regulation region (23) in a part. - 特許庁

特に、設計上、耐圧等の機械的強度が極端に強く要望される仕様に十分な対応がとれ、深い山谷を持つ蛇腹形状への変形がスムースに行え、また、ベローズ仕様のニーズに対して希望の剛性を持つ基布を選択の幅を持ってある程度自由に設定（設計）することができる基布入りゴム製ベローズを提供する。例文帳に追加

To provide a base cloth-contained rubber-made bellows capable of sufficiently corresponding to specification extremely strongly desired for mechanical strength of pressure resistance or the like in design, smoothly performing deformation to bellows shape having a deep crest and trough, and setting (designing) a base cloth having desired rigidity relating to needs of bellows specification freely to a certain degree by having a selected width. - 特許庁

本発明はセラミック電子部品に用いられるセラミックグリーンシートに感するものであり、薄層のセラミックグリーンシートを用いて薄層化してもショート率・絶縁耐圧の低下を抑制できる電極埋め込みセラミックグリーンシートとその製造方法およびそれを用いた高容量・高信頼性の積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide an electrode-embedded ceramic green sheet which can suppress reduction in short-circuit ratio and dielectric voltage even when a thin layer is formed using a thin ceramic green sheet, and to provide a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor using the same with a high capacity and high reliability. - 特許庁

充填開始後は、精密秤量器6による耐圧固化容器2のキセノン減少量と、配管系内容積とキセノン物性から配管系内残留キセノン量から燃料ガス容器7へのキセノン充填量を常時求め、キセノン充填量が目標充填量となった時点で充填を停止する。例文帳に追加

After charging is started, a charging amount of the fuel gas vessel 7 with xenon is always obtained by a xenon reduced amount in the pressure proof solidification vessel 2 by the precision weighing device 6 and a xenon residual amount in a piping system from its capacity and xenon physical properties, the charging is stopped in the point of time a xenon charging amount leads to a target charging amount. - 特許庁

高圧放電ランプにおいて、封止部１３と金属箔導体２との密着性を向上させることによって金属箔導体２付近に生じるクラックおよび金属箔導体２と封止部の剥離を抑止する事によって、充分な耐圧性を有し寿命特性も良好な高圧放電ランプを提供すること。例文帳に追加

To provide a high-pressure discharge lamp, having sufficient pressure proofing performance and satisfactory service life characteristics, while inhibiting cracking which are caused near a metal foil conductor 2 and separation between the metal foil conductor 2 and a sealed portion, by improving adhesion between the sealed portion 13 and the metal foil conductor 2. - 特許庁

高強度、高弾性率、優れた耐熱性という固相重合した液晶ポリエステル繊維からなる織物の特徴を損ねることなく、織物の性能を向上させることであり、このため耐摩耗性に優れ、かつ繊維軸垂直方向（横方向）の耐圧縮性に優れる液晶ポリエステル繊維を提供する。例文帳に追加

To provide liquid-crystal polyester fiber capable of enhancing a property of woven fabric, excellent in abrasion resistance and in compression resistance in the fiber-axis perpendicular direction (traverse direction) without deteriorating the characteristics of woven fabric composed of the fibers of a solid phase-polymerized liquid-crystal polyester, such as high strength, high elastic modulus and excellent heat resistance. - 特許庁

高耐圧ＭＯＳトランジスタ形成領域Ｒ１及びキャパシタ形成領域Ｒ４に隣接したトレンチ絶縁膜７ａ，７ｂのエッジを覆うＳｉＯ_２膜１１ａの部分上にホトレジスト層１２を選択的に形成し、このホトレジスト層１２をマスクとして、ＳｉＯ_２膜１１をエッチングにより除去する。例文帳に追加

A photoresist layer 12 is selectively formed on an SiO_2 film 11a covering edges of trench insulating films 7a, 7b which are adjacent to a high breakdown voltage MOS transistor forming region R1 and a capacitor forming region R4, and the SiO_2 film 11 is removed by etching using this photoresist layer 12 as a mask. - 特許庁

ポリ塩化ビニル系樹脂を含むことなく、ポリ塩化ビニル製配水用配管と同等の特性を有し、強度、耐衝撃性、耐圧性、耐熱性のバランスに優れ、昼夜の温度差、夏冬の温度差、冷熱水の繰り返し流通しても破損することなく、しかも長期間にわたって使用が可能な耐熱性配水用配管を提供する。例文帳に追加

To provide a heat-resistant water distribution piping having properties equivalent to water distribution piping made of a polyvinyl chloride without containing a polyvinyl chloride resin, having excellent strength, shock resistance, pressure resistance and heat resistance balance and usable for a long period of time without being damaged by the temperature difference between day and night and between summer and winter and the repeated circulation of cold water. - 特許庁

シリコン基板３のメモリセル領域１のメモリセルトランジスタ形成部分に薄いゲート酸化膜８が形成され、周辺回路領域２の高耐圧を必要とする領域に厚いゲート酸化膜１２、高濃度不純物領域に対応する部分に薄いゲート酸化膜８が形成されている。例文帳に追加

A gate oxide film 8 is formed at a part for forming the memory cell transistor in a memory cell region 1 of a silicon substrate 3; and a gate oxide film 12 and the gate oxide film 8 are formed at a region requiring a high breakdown voltage of a peripheral circuit region 2 and at a part corresponding to a high-concentration impurity region, respectively. - 特許庁

透明性に優れかつ透明性の変動が少なく、成形時のアセトアルデヒドの生成が抑制され、安定した口元寸法精度を持ち、耐圧性あるいは耐熱寸法安定性に優れた中空成形体用の予備成形体を高速成形により効率よく生産する製造方法およびそれからなるポリエステル延伸成形体の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a high-speed manufacturing method of effectively manufacturing a preform for a hollow molded body showing excellent transparency and little variation of transparency, preventing generation of acetaldehyde during molding, having stable dimensional accuracy of a mouth, and having pressure resistance or heat resisting dimensional stability, and to provide a manufacturing method of a polyester stretched molded body by the method. - 特許庁

本発明の製造方法は、プレーナ型受光素子の高耐圧用パシベーション膜として半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜を有する双方向フォトサイリスタの製造方法であって、半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の屈折率を測定する工程と、測定した屈折率に基き半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の酸素濃度を推定する工程とを備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a bidirectional photo thyristor having a semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film as a high voltage withstanding passivation film of a planar type light receiving device comprises a step of measuring the refractive index of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film, and a step of estimating the oxygen concentration of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film, based on the measured refractive index. - 特許庁

従来のＳＯＩ電界効果トランジスタの問題点であった、ソース／ドレイン間耐圧の低下を解消するとともに、高集積化に対して問題となるボディコンタクトの領域を効率的に配置することにより、高集積化を可能としたＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method using an SOI (silicon on insulator) substrate capable of high integration that is achieved by solving the problem of breakdown voltage lowering between source and drain which has been a problem in the conventional SOI FET (field effect transister), and by efficiently arranging a body contact region that may be a problem for achieving high integration. - 特許庁

画像形成手段により記録材上に未定着トナー像を形成し、発熱体ｂ・ｃによる加熱方式の熱定着手段１０９を用いて記録材上にトナー像を定着する画像形成装置において、装置本体のコストを増加させることなく、装置製造工程にて行われる絶縁耐圧試験工程を簡略化すること。例文帳に追加

To simplify a withstand voltage test process performed in the apparatus manufacturing process of an image forming apparatus which forms an unfixed toner image on a recording material by an image forming means, and fixes the toner image on the recording material by using the thermal fixing means 109 of a heating system based on heating elements b and c, without increasing the cost of an apparatus main body. - 特許庁

耐圧反応容器１内に、超臨界状態の水が存在する超臨界ゾーンＺ__１と亜臨界状態の水が存在する亜臨界ゾーンＺ_２を形成し、超臨界ゾーンＺ_１から亜臨界ゾーンＺ_１へ、少なくとも2種の高分子材料１０を収容した水透過性を有する内容器２を所定の速度で移動させて、内容器２内に濃度勾配を持った傾斜材料を生成させる。例文帳に追加

This method comprises the steps of moving an inner vessel 2 having water permeability and containing at least two polymer materials at the determined moving rate from a supercritical zone Z1 where supercritical state water exists to a subcritical zone Z2 where subcritical state water exists, both zones being formed within a pressure vessel 1, and generating inside the inner vessel 2 the functionally gradient material with inclined concentration. - 特許庁

そして、キリャア選択性高抵抗膜１Ａによる被覆により、アモルファス半導体厚膜１の表面抵抗の低下を防止すると同時に、電圧印加電極２の周りに電極未形成域２Ａを巡らせることにより、十分な沿面耐圧を確保して、バイアス電圧による沿面放電が抑えられる結果、電圧印加電極２に高いバイアス電圧をかけて十分な検出感度を得ることが可能となる。例文帳に追加

The carrier selective high resistance film 1A prevents surface resistance of an amorphous semiconductor thick film 1 from lowering and since creeping discharge due to a bias voltage can be suppressed by surrounding the voltage applying electrode 2 with the region 2A formed with no electrode thereby ensuring a sufficient creeping breakdown voltage, a sufficient detection sensitivity can be attained by applying a high bias voltage to the voltage applying electrode 2. - 特許庁

本発明は、デバイス製造工程終了後（デバイス製品）のＧＯＩ特性の評価結果と近いＧＯＩ特性の評価結果を、ウェーハ段階で事前に得ることができ、デバイス製造工程終了後のウェーハ品質に起因する耐圧不良を予測することが可能となるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide an evaluation method for a silicon single-crystal wafer allowing the prediction of a breakdown voltage defect caused by the wafer quality after the completion of device manufacturing process by obtaining in advance in the stage of the wafer the evaluation result of a GOI characteristic which is close to the GOI characteristic obtained after the completion of the device manufacturing process (device product). - 特許庁

ここで、両ダイオード９、１０の逆方向電圧に対する降伏電圧は、両エミッタ５、６間の耐圧値より低く、かつセンス電圧の上限値より高い値に設定され、これにより第１ＩＧＢＴ１の過電流を有効に防止しつつ、第２ＩＧＢＴ２の過電圧による破壊が確実に防止されるようになっている。例文帳に追加

In this case, a breakdown voltage to the opposite direction voltage of both diodes 9 and 10 is set to a value lower than a breakdown voltage between both emitters 5 and 6 and higher than the upper limit value of a sense voltage, and thus, the destruction of the second IGBT 2 by the excess voltage is surely prevented while effectively preventing the excess current at the first IGBT 1. - 特許庁

本発明は、出力電圧が高電圧となるようなレベルシフト出力回路を有する半導体集積回路装置において、そのレベルシフト回路内に設けられた各素子の劣化や破壊を防ぐために、各素子にかかる電圧がその素子の耐圧を超えることがないレベルシフト出力回路を有する半導体集積回路装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To obtain a semiconductor integrated circuit device with a level shift output circuit, wherein voltages applied to respective elements will not exceed the dielectric strength of the elements so that the elements in the level shift circuit are prevented from being deteriorated and broken as a semiconductor integrated circuit with a level shift circuit which outputs a high voltage. - 特許庁

高耐圧を有するノーマリオン型のヘテロ接合電界効果トランジスタ１００とノーマリオフ型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ２００をモノリシックに形成し、それらをカスコード接続することによって、ノーマリオフ型と同等の動作をするヘテロ接合電界効果トランジスタ１００を備えた構成とする。例文帳に追加

The semiconductor device includes a normally-on hetero junction field effect transistor 100 having high withstand voltage; and a hetero junction field effect transistor 100 operating equally to that of a normally-off type, by forming a normally-off insulating gate type field effect transistor 200 into monolithic and connecting them in cascode. - 特許庁

太陽電池モジュールと、前記モジュールの少なくとも太陽光入射面を被覆する透明材支持体と、前記モジュールの下面に設けられた断熱層とを含んでなり、前記断熱層は、常温で変形可能であり、耐圧性を有する断熱材粒子を含むことを特徴とする太陽電池パネル、およびその製造方法。例文帳に追加

This solar cell panel comprises a solar cell module, a transparent support body which covers at least the solar light incident surface of the solar cell module, and a heat insulation layer formed on the lower surface of the solar cell module, and the heat insulation layer is deformable at normal temperature and includes heat insulator particles having a high breakdown voltage. - 特許庁

表面の平坦性が低い基体であっても、当該基体上に、平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性などの各種の耐性に優れた光デバイス用保護膜を形成するために好適に用いられ、かつ組成物としての保存安定性に優れる組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition forming a cured film of high surface smoothness even on a substrate of lower surface smoothness, and applicable preferably to form an optical device protective film having high transparency and surface hardness, and excellent resistance such as heat and pressure resistance, acid resistance, alkali resistance and sputter resistance, as well as having good storage stability as the composition. - 特許庁

装置自体の小型化と耐圧性を高めながら、かつ、ガス透過膜の変形を抑えることにより、ガス透過の流路を確保し、結果としてガス透過性能にも優れたガス透過装置を提供することにあり、特に、燃料電池、更には車載用の燃料電池に必要な加湿器である水蒸気透過型のガス透過装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a gas permeation device that enhances a downsizing and a pressure resistance of a device itself and secures a gas permeation flow path by suppressing the deformation of a gas permeation membrane, resulting in being superior in gas permeation performance; and in particular, to provide a vapor permeation type gas permeation device serving as a humidifier required for fuel cells, further on-vehicle fuel cells. - 特許庁

再生ポリエステル樹脂を活用して樹脂成形品を製造したとき、この樹脂成形品が少なくともメッシュ部分を含むような複雑な形状をしていても、その欠点である耐衝撃性、耐圧縮性および成形品外観を改良した樹脂成形品を得ることができる樹脂成形品の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a resin molded product capable of obtaining the resin molded product in which an impact resistance, a compression resistance and a molded product appearance of disadvantages are improved even when the molded product is formed at least in a complicated shape including at least a mesh part when a recycled polyester resin is utilized to manufacture the resin molded product. - 特許庁