例文 (341件) |
酸化窒化アルミニウムの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 341件
更に窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムで被覆する。例文帳に追加
Moreover, the fibers are coated with aluminum nitride or aluminum oxide. - 特許庁
アルミニウム障壁(124)はアルミニウム酸化物またはアルミニウム窒化物に変換することもできる。例文帳に追加
The aluminum barrier (124) may be replaced with aluminum oxide or aluminum nitride. - 特許庁
好ましいコーティングは、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムである。例文帳に追加
A preferred coating is aluminum oxide or aluminum nitride. - 特許庁
絶縁性セラミックスは、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである。例文帳に追加
The insulating ceramics is aluminum nitride or aluminum oxide. - 特許庁
酸化アルミニウムを被覆した窒化アルミニウム粉末の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE POWDER COATED WITH ALUMINUM OXIDE - 特許庁
その他に、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムなどを適用することもできる。例文帳に追加
In addition, it is also possible to apply aluminium oxide, aluminium nitride, etc. - 特許庁
ヒータ基板材料は酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムを用いる。例文帳に追加
An aluminum oxide or an aluminum nitride is used as a heater substrate material. - 特許庁
酸化アルミニウム被覆窒化アルミニウム及びその製造方法例文帳に追加
ALUMINUM OXIDE-COATED ALUMINUM NITRIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
窒化アルミニウム粉末、有機溶剤及び酸化防止剤を含む窒化アルミニウムスラリー並びにそれから得られる窒化アルミニウム顆粒、窒化アルミニウム成形体及び窒化アルミニウム焼結体に係る。例文帳に追加
The invention relates to aluminum nitride powder, the aluminum nitride slurry containing an organic solvent and an anti-oxidizing agent, the aluminum nitride granule, the aluminum nitride formed body and the aluminum nitride sintered compact obtained from the slurry. - 特許庁
また、ヒータ2は、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムのいずれかを主成分とするセラミックスヒータが好ましい。例文帳に追加
The heater 2 is preferably a ceramics heater made mainly of either of aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, aluminum oxide, and aluminum oxynitride. - 特許庁
表面に平滑且つ緻密なアルミナが形成され、耐水性が良好な酸化アルミニウム被覆窒化アルミニウム、及びこのような酸化アルミニウム被覆窒化アルミニウムを効率よく製造する酸化アルミニウム被覆窒化アルミニウムの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide aluminum oxide-coated aluminum nitride having the surface on which smooth and dense alumina is formed and having excellent water resistance and a method of manufacturing the aluminum oxide-coated aluminum nitride by which the aluminum oxide-coated aluminum nitride is efficiently manufactured. - 特許庁
酸化アルミニウム薄膜の形成方法及び窒化アルミニウム薄膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITION OF ALUMINUM OXIDE THIN FILM, AND METHOD FOR DEPOSITION OF ALUMINUM NITRIDE THIN FILM - 特許庁
アルミニウムドロスと水酸化ナトリウム水溶液を加えることによって、アルミニウムドロス中の窒化アルミニウムを分解する方法例文帳に追加
METHOD FOR DECOMPOSING ALUMINUM NITRIDE IN ALUMINUM DROSS BY ADDING AQUEOUS SODIUM HYDROXIDE SOLUTION IN ALUMINUM DROSS - 特許庁
窒化アルミニウムを主成分とし、サマリウムを酸化物換算で0.04mol%以上含有する窒化アルミニウム焼結体からなり、窒化アルミニウム相とサマリウム−アルミニウム酸化物相とを含む。例文帳に追加
The low volume resistivity material is composed of the aluminum nitride sintered compact consisting essentially of aluminum nitride and containing ≥0.04 mol% samarium expressed in terms of oxide and contains a aluminum nitride phase and a samarium - aluminum oxide phase. - 特許庁
化合物群G2は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒化炭素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミニウム酸化物、炭化珪素を含む。例文帳に追加
A compound group G2 includes silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride, carbon nitride, boron nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, and silicon carbide. - 特許庁
窒化アルミニウム質セラミックスは、窒化アルミニウムを主成分とし、サマリウム含有量が酸化物換算で0.060mol%以下であり、窒化アルミニウム粒子とサマリウム−アルミニウム酸化物相を含み、このサマリウム−アルミニウム酸化物相の長さが7μm以上である。例文帳に追加
The aluminum nitride-based ceramic whose main component is aluminum nitride contains samarium of 0.060 mol% or less in terms of an oxide, an aluminum nitride particle and a samarium-aluminum oxide phase whose length is 7 μm or more. - 特許庁
窒化アルミニウム粉末を、酸素含有雰囲気下で熱処理することにより、窒化アルミニウム粉末の表面に酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程を有する。例文帳に追加
The treating method of an aluminum nitride powder includes a process for forming an aluminum oxide layer or an aluminum oxynitride layer on the surface of the aluminum nitride powder by heat treating the aluminum nitride powder in an oxygen-containing atmosphere. - 特許庁
あるいは、窒化アルミニウム質セラミックスは、窒化アルミニウムを主成分とし、サマリウム含有量が酸化物換算で0.060mol%以下であり、窒化アルミニウム粒子とサマリウム−アルミニウム酸化物相を含み、前記窒化アルミニウム粒子の平均粒径が5μm以上である。例文帳に追加
Or, the aluminum nitride-based ceramic whose main component is aluminum nitride contains samarium of 0.060 mol% or less in terms of the oxide, the aluminum nitride particle whose mean particle diameter is 5 μm or more and the samarium-aluminum oxide phase. - 特許庁
表面に耐水性皮膜が形成された耐水性に優れた窒化アルミニウム粉末であって、該耐水性皮膜は、該窒化アルミニウム粉末の表面上に形成された酸化アルミニウム皮膜と、該酸化アルミニウム皮膜上に形成されたリン酸アルミニウム皮膜とから構成されている。例文帳に追加
The aluminum nitride powder is excellent waterproofness has a waterproof film on the surface, the waterproof film consists of an aluminum oxide film which is formed on the surface of the aluminum nitride powder and an aluminum phosphate film which is formed on the surface of the aluminum oxide film. - 特許庁
酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程の前に、アルミニウムを窒素雰囲気下で熱処理することにより、前記アルミニウムと窒素を反応させて前記窒化アルミニウム粉末を製造する工程を備えていてもよい。例文帳に追加
A process for producing the aluminum nitride powder by heat treating aluminum in a nitrogen atmosphere to react the aluminum with nitrogen may be provided before the process for forming the aluminum oxide layer or the aluminum oxynitride layer. - 特許庁
第3絶縁膜1207としては、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等の無機絶縁膜で形成する。例文帳に追加
The third insulating film 1207 is formed from such inorganic insulating film as a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, an aluminum nitride, aluminum oxide, and aluminum oxynitride. - 特許庁
窒化アルミニウム又は酸化ベリリウムのセラミックカバーウェハ例文帳に追加
CERAMIC COVER WAFER OF ALUMINUM NITRIDE OR BERYLLIUM OXIDE - 特許庁
窒化アルミニウム相と、窒化アルミニウム相の粒子間に形成されている酸化イットリウムアルミニウム相とからなる窒化アルミニウム焼結体において、前記酸化イットリウムアルミニウム相が窒化アルミニウム相に対して外率で0.5〜10wt%であり、かつ、少なくとも1種のランタノイド元素をイットリウム元素に対して外率で0.1〜20at%m含有している。例文帳に追加
This aluminum nitride sintered body consisting of an aluminum nitride phase, and a yttrium aluminum oxide phase formed among particles of the aluminum nitride phase, contains 0.5-10 wt.% yttrium aluminum oxide phase expressed in terms of the outer percentage based on the amount of the aluminum nitride, and at least one kind of lanthanoid elements in the outer percentage of 0.1-20 atm.% based on the amount of the yttrium element. - 特許庁
この場合、前記酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程は、前記窒化アルミニウム粉末を製造した後に、前記窒化アルミニウム粉末を室温まで冷却せずに酸素雰囲気下に置くことにより前記酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程であるのが好ましい。例文帳に追加
In this case, it is preferable that the process for forming the aluminum oxide layer or the aluminum oxynitride layer is a process comprising forming the aluminum oxide layer or the aluminum oxynitride layer by arranging the aluminum nitride powder in the oxygen-containing atmosphere without cooling the aluminum nitride powder to room temperature after the aluminum nitride powder is produced. - 特許庁
バリスタを形成していないセラミック基体の部分は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、または窒化ホウ素であることができる。例文帳に追加
The part of the ceramic board where the varistor is not formed may be made of alumina, aluminum nitride, silicon carbide, or boron nitride. - 特許庁
酸化雰囲気中で窒化アルミニウム基板を部分的に酸化して、酸化アルミニウムを含む部分を窒化アルミニウム基板内に形成することによって低熱伝導部分120を形成する。例文帳に追加
The low thermal conducting portion 120 is formed, by oxidizing partially the aluminum nitride substrate in an oxidation atmosphere and by forming a portion, containing aluminum oxide in the aluminum nitride substrate. - 特許庁
保持体143は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸化アルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも1種を主成分として含む。例文帳に追加
The holding body 143 contains at least one type selected from a group constituted of aluminum nitride, silicon nitride and aluminum oxide as main components. - 特許庁
アルミニウム塩と窒素化合物との混合物を非酸化性雰囲気下で加熱する窒化アルミニウム系粉末の製造方法。例文帳に追加
The aluminum nitride base powder is manufactured by heating a mixture of an aluminum salt and a nitrogen compound under a non-oxidizing atmosphere. - 特許庁
窒化アルミニウム焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化層が形成された窒化アルミニウム基板を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide an aluminum nitride substrate in which an oxide layer having a high adhesive strength is formed on the surface of the aluminum nitride sintered compact. - 特許庁
酸化層を有する窒化アルミニウム基板、窒化アルミニウム焼結体、それらの製造方法、回路基板、及びLEDモジュール例文帳に追加
ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE WITH OXIDE LAYER, ALUMINUM NITRIDE SINTERED COMPACT, PROCESSES FOR PRODUCING THEM, CIRCUIT BOARD, AND LED MODULE - 特許庁
ほう素化合物、窒素化合物、酸化物、けい素化合物、アルミニウム化合物、合金アルミニウム化合物又は炭化物例文帳に追加
Boron compounds, nitrides, oxides, silicon compounds, aluminum compounds, aluminum alloy compounds and carbides - 日本法令外国語訳データベースシステム
本発明に従う発光素子は、酸化ガリウム基板の上にガリウムアルミニウムを含む酸化物と、前記ガリウムアルミニウムを含む酸化物の上にガリウムアルミニウムを含む窒化物と、前記ガリウムアルミニウムを含む窒化物の上に発光構造物と、を含む。例文帳に追加
The light emitting device includes an oxide including gallium aluminum over a gallium oxide substrate, a nitride including gallium aluminum over the oxide including gallium aluminum, and a light emitting structure over the nitride including gallium aluminum. - 特許庁
複数の窒化アルミニウム焼結体間に、酸化カルシウムアルミニウム、又は、酸化カルシウム及び酸化アルミニウムを含み、希土類元素が5重量%未満である融材と、窒化アルミニウム粉末とを含む接合剤を介在させ、1500℃以下の接合温度で加熱する。例文帳に追加
A bonding agent comprising a flux containing calcium oxide aluminate or calcium oxide and aluminum oxide and containing less than 5 wt.% rare-earth elements, and aluminum nitride powder, is interposed between a plurality of aluminum nitride sintered bodies and these are heated at a bonding temperature of 1,500°C or less. - 特許庁
フィルレイヤーは、絶縁体、好ましくは酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、その混合物およびその層状化構造を含む。例文帳に追加
The fill layer contains an insulating material, preferably aluminum oxide, aluminum nitride, their mixture or layered structure. - 特許庁
窒化アルミニウム層2の表面に酸化層3が形成されており、酸化層3は窒化アルミニウム結晶粒子4を含有し、酸化層3中の酸化アルミニウム成分の総含有量に基づいて、酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みを算出したときの厚みが5〜100μmになる酸化層を有する窒化アルミニウム基板。例文帳に追加
The aluminum nitride substrate comprises an oxide layer 3 and is characterized in that an oxide layer 3 is formed on the surface of an aluminum nitride layer 2, the oxide layer 3 contains aluminum nitride crystal particles 4, and the thickness of a virtual layer formed of only aluminum oxide calculated based on the total content of the aluminum oxide component in the oxide layer is 5-100 μm. - 特許庁
空気中にて、温度500〜700℃、処理時間6時間以内の条件で酸化処理が施された窒化アルミニウム粉末を原料とする窒化アルミニウム焼結体であり、窒化アルミニウムが直接窒化法により合成された前記窒化アルミニウム焼結体である。例文帳に追加
The aluminum nitride compact is made by using aluminum nitride powder treated for oxidization in the air at 500-700°C for 6 h or less as a raw material, where aluminum nitride synthesized by a direct nitriding method is used. - 特許庁
このサマリウム−アルミニウム酸化物相は、窒化アルミニウム粒子の粒界に沿って低低抗層を生成する。例文帳に追加
The samarium - aluminum oxide phase produces a low resistivity layer along the grain boundary of aluminum nitride particles. - 特許庁
絶縁層4は、主として、一定の配向性を有する窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムで構成されている。例文帳に追加
The insulation layer 4 mainly comprises aluminum nitride or aluminum oxide with a fixed orientation. - 特許庁
結合用膜51はCVD法によって形成された酸化アルミニウム(Al_2O_3)膜であり、ヒートシンク膜52は窒化アルミニウム(AlN)膜である。例文帳に追加
The bonding film 51 consists of an aluminum oxide (Al2O3) film formed by a CVD method and the heat sink film 52 consists of an aluminum nitride(AlN) film. - 特許庁
金属アルミニウム、あるいは、アルミニウム合金をアノード酸化して得られるアルミニウム酸化物を含む成形体を、窒素またはアンモニアガス、あるいは窒素とアンモニアガスを含む雰囲気下に加熱、焼成することを特徴とする窒化アルミニウム成形体の製造方法。例文帳に追加
In the method for manufacturing an aluminum nitride formed body, a formed body containing metal aluminum or aluminum oxide obtained by anodically oxidizing an aluminum alloy is heated and fired in an atmosphere containing nitrogen or ammonia gas or nitrogen and ammonia gas. - 特許庁
窒化アルミニウム膜7上に、窒化アルミニウム膜7に対する酸素を含む雰囲気でのプラズマ処理により形成された、窒化アルミニウム膜7より平滑化された酸化物層7aを設ける。例文帳に追加
Furthermore, the aluminum nitride film 7 is subjected to a plasma treatment in an oxygen-containing atmosphere to form an oxide layer 7a on the aluminum nitride film 7, the oxide layer 7a is made smoother than the aluminum nitride film 7. - 特許庁
窒化アルミニウム基板1に、貴金属及び酸化鉛からなる抵抗体2が設けられている窒化アルミニウムヒータであって、前記窒化アルミニウム基板1と抵抗体2との接着面に複数の小孔3が形成されている窒化アルミニウムヒータに係る。例文帳に追加
In the aluminum nitride heater having a resistor 2 consisted of rare metal and lead oxide on the aluminum nitride substrate 1, there are a number of small holes 3 on the adhesion surface of the aluminum nitride substrate 1 and the resistor 2. - 特許庁
窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、窒化アルミニウム結晶の多結晶構造を有しており、セリウムを酸化物に換算して0.01重量%以上、1.0重量%以下含有している。例文帳に追加
The aluminum nitride sintered compact contains aluminum nitride as a main component and cerium in an amount of ≥0.01 and ≤1.0 wt.%, expressed in terms of its oxide and has a polycrystalline structure composed of aluminum nitride crystals. - 特許庁
窒化アルミニウム質焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、窒化アルミニウム結晶の多結晶構造を有しており、焼結体中に酸化物に換算して100ppm以上、500ppm以下のリチウムを含有している。例文帳に追加
This aluminum nitride-based sintered product contains aluminum nitride as a main component, has the polycrystalline structure of aluminum nitride crystals, and contains lithium in an amount of ≥100-500 ppm converted into the oxide in the sintered product. - 特許庁
アルミニウムドロスと酸化カルシウムとの混合物に水酸化ナトリウム水溶液を加えることによって、アルミニウムドロス中の窒化アルミニウムを分解する方法例文帳に追加
DECOMPOSITION OF ALUMINUM NITRIDE IN ALUMINUM DROSS BY ADDING NAOH AQUEOUS SOLUTION TO MIXTURE OF THE ALUMINUM DROSS AND CALCIUM OXIDE - 特許庁
前記雰囲気Aを酸素ガスにするとレーザビームにより形成された切削加工面5に窒化アルミニウムの原料成分であるアルミニウムが酸化されて酸化アルミニウムMが形成される。例文帳に追加
If the atmosphere A is oxygen gas, aluminum which is a raw material constituent of aluminum nitride is oxidized and an aluminum oxide M is formed on the cut surface 5 formed with the laser beam. - 特許庁
単結晶シリコンからなるシリコン基板101の上に,酸化アルミニウムからなるAl_2O_3層102,窒化アルミニウムからなるAlN層104,及び酸化アルミニウムからなるAl_2O_3キャップ層105を備えるようにしたものである。例文帳に追加
On a single crystal silicon substrate 101, formed are an Al_2O_3 layer 102 composed of aluminum oxide, an AlN layer 104 composed of aluminum nitride, and an Al_2O_3 cap layer 105 composed of aluminum oxide. - 特許庁
バリアAl層304は、窒化アルミニウム(AlNx)層、酸化アルミニウム(AlOx)層、酸窒化アルミニウム(AlOxNy)層、または、Al−Nd合金層であっても良い。例文帳に追加
The barrier Al layer 304 may be an aluminum nitride(AlNx) layer, an aluminum oxide(AlOx) layer, an aluminum oxygen nitride(AlOxNy) layer, or an Al-Nd alloy layer. - 特許庁
窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウム/窒化アルミニウム・ヘテロ構造ゲート誘電体スタック・ベースの電界効果トランジスタおよびその形成方法例文帳に追加
ALUMINUM NITRIDE, FIELD EFFECT TRANSISTOR OF ALUMINUM OXIDE/ALUMINUM NITRIDE HETERO-STRUCTURE GATE DIELECTRIC STACK BASE, AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁
窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなる被接合体同士の接合界面における窒化アルミニウム粒子が酸化イットリウムアルミニウムを粒界相として互いに焼結されている。例文帳に追加
At the bonded interface between bonded products made of ceramic essentially comprising aluminum nitride, aluminum nitride particles are mutually sintered employing yttrium aluminum oxide as a grain boundary phase. - 特許庁
例文 (341件) |
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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