例文 (341件) |
酸化窒化アルミニウムの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 341件
Al_2O_3層102は、化学量論的組成の酸化アルミニウムから構成され、AlN層104は、化学量論的組成の窒化アルミニウムから構成されたものである。例文帳に追加
The Al_2O_3 layer 102 is composed of stoichiometry aluminum oxide, and the AlN layer 104 is composed of stoichiometry aluminum nitride. - 特許庁
(a)窒素原子含有カチオン及び(b)アルミニウムに対する安定度定数が9以上のアミノカルボン酸アニオンを含有する水性電解浴中で、陽極火花放電によりアルミニウム又はアルミニウム合金基体表面に、酸化アルミニウムを含有するセラミックス皮膜を形成させることを含むセラミックス皮膜の形成方法。例文帳に追加
In the method for forming a ceramic film, a ceramic film containing aluminum oxide is formed on the surface of an aluminum or aluminum alloy substrate by anode spark discharge in an aqueous electrolytic bath containing (a) nitrogen atom-containing cations, and (b) aminocarboxylate anions having a stability constant to aluminum of ≥9. - 特許庁
基板は、酸化アルミニウムセラミック、ニッケル−コバルト合金、窒化アルミニウムセラミック、または、シリコンカーバイドセラミックからなる群より選択される。例文帳に追加
The substrate is selected from a group consisting of aluminum oxide ceramic, nickel-cobalt alloy, aluminum nitride ceramic, or silicon carbide ceramic. - 特許庁
本発明の成膜方法は、基材硬度が200程度の金属にプラズマ蒸着法によって、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウム薄膜を成膜する方法である。例文帳に追加
In the film deposition method, an aluminum nitride thin film and an aluminum oxide thin film are deposited on metal having a base material hardness of about 200 by a plasma deposition method. - 特許庁
具体的には、酸化アルミニウムや窒化アルミニウム等のセラミックス基板7を凹型断面形状にして、凹部7aにグラファイトを含有させた抵抗発熱体6を形成し、その上をガラスコート8する。例文帳に追加
Specifically, a ceramics substrate 7 such as aluminum oxide or aluminum nitride are made into recessed sectional shapes to form a resistant heating body 6 containing the graphite in a recessed part 7a and a glass coating 8 is applied over it. - 特許庁
検温素子7を間にはさんで、酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムの基板のグリーンシートを2枚以上貼り合わせ、焼成することで上記の構成を得る。例文帳に追加
The two or more of green sheets of the substrate of aluminum oxide or aluminum nitride are laminated together with the thermometric element 7 held in-between, and are then calcined to obtain the above structure. - 特許庁
粒界相にサマリウム(Sm)・イットリウム(Y)・アルミニウム(Al)系複合酸化物が存在し、密度が3.1g/cm^3 以上、3点曲げ強度が400MPa以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。例文帳に追加
In the aluminum nitride sintered compact, a samarium(Sm) yttrium(Y) aluminum(Al) based multiple oxide is present in an intergranular phase, and the density of the compact is ≥3.1 g/cm^3, and the three point bending strength of the compact is ≥400 MPa. - 特許庁
酸化アルミニウムを基板7に用いる場合は表面発熱タイプとし、窒化アルミニウムを基板7に用いる場合は裏面発熱タイプとする。例文帳に追加
When the aluminum oxide is used for the substrate 7, it is made a front surface heating type and when the aluminum nitride is used for the substrate 7 it is made the back surface heating type. - 特許庁
この高熱伝導性ワニス165は高熱伝導性フィラー、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(Si3N4)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化亜鉛(ZnO)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、二酸化チタン(TiO2)、シリカ(SiO2)、またはダイアモンド(C)を含む。例文帳に追加
The high thermal conductive vanish 165 contains a high thermal conductive filler, boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si3N4), aluminum oxide (Al2O3), magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), strontium titanate (SrTiO3), titanium dioxide (TiO2), silica (SiO2) or diamond (C). - 特許庁
本多層系はルテニウム、酸化アルミニウム、シリコンカーバイド、炭化モリブデン、炭素、窒化チタン、または二酸化チタンから作られる保護層を有する。例文帳に追加
The multilayer system has a protective layer formed from ruthenium, aluminum oxide, silicon carbide, molybdenum carbide, carbon, titanium nitride or titanium dioxide. - 特許庁
アルミニウムを陽極酸化して得られる酸化アルミニウム層を有する基体の該酸化アルミニウム層に銀を担持したことを特徴とする窒素酸化物の選択的還元触媒を使用し、高濃度の酸素等が共存する条件下において、排ガス中に含まれる窒素酸化物を効率良く除去することを特徴としている。例文帳に追加
Nitrogen oxide contained in an exhaust gas can be efficiently removed in the presence of the selective reduction catalyst for nitrogen oxide under such conditions that oxygen and the like coexist in a high concentration. - 特許庁
この固定層は、特にその下方に位置する窒化チタン、炭化チタン或いは炭化チタン窒化物層の上で酸化アルミニウム層の付着性を改善する。例文帳に追加
The fixed layer improves the adhesiveness of the aluminum oxide layer particularly on the titanium nitride, titanium carbide, or titanium carbonitride layer. - 特許庁
窒化珪素焼結体は窒化珪素基材に珪素と炭素とを分散させ、表面に珪素とアルミニウムを含む酸化物層の被膜を形成する。例文帳に追加
The silicon nitride sintered compact is obtained by dispersing silicon and carbon in a silicon nitride base material and forming a coating of an oxide layer containing silicon and aluminum on the surface. - 特許庁
ヒーター5によって容器3内部に収容された原料4を昇華、気化、又は反応によりアルミニウム酸化物のガスを生成させることにより結晶成長用基体2にアルミニウム酸化物ガスを供給すると同時に、窒素又は窒素含有ガス供給路6を介して結晶成長用基体2に窒素又は窒素含有ガスを供給することにより、窒化アルミニウム単結晶を製造する。例文帳に追加
The production method for the aluminum nitride single crystal includes supplying onto a substrate 2 for crystal growth, an aluminum oxide gas generated by sublimating, vaporizing or reacting a raw material 4 stored inside a vessel 3 by a heater 5 and at the same time, supplying nitrogen or nitrogen-containing gas onto the substrate 2 through the passage 6 for supplying the above gas. - 特許庁
このとき、圧縮応力膜12の応力値が0.05GPa以上、1.0GPa以下の絶対値を有することが好ましく、圧縮応力膜12が酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜及び酸窒化ケイ素の群から選択されるいずれかであることが好ましい。例文帳に追加
Preferably, the compressive stress film 12 has a stress value of 0.05 GPa or above and an absolute value of 1.0 GPa or less, and the compressive stress film 12 is preferably any one selected from a group of silicon oxide film, silicon nitride film, aluminum oxide film, aluminum nitride film, aluminum oxynitride film, and silicon oxynitride film. - 特許庁
本発明によるモータステータ構造は、輪状固定子鉄心(1)に設けた固定子巻線(2)を、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、フェライト及び窒化アルミニウム超微粒子(ナノパウダー)の1種又は複数種又は全種を混合した樹脂でモールド樹脂(5)を形成することにより、耐絶縁性及び放熱性を向上させるようにした構成である。例文帳に追加
Insulation resistance and heat dissipation performance of a motor stator structure are enhanced by forming a stator winding (2) provided in a ring stator core (1) of mold resin (5) mixed with one kind, a plurality of kinds or all kinds of aluminium nitride, boron nitride, silicon nitride, aluminium oxide, silicon oxide, ferrite and aluminium nitride ultrafine particles (nano powder). - 特許庁
酸化アルミニウム又は酸化ケイ素の一方又は双方と、窒化ケイ素と、窒化アルミニウムと、ユーロピウム化合物とからなる原料を空気透過度0.1cm^3/cm^2sMPa以下の窒化ホウ素製の容器中、窒素雰囲気下で焼成することを特徴とする。例文帳に追加
A raw material comprising either or both of aluminum oxide and silicon oxide, silicon nitride, aluminum nitride and a europium compound is fired under a nitrogen atmosphere in a container made of boron nitride whose air permeability is ≤0.1 cm^3/cm^2 s MPa. - 特許庁
酸化アルミニウム62.5〜99mol%と酸化イットリウム1〜37.5mol%、好ましくは、酸化アルミニウム77〜82mol%と酸化イットリウム18〜23mol%、を含む接合材を用意し、2つの窒化アルミニウム焼結体間に、前記接合材を挟み込み、1800℃以上、荷重1MPa以上で熱処理する製造方法を用いる。例文帳に追加
In the production method, a joining material containing, by mol, 62.5 to 99% aluminum oxide and 1 to 37.5% yttrium oxide, preferably containing 77 to 82% aluminum oxide and 18 to 23% yttrium oxide is prepared, the joining material is inserted between two aluminum nitride sintered compacts, and heat treatment is performed at ≥1,800°C and under a load of ≥1 MPa. - 特許庁
エラストマーからなる被覆(12)を有するセラミックアクチュエータ(11)を含む圧電素子において、エラストマーが、酸化アルミニウム、二酸化チタン、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素及び/又は有利には二酸化ケイ素をベースとして製造された充填剤を含有する熱伝導性エラストマーである。例文帳に追加
A piezoelectric element including a ceramic actuator (11) with a coating (12) composed of an elastomer wherein the elastomer is a heat-conductive elastomer containing a filler manufactured based on an aluminum oxide, titanium dioxide, boron nitride, silicon carbide and/or silicon dioxide, advantageously. - 特許庁
好ましくは、絶縁体層5は、窒化珪素(Si_3N_4)、2酸化珪素(SiO_2)、酸化アルミニウム(Al_2O_3)、酸化マグネシウム(MgO)、ダイヤモンド結晶炭素(C)、窒化アルミニウム(AlN)又は炭化珪素(SiC)のいずれか1つを含んで形成される。例文帳に追加
Preferably, the insulator layer 5 is formed by containing at least either one of silicon nitride (Si_3N_4), silicon dioxide (SiO_2), aluminum oxide (Al_2O_3), magnesium oxide (MgO), diamond crystal carbon (C), aluminum nitride (AlN) and silicon carbide (SiC). - 特許庁
(100)Si基板11上に、炭化珪素、窒化硼素、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムのいずれかを含む硬質層13を堆積し、その上に圧電体層14を堆積することにより、高音速化かつ高k^2化を実現することができる。例文帳に追加
Depositing a hard layer 13 containing any of silicon carbide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, magnesium oxide, and aluminum oxide on a Si substrate 11 oriented in the (100) and depositing a piezoelectric layer 14 on the layer 13 can realize a high sound velocity and a high k2. - 特許庁
窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板23表面に窒化アルミニウム結晶層21を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層23を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜24などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。例文帳に追加
This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate. - 特許庁
腐食バリヤは、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または二ケイ化モリブデンから形成することができる。例文帳に追加
The corrosion barrier can be formed from aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride or molybdenum disilicide. - 特許庁
次に、下電極13xを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜17xをアルミニウム酸化膜18xとするとともに、下電極13xの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜14y、14zを形成し、絶縁層14xとする。例文帳に追加
Anodic oxidation is then performed using the lower electrode 13x as anode to transform an aluminum film 17x containing nitrogen into an aluminum oxide film 18x and to form tantalum oxide films 14y and 14z containing nitrogen, as an insulating layer 14x, at the upper surface portion and the side face portion of the lower electrode 13x. - 特許庁
薄膜状圧電体6の材料としては、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、ポリフッ化ビニリデン等が採用される。例文帳に追加
Aluminium nitride, zinc oxide, polyvinylidene fluoride and the like are adopted as materials of the tin-film piezoelectric body 6. - 特許庁
酸化処理層が、窒化アルミニウム焼結体の粗面化処理された表面に形成されていると、溶射被膜の密着強度がより向上する。例文帳に追加
If the oxidized layer is formed on a roughened surface of the aluminum nitride sintered body, the adhesion strength of the thermal-sprayed coating is more enhanced. - 特許庁
工具に使用するための立方晶窒化ホウ素(cubic boron nitride、略称cBN)焼結体が、(i)立方晶窒化ホウ素と、(ii)酸化アルミニウムと、(iii)1若しくはそれ以上の高融点金属化合物と、(iv)アルミニウムおよび/または1若しくはそれ以上の非酸化アルミニウム化合物との混合物を焼結することにより得られる。例文帳に追加
A sintered cubic boron nitride (cBN) compact for use in a tool is obtained by sintering a mixture of: (i) cubic boron nitride; (ii) aluminum oxide; (iii) one or more high melting point metal compounds; and (iv) aluminum and/or one or more non-oxide aluminum compounds. - 特許庁
窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、かつアルカリ土類元素(AE)と希土類元素(RE)を合計量として酸化物換算で0.3〜20重量% 、酸化アルミニウムを 2〜20重量% 、および硼素および硼素化合物から選ばれる少なくとも 1種を硼素換算で 2重量% 以下の範囲で含有する。例文帳に追加
This aluminum nitride sintered compact consists essentially of aluminum nitride and contains an alkaline earth element(AE) and rear earth element(RE) in a range of 0.3 to 20 wt.% in terms of oxide in total, aluminum oxide of 20 to 30 wt.% and at least one kind selected from boron and boron compound of ≤2 wt.%. - 特許庁
エピタキシャルウェハは、基板1と窒化物半導体4,5,6の間に形成されたアルミニウム層2と、アルミニウムを陽極酸化して形成したアルミニウムの陽極酸化(陽極酸化Al)層3によって、熱膨張係数差に起因した応力を緩和することで、ウェハのそりを押さえることが可能となる。例文帳に追加
The epitaxial wafer suppresses a warp of the wafer by relaxing a stress due to a difference in thermal expansion coefficient by an aluminum layer 2 formed between a substrate 1 and nitride semiconductors 4, 5, 6, and an anodic-oxidized layer 3 of aluminum (anodic-oxidized Al) formed by anodic-oxidizing aluminum. - 特許庁
第1蛍光材料の組成成分がユウロピウム(eurpium = Eu)およびマンガン(Mn)のうち少なくとも1つをドーピングした窒化アルミニウム酸化物を含む。例文帳に追加
A composition component of the first fluorescence material includes an aluminum nitride oxide doped with at least one of europium (eurpium=Eu) and manganese (Mn). - 特許庁
この粒子状セラミック充填剤としては、アルミナ、硝酸アルミニウム、窒化ホウ素、硫酸バリウム、酸化ベリリウムおよびこれらの混合物が使用できる。例文帳に追加
Examples of the granular ceramic filler are alumina, aluminum nitrate, boron nitride, barium sulfate, beryllium oxide, and mixture thereof. - 特許庁
金属膜18aはアルミニウムで形成され、セラミック膜18bは窒化ケイ素で形成され、吸湿層19は酸化マグネシウムで形成されている。例文帳に追加
The metal film 18a is formed of aluminum, and the ceramic film 18b is formed of silicon nitride, and the moisture absorbing layer 19 is formed of magnesium oxide. - 特許庁
良質なシリコン窒化膜、酸化アルミニウム膜、遷移金属高誘電率絶縁膜を形成することを可能にする。例文帳に追加
To form a silicon nitride film, an aluminum oxide film and a transition metal high dielectric constant insulation film, of high quality. - 特許庁
窒化アルミニウムからなる母材と接合相手部材が、B_2O_3等のボロン含有酸化物を含む接合材によって接合されている。例文帳に追加
A base material comprising aluminum nitride and an aluminum nitride member to be joined are joined by a joining material containing a boron- containing oxide such as B_2O_3. - 特許庁
このとき、窒化シリコン膜の下層に形成されている酸化アルミニウム膜7がエッチングストッパとして機能する。例文帳に追加
At this time, the aluminum oxide film 7 formed as the lower layer of the silicon nitride film functions as an etching stopper. - 特許庁
続いて、半導体基板1上に酸化アルミニウム膜7および窒化シリコン膜よりなる積層膜を形成する。例文帳に追加
Next, a laminate of an aluminum oxide film 7 and a silicon nitride film is formed on the semiconductor substrate 1. - 特許庁
その後、水酸化ナトリウム処理により、前記表層2a内の窒化アルミニウム結晶粒子Gを溶解除去して、アンカーAを形成する。例文帳に追加
Then an aluminum nitride crystal particle G in the surface layer 2a is dissolved and removed in a process with sodium hydroxide, to form an anchor A. - 特許庁
酸化アルミニウム支持層130上での結晶成長によって製造された窒化ガリウムを含有する自立積層体を提供する。例文帳に追加
An independent laminate is provided containing a gallium nitride manufactured by crystal growth on the aluminum oxide support layer 130. - 特許庁
あるいは、共振器端面側から、窒化シリコンおよび酸化アルミニウムを光学膜厚バランスを制御して形成する。例文帳に追加
Alternatively, the silicon nitride film and an aluminum oxide film are formed from the side of the end face of the resonator by controlling the balance of their optical film thicknesses. - 特許庁
強度や耐酸化性が高く、アルミニウム等に対する付着性が低い炭窒化チタン焼結体の製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method of producing a titanium carbonitride sintered compact which has high strength and oxidation resistance and low adhesion for aluminum or the like. - 特許庁
酸化アルミニウム窒化チタニウム系焼結体とこれを用いた磁気ヘッド用基板と超音波モータと動圧軸受およびその製造方法例文帳に追加
ALUMINUM OXIDE TITANIUM NITRIDE-BASED SINTERED COMPACT, SUBSTRATE FOR MAGNETIC HEAD USING THE SAME, ULTRASONIC MOTOR, DYNAMIC PRESSURE BEARING, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
更に、本発明合金には、さらなる耐アルミニウム溶損性の向上を図るべく、好適には酸化処理または窒化処理が施される。例文帳に追加
The objective alloy is further preferably oxidized or nitrided in order to further improve the erosion resistance to aluminum. - 特許庁
ランタノイド元素を酸化物換算の含有量で、0.5質量%以上、7質量%以下含有させて、窒化アルミニウム結晶の粒界にランタノイド元素とアルミニウムとの複合酸化物が形成され、常温での体積抵抗率が1×10^9〜1×10^14Ω・cmである窒化アルミニウム焼結体を得る。例文帳に追加
The aluminum nitride sintered compact having volume resistivity at normal temperature of 1×10^9 to 1×10^14Ω cm is obtained by incorporating an element of the lanthanide in an amount of 0.5 to 7 mass%, expressed in terms of its oxide, so as to form a compound oxide of the lanthanide element and aluminum on the grain boundary of aluminum nitride crystals. - 特許庁
さらに、第1電導層は銅であり、第2電導層は、アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、炭化シリコン、及びその合金から構成される群から選択された材料であり、誘電体層は窒化シリコンである。例文帳に追加
The first conductive layer is composed of copper, the second conductive layer is composed of a material selected from a group of aluminum, aluminum oxide, tantalum nitride, titanium nitride, tungsten, tungsten nitride, silicon carbide, and their alloys, and the dielectric layer is composed of silicon nitride. - 特許庁
粒界相3は珪素とアルミニウムとイットリウムとマンガンと酸素と窒素を含む複合酸化物からなる。例文帳に追加
The grin boundary phase 3 consists of a compound oxide containing silicon, aluminum, yttrium, manganese, oxygen and nitrogen. - 特許庁
硝酸性窒素の溶脱を効果的に防止し、また、アルミニウム酸化物の溶脱を効果的に防止した剥ぎ取り表土のリサイクル方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a recycling process of stripped topsoil which prevents the leaching of nitrate nitrogen effectively and that of an aluminum oxide effectively. - 特許庁
絶縁層が、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、ダイアモンド、酸化ベリリウム、窒化アルミニウムから選ばれる1種以上の無機物、並びに、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、BTレジン、ポリイミド樹脂より選ばれる樹脂を含むことを特徴とする該セラミックス二層回路基板。例文帳に追加
The insulator contains at least one kind inorganic substance selected from aluminum oxide, boron nitride, diamond, beryllium oxide, and aluminum nitride, and containing resin selected from epoxide resin, silicone resin, BT resin and polyimide resin. - 特許庁
静電チャック用窒化アルミニウム焼結体は、クロム酸化物0.1〜1.0重量%と、あるいはさらにイットリウム酸化物1.0〜3.0重量%を加え、残部が窒化アルミニウムで全体を100重量%とした組成でなっている。例文帳に追加
The aluminum nitride sintered compact for an electrostatic chuck comprises a composition prepared by adding 0.1-1.0 wt.% chromium oxide, 1.0-3.0 wt.% yttrium oxide and the aluminum nitride as the remainder to make 100 wt.% in total. - 特許庁
窒化アルミニウム原料粉末100重量部に対して炭素質物質1〜15重量部含む混合粉末を非酸化性雰囲気中1600〜1850℃で熱処理した後、酸化性雰囲気中600〜800℃で熱処理することを特徴とする窒化アルミニウム粉末の製造方法に係る。例文帳に追加
A method for producing this aluminum nitride powder comprises heat treating the powdery mixture of an aluminum nitride raw material powder and 1-15 pts.wt. of a carbonaceous substance based on 100 pts.wt. of the raw material powder at 1,600-1,850°C in a non-oxidative atmosphere and then heat treating at 600-800°C in an oxidative atmosphere. - 特許庁
例文 (341件) |
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