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「限定領域」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 限定領域に関連した英語例文

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限定領域の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 409



例文

原子炉格納容器の大幅な設計変更あるいは適用可能な原子炉格納容器の型の限定を必要とせず、ペデスタル領域に特段の設備を追加することもなく、炉心溶融物によるコンクリート構造物の侵食速度を低下させ、注水による炉心溶融物冷却効果を高めることができる原子炉格納容器を得る。例文帳に追加

To obtain a reactor containment vessel which makes it possible to improve the effect of cooling core melt through water injection by decreasing the corrosion rate of a concrete structure due to the core melt without needing significant modification of the design of the reactor containment vessel or the limitation of applicable configurations of the reactor containment vessel or adding special facilities in a pedestal region. - 特許庁

室内を建築的方法で物理的に間仕切りしなくとも、入室者の立入りエリア(領域)を限られたエリアにのみ限定することが可能なシステムを提供することであり、又、立入り可能エリアを明確に管理できることで個別システム毎のセキュリティを確保することが可能なセキュリティシステム及びセキュリティ判定方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a security system and a security determining method, capable of securing security with every individual system, by clearly controlling an accessible area and a system limitable only to an area of limiting an entrance area of a room entering person, even if the inside of a room is not physically partitioned by a constructive method. - 特許庁

特にガラス板などを加工する機械のための板状部材を保持する吸引カップ部は、減圧源に接続される下部吸入ダクト(10)および上部吸入ダクト(11)にそれぞれ接続される領域限定する下部吸引カップ(3)および上部吸引カップ(4)を設けた吸引カップ本体(2)を備える。例文帳に追加

The suction cup part for holding a plate-like member for a machine machining in particular a glass plate or the like is provided with a lower suction duct (10) connected with an evacuating source, and a suction cup body (2) having a lower suction cup (3) limiting an area connected with an upper suction duct (11) and an upper suction cup (4). - 特許庁

ここに開示される半導体素子は活性領域限定する第1半導体パターンと、前記第1半導体パターン上に離隔されて配置された第2半導体パターンと、前記第2半導体パターンと離されて、これらの間の第1半導体パターン上に配置され絶縁されたゲート電極と、前記絶縁されたゲート電極及び前記第2半導体パターンの間の隙間を満たす応力発生パターンとを含む。例文帳に追加

The semiconductor device includes a first semiconductor pattern limiting active regions, a second semiconductor pattern isolated and disposed on the first semiconductor pattern, a gate electrode which is separated from the second semiconductor pattern and is disposed on the first semiconductor pattern therebetween and then insulated, and a stress generating pattern, filling the clearance between the insulated gate electrode and second semiconductor pattern. - 特許庁

例文

その側壁に形成されたコンタクトスペーサ64を含み、第3絶縁層パターン60aの外周面に接しながら前記第1絶縁層を貫通して前記第1絶縁層の下部領域を露出させるコンタクトホール66を限定するコンタクトパターンがそれぞれ配線の上に形成される。例文帳に追加

A contact pattern for defining a contact hole 66 including a contact spacer 64 formed at the sidewall of the contact pattern 62 and penetrating the first insulating layer and exposing a lower region of the first insulating layer while being in contact with the outer circumferential surface of a third insulating layer pattern 60a is formed on each wire. - 特許庁


例文

管状バレルの内壁と前記ストッバの係合面とのうちの少なくとも一つの部材の限定された領域に亘って潤滑剤が配設され、それによって、管状バレルの内壁面とストッパの係合面との間の摩擦の適切な低減を提供するのに十分な量の潤滑剤が利用できる。例文帳に追加

A lubricant is applied so as to extend in the limited area of at least one member of the inner wall of the barrel 12 and the engaging face of the stopper, thereby it is possible to use the lubricant of the amount sufficient to provide the proper reduction of friction between the inner wall surface of the barrel 12 and the engaging surface of the stopper. - 特許庁

商標登録出願人又は登録商標の権利者は,次のことをすることができる。商標の特定された要素の専用使用に対する権利を放棄すること,又は,登録により付与される権利が特定の領域的又はその他の限定を条件とされることに同意すること。又,商標の登録が上記の権利の放棄又は限定を条件とされる場合,第12条により付与される権利は,相応に制限される。例文帳に追加

An applicant for registration of a trade mark, or the proprietor of a registered trade mark, may disclaim any right to the exclusive use of any specified element of the trade mark; or agree that the rights conferred by the registration shall be subject to a specified territorial or other limitation, and where the registration of a trade mark is subject to such a disclaimer or limitation, the rights conferred by section 12 are restricted accordingly.  - 特許庁

アニリン又はアニリン誘導体及びニトロベンゼン又はニトロベンゼン誘導体を反応的接触に至らせること;及び強塩基、適する相間移動触媒、及び酸化剤の存在下,限定された領域の中で、適切な時間、圧力及び温度においてアニリン又はアニリン誘導体及びニトロベンゼン又はニトロベンゼン誘導体を反応させることによる4−アミノジフェニルアミン又はその置換された誘導体の製造法である。例文帳に追加

This invention provides a method for producing 4-aminodiphenylamine or a substituted derivative thereof by bringing aniline or an aniline derivative and nitrobenzene or a nitrobenzene derivative into reactive contact and reacting the aniline or the aniline derivative with the nitrobenzene or the nitrobenzene derivative in the presence of a strong base, a suitable phase transfer catalyst, and an oxidizing agent in a confined zone for a suitable time at suitable pressure and a suitable temperature. - 特許庁

例文

なお、この種の「官民の中間領域」に属するビジネス・サービスについて自治体が連携・協働先を選定する際、法人格などの形式要件(例えば、NPO法人に限定する、株式会社は認めない等)を設けているかについても聞いてみたところ、「法人格などの形式要件を設けている」及び「明文化された規定はないが一定の選考傾向がある」を合わせても、全分野にわたり、ほとんどの自治体で法人格などの形式要件にこだわる傾向は少ないことが明らかになった(第3-4-24図)。例文帳に追加

Local governments were additionally asked whether any formal requirements regarding, for example, corporate status (such as limiting selection to NPO corporations and disallowing joint-stock corporations) were imposed when selecting partners for collaboration and cooperation on business and services located in thisintermediate realm between the public and private sectors.” This revealed that even if those answeringformal requirements imposed (e.g., corporate status)” and “no express provisions, but tendency for organizations of certain types to be selected” are combined, almost all local governments tend not to be concerned about formal requirements such as corporate status (Fig. 3-4-24). - 経済産業省

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