「Bandgap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

CONTROL CIRCUIT FOR BANDGAP CIRCUIT例文帳に追加

バンドギャップ回路の制御回路 - 特許庁

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT例文帳に追加

バンドギャップ型基準電圧発生回路 - 特許庁

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

A bandgap on the first buffer layer 21 is larger than a bandgap on the first active layer 23, while a bandgap on the second buffer layer 31 is larger than a bandgap on the second active layer 33.例文帳に追加

第１のバッファ層２１のバンドギャップは、第１の活性層３３のバンドギャップよりも大きく、第２のバッファ層３１のバンドギャップは、第２の活性層３３のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

GATE DRIVE FOR WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体デバイス用ゲート駆動部 - 特許庁

BANDGAP POWER SUPPLY CIRCUIT, AND STARTUP METHOD THEREOF例文帳に追加

バンドギャップ電源回路およびその起動方法 - 特許庁

The circuit outputs the bandgap reference voltage.例文帳に追加

回路はバンドギャップ基準電圧を出力する。 - 特許庁

ELECTROMAGNETIC BANDGAP PATTERN, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SECURITY PRODUCT USING ELECTROMAGNETIC BANDGAP PATTERN例文帳に追加

電磁気バンドギャップパターン及びその製造方法、並びに電磁気バンドパターンを利用した保安製品 - 特許庁

Our group measured the bandgap of copper. 例文帳に追加

私たちのグループは銅のバンドギャップを測定した。 - Weblio英語基本例文集

TEMPERATURE-COMPENSATED BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT例文帳に追加

温度補償されたバンドギャップ電圧基準回路 - 特許庁

MULTIBAND ANTENNA ARRAY USING ELECTROMAGNETIC BANDGAP STRUCTURES例文帳に追加

電磁バンドギャップ構造を用いた多帯域アンテナアレイ - 特許庁

WIDE BANDGAP REVERSE BLOCK MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ワイドバンドギャップ逆阻止ＭＯＳ型半導体装置 - 特許庁

The barrier layer 26 has a wider bandgap than the bandgap of the conductor layer 24 which is adjacent to and under the barrier layer.例文帳に追加

バリア層２６は、隣接し下にある半導体層２４のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する。 - 特許庁

PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING ELECTROMAGNETIC BANDGAP STRUCTURE例文帳に追加

電磁気バンドギャップ構造物を備えた印刷回路基板 - 特許庁

Furthermore, the emission layer comprises a stabilizing material having an energy-bandgap greater than energy-bandgap of the emitting material.例文帳に追加

発光層は、発光材料のエネルギー・バンドギャップよりも大きなエネルギー・バンドギャップを有する安定化材料をさらに備える。 - 特許庁

To provide a bandgap reference circuit not having temperature dependence.例文帳に追加

温度依存性を持たないバンドギャップリファレンス回路を提供する。 - 特許庁

This bandgap reference circuit is provided with a bandgap circuit 10a for generating predetermined reference voltage VREF on the basis of a bandgap of a PN junction, and a startup circuit 20 for accelerating output stabilization of reference voltage VREF of the bandgap circuit 10a upon starting to feed power supply voltage.例文帳に追加

ＰＮ接合のバンドギャップに基づき所定の基準電圧ＶＲＥＦを生成するバンドギャップ回路１０ａと、電源電圧供給開始時にバンドギャップ回路１０ａの基準電圧ＶＲＥＦの出力安定化を加速するスタートアップ回路２０と、を備える。 - 特許庁

The bandgap of the co-doped MgZnO layer 3 is formed so as to be larger than the bandgap of the undoped ZnO layer 2 which is the smallest bandgap in the semiconductor layer other than the co-doped layer.例文帳に追加

共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 - 特許庁

The 3C polytype layer 12 has a lower bandgap than a 4H polytype region.例文帳に追加

３Ｃ構造層１２は、４Ｈ構造の部分よりもバンドギャップが低い。 - 特許庁

HIGH-κ CAPPED BLOCKING DIELECTRIC-BANDGAP ENGINEERED SONOS AND MONOS例文帳に追加

高κキャップ阻止誘電体‐バンドギャップ操作ＳＯＮＯＳ及びＭＯＮＯＳ - 特許庁

LIGHT REGULATING DEVICE AND PHOTONIC CRYSTAL DISPLAY USING BANDGAP CONTROL例文帳に追加

バンドギャップ調節を用いた光調節装置および光結晶ディスプレイ - 特許庁

To provide an electromagnetic bandgap structure and a printed circuit board that can solve a mixed signal problem between an analog circuit and a digital circuit, the electromagnetic bandgap structure having a small size and a low bandgap frequency.例文帳に追加

小さい大きさを有しながらも低いバンドギャップ周波数を有し、アナログ回路とデジタル回路との間の混合信号問題を解決するための電磁気バンドギャップ構造物及び印刷回路基板を提供すること。 - 特許庁

The reference voltage is made to be the voltage based on bandgap voltage VOUT.例文帳に追加

基準電圧をバンドギャップ電圧ＶＯＵＴに基づいた電圧とする。 - 特許庁

To provide a method for production of a photonic bandgap optical fiber capable of reducing the loss of the optical fiber and of suppressing the wavelength variation of a bandgap edge.例文帳に追加

光ファイバの損失を低減すると共にバンドギャップエッジの波長の変化を抑制することができるフォトニックバンドギャップ光ファイバの製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the occupied area of a bandgap reference circuit having a start-up function.例文帳に追加

スタートアップ機能付きのバンドギャップレファレンス回路の占有面積を低減する。 - 特許庁

The bandgap circuit includes a current mirror 132 that generates a current proportional to absolute temperature at an output node 170 outputting a bandgap reference voltage.例文帳に追加

バンドギャップ回路は、バンドギャップ基準電圧を出力する出力ノード(170)において絶対温度に比例する電流を生成するカレントミラー(132)を含む。 - 特許庁

In this case, the electrodes are formed so that the bandgap of the nitride-doped MgZnO layer 3 may be larger by ≥0.2 eV than the bandgap of the undoped ZnO layer 2.例文帳に追加

ここで、窒素ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップが、アンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも０．２ｅＶ以上大きくなるように形成されている。 - 特許庁

To identify a bandgap reference circuit that is not subject to process and temperature variations.例文帳に追加

プロセスおよび温度変動に左右されないバンドギャップ基準回路を特定する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor having a base layer with a narrow bandgap.例文帳に追加

バンドギャップの狭いベース層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic bandgap structure and a printed circuit board that solve a mixed signal problem between an analog circuit and a digital circuit, the electromagnetic bandgap structure having a low bandgap frequency although having a small size.例文帳に追加

電磁気バンドギャップ構造物が小さいサイズを有しながらも、低いバンドギャップ周波数を有する、アナログ回路とデジタル回路との間の混合信号問題を解決できる電磁気バンドギャップ構造物及び印刷回路基板を提供すること。 - 特許庁

This improves the power supply voltage variation rejection ratio of the bandgap reference voltage circuit.例文帳に追加

よって、バンドギャップ基準電圧回路の電源電圧変動除去比が良くなる。 - 特許庁

This bandgap reference circuit is constituted of a bandgap circuit 10 for generating a reference voltage, a start-up circuit 20 for accelerating the stabilization of the circuit 10 and a signal level conversion circuit 30.例文帳に追加

基準電圧を生成するバンドギャップ回路１０とバンドギャップ回路の安定化を早めるスタートアップ回路２０と信号レベル変換回路３０で構成する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic bandgap pattern capable of generating various security codes, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a security product using the electromagnetic bandgap pattern.例文帳に追加

多様な保安コードを生成することができる電磁気バンドギャップパターン及びその製造方法、並びに電磁気バンドギャップパターンを利用した保安製品を提供する。 - 特許庁

To provide a material exhibiting periodicity of micrometer scale, e.g. a photon bandgap material.例文帳に追加

ミクロンスケールの周期性を示す材料、たとえば光子バンドギャップ材料を提供する。 - 特許庁

ELECTROMAGNETIC BANDGAP STRUCTURE, PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING THIS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

電磁気バンドギャップ構造物と、これを備えた印刷回路基板及びその製造方法 - 特許庁

To provide wide bandgap semiconductor devices including normally-off VJFET integrated power switches.例文帳に追加

常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスの提供。 - 特許庁

A laminated antenna is provided with a circuit/antenna layer 10 for radiating signals as electromagnetic waves and a PBG (Photonic BandGap) structure substrate layer 20 having a photonic bandgap structure which is a grid shape and two-dimensional layout.例文帳に追加

信号を電磁波として放射する回路・アンテナ層１０と、格子状に２次元配列のフォトニックバンドギャップ構造としたＰＢＧ構造基板層２０とを備えていること。 - 特許庁

To reduce the current consumption of a bandgap circuit while maintaining a practically constant reference voltage to be output, in a control circuit for a bandgap circuit.例文帳に追加

本発明は、バンドギャップ回路の制御回路に関し、出力すべき基準電圧をある程度一定に維持しつつ、バンドギャップ回路の消費電流の低減を図ることを目的とする。 - 特許庁

It is possible to largely change the bandgap width with a small change in the lattice constant because the forbidden bandgap width bowing parameter of a ZnOSSe semiconductor is large, when the compositional ratio of oxygen, selenium, and oxygen in the ZnOSSe semiconductor is changed.例文帳に追加

ZnOSSe半導体は、酸素とセレンと硫黄の組成比を変化させると、禁制帯幅湾曲係数が大きいことから、少ない格子定数変化で大きく禁制帯幅が変化できる。 - 特許庁

A lossy electromagnetic bandgap structure (131) resides at the cap overlying an integrated circuit device.例文帳に追加

損失性の電磁バンドギャップ構造体（１３１）は、集積回路装置を覆うキャップに存在する。 - 特許庁

NORMALLY-OFF INTEGRATED JFET POWER SWITCHES IN WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS AND METHODS OF MAKING THE SAME例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体における常時オフ集積ＪＦＥＴ電源スイッチおよび作成方法 - 特許庁

To provide an electromagnetic bandgap structure for shielding the noise of a specific frequency band.例文帳に追加

特定周波数帯域のノイズを遮蔽するための電磁気バンドギャップ構造物を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a bandgap reference circuit 101, which is a reference voltage-generating circuit, and a power current-feeding circuit 201 connected to the output terminal of the bandgap reference circuit 101.例文帳に追加

半導体装置１００は、基準電圧発生回路であるバンドギャップ基準回路１０１と、バンドギャップ基準回路１０１の出力端子に接続された電源電流供給回路２０１とを有する。 - 特許庁

This provides a photonic crystal in which a photonic bandgap that does not depend upon polarization is large and the bandgap is not saturated or reduced even though the refractive index of a high refractive index part is increased.例文帳に追加

これにより、偏波無依存のフォトニックバンドギャップが大きく、かつ、高屈折率部分の屈折率を大きくしてもバンドギャップの飽和や減少が生じないフォトニック結晶を提供することが可能となる。 - 特許庁

To generate a bandgap voltage which does not depend on ambient temperature even when the source voltage is equal to about 1.35V or smaller.例文帳に追加

１．３５Ｖ程度以下の電源電圧でも、周囲温度に依存しないバンドギャップ電圧を生成する。 - 特許庁