「GALLIUM ARSENIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

vi. Focal plane arrays which use indium gallium arsenide 例文帳に追加

６　砒化インジウムガリウムを用いたもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

Arsenic or its compounds (excluding Arsine and Gallium arsenide) 例文帳に追加

砒素又はその化合物（アルシン及び砒化ガリウムを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

SCHOTTKY STRUCTURE OF GALLIUM ARSENIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体のショットキー構造 - 特許庁

HIGH VALUE RESISTOR IN GALLIUM ARSENIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ガリウム砒素半導体中の高抵抗体 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

砒化ガリウム単結晶の製造方法 - 特許庁

GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ガリウム砒素単結晶とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

砒化ガリウム単結晶の成長方法 - 特許庁

The semiconductor device comprises a gallium arsenide substrate 101.例文帳に追加

ガリウム砒素基板１０１を有する半導体装置である。 - 特許庁

Si-DOPED GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ添加砒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING GALLIUM ARSENIDE WAFER USING LASER例文帳に追加

ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法 - 特許庁

GALLIUM PHOSPHIDE-ARSENIDE MIXED CRYSTAL EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMI-INSULATIVE GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半絶縁性ガリウム砒素単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD OF THERMALLY TREATING GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

砒化ガリウム単結晶の熱処理方法 - 特許庁

GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶，及びその製造方法 - 特許庁

An indium arsenide (InAs)layer is placed on a gallium arsenide (GaAs) substrate, and an semiconductor layer is placed on the indium arsenide layer, which is larger than the gallium arsenide substrate and has a lattice constant smaller than the indium arsenide layer.例文帳に追加

ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上にインジウム砒素（ＩｎＡｓ）層を設け、インジウム砒素層上にガリウム砒素基板より大きくインジウム砒素層より小さい格子定数を有する半導体層設ける。 - 特許庁

ix. Quantum well focal plane arrays which use gallium arsenide or aluminum gallium arsenide with less than 256 elements 例文帳に追加

９　砒化ガリウム又は砒化アルミニウムガリウムを用いた量子井戸フォーカルプレーンアレーであって、素子の数が二五六未満のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide.例文帳に追加

また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate having a gallium arsenide layer.例文帳に追加

ガリウム砒素層を有する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

ETCHING METHOD FOR GALLIUM ARSENIDE LAYER AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＧａＡｓ層のエッチング方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁

GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND EPITAXIAL WAFER PRODUCED BY USING THE SAME例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶基板およびそれを用いたエピタキシャルウェハ - 特許庁

SILICON-DOPED GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL, ITS PRODUCTION AND DEVICE FOR THE SAME PRODUCTION例文帳に追加

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置 - 特許庁

The surface of the gallium arsenide inclines in a (0-1-1) direction to a gallium arsenide (100) surface or a surface crystallographically equivalent to the gallium arsenide (100) surface, or in a direction crystallographically equivalent to the gallium arsenide (100) surface at angles of 0.2° or more and 2.4° or below.例文帳に追加

ガリウム砒素の表面が、ガリウム砒素（１００）面又はこのガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な面に対して（０−１−１）方向、又はガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な方向に、０．２度以上２．４度以下の角度で傾斜している。 - 特許庁

GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL, ITS PRODUCTION AND APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶及びその製造方法並びにその製造装置 - 特許庁

To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost.例文帳に追加

ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。 - 特許庁

GALLIUM-INDIUM-NITRIDE-ARSENIDE BASED EPITAXIAL WAFER AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

窒化砒化ガリウムインジウム系エピタキシャルウェハ及びそれを用いた高電子移動度トランジスタ - 特許庁

To provide a semiconductor wafer polishing solution composition suited for polishing a gallium arsenide wafer.例文帳に追加

ヒ化ガリウムウェーハを研磨するのに好適な半導体ウェーハ研磨液組成物を提供する。 - 特許庁

The gallium arsenide substrate 101 is grown epitaxially by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

ガリウム砒素基板１０１が垂直ブリッジマン法によって結晶成長されたものである。 - 特許庁

METHOD OF TREATING SURFACE OF GALLIUM ARSENIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ガリウム砒素半導体の表面処理方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

A gate electrode 12 of transistor for high-frequency is formed on a GaAs (gallium arsenide) substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の上に、高周波用トランジスタのゲート電極１２が形成されている。 - 特許庁

Silicon carbide, gallium arsenide, gallium nitride, diamond, or their compound material are used as the semiconductor material.例文帳に追加

半導体材料としては、炭化珪素、ガリウム砒素、窒化ガリウム、ダイヤモンド、またはこれらを複合した材料を用いる。 - 特許庁

iii. Photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less.) 例文帳に追加

３　主材料にＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いたもの（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

iii. Photocathodes using a III-IV compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less) 例文帳に追加

３　主材料にＩＩＩ—ＩＶ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いた光電陰極（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

v) Among equipment which uses optical detectors having a direct field of vision, that which falls under any of the following (excluding medical equipment which do not have built-in photocathodes and which uses gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material 例文帳に追加

五　光検出器を用いた装置であって、直視型のもののうち、次のいずれかに該当するもの（医療用装置であって、主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極を組み込んでいないものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

Amplifying elements Q1 and Q2 are gallium arsenide field effect transistors or gallium arsenide high-electron-mobility transistors and constitute an input-stage amplifying circuit.例文帳に追加

増幅素子Ｑ１及びＱ２はガリウム砒素電界効果トランジスタ或いはガリウム砒素高電子移動度トランジスタであり、入力段増幅回路を構成する。 - 特許庁

The carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal is reduced by growing the the semi-insulative gallium arsenide single crystal under an inert gas atmosphere containing carbon monoxide or carbon dioxide.例文帳に追加

一酸化炭素若しく二酸化炭素を含んだ不活性ガス雰囲気中で半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度が減少する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method which makes the surface of a gallium arsenide semiconductor substrate insoluble or hardly soluble to etchant of gallium arsenide, and to provide a manufacturing method using it.例文帳に追加

ガリウム砒素半導体基板表面を、ガリウム砒素のエッチング液に対して不溶化あるいは難溶化させる表面処理方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for production of a gallium arsenide crystal in which cleavage fracture in the crystal can be prevented from occurring in the gallium arsenide crystal even when boron oxide is filled in a crucible.例文帳に追加

るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the tantalum film 7 is arranged between the gallium arsenide substrate 6 and the silicon carbide film 8, the silicon carbide film 8 is not contacted directly to the gallium arsenide substrate 6 and coated on the tantalum film 7.例文帳に追加

タンタル膜７は、ガリウム砒素基板６と炭化珪素膜８との間に配置されてため、炭化珪素膜８は、ガリウム砒素基板６に直接接することなく、タンタル膜７上に皮膜される。 - 特許庁

To provide a method of thermally treating a gallium arsenide single crystal, which is capable of obtaining a low-dislocation semi-insulating gallium arsenide single crystal wafer with few micro pits.例文帳に追加

微小ピットの少ない低転位半絶縁性砒化ガリウム単結晶ウェハを得ることのできる砒化ガリウム単結晶の熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

This production method comprises charging a presynthesized gallium arsenide material 4 and boron oxide 5 in a crucible 1, heating and melting the gallium arsenide material 4 in the crucible 1, and completing solidification of the melt of the material 4 in such a state that the amount of gallium in the melt is larger than that of arsenic to grow a carbon-added gallium arsenide crystal.例文帳に追加

るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

In the surface treatment method for a gallium arsenide semiconductor in the first invention, the surface of the gallium arsenic semiconductor is brought into contact with nitric or ammonium plasma, so as to form a gallium nitride layer on the surface.例文帳に追加

第１の発明のガリウム砒素半導体の表面処理方法は、ガリウム砒素半導体表面を、窒素あるいはアンモニアプラズマに接触させ、表面に窒化ガリウムの層を形成する。 - 特許庁

LONG-WAVELENGTH LASER DIODE BASED ON GALLIUM ARSENIDE WAFER EQUIPPED WITH METAMORPHIC BUFFER LAYER STRUCTURE例文帳に追加

メタモーフィック・バッファ層構造を備えたガリウムヒ化物ウェーハによる長波長レーザダイオード - 特許庁

GAIN IMPROVED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR USING THIN GALLIUM ARSENIDE ANTIMONY LAYER FOR BASE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

薄いガリウム砒素アンチモン層をベースに用いた利得向上型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

An optoelectronic semiconductor device 90 has an absorbing layer 108 made of gallium arsenide (GaAs) and having only one kind of doping.例文帳に追加

光電子半導体装置９０は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）で作られ、一種類のドーピングのみを有する吸収層１０８を有している。 - 特許庁