「GST」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR DETECTING GST-P AND/OR GGT POSITIVE CELL例文帳に追加

ＧＳＴ−Ｐおよび／またはＧＧＴ陽性細胞の検出方法 - 特許庁

ANTIMONY PRECURSOR FOR GST FILM IN ALD/CVD PROCESSES例文帳に追加

ＡＬＤ／ＣＶＤプロセスにおけるＧＳＴ膜のためのアンチモン前駆体 - 特許庁

To provide a gene-modified non-human mammal containing broken GST-Ω-1 gene, and to provide an animal cell.例文帳に追加

本発明は、破壊されたGST-Ω-1遺伝子を含む、遺伝子改変された非ヒト哺乳動物および動物細胞を提供することを課題とする。 - 特許庁

TELLURIUM PRECURSOR FOR GST FILM IN ALD OR CVD PROCESS例文帳に追加

ＡＬＤ又はＣＶＤプロセスにおけるＧＳＴ膜のためのテルル前駆体 - 特許庁

An MC interpolation generation part 6 produces an interpolation signal MCIP suitable to a slow motion or the up - down panning motions via the GST(general sampling theory) processing using a motion vector PV.例文帳に追加

ＭＣ補間生成部６は、動きベクトルPVを使用したGST(General Sampling Theory) 処理でゆっくりした動きや上下パンの動きに適した補間信号MCIPを生成する。 - 特許庁

This monoclonal antibody is capable of recognizing the secretory component of a secretory IgA which binds to a fusion protein (GST-SC fusion protein) of a glutathione transferase (GST) to the secretory component of the secretory IgA without binding to the GST.例文帳に追加

グルタチオントランスフェラーゼと分泌型ＩｇＡの分泌因子との融合タンパク（ＧＳＴ−ＳＣ融合タンパク）に結合するがグルタチオントランスフェラーゼ（ＧＳＴ）には結合しない分泌型ＩｇＡの分泌因子を認識する単クローン抗体。 - 特許庁

Phase change layers, such as GST, do not exist just under a contact electrode.例文帳に追加

また、コンタクト電極の直下には、ＧＳＴ等の相変化層が存在しない。 - 特許庁

To provide a method of forming a phase change layer using a germanium precursor which can be deposited at a low temperature, such that the deposition temperature of a GST layer can be decreased, when forming a GST layer by using CVD method.例文帳に追加

低温蒸着可能なゲルマニウム前駆体を用いた相変化層の形成方法及びその方法を用いた相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

COMBINATION CANCER THERAPY WITH GST-ACTIVATED ANTICANCER COMPOUND AND ANOTHER ANTICANCER THERAPY例文帳に追加

ＧＳＴ活性化された抗癌化合物と他の抗癌治療との併用癌治療 - 特許庁

Consequently, the interface film 7 can be patterned so as to contain the whole plane shape of the GST film 23 as the phase-change film and be made wider than the plane shape of the GST film 23.例文帳に追加

その結果、相変化膜であるＧＳＴ膜２３の平面形状全体を含み、かつＧＳＴ膜２３の平面形状より広くなるように界面膜７をパターニングすることができる。 - 特許庁

This method for treating IL-1 mediating and/or inflammation-mediating disorders in mammals contains a step for administering a substance for inhibiting the GST-Ω-1 activity.例文帳に追加

本発明はまた、GST-Ω-1活性を阻害する物質を投与する段階を含む、哺乳動物におけるIL-1媒介性および/または炎症媒介性の障害を治療する方法を提供する。 - 特許庁

To provide technology which carries out miniaturization of an electrode for passing current to GST to below exposure limit.例文帳に追加

ＧＳＴに電流を流すための電極を露光限界以下に微細化する技術の提供。 - 特許庁

When there is an abnormality detecting request of the adding valve and the catalyst bed temperature Tc is higher than a reference value T1, whether or not an NOx storage quantity Gst of an NOx catalyst is smaller than a reference value Gst2 is discriminated (Step 114).例文帳に追加

添加弁の異常検出要求が有り、触媒床温Tcが基準値T1よりも高い場合には、ＮＯｘ触媒のＮＯｘ吸蔵量Gstが基準値Gst2よりも小さいか否かを判別する（ステップ１１４）。 - 特許庁

This invention discloses a glutathione S-transferase(GST) bonded peptide and a method for producing the same as a drug metabolizing enzyme.例文帳に追加

薬物代謝酵素としてのグルタチオンＳ−トランスフェラーゼ（ＧＳＴ）結合ペプチドおよびその製造方法である。 - 特許庁

When human or animal body ingests the seleniferous composition, the living body naturally produces enzymes such as superoxide dismutase (SOD), glutathione peroxidase (GPx) and glutathione-S-transferase (GST) for decomposing active oxygen to positively prevent and treat cancer.例文帳に追加

このセレン含有組成物を摂取すると、癌の原因物質とされる活性酸素を分解する酵素：スーパーオキサイドジスムターゼ（SOD）、グルタチオンペルオキシダーゼ（GPx）及びグルタチオン−Ｓ−トランスフェラーゼ（GST）を体内で生成し、癌を確実に予防及び治療できる。 - 特許庁

Select transistors SST, GST are provided between the bit line BL and the source line SL of the NAND cell.例文帳に追加

ＮＡＮＤセルのビット線ＢＬとソース線ＳＬの間にはそれぞれ選択トランジスタＳＳＴ，ＧＳＴが設けられている。 - 特許庁

A diode formed at the ZnO/GST interface exhibits both rectification capability and storage capability within the PCM architecture.例文帳に追加

ＺｎＯ／ＧＳＴ界面に形成されるダイオードは、ＰＣＭアーキテクチャ内で、整流能力と記憶能力の両方を示す。 - 特許庁

GERMANIUM PRECURSOR, GST THIN FILM FORMED BY UTILIZING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE THIN FILM AND PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたＧＳＴ薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子 - 特許庁

A memory cell 10 includes a programmable resistance element GST, is connected through a bit line BL0, and constitutes the memory cell string 11a.例文帳に追加

メモリセル１０は、プログラム可能な抵抗素子ＧＳＴを含み、ビット線ＢＬ０で接続され、メモリセル列１１ａを構成する。 - 特許庁

The signal storage part can be constituted having a thin film transistor array including GST or a thin film transistor array using CIS.例文帳に追加

また、信号保存部は、ＧＳＴを含む薄膜トランジスタアレイ、あるいはＣＩＳを利用した薄膜トランジスタアレイを備えて構成できる。 - 特許庁

A NAND cell of this non-volatile semiconductor memory is constituted of memory cells MC0-MC31 and selection transistors SST, GST connected with each other in series.例文帳に追加

ＮＡＮＤセルは、複数個直列接続されたメモリセルＭＣ０〜ＭＣ３１と選択トランジスタＳＳＴ，ＧＳＴにより構成される。 - 特許庁

To provide a fusion protein of a human T-lymphotropic virus (HTLV) and a glutathione-S-transferase (GST) or a thioredoxin (Thio).例文帳に追加

ヒトＴリンパ球向性ウイルス（ＨＴＬＶ）とグルタチオンＳ−トランスフェラーゼ（ＧＳＴ）またはチオレドキシンとの融合蛋白質を提供する。 - 特許庁

To provide new processes for forming amorphous GST, GeTe, and other films in an amorphous manner, but with a relatively high deposition rate.例文帳に追加

ＧＳＴ、ＧｅＴｅ、及び他の膜を非晶質の形態で、ただし比較的高い蒸着速度で形成する新規な方法を提供すること。 - 特許庁

Both a heater electrode 111 and lead-out electrode layers 113a and 114a are brought into contact with the bottom of a phase change layer 115 consisting of GST.例文帳に追加

ヒータ電極（１１１）ならびに引き出し電極層（１１３ａ，１１４ａ）は共に、ＧＳＴからなる相変化層（１１５）の底面に接触する。 - 特許庁

The photo film transistor is able to have a high photoconductivity using the amorphous GST film containing chalcogenide element as a photoconductive layer.例文帳に追加

これにより、カルコゲナイド系元素を含む非晶質状態のＧＳＴ膜を光伝導層として用いて、非常に高い光伝導性を有することができる。 - 特許庁

In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24.例文帳に追加

相変化メモリ素子Ｍ１を得るための異方性エッチングガス３３はＧＳＴ膜２３及び上部電極２４よりも界面膜７に対するエッチングレートが低い条件で行われる。 - 特許庁

A phase change film 20 constituted of GST to be a chalcogenide compound based phase change material is provided on the thin insulating film 19, and an upper electrode 21 is provided thereon.例文帳に追加

この薄膜絶縁膜１９上には、カルコゲナイド化合物系の相変化材料であるＧＳＴで構成された相変化膜２０が配設され、その上には上部電極２１が配設されている。 - 特許庁

The phase change material layer is formed of antimony and a zinc alloy by which the device stably operates at high speed as compared with a conventional GST memory device, and the phase change memory device of the low power consumption type can be manufactured.例文帳に追加

これにより、従来のＧＳＴメモリ素子に比べて高速で安定的に動作し、且つ低消費電力型である相変化形メモリ素子を製作することができる。 - 特許庁

Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium, tellurium and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films.例文帳に追加

ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン前駆体は、ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン含有膜、例えば、ＧｅＴｅ、ＧＳＴ、及び熱電ゲルマニウム含有膜を形成するために、有用に使用される。 - 特許庁

The oligonucleotide contains a base sequence among those represented by the following sequences: CAGCTCCGKS AGST, ACCTGACKSA GST or YCCVTNVYNT MSCTGCCY.例文帳に追加

前記オリゴヌクレオチドは、 配列：ＣＡＧＣＴＣＣＧＫＳ ＡＧＳＴ 配列：ＡＣＣＴＧＡＣＫＳＡ ＧＳＴ、又は 配列：ＹＣＣＶＴＮＶＹＮＴ ＭＳＣＴＧＣＣＹ で表される塩基配列を含む。 - 特許庁

In the chemical mechanical polishing method of a substrate containing, as the initial components, water, abrasive grains, a material selected from ethylene diamine tetraacetic acid and its salt, and germanium-antimony-tellurium chalcogenide phase change alloy (GST) using a chemical mechanical polishing composition substantially composed of an oxidizer, the chemical mechanical polishing composition facilitates low defect and high GST removal rate.例文帳に追加

初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 - 特許庁

To develop and obtain a peptide based GST-π inhibitor easily decom posed in vivo, almost free from side effects because the decomposition products are natural amino acids while the conventional GST-π inhibitor is an exogenous Xenobiotics for living bodies and presumed to cause a certain side effect when administered to living bodies.例文帳に追加

従来のＧＳＴ−π阻害剤は生体にとって所詮は外来性の化学物質（Ｘｅｎｏｂｉｏｔｉｃｓ）であり、生体に投与した場合、なんらかの副作用が予想されるが、本発明の目的は、生体内で容易に分解され、分解物は天然のアミノ酸そのものであるので、副作用が殆ど無いと考えられるペプチド性のＧＳＴ−πの阻害剤を開発し、提供する事にある。 - 特許庁

An antigen fragment of the HTLV, the fusion protein of the fragment and the GST or the Thio, and a method for producing the fusion protein are provided, respectively.例文帳に追加

ヒトＴリンパ球向性ウイルス（ｈｕｍａｎ Ｔ−ｌｙｍｐｈｏｔｒｏｐｉｃ ｖｉｒｕｓ：ＨＴＬＶ）の抗原断片、その断片とグルタチオン−Ｓ−トランスフェラーゼ（ＧＳＴ）またはチオレドキシン（Ｔｈｉｏ）との融合蛋白質、およびその融合蛋白質を作製するための方法を提供する。 - 特許庁

When a pressure sensor 66 and a stroke sensor 68 are normal, a last target deceleration Gt is calculated as a weight sum of a target deceleration Gpt based on master cylinder pressure Pm and a target deceleration Gst based on a step-in stroke St (S20 to 600, S130), based on the last target deceleration Gt, a brake force is controlled (S140, 150).例文帳に追加

圧力センサ６６及びストロークセンサ６８の正常時にはマスタシリンダ圧力Ｐmに基づく目標減速度Ｇpt及び踏み込みストロークＳtに基づく目標減速度Ｇstの重み和として最終目標減速度Ｇtが演算され（Ｓ２０〜６００、Ｓ１３０）、最終目標減速度Ｇtに基づき制動力が制御される（Ｓ１４０、１５０）。 - 特許庁

Disclosed are Geobacillus T1 strain having a heat-resistant T1 lipase gene and its isolation method; a transformant expressing a heat-resistant T1 lipase and its preparation method wherein the lipase contains or does not contain a signal peptide, or is fused or not fused with GST (glutathione S-transferase) tag; and a method for producing the heat-resistant T1 lipase using the bacterial strain or the transformant.例文帳に追加

耐熱性Ｔ１リパーゼ遺伝子を有するジオバチルス属Ｔ１株およびその単離方法、シグナルペプチドを含むもしくは含まない、またはＧＳＴタグが融合されたもしくはされていない耐熱性Ｔ１リパーゼを発現する形質転換体およびその作製方法、および、同菌株または形質転換体を用いて耐熱性Ｔ１リパーゼを産生する方法。 - 特許庁

In one embodiment, the compositions are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.例文帳に追加

一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。 - 特許庁