「In-memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING MULTI-LEVEL CELLS IN MEMORY ARRAY AND MOS MEMORY CELL例文帳に追加

メモリアレイにおけるマルチレベルのセルを形成する方法及びＭＯＳメモリセル - 特許庁

MEMORY REDUCTION METHOD OF DRIVER FOR COLOR FLAT PANEL DISPLAY WITH BUILT-IN MEMORY, AND CIRCUIT例文帳に追加

メモリ内蔵カラーフラットパネルディスプレイ用ドライバのメモリ削減手法、及び回路 - 特許庁

A row memory block group includes memory blocks arrayed in a horizontal direction.例文帳に追加

ロウメモリブロック群は、横方向に配列されたメモリブロックにより構成される。 - 特許庁

To achieve high integration of memory cells and capacitance increase in the memory cell capacitor.例文帳に追加

メモリセルの高集積化およびメモリセルのキャパシタの容量増大を図る。 - 特許庁

The memory cell unit is constituted by connecting a plurality of the memory cells in series.例文帳に追加

メモリセルユニットは、メモリセルが複数個直列に接続されて構成される。 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD IN MEMORY CELL UTILIZING THREE LATCHES, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

３個のラッチを利用するメモリセル・プログラミング方法及び半導体メモリ装置 - 特許庁

The twin MONOS cell stores memory in two nitride memory cell elements.例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳセルは、２つの窒化膜メモリセル要素の中にメモリを蓄積する。 - 特許庁

To eliminate a semiconductor memory having a memory cell which may be deteriorated in future.例文帳に追加

将来劣化するメモリセルを有する半導体メモリをテストで取り除く。 - 特許庁

DATA READ METHOD IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ装置におけるデータ読み出し方法及び半導体メモリ装置 - 特許庁

METHOD FOR WRITING DATA IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置へのデータの書込み方法及び半導体記憶装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE IN WHICH REFRESH FLAG IS GENERATED AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM例文帳に追加

リフレッシュフラグを発生させる半導体メモリ装置及び半導体メモリシステム - 特許庁

MULTIPROCESSOR COMPUTER ARCHITECTURE INCORPORATING A PLURALITY OF MEMORY ALGORITHM PROCESSORS IN MEMORY SUBSYSTEM例文帳に追加

メモリサブシステムに複数のメモリアルゴリズムプロセッサを組込むマルチプロセッサコンピュータアーキテクチャ - 特許庁

The TSR program remains in memory until the user unloads the program from memory. 例文帳に追加

常駐プログラムはユーザーがメモリーからどけるまでメモリー内に留まっている - 研究社 英和コンピューター用語辞典

The term physical memory is only used in contrast to virtual memory. 例文帳に追加

物理記憶という用語は仮想記憶との対比においてのみ用いられる. - コンピューター用語辞典

A column memory block group includes memory blocks arrayed in a vertical direction.例文帳に追加

コラムメモリブロック群は、縦方向に配列されたメモリブロックにより構成される。 - 特許庁

The memory cell array 2 is provided with a plurality of memory cells arrayed in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ２は、行列状に配列された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁

To perform effectively an operation test of a memory chip in a semiconductor device of a MCP (memory chip package) in which a logic chip and a memory chip arte mounted in a common package.例文帳に追加

ロジックチップとメモリチップとを共通のパッケージに搭載したMCPの半導体装置において，メモリチップの動作試験を有効に行う。 - 特許庁

The memory runner 7 is held in the position when the memory lock 9 is fitted in a hole 8 of a memory rail 3 even in the state that the first spring 33 is separated from the memory runner 7.例文帳に追加

第１スプリング（３３）がメモリーランナー（７）と離反してもメモリーロック（９）がメモリーレール（３）の孔（８）に係合しているときは、同位置にメモリーランナー（７）は保持される。 - 特許庁

If image data not stored in the memory card exists in the image data stored in the internal memory, the corresponding image data is copied from the internal memory to the memory card.例文帳に追加

内蔵メモリに記憶された画像データのうち、メモリカードに記憶されていない画像データが存在すると、該当する画像データが内蔵メモリからメモリカードにコピーされる。 - 特許庁

In the present invention which provides the memory and the operation method, memory banks of the memory are divided into a plurality of memory groups, and each memory group has an independent driving electric power for providing an operating voltage to the corresponding memory bank out of the memory groups.例文帳に追加

この発明は、メモリーのメモリーバンクを複数のメモリーグループに分け、そのうち、各メモリーグループがメモリーグループ中の対応するメモリーバンクに対して操作電圧を提供するための独立した駆動電力を有する。 - 特許庁

In the test operation, the operation for storing data read out from the determination memory cells in the memory cells and then reading out the storage data from the memory cells to write them in the deciding memory cells, is performed for all memory cells.例文帳に追加

試験動作時に、判定用メモリセルから読み出されたデータをメモリセルに記憶させた後で該記憶データをメモリセルから読みして判定用メモリセルに書き込む動作が、全てのメモリセルに対して行われる。 - 特許庁

In the illustrative array of the thermally supported magnetic memory structure, each magnetic memory structure is provided with memory cells (350), writing conductors (310) which are in contact with the memory cells (350), and heating systems (360) which are in contact with the memory cells (350).例文帳に追加

熱支援型磁気メモリ構造の例示的なアレイにおいて、磁気メモリ構造の各々は、メモリセル(350)、メモリセル(350)と接触する書込み導体(310)、及び、メモリセル(350)と接触する加熱システム(360)を備える。 - 特許庁

In a memory cell array, memory cells in which a ferroelectric capacitor and a selection transistor are connected in series are arranged.例文帳に追加

メモリセルアレイは、誘電体キャパシタと選択トランジスタを直列接続してなるメモリセルを配列してなる。 - 特許庁

In a backup mode, memory dials stored in a portable telephone set 20 are read and written in a flash memory.例文帳に追加

バックアップモードでは、携帯電話機２０に記憶されたメモリダイヤルを読み出してフラッシュメモリに書き込む。 - 特許庁

And two dummy memory cells are arranged at a physical position in the on-chip-memory in which timing of reading data is later than a memory cell in which timing of reading data is the latest out of memory cells included in the on-chip-memory.例文帳に追加

そして、２つのダミーメモリセルは、オンチップメモリに含まれるメモリセルのうちで、データをリードするタイミングが最も遅いメモリセルよりも、さらにデータをリードするタイミングが遅くなるオンチップメモリ内の物理位置に配置されている。 - 特許庁

When a memory cell A of (n) row (m) column of the main memory is assumed to be a defective cell, data to be written in this memory cell A is previously written in a memory cell A of the (m) column of a spare memory.例文帳に追加

主メモリのｎ行、ｍ列のメモリセルＡが不良であるとすると、このメモリセルＡに書いておくべきデ−タを予備メモリのｍ列のメモリセルＡに予め書いておく。 - 特許庁

To provide a relieving method for a memory module in which a defective memory cell can be relieved without replacing a volatile memory decided as defective in an electrical test of a memory module and a memory module.例文帳に追加

メモリモジュールの電気的試験で不良と判定された揮発性メモリを交換することなく、不良メモリセルの救済が可能なメモリモジュールの救済方法及びメモリモジュールを提供する。 - 特許庁

FLASH MEMORY AND METHOD FOR REWRITING DATA IN THE SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ及びそのデータ書き換え方法 - 特許庁

DATA STRUCTURE FOR STORING DATA IN COMPUTER MEMORY例文帳に追加

コンピュータ・メモリにデータを記憶するデータ構造 - 特許庁

A writing circuit writes data in a memory cell.例文帳に追加

書き込み回路は、メモリセルにデータを書き込む。 - 特許庁

DATA MEMORY COMPRESSION IN EVENT TYPE TEST SYSTEM例文帳に追加

イベント型テストシステムにおけるデータメモリ圧縮 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT INTEGRATED IN LDI例文帳に追加

ＬＤＩに集積される不揮発性メモリ素子 - 特許庁

MEMORY BUILT-IN SYSTEM AND ITS WRITE PROTECT METHOD例文帳に追加

メモリ組込みシステムとそのライトプロテクト方法 - 特許庁

MULTI-FREQUENCY SERVO BURSTER IN MAGNETIC DISC MEMORY SYSTEM例文帳に追加

磁気ディスクメモリーシステムの多周波数サーボバースト - 特許庁

METHOD OF FORMING CONTACT IN FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリデバイスにおける接点形成方法 - 特許庁

Playing basketball in high school is a great memory, isn't it? 例文帳に追加

高校の時にバスケしたのが懐かしいね。 - Weblio Email例文集

MEMORY ACCESS METHOD IN INFORMATION PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

情報処理装置におけるメモリアクセス方法 - 特許庁

When vacancy is generated in a primary storage, a memory page with a high possibility of a memory request is determined from memory page stored in a secondary memory, and swap-in processing is executed in advance.例文帳に追加

一次記憶に空きが生じた際に、二次記憶に格納されたメモリページから、メモリ要求が発生する可能性が高いメモリページを決定し、先行してスワップイン処理を実行する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE HAVING DATA SECURITY IN PROCESSOR例文帳に追加

プロセッサ中のデータセキュリティを有するメモリ装置 - 特許庁

VIRTUALIZATION OF PHYSICAL MEMORY IN VIRTUAL MACHINE SYSTEM例文帳に追加

バーチャルマシーンシステムの物理的メモリのバーチャル化 - 特許庁

To increase the speed of a semiconductor memory in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体メモリの速度を向上させる。 - 特許庁

To enable data to be written in or erased out from a monoelectronic memory device with a low voltage, by a method wherein the monoelectroic memory device can be kept in a bistable state where it can be kept stable both in a memory state and in a non-memory state.例文帳に追加

単電子メモリ素子において、メモリ状態と非メモリ状態とを双安定に存在できるようにして小さな電圧でメモリの書込及び消去を可能にする。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PROTECTING MEMORY IN VIRTUAL SPACE例文帳に追加

仮想空間のメモリ保護方法及び装置 - 特許庁

IN-NON CACHE AREA HIGH SPEED MEMORY ACCESS METHOD例文帳に追加

ノンキャッシュ領域内高速メモリアクセス方法 - 特許庁

It is preferable that the built-in memory (2) includes a first built-in memory corresponding to data of first data bus width and a second built-in memory to be operated independently of the first built-in memory.例文帳に追加

ここで、その内蔵メモリ（２）は、第１データバス幅のデータに対応した第１内蔵メモリと、その第１内蔵メモリと独立に動作する第２内蔵メモリとを含むことが好ましい。 - 特許庁