「Insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate insulating film 12 is formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２を形成する。 - 特許庁

A discharge electrode 14a is disposed on the insulating substrate 12.例文帳に追加

放電電極１４ａは、絶縁基板１２に設けられている。 - 特許庁

A first insulating film 11 is formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に第１の絶縁膜１１が形成されている。 - 特許庁

A first film of an insulating material is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、絶縁材料からなる第１の膜を形成する。 - 特許庁

In this method, an insulating layer GI is formed on the surface of a semiconductor substrate S.例文帳に追加

半導体基板Sの表面に、絶縁層GIを形成する。 - 特許庁

An insulating film 14 is formed on an upper surface of the substrate 12.例文帳に追加

基板１２の上面には絶縁膜１４が形成される。 - 特許庁

A base insulating layer 2 is formed on the metal substrate 1.例文帳に追加

金属基板１上には、ベース絶縁層２が形成されている。 - 特許庁

WIRING CIRCUIT SUBSTRATE INCLUDING POLYIMIDE INSULATING FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ポリイミド絶縁膜を含む配線回路基板とその製造方法 - 特許庁

An interlayer insulating film 22 is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に層間絶縁膜(22)が形成されている。 - 特許庁

Lastly, the support substrate 11 is peeled from the insulating layer 1.例文帳に追加

最後に、絶縁層１から支持基板１１が引き剥がされる。 - 特許庁

INSULATING FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

絶縁膜形成方法、半導体装置、および基板処理装置 - 特許庁

A first insulating film is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に第１の絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

FORMING METHOD OF SHALLOW TRENCH INSULATING STRUCTURE TO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板に浅いトレンチ絶縁構造を形成する方法 - 特許庁

A thermally insulating layer (15) is formed between the substrate (11) and the pattern (12).例文帳に追加

上記基板（11）とパターン（12）との間に熱絶縁層（15）を設ける。 - 特許庁

Specially, the reinforcing member is thicker than the insulating substrate.例文帳に追加

特に、補強部材は絶縁基板よりも厚い厚さを有する。 - 特許庁

A gate insulating film 5 is formed on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上にゲート絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

ELECTROSTATIC CHUCK AND INSULATING SUBSTRATE ELECTROSTATIC ATTRACTION TREATMENT METHOD例文帳に追加

静電チャック及び絶縁性基板静電吸着処理方法 - 特許庁

SELECTIVE INSULATING METHOD AND MOUNTING SUBSTRATE PROVIDED WITH THROUGH VIA例文帳に追加

選択的絶縁方法及び貫通ビアを備えた実装基板 - 特許庁

The substrate may include a substrate body 11 and an insulating layer 13 formed on the substrate body 11.例文帳に追加

基板は基板本体１１と、基板本体１１上に形成した絶縁層１３を含むこととしてもよい。 - 特許庁

A semiconductor substrate 100 cotains a semiconductor substrate and an inter-layer insulating film formed on the substrate.例文帳に追加

半導体基板１００は半導体基板及び半導体基板上に形成された層間絶縁膜を含む。 - 特許庁

A first base insulating film, a second base insulating film, a semiconductor layer, and a gate insulating film are formed in this order from below over a substrate.例文帳に追加

基板上に下から第１の下地絶縁膜、第２の下地絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A first insulating material is deposited on a substrate 202 and a second insulating material 232 having a sacrificial portion is deposited over the first insulating material.例文帳に追加

基板２０２上に第１の絶縁材が堆積され、この上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材２３２が堆積される。 - 特許庁

The thickness of the insulating films 12A, 12B differ each other and the thickness of the insulating film 12B is the thinnest gate insulating film on the substrate 10.例文帳に追加

絶縁膜１２Ａ，１２Ｂは、厚さが異なり、絶縁膜１２Ｂは基板１０上で最も薄いゲート絶縁膜である。 - 特許庁

In the case a transparent insulating substrate 1 formed on a glass substrate 100 and a transparent insulating substrate formed on another glass substrate are stuck together, a region in an interlayer insulating film 33(16) formed on the glass substrate 100 other than that corresponding to the transparent insulating substrate 1 is removed by etching beforehand.例文帳に追加

ガラス基板１００上に形成された透明絶縁性基板１と他のガラス基板上に形成された透明絶縁性基板２２とを張り合わせる際、予めガラス基板１００に形成された層間絶縁膜３３（１６）における、透明絶縁性基板１以外の領域をエッチング除去しておく。 - 特許庁

First and second insulating substrates 21a, 21b are pasted to produce an insulating substrate 21 and an island 24a is formed on the surface of the first insulating substrate 21a while internal electrodes 24b, 24c are formed on the surface of the second insulating substrate 21b.例文帳に追加

第１と第２の絶縁基板２１ａ、２１ｂを貼着して絶縁基板２１とし、第１の絶縁基板２１ａの表面にアイランド部２４ａを、第２の絶縁基板２４ｂの表面に内部電極２４ｂ、２４ｃを形成する。 - 特許庁

A thin film transistor substrate is composed of an insulating substrate 11 as a glass substrate and a conductive film 12 formed inside along with an outer edge on one surface of the insulating substrate 11.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板は、ガラス基板である絶縁性基板１１と、絶縁性基板１１の一方の面上で外縁に沿って内側に形成された導電膜１２とで構成される。 - 特許庁

Metallization layers 27 and 28 are formed on the outer surfaces of the lower insulating substrate 21 and the upper insulating substrate 22, respectively, and the through holes 29 are provided in the metallization layers 27 and 28 corresponding to the lower insulating substrate 21 and the upper insulating substrate 22, respectively.例文帳に追加

また、下側絶縁基板２１と上側絶縁基板２２のそれぞれの外側の面にメタライズ層２７，２８を形成するとともに、下側絶縁基板２１と上側絶縁基板２２とそれに対応するメタライズ層２７，２８とに貫通孔２９を設けた。 - 特許庁

An insulating substrate 1 on which a conductor layer 51 is formed, an insulating substrate 2 on which a ring-like magnetic body 4 sintered separately and its inner insulating substrate 5 are arranged, and an insulating substrate 3 on which a conductor layer 53 is formed are hot pressed and integrated.例文帳に追加

導体層５１が形成された絶縁基材１、別途焼結されたリング状磁性体４とその内側の絶縁基材５が配置された絶縁基材２、そして導体層５３が形成された絶縁基材３を、加熱下でプレス加工して一体化させる。 - 特許庁

Gas is let free from the slit parts 44 even if gas occurs from within the insulating substrate 22 by adding pressure to the insulating substrate 22 at the time of clamping the screws 35 and adding heat to the insulating substrate 22 at the time of soldering, and the land 42 is prevented from being peeled from the insulating substrate 22.例文帳に追加

ねじ35の締め付け時に圧力が絶縁基板22に加わるとともにはんだ付け時に熱が絶縁基板22に加わることにより絶縁基板22内からガスが発生しても、ガスをスリット部44から逃し、ランド42が絶縁基板22から剥離するのを防止する。 - 特許庁

In the laminate circuit board, a heat conductive member 2 formed with a material with higher heat conductivity than an insulating material constituting an insulating substrate 15 is disposed in the insulating substrate 15.例文帳に追加

絶縁基板１５を構成する絶縁材料よりも熱伝導率の高い材料で形成された熱伝導材２が、絶縁基板１５の内部に配置されている。 - 特許庁

The insulating heat-radiating substrate 1 is provided with the insulating film 3 formed on the one principal surface side of the heat conducting substrate 2, and the junction layer 4 on the opposite side of the insulating film 3 with respect to the heat conducting substrate 2.例文帳に追加

絶縁放熱基板１は、熱伝導基板２の一方側の主面に絶縁膜３が設けられ、この絶縁膜３の熱伝導基板２とは反対側に、接合層４が設けられる。 - 特許庁

Insulating substrate 16, 17 are arranged in parallel with a prescribed space, a flow path 15 for exhaust gas is formed between each insulating substrate 16, 17, also coating of a catalyst is applied to a surface of each insulating substrate 16, 17.例文帳に追加

絶縁基板１６，１７を所定間隔で平行に配置し、各絶縁基板１６，１７間に排ガスの流路１５を形成すると共に、各絶縁基板１６，１７の表面に触媒をコーティングする。 - 特許庁

Multiple disk-shaped coils, each having a disk-shaped insulating substrate 1, a conductor pattern 2 placed on the insulating substrate 1, and through-holes 7 for lamination formed in the insulating substrate 1, are laminated.例文帳に追加

円板形の絶縁基板１と、絶縁基板１に配置された導体パターン２と、絶縁基板１に穿孔された積層用スルーホール７とを備えたディスク型コイルが複数枚積層されている。 - 特許庁

To materialize various connection forms by using an insulating substrate of a single type, thereby enhancing the production efficiency of the insulating substrate and a semiconductor light-emitting device manufactured by using this insulating substrate.例文帳に追加

単一の種類の絶縁基板を用いて種々の接続形態を実現することにより、絶縁基板およびこの絶縁基板を用いて製造される半導体発光装置の生産効率を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating substrate 1 having wiring 11, and a semiconductor element 2 which is mounted on the insulating substrate 1 and has an electrode 21 on the surface of side of the insulating substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、配線１１を有する絶縁性基板１と、絶縁性基板１上に実装され、かつ絶縁性基板１側の面に電極２１を有する半導体素子２とを備える。 - 特許庁

The array substrate 10 contains an insulating substrate 12, a plurality of wires 14 formed on the surface of the insulating substrate 12, first insulating films 16 which are formed so that parts between the mutual wires 14 are filled with the films 16 at the surface of the insulating substrate 12, and a second insulating film 18 which is formed on the surfaces of the wires 14 and the first insulating films 16.例文帳に追加

本発明のアレイ基板１０は、絶縁基板１２と、絶縁基板１２の表面に形成された複数の配線１４と、絶縁基板１２の表面において、配線１４同士の間に充填されるようにして形成された第１絶縁膜１６と、配線１４と第１絶縁膜１６の表面に形成された第２絶縁膜１８と、を含む。 - 特許庁

To form a resistor having a high resistance on a semi-insulating substrate.例文帳に追加

半絶縁性基板上の高抵抗の抵抗体を形成する。 - 特許庁

The substrate 17 is formed of an insulating ceramic material.例文帳に追加

基板１７は絶縁性のセラミックス材料により形成されている。 - 特許庁

The substrate 3 is an insulating member where the hollow core coil 2 is arranged.例文帳に追加

基板３は、空芯コイル２が配設された絶縁性の部材である。 - 特許庁

TEMPERATURE SENSING ELEMENT ON INSULATING SUBSTRATE EQUIPPED WITH HEATING RESISTOR例文帳に追加

発熱抵抗体を備えた絶縁基板における温度検出素子 - 特許庁

An insulating region 18 is provided on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０には、絶縁領域１８が設けられている。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SHALLOW TRENCH INSULATING STRUCTURE AND SUBSTRATE PLANARIZATION METHOD例文帳に追加

浅簿トレンチ絶縁構造の製造方法及び基板プレ—ナ化方法 - 特許庁

An interlayer insulating film is formed on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面上に層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR ON INSULATING SUBSTRATE AND INTEGRATED CIRCUIT THEREFOR例文帳に追加

絶縁性基板上の電界効果トランジスタおよびその集積回路 - 特許庁

An adhesive layer 22 is applied to an insulating substrate 21 and a coated copper wire 23 is laid on an insulating substrate sheet while being buried therein thus making a sheet coil.例文帳に追加

絶縁基材２１の上に接着層２２を施し、被覆銅線２３を絶縁基材シート上に布線埋設してシートコイル作る。 - 特許庁