「Insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(192ページ目) - Weblio英語例文検索

The circuit board in which a plurality of wiring patterns 13 are arranged on one main surface of an insulating substrate 11 and the one main surface includes an electrode formation region 10 which turns to an electronic component installation electrode by arranging conductive adhesive agent, is characterized by including a flow prevention projection 12 of the conductive adhesive agent arranged at a part of ambients at least of an electrode formation region 10.例文帳に追加

絶縁性基板１１の一方の主面に複数の配線パターン１３が配置された回路基板であって、上記一方の主面が、導電性接着剤が配置されることにより電子部品設置用電極となる電極形成領域１０を含み、電極形成領域１０の周囲の少なくとも一部に配置された前記導電性接着剤の流れ防止突起１２を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A cathode-ray tube comprises an electron gun, and a resistor 16 that divides a high voltage applied to one electron gun electrode by a resistance layer formed on an insulating substrate and feed a medium voltage lower than the high voltage to at least one electrode other than the electrode with applied high voltage, a resistance layer of a resistor being formed from at least 2 kinds of conductive particles having different grain diameter.例文帳に追加

電子銃8 と、絶縁基板に形成された抵抗層により電子銃の電極の１つに印加される高電圧を抵抗分割してその高電圧よりも低い中位の電圧を高電圧の印加される電極以外の少なくとも１つの電極に供給する抵抗器16を有る陰極線管において、抵抗器の抵抗層を粒子径の異なる２種類以上の導電粒子で構成した。 - 特許庁

In the manufacturing process of a piezoelectric actuator 16A where a lower electrode film 30, a piezoelectric film 32, and an upper electrode film 34 sequentially overlie a substrate 22 having an insulating layer 26 on the surface, a plurality of upper electrode films are led out individually to the surface different from the surface where the upper electrode film is arranged and then interconnected as a common electrode.例文帳に追加

表面に絶縁層２６が形成された基板２２上に下部電極膜３０、圧電体膜３２、及び上部電極膜３４が順次積層された圧電アクチュエータ１６Ａの製造方法であって、複数の上部電極膜を上部電極膜が配置される面とは異なる面にそれぞれ個別に引き出してから互いに接続して共通電極とする圧電アクチュエータの製造方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor layer formed on a semiconductor substrate 11 with an insulating film 12 interposed therebetween and having a ridge structure portion made partially thick, an optical waveguide composed of a lengthwise partial region of the ridge structure portion and having a light path along the length, and a transistor portion constituted using the other lengthwise partial region of the ridge structure portion on the path of the optical waveguide.例文帳に追加

半導体基板１１上に絶縁膜１２を介して形成され、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分を有する半導体層と、リッジ構造部分の長手方向の一部の領域によって構成され、その長手方向が光の経路とされた光導波路と、光導波路の経路上においてリッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて構成されたトランジスタ部とを備える。 - 特許庁

The thermal transfer image accepting sheet is characterized in that a heat insulating layer containing at least a water-soluble polymer and a foamed hollow polymer and an accepting layer containing a polymer latex which consists of a copolymer including a repeated unit obtained from vinyl chloride and the average particle diameter is less than 1.0 μm are sequentially laminated at least one side of a sheetlike substrate constituted mainly of cellulose pulp.例文帳に追加

セルロースパルプを主成分とするシート状支持体の少なくとも片面上に、少なくとも水溶性ポリマーと既発泡中空ポリマーとを含有する断熱層、および塩化ビニルから得られる繰り返し単位を含む共重合体からなるポリマーラテックスであって該ポリマーラテックスの平均粒子径が１．０μｍ未満であるポリマーラテックスを含有する受容層が順次積層された感熱転写受像シート。 - 特許庁

On the element substrate 10 of the electrooptical device 1, an insulating layer of a nonlinear element 43 is a first anodic oxide film 46 formed in an aqueous electrolyte which is a solution of citric acid, and the dielectric layer of the hold capacitor 9a is a second anodic oxide film 49 formed in an organic electrolyte prepared by dissolving salicylate in a mixed solvent of ethylene glycol and water and low in dielectric constant.例文帳に追加

電気光学装置１の素子基板１０において、非線形素子４３の絶縁層は、クエン酸の水溶液からなる水系電解液中で形成した第１の陽極酸化膜４６であり、保持容量９ａの誘電体層は、サリチル酸塩をエチレングリコール−水との混合溶媒に溶解させた有機系電解液中で形成した第２の陽極酸化膜４９であり、誘電率が低い。 - 特許庁

The invention relates to the method of manufacturing the device for measuring conductivity of a liquid, in particular ultrapure water, of the kind comprising two conductivity measurement electrodes suitable for defining a cell constant enabling the measurement of the conductivity of the ultrapure liquid, characterized in that it consists of producing each of the electrodes by forming an electrode pattern from electrically conductive material on a substrate of insulating material.例文帳に追加

本発明は、液体、特に超純水の導電率を測定するための装置の製造方法であって、超高純度の液体の導電率の測定を可能にするセル定数を定めるために適した２つの導電率測定電極を備え、絶縁材料の基板上に導電性材料からの電極パターンを形成することによって、各電極を製造することを含むことを特徴とする方法に関する。 - 特許庁

The MOS field-effect transistor includes a device isolating region disposed on a predetermined portion of the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain region spaced apart from each other about a channel region within the active region, a gate electrode formed on the active region between the source region and the drain region, and a gate insulating layer formed between the active region and the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定する素子分離領域を含み、活性領域内でチャンネル領域を介在してソース領域及びドレイン領域が互いに離隔されて形成されており、ソース領域とドレイン領域間の活性領域上にゲート電極が形成されており、活性領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されているトランジスタ。 - 特許庁

To provide a resistor in which one, two, or more pairs of electrodes partially constituting lands are arranged on one surface of an insulating substrate, resistance bodies are arranged between the paired electrodes so that the resistance bodies may come into contact with electrode areas except the lands, and conductive projections which are external terminals are arranged in the land areas and, in addition, which can excellently maintain temperature characteristics.例文帳に追加

絶縁基板の一方の面に、１又は２以上の対となる電極を有し、当該電極の一部がランドを構成し、当該ランド以外の電極領域に抵抗体が接触するように、前記対となる電極間に当該抵抗体が配置され、前記ランド領域に外部端子である導電性突起が配置される抵抗器において、温度特性を良好に維持できる抵抗器を提供する。 - 特許庁

The display device includes: a silicone oxide film 13 and a silicon nitride film 14 that become base films formed on an insulating substrate 11; a polycrystalline silicon electrode 18 formed on the base film; a gate insulator 16 formed on the polycrystalline silicon electrode 18; and a gate metal electrode 17 formed at a position opposite to the polycrystalline silicon electrode 18 on the gate insulator 16.例文帳に追加

本発明にかかる表示装置は、絶縁基板１１上に形成された下地膜となるシリコン酸化膜１３及びシリコン窒化膜１４と、この下地膜上に形成された多結晶シリコン電極１８と、多結晶シリコン電極１８上に形成されたゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６上に多結晶シリコン電極１８と対向する位置に形成されたゲートメタル電極１７とを有している。 - 特許庁

Wiring of a semiconductor device is formed by forming a thin film 5 of Al or Al alloy (hereinafter, Al base metal) by sputtering on the surface of an insulating film 2 comprising a recess 3 formed on a substrate, and then applying high-temperature and high-pressure process so that the Al base metal is packed in the recess.例文帳に追加

基板上に形成された凹部３を有する絶縁膜２の表面に、ＡｌまたはＡｌ合金（以下「Ａｌ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ａｌ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。 - 特許庁

To provide a midpoint adjusting system of a torque sensor and its midpoint adjusting method, dispensing with adjustment by a volume resistance, capable of reducing man-hours for adjustment and improving uniformly adjustment accuracy regardless of proficiency of an operator or the like, dispensing with loading of the volume resistance on an insulating substrate, and having advantageous loadability and cost, when adjusting an offset voltage of the torque sensor as a midpoint output voltage.例文帳に追加

トルクセンサのオフセット電圧を中点出力電圧として調整する際、ボリューム抵抗による調節を不要にし、調整工数を減らし、作業者の熟練度などに関係なく、調整精度が一様に向上し、ボリューム抵抗を絶縁基板に搭載する必要がなくなり、搭載性やコスト的に有利なトルクセンサの中点調整システムおよびその中点調整方法を提供する。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

Related to the method for conditioning the capacity of a capacitor constituted by forming a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode over an insulating substrate in this order, the dielectric film comprises an oxide, and a protective film consisting of a material transmitting a laser is further formed on the upper electrode, and the laser is irradiated from upper side of the protective film toward the upper electrode, to partially oxidize the upper electrode.例文帳に追加

絶縁基板上に下部電極、誘電体膜及び上部電極が順に形成されたコンデンサの容量を調節する方法において、誘電体膜が酸化物からなり、上部電極の上に更にレーザを透過する材料からなる保護膜を形成し、その保護膜の上方から上部電極に向かって前記レーザを照射することにより、上部電極を部分的に酸化させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition having high sensitivity to UV to blue-violet laser light, excellent adhesiveness to a substrate, no residue or precipitation of a photopolymerization initiator in a photosensitive coating liquid or a photosensitive layer, and excellent electric characteristics such as insulating property, and causing no problem of environmental load upon discarding, and to provide an image forming material, an image forming member and an image forming method using the composition.例文帳に追加

紫外から青紫色レーザー光に対して高感度であると共に、基板に対する密着性に優れ、感光性塗布液中又は感光性層における光重合開始剤の残留・析出がなく、絶縁性等の電気特性に優れ、廃棄における環境負荷の問題もない感光性組成物、並びにそれを用いた画像形成材料、画像形成材、及び画像形成方法を提供する - 特許庁

In the printed wiring board (TAB tape 1) wherein a plurality of wiring regions 3 forming a wiring pattern are disconnected and disposed at intervals mutually on one continuous rectangular insulating substrate 2, a reliability test circuit 5 which is disconnected to a wiring pattern inside the wiring region 3 is provided along a plurality of wiring region 3 in a void region outside the wiring region 3.例文帳に追加

１つの連続した矩形状の絶縁性基板２上に、配線パターンを形成してなる配線領域３が互いに間隔を置いて非接続に複数配置されたプリント配線板（ＴＡＢテープ１）であって、その配線領域３の外側の空き領域に、配線領域３内の配線パターンとは非接続な信頼性試験回路５を、複数の配線領域３に亘って沿うように設けた。 - 特許庁

Each pixel 20 has: the pixel electrode 160 and the common electrode 140 which are provided on one substrate of a pair of substrates and layered via the insulating film; an alignment layer disposed on an liquid crystal layer side of the pixel electrode 160 and the common electrode 140; and a circuit capacitance connected to a liquid crystal capacitance via the liquid crystal layer between the pixel electrode 160 and the common electrode 140.例文帳に追加

各画素２０は、一対の基板の一方の基板に設けられ、絶縁膜を介して積層された画素電極１６０と共通電極１４０と、画素電極１６０および共通電極１４０よりも液晶層側に配置された配向膜と、画素電極１６０と共通電極１４０との間の液晶層を介した液晶容量に接続された回路容量と、を有している。 - 特許庁

The circuit substrate includes a wiring pattern 11, an electrical insulating layer 12 comprising a hat-conductive mixture containing inorganic filler of 70 to 95 wt.% and a thermosetting resin of 5 to 30 wt.%, and a heat sink 13, and is fixed to an external heat dissipation member.例文帳に追加

配線パターン11、無機質フィラー70-95重量％と熱硬化性樹脂を5-30重量％含む熱伝導混合物からなる電気絶縁層12、および放熱板13を含み、外部放熱部材に固定されて使用される回路基板であって、前記外部放熱部材に対する前記回路基板のそりが基板長さに対して1/500以下であり、温度が上昇するに従って前記回路基板のそりが前記放熱板側に凸になる方向に変化する。 - 特許庁

The light receiving circuit has a structure provided with a photodiode 1 which is formed on an insulating substrate and is formed of a thin film, transfer TFT 2 transferring charge induced in the photodiode in accordance with optical input, a charge storage capacitor 3 for storing transferred charge, and reading TFT 4 for transferring charge stored in the charge storage capacitor to a charge reading signal line 7.例文帳に追加

開示される受光回路は、絶縁性基板上に形成された薄膜からなるフォトダイオード１と、光入力に応じてフォトダイオードに誘起された電荷を転送する転送用ＴＦＴ２と、転送された電荷を蓄積する電荷蓄積用コンデンサ３と、電荷蓄積用コンデンサに蓄積された電荷を電荷読み出し用信号線７に転送する読み出し用ＴＦＴ４とを備えた構成を有している。 - 特許庁

The heat insulating packaging film successively laminated with at least the infrared ray reflective layer consisting of the metal foil and the protective layer consisting of the infrared ray permeable plastic film on one face of a substrate on the other face of which a sealant layer is provided, is characterized by that the adhesive layer sticking together the infrared ray reflective layer and the protective layer is formed in a pattern-like shape.例文帳に追加

片面にシーラント層を設けた基材のもう一方の面上に、少なくとも金属箔からなる赤外線反射層と、赤外線透過性プラスチックフィルムからなる保護層とを順次積層した断熱性包装フィルムであって、前記赤外線反射層と保護層とを互いに接着させる接着剤層がパターン状に形成されていることを特徴とする断熱性包装フィルムである。 - 特許庁

In a superconducting member electrically connected between a power supply source and the power demand side and melted by an overcurrent larger than rated to cut off the current, the superconducting member is provided on an insulating substrate 33 having a fixed thickness and electrical insulation properties, and made up of a superconducting thin film 34 melted by an overcurrent flowing therethrough.例文帳に追加

電力供給源と電力需要側との間を超電導部材により電気的に接続して定格以上の過電流によりこの超電導部材が溶断して電流を遮断するものにおいて、前記超電導部材は、所定の厚さを有し、かつ、電気的な絶縁性を有する絶縁基板３３上に設けられると共に、前記過電流が流れることにより溶断される超電導薄膜３４により構成されている。 - 特許庁

This electron emission device includes: electron emission parts formed on a substrate; at least one driving electrode for controlling emission of electrons emitted from the electron emission parts; the focusing electrode for focusing the electrons emitted from the electron emission parts and having an opening through which the electrons pass; and an insulating layer located between the at least one driving electrode and the focusing electrode.例文帳に追加

電子放出素子は，基板上に形成される電子放出部と，電子放出部の電子放出を制御する少なくとも一つの駆動電極と，電子ビーム通過のための開口部を備え，電子放出部から放出された電子を集束させるための集束電極と，少なくとも一つの駆動電極と集束電極との間に位置する絶縁層とを含み，集束電極は，数式１および２の条件の少なくとも一つを満足する。 - 特許庁

The thin film transistor 1 mounted on a substrate 10 includes a source electrode 20a and drain electrode 20b separately disposed each other, an organic semiconductor layer 30 disposed between the source electrode 20a and drain electrode 20b, a gate insulating layer 40 disposed between the organic semiconductor layer 30 and gate electrode 50.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂ間に介在する有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０とを有する構造をしており、さらに基板１０上に搭載されており、ゲート絶縁層４０は、金属イオンを補足し得るイオン捕捉物質４１を含有している。 - 特許庁

This device is characterized in that one of both-side electrode terminals disposed on the opposed both edges on the transparent substrate surface is connected to the line side electrode and the other of the both-side electrode terminals is connected to the row side electrode by the wire on the insulating film.例文帳に追加

本発明に係る有機ＥＬディスプレイ素子は、行側の電極と、有機ＥＬ膜と、列側の電極と、絶縁膜とが透明な基板上に積層された有機ＥＬディスプレイ素子であって、該透明な基板面上の対向する両縁にそれぞれ配置された両側の電極端子の一方と前記行側の電極とが接続され、該両側の電極端子の他方と前記列側の電極とは前記絶縁膜上の配線で接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device has gate electrodes 13 formed on an n-type active region including a semiconductor substrate 10 with gate insulating films 12 interposed, p-type source-drain regions 20 formed in regions of both sides of the gate electrodes 13 in the active region, and n-type pocket regions 18 formed from side faces of the respective p-type source-drain regions 20 in the active region toward below the gate electrodes 13 respectively.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０からなるｎ型の活性領域の上に、ゲート絶縁膜１２を介在させて形成されたゲート電極１３と、活性領域におけるゲート電極１３の両側方の領域に形成されたｐ型ソースドレイン領域２０と、活性領域における各ｐ型ソースドレイン領域２０の側面からそれぞれゲート電極１３の下側に向かって形成されたｎ型ポケット領域１８とを有している。 - 特許庁

To provide a cover-lay film with a white resin insulating film which obtains at least one or more effects including no process contamination, no occurrence of sticking during hot pressing, rich flexibility, high whiteness and reflectance, excellent solder heat resistance, organic solvent resistance, and flame retardancy, reduced warpage of a substrate after being cured, and reduced reflectance-hue change after high temperature heat history or irradiation and a printed wiring board.例文帳に追加

本発明の課題は、工程汚染がない、熱プレス時に貼りつきが発生しない、柔軟性に富む、白色度および反射率が高い、ハンダ耐熱性、耐有機溶剤性、難燃性に優れる、硬化後の基板の反りが小さい、高温熱履歴又は光照射後の反射率・色相変化が少ないなどの少なくとも１以上の効果を奏する白色樹脂絶縁膜付きカバーレイフィルム及びプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

The thin film solar cell includes a transparent conductive film 2, at least one photoelectric conversion unit 3 formed of a semiconductor film and performing a photoelectric conversion, and a back electrode layer 6 sequentially formed on a translucent insulating substrate 1, wherein the photoelectric conversion unit 3 includes the photoelectric conversion layer 32 arranged between two conductivity layers 31, 33 having different conductivities, and at least one layer 33 of the conductivity layers 31, 33 has a cavity.例文帳に追加

透光性絶縁基板１上に順次形成された透明導電膜２と、半導体膜からなり光電変換を行う少なくとも一つの光電変換ユニット３と、裏面電極層６と、を備え、前記光電変換ユニット３は、異なる導電型を有する２つの導電型層３１、３３間に光電変換層３２が配置されてなり、前記導電型層３１、３３のうち少なくとも一つの層３３が空洞を有する。 - 特許庁

The method for processing a semiconductor substrate includes a first processing step for polishing the metal layer on a barrier layer, a second processing step for oxidizing the metal layer left on the insulating layer by supplying an oxidizing processing liquid after the first processing step, and a third processing step for polishing the oxidized metal layer with a chemical/mechanical water system dispersing element after the second processing step.例文帳に追加

本発明の半導体基板の処理方法は、バリア層上の金属層を研磨する第１の処理工程と、前記第１の処理工程後において、前記絶縁層の上に残留する金属層を、酸化性の処理液を供給することにより酸化させる第２の処理工程と、前記第２の処理工程後において、酸化処理された金属層を、化学機械研磨用水系分散体を用いて研磨する第３の処理工程と、を含む。 - 特許庁

To enhance photoelectric conversion efficiency and reliability by making an electrolyte layer thin and uniform, enhancing conversion efficiency and reliability, and further, by enlarging a volume of electrolyte, since a thickness of the electrolyte layer hitherto decided by gaps between two substrates is decided by a thickness of a permeating layer retaining electrolyte solution independent of the gaps, by integrally laminating each layer on a sheet of insulating first substrate.例文帳に追加

１枚の絶縁性の第１の基板上に各層を一体的に積層することにより、従来２枚の基板間の隙間で決定されていた電解質層の厚みが、その隙間に依存せずに電解質の溶液を保持した浸透層の厚みで決まるので、電解質層を薄くかつ均一化して、変換効率及び信頼性を高め、さらに電解質の体積を大きくするによって、光電変換効率及び信頼性を高めること。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a stage where a source electrode 20 and a drain electrode 30 separated by a specified distance are formed on an insulating substrate 10, a stage where a metal layer 40 of several nm thickness is formed between them, and a stage where a specified voltage is applied to them so that moving of metal atom/ion of the metal layer 40 forms a quantum point between them.例文帳に追加

絶縁基板１０上に所定間隔で離隔されたソース電極２０とドレイン電極３０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０との間に数ｎｍ厚さの金属層４０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０に所定電圧を印加して金属層４０の金属原子／イオンの移動によりソース電極２０とドレイン電極３０との間に量子点を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The optical device includes a photoelectric conversion unit formed on a substrate and having a plurality of series-connected photoelectric conversion elements, and two or more pads for electrically connecting the photoelectric conversion unit to an external circuit, wherein an insulating region is provided between photoelectric conversion elements connected to arbitrary first and second pads, electrically connected to each other, among the two or more pads.例文帳に追加

基板上に形成され、直列に接続された複数の光電変換素子を有する光電変換部と、光電変換部と外部回路とを電気的に接続する２つ以上のパッドとを備える光デバイスにおいて、２つ以上のパッドのうち、互いに電気的に接続されている任意の第１のパッド及び第２のパッドの間に接続された光電変換素子光電変換素子間の各々の間に絶縁領域を設置する。 - 特許庁

The invention comprises nano wire comprising a semiconductor core formed on a substrate, first coating surrounding a part of the semiconductor core, and second coating surrounding the first coating, a first electrode formed on the second coating of the nano wire, an insulating film being formed on the first electrode and having a contact hole exposing the part of the semiconductor core, and second and third electrodes connected with the nano wire via the contact hole.例文帳に追加

基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有する。 - 特許庁

An EL substrate 300 comprises a base material 301 having transparency, a plurality of organic EL elements which have individual electrodes 303 and organic EL layers 313, respectively and have in common common electrodes 303 opposed to the individual electrodes 303 interposing the organic EL layers 313, an electrically insulating sealing layer 360 covering the organic EL elements, and connection terminals 340 provided opposed to the individual electrodes 303 interposing the sealing layer 360.例文帳に追加

ＥＬ基板３００は、透明性を有する基材３０１と、個別電極３０３と有機ＥＬ層３１３とを各々有すると共に、有機ＥＬ層３１３を挟んで個別電極３０３と対向する共通電極３２３を共通に有する複数の有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を覆う電気絶縁性の封止層３６０と、封止層３６０を挟んで個別電極３０３と対向して設けられた接続端子３４０とを備える。 - 特許庁

To facilitate checking of the quality of packaging by soldering wherein a recess is filled with a metal body in such a way that the side surface of the metal body becomes practically in the same plane as the side surface of an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板２の上面に合成樹脂のトランスファ成形又は射出形成によるモールド体１３を，当該モールド体における側面１３ａ，１３ｂが前記絶縁基板の側面２ａ，２ｂと同一平面又は略同一平面になるように設ける一方，前記絶縁基板における側面に凹所７，８を設け，この凹所の内面に，端子電極９，１０を形成して成る面実装型電子部品において，半田付け実装の良否の確認が容易にできる。 - 特許庁

A second copper foil pattern which becomes a collector potential of a first IGBT, a third copper foil pattern which becomes an emitter potential of the first IGBT and a collector potential of a second IGBT, and a fourth copper foil pattern which becomes an emitter potential of the second IGBT are arranged on the insulating substrate so as to surround the first copper foil pattern from three directions or four directions.例文帳に追加

双方向スイッチ素子を搭載する第１の銅はくパターンを絶縁基板上の概ね中央部に配置し、このパターンを３方又は４方から囲むように、第１のＩＧＢＴのコレクタ電位となる第２の銅はくパターンと、第１のＩＧＢＴのエミッタ電位と第２のＩＧＢＴのコレクタ電位となる第３の銅はくパターンと、前記第２のＩＧＢＴのエミッタ電位となる第４の銅はくパターンとを前記絶縁基板上に配置する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator which has stable characteristics and an excellent total yield by horizontally holding a piezoelectric element plate by a simple method, and eliminating variation in characteristics such as main vibration frequency caused when the piezoelectric element plate comes into contact with the insulating substrate of the bottom of a piezoelectric vibrator container, or a lid as a piezoelectric vibrator which supports a piezoelectric element plate in a piezoelectric vibrator container in a cantilever state.例文帳に追加

圧電振動子を圧電振動子容器の内部に、圧電素板を片持ちの状態で支持し、気密封止した構成の圧電振動子において、簡単な方法で圧電素板を水平に保持し、圧電素板が、圧電振動子容器の底部の絶縁基板や蓋に接触することを原因とする主振動周波数の変化などの特性の変化を無くし、安定した特性をもった、総合歩留まりの良好な圧電振動子を提供する。 - 特許庁

A light emitting element has a substrate, a plurality of lower electrodes disposed in a stripe shape, a plurality of transparent counter electrodes disposed in a stripe shape, and a luminescent layer disposed between the lower electrode and the transparent counter electrodes, and the display device has an auxiliary electrode disposed on the transparent counter electrodes and a first insulating layer below the auxiliary electrode and between the transparent counter electrode and the lower electrode.例文帳に追加

基板と、ストライプ状に配置される複数の下部電極と、複数の下部電極に交差し、ストライプ状に配置される複数の透明対向電極と、下部電極及び前記透明対向電極との間に配置される発光層と、を有する発光素子であって、透明対向電極上に配置される補助電極と、補助電極の下であって、透明対向電極と下部電極との間に設けられる第一の絶縁層とを有する表示装置。 - 特許庁

This manufacturing method for the organic electroluminescent element comprises a step preparing a substrate provided with a first electrode, an organic film containing at least luminous layer and a second electrode and a step forming the insulating film formed by a reaction of a first radical generated by first gas passing a plasma generation area and a heating body and a second radical generated by second gas passing the heating body on the second electrode.例文帳に追加

第１電極、少なくとも発光層を含む有機膜、および第２電極が形成された基板を準備する段階と、第１ガスがプラズマ発生領域および加熱体を通過することによって形成された第１ラジカルと、第２ガスが加熱体を通過することによって形成された第２ラジカルとが反応して生成した絶縁膜が、前記第２電極上に形成される段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The polishing method of a semiconductor device continuously polishes using a single polishing solution a barrier metal film formed over the entire surface of a substrate, having recesses or an interlayer insulating film and a conductive film made of copper or a copper alloy, formed on the surface of the barrier metal film, such that the recessed parts are embedded.例文帳に追加

凹部を有する基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅又は銅合金からなる導体膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの研磨方法であって、上記研磨液が、下記一般式（Ｉ）で表わされるバリア金属膜研磨速度調整剤、アミノ酸、酸化剤および研磨粒子を含有することを特徴とする半導体デバイスの研磨方法。 - 特許庁

The photodetector incorporated semiconductor device having a photodetector and a signal processing circuit for the insulated and separated photodetector formed on the same semiconductor is constituted by laminating a 1st semiconductor layer having a 1st photodetector; an insulating layer which varies in reflection factor with the wavelength of light, transmits light, and has a specified film thickness; a 2nd photodetector; and the signal processing circuit in order on the semiconductor substrate.例文帳に追加

受光素子と該受光素子の信号処理回路とが同一半導体基板上に絶縁分離して形成された受光素子内蔵半導体装置において、第１の受光素子を備える第１の半導体層と、光の波長により反射率が変わり、かつ光透過性を有する所定の膜厚の絶縁層と、第２の受光素子及び信号処理回路を備える第２の半導体層とが、順に半導体基板上に積層して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A bare chip embedded printed circuit board characterized by including an insulating substrate in which a through hole is formed, a filler material with which the inside of the through hole is filled, a bare chip embedded in the filler material so that an electrode pad formed on one plane is exposed to the surface of the filler material, and an electrode bump attached to the surface of the electrode pad.例文帳に追加

本発明は、（Ａ）基板の内部にベアチップを電極パッドが露出されるように内蔵する段階と、（Ｂ）電極パッド表面に電極バンプを形成する段階とを含むベアチップ内蔵型印刷回路基板の製造方法は、既存のベアチップの状態で進行された再配線工程が印刷回路基板の一般製造工程中で可能となり工程の単純化及び低費用のベアチップ内蔵型印刷回路基板の量産体制を構築することができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing the Cu-based wiring of a semiconductor device formed by embedding a Cu-Ti alloy directly in a recessed part provided to an insulating film on a semiconductor substrate, the Cu-Ti alloy contains 0.5 to 3.0 atom% of Ti, and is formed by a sputtering method and heated under heating conditions when or after being buried in the recessed part.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。 - 特許庁

To provide a wiring board, on which electronic parts can be mounted at a high density and wires can be laid at high density by directly mounting a semiconductor chip on the board and high connection reliability can be maintained between conductor wiring and an insulating substrate, and a method for manufacturing the board.例文帳に追加

高密度に集積された半導体チップ等の電子部品を高密度に実装するための配線基板において、配線パターンの微細化に伴う配線導体幅の減少が配線導体と絶縁基板との接着強度の低下を招き、配線基板とベアチップの熱膨張係数の差異等によってベアチップを接合した配線導体が絶縁基板から剥離してしまうという課題を解決し、絶縁基板に対して強固な接着性を有する配線導体を備えた配線基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The voltage keeping capacitor comprises the common electrode (20) of capacitors formed on the substrate, a conductive film simultaneously formed with a gate insulating film (24) formed on the common electrode of the capacitor, a storage electrode (27', 33-1) of the capacitor, comprising the conductive film formed in the conductive film, and a transparent electrode formed on the storage electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、絶縁体からなる透明基板（１）上に複数のゲート配線及びデータ配線がマトリックス形態となっており、各配線の交差点にゲート、ソース、ドレイン電極に連結されている複数の画素電極（３３）と、画素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有する液晶表示装置において、電圧維持用コンデンサが、基板上に形成されたコンデンサの共通電極（２０）と、コンデンサの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜（２４）と同一に形成された導電膜と、導電膜に形成された導電体膜からなるコンデンサの貯蔵電極（２７’、３３−１）と、貯蔵電極上に形成された透明電極からなるものである。 - 特許庁

A manufacturing method of the electron emitting element comprises a process to prepare beforehand a substrate having an insulating or a semi-conductive layer, and a process to expose the layer in an atmosphere including a neutral radical containing hydrogen.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 - 特許庁