「Insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(191ページ目) - Weblio英語例文検索

In a process of manufacturing a part built-in substrate, a semiconductor part 1 is fixed to a metal plate 8a with an adhesive 9, further, interlayer insulating layers 4-1 to 4-3 and wiring layers 6-1 to 6-3 are sequentially laminated on the metal plate 8a and the semiconductor part 1 to form other wiring layers 8 with the metal plate 8a.例文帳に追加

部品内蔵基板を製造する工程において、金属板８ａに接着剤９を用いて半導体部品１を固定し、さらにその金属板８ａ及び半導体部品１の上に層間絶縁層４−１〜４−３及び配線層６−１〜６−３を順次積層させ、金属板８ａで他の配線層８を形成していくことを特徴としている。 - 特許庁

A photo-resolving catalyst for precipitating a catalyst only at a portion irradiated with light is applied to the surface of an insulating substrate, a plating resist which is decomposed and removed by exposure and development is applied on the photo-resolving catalyst, and a mask forming a predetermined pattern is placed on the plating resist and is subjected to exposure and development in this state to produce a predetermined metal wiring pattern.例文帳に追加

絶縁基板の表面に光照射部のみ触媒が析出する光解像性触媒を塗布し、光解像性触媒の上に露光・現像により分解・除去されるメッキレジストを塗布し、メッキレジストの上に所定のパターンに形成されたマスクを設置し、その状態で露光・現像を施すことにより所定の金属配線パターンを得るようにしたもの。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating film 21 provided on a semiconductor substrate 10 and having a trench 22, a Cu seed layer 26 provided along an inside surface of the trench 22, a Cu silicide layer 28 provided along a surface of the Cu seed layer 26, and a Cu wiring layer 30 provided on a surface of the Cu silicide layer 28 so as to be embedded in the trench 22.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１０上に設けられた、溝部２２を有する絶縁膜２１と、溝部２２の内面に沿って設けられたＣｕシード層２６と、Ｃｕシード層２６の表面に沿って設けられたＣｕシリサイド層２８と、溝部２２に埋め込まれるように、Ｃｕシリサイド層２８の表面上に設けられたＣｕ配線層３０と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

In a structure wherein a counter electrode having rectangular flat pattern and a comb-shaped transparent pixel electrode which are formed by using a transparent material are superposed on one substrate via an insulating film in one pixel region, a notch or a slit is incorporated in the counter electrode so that a source electrode of an opaque material transmitting potential from a thin film transistor to the transparent pixel electrode does not overlap with the counter electrode.例文帳に追加

１画素領域の一方の基板に透明材料で構成した平面パターンが矩形の対向電極と櫛歯状の透明の画素電極が絶縁膜を介して重なる構造において、薄膜トランジスタから透明の画素電極に電位を伝える不透明材料のソース電極が対向電極と重ならないように、対向電極に切り欠きあるいはスリットいれる。 - 特許庁

In the thin film capacitor element 10, since the substrate 1 has a plain surface almost perpendicular to the side end face 6a of the laminate 6 due to anisotropic etching during manufacturing, the insulating resin layer 5 covering a poorly covered part does not lie between the lower electrode 2 and the upper electrode film 41, but lies between the upper extraction electrode 40 and the upper electrode film 41 which are at the same potential.例文帳に追加

この薄膜キャパシタ素子１０は、製造時に異方性エッチングにより積層体６の側端面６ａを基板１と略直交する平坦面となしているので、カバレッジ不良部分を覆う絶縁樹脂層５が、下部電極２と上部電極膜４１との間に介在せず、同電位な上部引出し電極４０と上部電極膜４１との間に介在している。 - 特許庁

When an insulating layer 5 as the protecting film for the heating element 8 constituted of a heating resistance layer 3 and a wiring electrode 4 layered on an Si substrate 1 is formed by a dry film formation method such as CVD with the use of ceramic aluminum nitride which shows the crystal orientation dependency of a thermal conductivity, the thermal conductivity is made anisotropic by orienting and forming thin the film by an electronic shower method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に積層する発熱抵抗層３と配線電極４で構成される発熱素子８の保護膜としての絶縁層５を、熱伝導率の結晶方向依存性を示すセラミックス窒化アルミニウムを用いてＣＶＤ等の乾式成膜法で成膜する際に、電子シャワー法により配向薄膜化して熱伝導率に異方性をもたせる。 - 特許庁

To enable a substrate for semiconductor device provided with a capacitor as a by-pass capacitor to stabilize the power supply voltage supplied to a semiconductor element even when the operating frequency of the element is raised by making the inductance of the capacitor extremely small, by forming the capacitor during the course of laminating insulating layers upon another.例文帳に追加

本発明はバイパスコンデンサとしてのキャパシタ部を備えた半導体装置用基板に関し、キャパシタ部を絶縁層の積層する途中の過程で作り込むことによってインダクタンスを極く小さくして、半導体素子の動作周波数が高周波数化した場合にも半導体素子に供給する電源電圧の安定化を図ることができるようにすることを課題とする。 - 特許庁

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a transformer which not only inhibits the generation of a return wire of a high pressure output side but is easy in insurance of a sufficient insulating separation distance and embodiment of a circuit by it in relation with a printed circuit substrate, brings about an efficiency and considerable cost reduction which is improved rather than a conventional transformer and which can also miniaturize the size of a product which uses the transformer.例文帳に追加

高圧出力側のリターンワイアの発生を抑制するのみならず、印刷回路基板との関係で、充分な絶縁離隔距離の確保及びそれによる回路の具現が容易になり、従来のトランスよりも向上した効率及び相当な費用節減をもたらし、トランスを使用する製品の大きさも小型化することができるトランスを提供する。 - 特許庁

The display element is constituted by charging a medium which changes in optical anisotropy when applied with an electric field between a couple of transparent substrates, and has a signal electrode 14 and a counter electrode 15 for applying the electric field on a surface of one substrate which faces the medium, the signal electrode 14 and counter electrode 15 being put one over the other across an insulating layer are overlapped.例文帳に追加

透明な一対の基板間に、電界を印加することにより光学的異方性が変化する媒質が封入されている表示素子であって、上記基板の一方の媒質と接する表面に、上記電界を印加するための信号電極１４・対向電極１５を有しており、信号電極１４と対向電極１５とが絶縁層を介して重なっている。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17.例文帳に追加

強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板１０上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜１７と、導電性バリア膜１７の上に、下部電極１８、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜２０及び上部電極２１が順に形成されてなる容量素子２２とを備える。 - 特許庁

An electrostatic chuck 1410, for electrostatically sucking and holding a wafer, is composed of a substrate 1405, an electrode plate 1412, and an insulating layer 1404 overlapped, and generates a suction force between the wafer and the chuck by applying to an electrode plate of the electrostatic chuck a voltage linked to a voltage applied to the wafer, increasing or decreasing from 0 volt to a prescribed voltage with time.例文帳に追加

ウェハを静電的に吸着保持する静電チャック１４１０は、基板１４０５、電極１４１２板及び絶縁層１４０４を重ねて成り、ウェハの印加電圧が０ボルトから所定電圧まで時間とともに増大又は減少されるのに連動する電圧を静電チャックの電極板に印加することにより、ウェハとチャックの間に吸引力を発生する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a plurality of source diffusion layers 110 and a plurality of drain diffusion layers 111 (Fins) in the shape of rectangular parallelepiped which are formed on a substrate 100 consisting of silicon and arranged in parallel with a space therebetween, and a gate electrode 106 formed on the plurality of Fins while intersecting each Fin with a gate insulating film 105 therebetween.例文帳に追加

半導体装置は、シリコンからなる基板１００の上に形成され、それぞれ互いに間隔をおき且つ並列に配置された直方体状の複数のソース拡散層１１０及び複数のドレイン拡散層１１１（Ｆｉｎ部）と、複数のＦｉｎ部の上に、各Ｆｉｎ部と交差すると共にそれぞれゲート絶縁膜１０５を介在させて形成されたゲート電極１０６とを有している。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device includes a step of forming an amorphous semiconductor film 15 on an insulating substrate 1, a step of dehydrogenating the amorphous semiconductor film 15, a step of forming a protective layer 5 on the dehydrogenated amorphous semiconductor film 15, and a step of transforming the amorphous semiconductor film 15 into a polycrystal film via the protective layer 5.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、絶縁性基板１上に非晶質半導体膜１５を成膜する工程と、非晶質半導体膜１５を脱水素処理する工程と、脱水素処理された非晶質半導体膜１５に保護層５を形成する工程と、保護層５を介して非晶質半導体膜１５を多結晶化する工程とを備える。 - 特許庁

One substrate of the liquid crystal display has a common electrode, a pixel electrode P disposed on the common electrode via an insulating film and having a pattern of a stripe shape, an alignment layer disposed on the pixel electrode P and aligning a liquid crystal, and a means for applying voltage between the pixel electrode P and the common electrode to change an alignment state of the liquid crystal.例文帳に追加

液晶表示装置の片方の基板は、共通電極と、絶縁膜を介して共通電極の上に配されたストライプ状のパターンを有する画素電極Ｐと、画素電極Ｐの上に配され液晶を配向する配向層と、画素電極Ｐと共通電極との間に電圧を印加して液晶の配向状態を変化させる手段とを有する。 - 特許庁

In the stack-type semiconductor device where a plurality of devices are laminated on a frame substrate having a plurality of outer lead terminals, the plurality of devices are laminated in steps by an insulating adhesive for resin-sealing, an electrode formed in each device has an exposed, inclined surface, and the electrode is connected to the outer lead terminal along the inclined surface by a lead wire.例文帳に追加

複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層されたスタックタイプの半導体装置であって、該複数のデバイスは絶縁性接着剤で階段状に積層されて樹脂封止され、且つ各デバイスに形成された電極が露出した斜面を有しており、該電極と前記アウターリード端子とが斜面に沿ってリード線で接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A photoelectric converter comprises: a silicon substrate 1; a photoelectric converting element 5; an antireflection film 9 for preventing incident light from being reflected by a light receiving surface of the photoelectric converting element 5; an element isolation region 2 including an insulator for isolating the photoelectric converting element 5; an interlayer insulating film; multiple transistors; and conductive members electrically connected to active regions of the transistors.例文帳に追加

光電変換装置は、シリコン基板１に、光電変換素子部５と、光電変換素子５の受光面での入射光の反射を防止する反射防止膜９と、光電変換素子５を素子分離するための絶縁体を有する素子分離領域２と、層間絶縁膜と、複数のトランジスタと、トランジスタの活性領域に電気的に接続される導電性部材と、を有する。 - 特許庁

An empty cell group 5 is composed of a plurality of empty cells 5a on a 1st insulating substrate 1 is provided peripherally with a plurality of electrostatic protection patterns 7, wherein each of the patterns 7 comprises an electrostatic conduction portion 8 of constant width (w) and an electrostatic discharge portion 9 where the electrostatic conduction portion 8 is decreased in width at an angle toward an adjacent electrostatic protection pattern.例文帳に追加

第１の絶縁性基板１上における、複数の空セル５ａからなる空セル群５の周囲に複数の静電気保護パターン７を周設し、静電気保護パターン７は、一定の幅ｗをもった静電気導通部分８と、静電気導通部分８の幅を隣り合う静電気保護パターンに近づくにつれて角度をもたせて減少させた静電気放電部分９とからなる。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for a heterobipolar transistor, including a collector layer 3, a base layer 4, and an emitter layer 5 on a semi insulating InP substrate 1, hydrogen atoms contained into the base layer 4 are consumed and the activation rate of carbon impurity is improved by using an organic phosphorous compound, such as trimethylphosphate as the raw material for epitaxial growth of all or a part of the emitter layer 5.例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板１上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５を含むヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、エミッタ層５のすべてまたは一部のエピタキシャル成長の原料として、トリメチルリン等の有機リン化合物を用いることにより、ベース層４に取り込まれた水素原子を消費し、炭素不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a step of forming a silicon nitride film 352 in all of a recess 351, formed in an underlying region 350 in a main surface side of a semiconductor substrate, and a step of forming an insulating region in all of the recess 351, by oxidizing the silicon nitride film 352 to transform the silicon nitride film 352 into a silicon oxide film 353.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面側の下地領域 ３５０に形成された凹部３５１内全体にシリコン窒化膜３５２を形成する工程と、前記シリコン窒化膜３５２を酸化して該シリコン窒化膜３５２をシリコン酸化膜３５３に変換することにより、前記凹部内全体に絶縁領域を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The thin-film heater 10 has on a substrate 11 made of an insulator such as a quartz plate two couples of 1st thin-film resistance bodies 12a and 12c capable of forming a positive temperature gradient and 2nd thin-film resistance bodies 12b and 12d capable of a negative temperature gradient, and an insulating film 13 is formed on them.例文帳に追加

本発明の薄膜ヒータ１０は、石英板などの絶縁体により形成された基板１１上に、正の温度勾配が形成できる第１の薄膜抵抗体１２ａ，１２ｃと、負の温度勾配が形成できる第２の薄膜抵抗体１２ｂ，１２ｄとからなる２対の薄膜抵抗体膜が形成されており、これらの上に絶縁膜１３が形成されて構成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device has pixels with thin-film transistors arrayed on an insulating substrate 101, at least one of the gate electrode 114" and gate wire 114 of a thin-film transistor or/and the source-drain electrode are formed, by laminating Al-Nd(aluminum neodymium) alloy and Al and Al-Nd alloy, and laminating Al-Nd alloy and Al.例文帳に追加

絶縁基板１０１上に薄膜トランジスタを有する画素を複数配列した半導体装置において、薄膜トランジスタのゲート電極１１４″とゲート配線１１４の少なくとも一方、又は／及びソース・ドレイン電極は、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金、ＡｌとＡｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とを積層した構成、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とＡｌとを積層した構成である。 - 特許庁

A transparent oxide electrode 12 is provided on an insulating substrate, on which a diamond-like carbon layer 14, micro crystal p-type semiconductor layer 16, amorphous intrinsic semiconductor layer 20 and amorphous n-type semiconductor layer 22 are sequentially provided, with a metal electrode layer 24 provided on the amorphous n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

絶縁性基板上に透明酸化物電極１２を設け、その透明酸化物電極上にダイヤモンドライクカーボン層１４と微結晶ｐ型半導体層１６と非晶質真性半導体層２０と非晶質ｎ型半導体層２２とを順次設け、非晶質ｎ型半導体層２２の上に金属電極層２４とを設ける太陽電池装置およびその製造方法。 - 特許庁

In a method of manufacturing the vertical power element on a silicon wafer, a second-conductivity lightly-doped epitaxial layer having such a thickness that can withstand the maximum voltage impressed upon the power element during operation is formed on the upper surface of a first-conductivity heavily-doped substrate and at least one area corresponding to the power element is divided by insulating walls in the wafer.例文帳に追加

シリコンウェハーの上に垂直パワー素子を製造する方法に関し、第１導電形の重くドープした基板の上表面に第２導電形の軽くドープしたエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層はパワー素子の動作中に印加される最大電圧に耐える厚さを有し、ウェハーの中に少なくとも１つのパワー素子に対応する領域を絶縁壁により区切る。 - 特許庁

For example, the semiconductor substrate 101 is composed of monosilicon and the n-type region 102 is composed of an n-type impurities introducing region where phosphorus is introduced by ion implantation and the insulating layer 103 is composed of silicon oxide and the electron emission layer 104 is composed of poly-silicon where impurities are introduced in a high concentration and the electrode layer 105 is composed of aluminum.例文帳に追加

例えば、半導体基板１０１は、単結晶シリコンから構成され、ｎ型領域１０２は、イオン注入によりリンが導入されたｎ型不純物導入領域から構成され、絶縁層１０３は酸化シリコンから構成され、電子放出層１０４は、高濃度に不純物が導入されたポリシリコンから構成され、電極層１０５は、アルミニウムから構成されたものである。 - 特許庁

In order to solve a short channel effect in a highly integrated semiconductor device, a method of fabricating a semiconductor device includes steps of: forming gate patterns over an insulating layer and a silicon active region formed on a semiconductor substrate; removing the silicon active region exposed between the gate patterns; and filling a space between the gate patterns to form a plug.例文帳に追加

高集積半導体装置において、ショートチャンネル効果を克服するため、本発明に係る半導体素子の製造方法は半導体基板の上部に形成された絶縁層、及びシリコン活性領域上にゲートパターンを形成するステップ、前記ゲートパターンの間の露出したシリコン活性領域を取り除くステップ、及び前記ゲートパターンの間を埋め込んでプラグを形成するステップを含む。 - 特許庁

To provide an anisotropic electroconductive sheet and its manufacturing method wherein an electric conductor to constitute the anisotropic electroconductive sheet is orderly penetrated and exposed on both front and rear faces of an insulating material sheet, and because the electric conductor itself is given elasticity, by the fact that this electric conductor intervenes between a device and a wiring substrate, wherein an electrical connection between the both is elastically and surely made.例文帳に追加

異方性導電シートを構成する導電体は絶縁材料シートの表裏両面に整然と貫通露出し、導電体自体に弾性が付与されているので、デバイスと配線基板との間にこの導電体が介在することにより両者間を弾性的に確実に電気接続する異方性導電シートおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A wiring board 100 comprises a wiring part (conductor pattern 20, interlayer connection 30), a plurality of electronic components connected electrically with the wiring part, and an insulating substrate which incorporates the wiring part and the plurality of electronic components and includes a plurality of electronic component arrangement parts 40 incorporating the electronic components, and a flexible bent portion 70 constituted between the electronic component arrangement parts 40.例文帳に追加

配線基板１００は、配線部（導体パターン２０、層間接続部３０）と、配線部に電気的に接続された複数の電子部品と、配線部と複数の電子部品とを内蔵するものであり、電子部品を内蔵する複数の電子部品配置部４０、及び、可撓性を有し、電子部品配置部４０の間に構成された屈曲部７０を含む絶縁基材とを備える。 - 特許庁

The optical printer head comprises a pixel array 4 where pixels including light emitting elements are arranged two-dimensionally in the row and column directions, a horizontal scanning circuit 3 for supplying each pixel row in the pixel array 4 with a data signal, and a vertical scanning circuit 2 for selecting and activating each pixel row in the pixel array 4, all of which are formed on the same insulating substrate.例文帳に追加

開示される光プリンタヘッドは、発光素子を含む画素を行方向と列方向に２次元に配列した画素アレイ４と、画素アレイ４における各画素列にデータ信号を供給する水平走査回路３と、画素アレイ４における各画素行を順次選択して活性化する垂直走査回路２とを、同一の絶縁基板上に形成して構成されている。 - 特許庁

To provide a surface inspection device and its method capable of discriminating a scratch having a various shape generated on the surface from adhering foreign matter and inspecting it, when polishing or grinding such as CMP or the like is performed onto a machining object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) in semiconductor production or magnetic head production.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

A thin film transistor is equipped with a polycrystalline silicon film 12 formed on a glass substrate 10 through the intermediary of an insulating film 11, a silicon oxide film 13 formed on the polycrystalline silicon film 12, and a molybdenum electrode 15, where a reaction stop film 14 of tantalum is interposed between the silicon oxide film 13 and the molybdenum electrode 15.例文帳に追加

ガラス基板１０上に絶縁膜１１を介して形成された多結晶シリコン膜１２と、多結晶シリコン膜１２上に形成されたシリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３上に形成されたモリブデン電極１５を備えた薄膜トランジスタにおいて、シリコン酸化膜１３とモリブデン電極１５との間に、タンタルからなる反応防止膜１４を介在させた。 - 特許庁

Exothermic resistors 121, 122 from which heat generation is obtained by current flow such as silver and palladium, and electrode parts 14, 15 for power supply which have low resistance value per unit area and hardly generate heat even if current is flowed such as silver and silver-platinum, are formed on one face of an insulating substrate 11 of long flat-shape having high heat conductive characteristics such as aluminum nitride.例文帳に追加

窒化アルミニウム等高熱伝導特性を有する長尺平板状の絶縁基板１１の一面に、銀・パラジウム等の通電により発熱が得られる発熱抵抗体１２１，１２２と電力を供給させるための銀、銀白金等の単位面積当たりの抵抗値が低く通電しても大きな発熱現象が起こりにくい給電用の電極部１４，１５を形成する。 - 特許庁

Second lower insulating films 54 of the second side wall portions 46 have a thickness thicker than that of silicon thermal oxidation films 34 of the first side wall portions 26 by the thickness of silicon oxide films 62 on an upper surface 12A of a p-type semiconductor substrate 12, and the silicon oxide films 62 do not have a part covering the side walls of the second gate electrodes 42 from a side.例文帳に追加

第２サイドウォール部４６の第２下部絶縁膜５４は、Ｐ型半導体基板１２の上表面１２Ａの上表面１２Ａの上表面１２Ａ上においてシリコン酸化膜６２の分だけ第１サイドウォール部２６のシリコン熱酸化膜３４よりも厚肉とされ、該シリコン酸化膜６２は第２ゲート電極４２の側壁を側方から覆う部分を有しない。 - 特許庁

A conductive paste 102 including conductive particles each of which has a size of 0.1 to 10 μm, a solvent and a resin is arranged on a first conductor 101 on an insulating substrate 100, and the solvent is vaporized to bring the conductive particles 103 included in the conductive paste 102 into contact with one another to improve conductivity of the conductive paste 102.例文帳に追加

絶縁性基板１００上の第１の導電体１０１上に、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさの導電性を有する粒子、溶媒及び樹脂を含む導電性ペースト１０２を配置し、溶媒を気化させて導電性ペースト１０２中に含まれる導電性を有する粒子１０３同士を接触させ、導電性ペースト１０２の導電性を向上させる。 - 特許庁

The radio tag or the label is provided with an ID chip having a memory part, a signal control circuit part, and a communication circuit part formed with TFTs formed on the insulating substrate and an antenna connected to a terminal part of the ID chip and is capable of communicating data stored in the memory part or data to be stored in the memory part, through the communication circuit by radio communication.例文帳に追加

本発明は、絶縁基板上に形成されるＴＦＴで、メモリ部と信号制御回路部と通信回路部とが形成されたＩＤチップと、ＩＤチップの端子部と接続するようにアンテナが備えられ、無線通信によりメモリ部に記憶されているデータ若しくはメモリ部に記憶させるデータを通信回路を介して通信可能である無線タグ及びラベル類である。 - 特許庁

A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, there is prepared a semiconductor substrate 1 in which a gate electrode 3a is formed on a top face of an element formation region 150 through a gate insulating film 2a, a first source-drain region 5 is formed, and an impurity region 5p is formed having the same impurity concentration as the first source-drain region 5 in a front surface of a scribing region 160.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域１５０の上面にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａが形成され、また第一のソース・ドレイン領域５が形成され、またスクライブ領域１６０表面内に第一のソース・ドレイン領域５と同等の不純物濃度を有する不純物領域５ｐが形成された、半導体基板１を用意する。 - 特許庁

To provide a photoresist stripper capable of easily removing a photoresist layer formed on an inorganic substrate, photoresist residue and dust generated in etching in a process for manufacturing various liquid crystal displays or semiconductor devices without corroding various semiconductor layer materials, electrically conductive materials or insulating film materials and to provide a method for stripping a photoresist.例文帳に追加

各種液晶表示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離することができ、しかもその際に、使用される各種半導体層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁

The nonlinear resistance element 33 is formed by laminating a first metal layer 36, an insulating layer 37, and a second metal layer 38 in order from the side of the substrate, and the pixel electrode 24a is made of polycrystallized indium tin oxide, and the second metal layer 38 is made of an alloy having molybdenum (Mo) as a main component and is connected on the pixel electrode 24a.例文帳に追加

そして、非線形抵抗素子３３が、基材側から第１金属層３６、絶縁層３７、及び第２金属層３８の順に積層されて形成され、画素電極２４ａが、多結晶化されたインジウム錫酸化物から形成されてなり、第２金属層３８が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成されるとともに、画素電極２４ａ上に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

This organic electrochemical luminescent element comprises an electrolyte having at least one kind of an organic compound emitting light by an ion collision between different ion radicals, an organic solvent dissolving the organic compound and a polymer compound dissolved in the organic solvent when heated and gelled at room temperature between first and second electrodes provided on an insulating substrate as a basic component.例文帳に追加

絶縁基板上に設けた第一の電極と第二の電極の間に、異なるイオンラジカル間のイオン衝突により発光する有機化合物と、該有機化合物を溶解する有機溶剤と、該有機溶剤に熱時溶解し室温時ゲル化する高分子化合物とを、少なくとも各一種類を基本構成とする電解質として備えることを特徴とする有機電界化学発光素子により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In a chip resistor which is constituted by forming at least one pair of counter electrode sections on an insulating substrate and a resistance body by printing and sintering resistance body paste between the electrode sections, a plurality of resistance bodies are arranged nearly in parallel with each other between the electrodes, and the resistance value of the resistor is adjusted by trimming he resistance bodies starting the trimming from a point between the resistance bodies.例文帳に追加

絶縁基板に少なくとも１対の対向する電極部を形成し、同電極部間に抵抗体ペーストを印刷して焼結させることにより抵抗体を形成するチップ型抵抗器において、１対の電極間に複数の抵抗体を略平行に配設し、同抵抗体間にトリミング開始点をとって抵抗体のトリミングを行い、抵抗値を調整することを特徴とするチップ型抵抗器。 - 特許庁

The flexible printed board having a metal wiring layer formed on a film-shaped insulating substrate and attachable to an adherend having a cubic surface has a substantially arc (including an easement curve shape with a gradually varying arc radius, such as an arc, elliptic arc or oval arc) notch formed in a peripheral portion of the flexible printed board, especially, a portion where strain stress tends to concentrate at adhesion.例文帳に追加

フィルム状の絶縁基材上に金属配線層が形成され、三次曲面を有する被貼着体に貼着されるフレキシブルプリント基板において、当該フレキシブルプリント基板の周縁部、特に貼着時に歪み応力が集中しやすい部位に、略円弧状（円弧状、楕円弧状、長円弧状など、円弧半径が徐々に変化する緩和曲線形状を含む）の切欠部を形成する。 - 特許庁

The present invention relates to a method of manufacturing a device for measuring conductivity of a liquid, particularly of an ultrapure water, which is characterized by providing 2 conductivity-measuring electrodes suitable for determining a cell constant enabling conductivity measurement of an ultrapure liquid and by comprising a method of producing each electrode by forming an electrode pattern from a conductive material on the substrate of an insulating material.例文帳に追加

本発明は、液体、特に超純水の導電率を測定するための装置の製造方法であって、超高純度の液体の導電率の測定を可能にするセル定数を定めるために適した２つの導電率測定電極を備え、絶縁材料の基板上に導電性材料からの電極パターンを形成することによって、各電極を製造することを含むことを特徴とする方法に関する。 - 特許庁

The wiring structure has, on a substrate, a laminate structure with a plurality of metal lines formed on the same plane and an insulating film formed on the metal lines, and has a first metal line whose edge is exposed by cutting.例文帳に追加

基板の上に、複数の金属配線が同一平面上に形成され、金属配線の上に絶縁膜が形成された積層構造を有し、切り出し加工により切断端面が露出している第１の金属配線を有する配線構造であって、第１の金属配線の線幅をＸ（μｍ）、第１の金属配線の長さをＹ（μｍ）としたとき、（１）若しくは（２）、および／または下記（３）の要件を満足することを特徴とする配線構造。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL device includes: a process of forming a pixel electrode upward an insulating substrate; a process of spraying powder for organic layer formation toward the pixel electrode and making the powder adsorbed on the pixel electrode; a process of forming an organic layer in which the powder is fused, fixed and adhered onto the pixel electrode; and a process of forming the counter electrode on the organic layer.例文帳に追加

絶縁基板の上方に画素電極を形成する工程と、有機層形成用の粉体を前記画素電極に向けて噴射し、前記粉体を前記画素電極の上に吸着させる工程と、前記粉体を溶融し、前記画素電極の上に固着した有機層を形成する工程と、前記有機層の上に対向電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 - 特許庁