「Insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(189ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor memory device has a lower electrode 12 formed on a substrate 11, the ferrodielectric film 13 formed on the lower electrode 12, a source electrode 14 and a drain electrode 15 arranged at a space on the ferrodielectric film 13, and an insulating film 16 formed between the source electrode 14 and the drain electrode 15.例文帳に追加

半導体記憶装置は、基板１１上に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上に形成された強誘電体膜１３と、強誘電体膜１３の上に互いに間隔を置いて配置されたソース電極１４及びドレイン電極１５と、ソース電極１４とドレイン電極１５との間に形成された絶縁膜１６とを備えている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a flexible printed wiring board, a film sheet whose parts to be plated are made of an insulating resin layer previously punched, and an adhesive layer whose adhesion is to be decreased by ultraviolet radiation is adhered to a circuit surface of the flexible printed substrate on which the circuit is formed, is subjected to plating and is peeled after radiating ultraviolet rays.例文帳に追加

メッキ処理する箇所が、予め打抜かれた絶縁樹脂層と紫外線照射により密着力が低下する接着剤層からなるフィルムシートを、回路が形成されたフレキシブルプリント基板の回路面に貼り合わせ、メッキ処理した後紫外線照射してフィルムシートを剥離することを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

On an insulating substrate 100 which is provided with a thin film transistor 125, a metal wire for driving the thin film transistor 125, a pixel electrode 130 connected to the thin film transistor 125 and a luminous layer 136 formed on the pixel electrode 130, a pattern 104 is formed of a material for achieving low reflectance while avoiding the overlap with the pixel electrode 130.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１２５、薄膜トランジスタ１２５を駆動する金属配線、薄膜トランジスタ１２５と連結される画素電極１３０及び画素電極１３０上に形成された発光層１３６を備える絶縁基板１００上に、画素電極１３０と重ならないように、低反射率と実現する物質からなるパターン１０４を形成する。 - 特許庁

On a wiring substrate 100, a wiring layer 12 and a flip-chip connection terminal 13 are formed on an insulating base material 11, and the flip-chip connection terminal 13 is formed by forming a 1 μm or more thick silver film on the copper metal and furthermore, the silver film is formed by electrolytic silver plating with a current density of 1 to 50 A/dm2.例文帳に追加

本発明の配線基板１００は、絶縁基材１１上に配線層１２及びフリップチップ接続用端子１３が形成されており、フリップチップ接続用端子１３は銅金属上に膜厚１μｍ以上の銀膜が形成されたもので、さらに、銀膜が１〜５０Ａ／ｄｍ^2の電流密度で電解銀めっきにて形成されたものである。 - 特許庁

In a molecular TFT (molecular electric field effect transistor) 10 including a nano-tube 15, a drain electrode 12 and a source electrode 13 are formed on substrate 11 via an insulating film, and the nano-tube 15 is disposed between the drain electrode 12 and the source electrode 13, and is covered with a ferroelectric 18.例文帳に追加

ナノチューブ１５を含んでなっている分子ＴＦＴ（分子電界効果トランジスタ）１０であって、基板１１上に絶縁膜を介してドレイン電極１２及びソース電極１３が形成され、ドレイン電極１２とソース電極１３との間にナノチューブ１５が配置されるとともに、ナノチューブ１５が強誘電体１８によって被覆されている。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are sequentially deposited on a silicon substrate 1 via an insulating film 2, the film 102 and the film 50 are sequentially etched by using a mask 103, and an upper electrode 5 is pattern formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁

In a thin film transistor where a thin film containing the precursor of a metal oxide semiconductor is formed on a substrate and a metal oxide semiconductor thin film formed by a process for oxidizing the thin film serves as an active layer, a gate insulating film is provided on the side of the metal oxide semiconductor thin film opposite to a support.例文帳に追加

基板上に金属酸化物半導体の前駆体を含有する薄膜を形成した後、該薄膜を酸化する工程により形成した金属酸化物半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタにおいて、前記金属酸化物半導体薄膜の支持体とは反対側にゲート絶縁膜が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same having high reliability by improving a step coverage of a metal film in a recess without complicating the method by using a conventional semiconductor manufacturing apparatus in the semiconductor device having a conductive plug in a connecting port formed in an insulating film on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板上の絶縁膜に形成された接続口の中に導電性のプラグを備える半導体装置に関し、従来の半導体製造装置を用いて製造方法を複雑化させることなく、リセス部での金属膜の段差被覆性を改善して、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When recessed parts A partitioned with partition members 2 are charged with insulating liquid 4 and electrified particles 5 and an unillustrated substrate is stuck to manufacture an electrophoretic display device, an AC voltage having a frequency within a specified range is applied between a 1st electrode 3a and a 2nd electrode 3b to attract the electrified particles 5 to a recessed part surface side.例文帳に追加

隔壁部材２にて区画された凹部（符号Ａ参照）に絶縁性液体４や帯電粒子５を充填し、不図示の基板を貼り付けて電気泳動表示装置を製造する際、第１電極３ａと第２電極３ｂとの間に所定範囲の周波数の交流電圧を印加して、帯電粒子５を凹部面側へ引き付けておく。 - 特許庁

Further, an InSn solder metal is directly metallized on a region used in the adhesion with the resistor 2 and region for taking out a lead wire of an insulating substrate 9 having a gas flowing opening part 8 by together using heat and ultrasonic vibration to form adhesive regions 6a and 6b, and lead wire take-out regions 7a and 7b.例文帳に追加

また、ガス流通開口部８を有する絶縁性基板９に上記の抵抗体２との接着に使用する領域およびリード線を取り出す領域に、熱および超音波振動を併用してＩｎＳｎ半田金属を直接メタライズすることにより接着領域６ａ、６ｂおよびリード線取り出し領域７ａ、７ｂを形成する。 - 特許庁

In the wiring board 5 where a plurality of internal wiring layers 2 are formed inside an insulating substrate 1 and a plurality of connection pads 3 to be electrically connected with the internal wiring layers 2 are formed on its surface, the internal wiring layers 2 are formed using tungsten and/or molybdenum and copper and the connection pads 3 are formed using tungsten and/or molybdenum and an iron group metal.例文帳に追加

絶縁基体１の内部に複数の内部配線層２を、表面に前記内部配線層２と電気的に接続する複数の接続パッド３を形成して成る配線基板５であって、前記内部配線層２をタングステンおよび／またはモリブデンと銅とで形成するとともに、接続パッド３をタングステンおよび／またはモリブデンと鉄族金属とで形成した。 - 特許庁

This printing head 20 has ink supply grooves 22 and ink supply holes 23 bored to a chip substrate 21, a driving circuit (logic circuits 24 and drivers 25) formed to a surface layer, resistance heating elements 27-1, individual wiring electrodes 28 and a common electrode 29 disposed on an insulating film 26, and an orifice plate 32 with orifices 33 stacked on diaphragms 31.例文帳に追加

印字ヘッド２０はチップ基板２１にインク供給溝２２とインク供給孔２３を穿設され、表層に駆動回路（論理回路２４、ドライバ２５）を形成され、絶縁膜２６の上に抵抗発熱素子２７−１、個別配線電極２８、共通電極２９が配設され、隔壁３１の上にオリフィス３３を形成されたオリフィスプレート３２が積層される。 - 特許庁

On a p type silicon substrate 111 of a semiconductor device 100, a charge holding region 112 composed of fine particle dispersion regions 112a and 112b, an SiO_2 film 115 which functions as an insulating film, an n type polycrystal silicon electrode 116 which functions as an upper electrode are provided from bottom up.例文帳に追加

半導体装置１００において、ｐ型シリコン基板１１１上には、微粒子分散領域１１２ａおよび微粒子分散領域１１２ｂからなる電荷保持領域１１２、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2膜１１５、および上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１１６が下から順に設けられている。 - 特許庁

To provide a fluorescent X-ray analyzer which analyzes hafnium and tantalum on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated circuit manufacturing process for forming hafnium oxide film being a high dielectric gate insulating film and tantalum nitride film being a barrier metal film with high sensitivity and high precision, with one iridium X-ray tube, and also to provide an fluorescent X-ray analyzing method.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Transfer electrodes 4 and 5 at a charge transfer section 3 are constituted of the same electrode layer, the transfer electrodes 4 and 5 are formed on a substrate through an insulating film including an oxide film and an overlying nitride film, and a part 7 from where the nitride film is removed is provided between light receiving sections 2 in the direction parallel with the charge transfer section 3 thus constituting a solid state image sensor 1.例文帳に追加

電荷転送部３の転送電極４，５を同一層の電極層により構成し、基板上に、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含む絶縁膜を介して転送電極４，５を形成し、電荷転送部３に平行な方向における受光部２間に、窒化膜が除去された部分７を設けて固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents a crystal defect pit of a semiconductor substrate in which an MIS transistor by formation of an application version insulating film is formed, prevents a malfunction of a circuit when including a low breakdown voltage MIS transistor, and can suppress a deviation of a threshold value in addition to prevent the malfunction of the circuit when including a high breakdown voltage MIS transistor.例文帳に追加

塗布型絶縁膜の形成によるＭＩＳトランジスタが形成された半導体基板の結晶欠陥ピットを防止し、低耐圧ＭＩＳトランジスタを含む場合は回路の誤動作を防止し、高耐圧ＭＩＳトランジスタを含む場合は回路の誤動作防止に加えて閾値のずれの抑制が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a transistor comprising a gate electrode 11, a gate insulating film 2, a source electrode 17, a drain electrode 16 and the organic semiconductor layer 3 formed on a substrate, the sealing layer 4 is included on the semiconductor layer, and a printing method is used for its formation to form a stripe shape, by which a pattern is simply formed, and high alignment accuracy is obtained together with the high yield.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極１１、ゲート絶縁膜２、ソース電極１７、ドレイン電極１６および有機半導体層３を含んでなるトランジスタにおいて、半導体層上に封止層４を有し、その形成に印刷法を用い、ストライプ状にすることで、簡易にパターンを形成でき、歩留まりよく、高いアライメント精度が得られる。 - 特許庁

A conductive material precursor having at least a silver halide emulsion layer on an insulating substrate is subjected to exposure and development so that a silver pattern part containing a resin component and/or a non-silver pattern part containing a resin component are prepared, and then, a crosslinking agent for crosslinking the resin component is made to act on the silver pattern part and/or the non-silver pattern part.例文帳に追加

絶縁性基板上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する導電性材料前駆体を露光、現像処理することで、樹脂成分を含有する銀パターンおよび／または樹脂成分を含有する非銀パターン部を設け、その後、該銀パターンおよび／または非銀パターン部に、該樹脂成分を架橋する架橋剤を作用させる。 - 特許庁

The EL sheet is constituted of the laminating one by one of forming a transparent electrode layer 2 on a transparent substrate 1, forming of a barrier layer 3, which consists of a resin of the same composition to the binder resin of the luminescence layer on it, forming the luminescence layer 4 using the nitride-coated fluorescent substance on it, and forming an insulating layer 5 and an back electrode layer 6 on it.例文帳に追加

透明基板１上に、透明電極層２を形成し、その上に、発光層のバインダー樹脂と同一組成の樹脂からなるバリヤー層３を形成し、その上に、窒化物コーティングされた蛍光体を用いた発光層４を形成し、その上に、絶縁層５と背面電極層６を順次積層してＥＬシートを構成する。 - 特許庁

The magnetic shield body 65 is used for magnetic shielding from an external magnetic field by constituting a circular enclosing part for enclosing circularly the bus bar 12, an insulating substrate 13 and a Hall IC 14, and a protrusion 91 of a nonmagnetic spacer 90 is engaged with the aperture 67 of the magnetic shield body 65, to thereby regulate an aperture slit 67 interval to be constant by the protrusion 91.例文帳に追加

磁気シールド体６５は、バスバー１２と絶縁基板１３とホールＩＣ１４とを環状に囲む環状囲み部を構成することで外部磁界から磁気遮蔽するものであり、磁気シールド体６５の空隙６７に非磁性スペーサ９０の凸条９１が係合することで、空隙スリット６７の間隔は凸条９１にて一定に規制されている。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

A high electric field is impressed between a polysilicon layer 103 and a high melting point metal layer 105, after forming a gate insulation film 102, the polysilicon layer 103, a barrier metal layer 104 and the high melting point metal layer 105 on a silicon substrate 101, whereby an insulating film 107, formed in a boundary between the polysilicon layer 103 and the barrier metal layer 104, is made to conduct.例文帳に追加

シリコン基板１０１の上に、ゲート絶縁膜１０２、ポリシリコン層１０３、バリアメタル層１０４、高融点金属層１０５を形成した後、ポリシリコン層１０３と高融点金属層１０５との間に高電界をかけることにより、ポリシリコン層１０３とバリアメタル層１０４との界面に形成される絶縁膜１０７を導通させる。 - 特許庁

To provide a coating liquid for a silica-based film with a low dielectric constant, forming an insulating film having a dielectric constant as low as 3 or less and excellent not only in resistance to oxygen plasma during the microphotolithography processing but also in mechanical strength, chemical resistance such as alkali resistance and crack resistance and to provide a substrate having formed thereon such a silica-based film with a low dielectric constant.例文帳に追加

誘電率が３以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。 - 特許庁

Wiring patterns 111, 112, 113 are fixed on an insulating substrate 1, a connecting terminal 5 composed of a light emitting diode 2, a tip resistor 4, and a conductive metal is electrically connected to that wiring patterns 111, 112, 113, and the connecting terminal 5 is equipped with an elastic pinching part 52 in order to connect to the external terminal 61 which is a connection target.例文帳に追加

絶縁性の基板１上に配線パターン１１１、１１２、１１３が固着され、その配線パターン１１１、１１２、１１３に発光ダイオード２とチップ抵抗４と導電性の金属からなる接続端子５が電気的に接続されており、接続端子５は、接続対象である外部端子６１との接続を行なうために弾性の挟持部５２を具備する。 - 特許庁

[2] The method for producing an insulating film comprises a process for coating a substrate with the composition [1] and heat-treating the substrate.例文帳に追加

成分（Ａ）：式（１）で示される化合物を重合して得られる樹脂であって、ＧＰＣ分析における樹脂を検出するピークＰ、残存する式（１）で示される化合物を検出するピークＭとしたとき、ピークＰのポリスチレン換算重量平均分子量が１０００以上５０００００以下であり、かつピークＰ、ピークＭの面積値をそれぞれＡｐ、Ａｍとしたとき、面積比Ａｍ/（Ａｍ＋Ａｐ）が０〜１０％である樹脂；成分（Ｂ）：空孔形成用化合物；［２］上記［１］記載の組成物を基板に塗布し、加熱処理する工程を含む絶縁膜の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a semiconductor substrate 1, an interlayer insulating film 4 formed on the semiconductor substrate 1, a first electrode 9 formed on the film 4, a first ferroelectric film 10 formed on the first electrode 9, a second electrode 11 formed on the film 10, a second ferroelectric film 12 formed on the second electrode 11, and a third electrode 13 formed on the film 12.例文帳に追加

半導体基板１と、この半導体基板１上に形成された層間絶縁膜４と、この層間絶縁膜４上に形成された第１電極９と、この第１電極９上に形成された第１強誘電体膜１０と、この第１強誘電体膜１０上に形成された第２電極１１と、この第２電極１１上に形成された第２強誘電体膜１２と、この第２強誘電体膜１２上に形成された第３電極１３とを有する半導体記憶装置である。 - 特許庁

Surface reforming treatment is performed to improve adhesiveness with a sealing resin for filling the packaging clearance between a substrate and a semiconductor chip with a package body 4, where the semiconductor chip having a bump is packaged onto the substrate on which an insulating film made of resin, such as polyimide, is formed as an object to be treated.例文帳に追加

ポリイミドなどの樹脂の絶縁膜が形成された基板にバンプ付きの半導体チップを実装した実装体４を処理対象物として、基板と半導体チップとの間の実装隙間を充填する封止樹脂との密着性向上を目的として行われる表面改質処理において、実装体４を表面改質装置５の減圧された処理室７内に収容し、原子状水素発生装置２０によって水素ガスから発生された原子状水素を実装隙間内の絶縁膜の樹脂表面に接触させる。 - 特許庁

In the piezoelectric vibrator, a flat insulating substrate on which an electrode for conduction electrically connected between both principal planes is formed on the both principal planes facing the electrode pad and an electrode for external connection is arranged between the electrode pad and the electrode for external connection, and the electrode pad and the electrode for external connection are electrically connected and attached through the electrode for conduction.例文帳に追加

電極パッドと外部接続用電極の間に、電極パッド及び外部接続用電極に対向する両主面上に両主面間で電気的に接続している導通用電極が形成された平板状の絶縁基板が配置されており、この導通用電極を介して電極パッドと外部接続用電極が電気的に接続且つ固着されている圧電振動子。 - 特許庁

A passivation film 14 of silicon nitride having thickness of about 1 μm is formed on the insulating film 12 and the p-side electrode 13 and a light emitting layer 15 emitting light having emission wavelength shorter than the wavelength corresponding to the energy gap of silicon constituting the semiconductor substrate 10 and containing a fluorescent material having luminous properties is formed on the passivation film 14.例文帳に追加

絶縁膜１２及びｐ側電極１３上には、膜厚が約１μｍの窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成され、該パッシベーション膜１４上には、発光波長が半導体基板１０を構成するシリコンのエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a defect inspection device and its method capable of executing inspection by discriminating an adhering foreign matter from scratches having various shapes generated on the surface when abrading or grinding such as CMP or the like is applied to a processing object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) in semiconductor manufacture or magnetic head manufacture.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a composition allowing selective removal of photoresist and etching residues from a substrate without exerting a destructive chemical action on metal possibly also exposed to the composition, and to provide a composition exhibiting a very minute amount of silicon oxide and generally a low etching rate on an insulating material.例文帳に追加

基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

The display device includes a thin-film transistor formed on an insulating substrate; a pixel electrode electrically connected to the thin-film transistor; an organic layer formed on the pixel electrode; a barrier rib surrounding the organic layer; a reflection film formed on the barrier rib; and a common electrode formed on the organic layer.例文帳に追加

本発明による表示装置は、絶縁基板上に形成されている薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている画素電極と；前記画素電極上に形成されている有機層と；前記有機層を囲んでいる隔壁と；前記隔壁上に形成されている反射膜と；前記有機層上に形成されている共通電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The SRAM having an asymmetric silicide film has a semiconductor substrate 100 that has a lower structure in a predetermined form on which a transmission transistor 20 and a drive transistor 10 are formed separately with a predetermined interval; and spacers 107 are formed on sidewalls of gate insulating-films 105 and gate electrodes 106 of the transmission transistor 20 and the drive transistor 10 respectively.例文帳に追加

非対称シリサイド膜を有するＳＲＡＭは、所定形状の下部構造を有する半導体基板１００に、所定の間隔をおいて伝送トランジスター２０及び駆動トランジスター１０が離隔して形成され、前記伝送トランジスター２０及び駆動トランジスター１０のゲート絶縁膜１０５及びゲート電極１０６の側壁にはスペーサー１０７を各々形成する。 - 特許庁

The radio signal processor comprises an antenna performing the noncontact reception of a radio wave or an electromagnetic wave, a control section for processing a received radio signal, and a section for storing a controlled signal as data formed on the same insulating substrate wherein a plurality of elements for processing the signal are composed of thin film transistors and ferroelectric nonvolatile storage elements.例文帳に追加

電波あるいは電磁波を非接触で受信するアンテナ部分、受信した無線信号を処理する制御部分、さらに制御された信号をデータとして記憶する部分が同一絶縁基板上に形成され、信号を処理する複数の素子要素が薄膜トランジスタと強誘電体不揮発性記憶素子からなることを特徴とする無線信号処理装置。 - 特許庁

In the CMOS semiconductor element where a gate electrode of two-layer structure consisting of a lower layer metal layer and an upper layer metal layer of different nitrogen content is formed in the NMOS region and the PMOS region on a semiconductor substrate through a gate insulating film, the lower layer metal layer is made shorter than the upper layer metal layer in the gate length direction.例文帳に追加

半導体基板上のＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域にゲート絶縁膜を介してそれぞれ窒素含有量の異なる下層金属層とその上に積層された上層金属層から成る２層構成のゲート電極が形成されたＣＭＯＳ半導体素子であって、前記下層金属層を前記上層金属層よりゲート長方向の長さを短くする。 - 特許庁

The yield of the current value of the oxygen negative ion is increased from that of conventional ones by adjusting the electric potential of a reflector, established around the oxygen negative ion-generating substrate comprising a solid electrolyte containing an electrode formed from an electroconductive deposited film, to a value equal to or lower than that of the electrode by electrically insulating the reflector from the electrode.例文帳に追加

導電性の蒸着膜で形成された電極を内部に備えた固体電解質からなる酸素負イオン発生基材の周囲に設けたリフレクタを電気的に上記電極と同電位又はそれ以下の電位にするか、又はこのリフレクタを上記電極と電気的に絶縁するすることによって、酸素負イオンの電流値の収量を従来のものに比べて増加させることができる。 - 特許庁

The concentration of nitrogen in the silicon oxynitride film has a distribution in the film thickness direction, and the concentration is low near the interface with the silicon substrate while high near the interface with the high dielectric insulating film, relative to the average value of the concentration of the nitrogen in the silicon oxynitride film.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成されたシリコン酸窒化膜と、このシリコン酸窒化膜の上に形成された高誘電率絶縁膜とを有する半導体装置において、シリコン酸窒化膜中の窒素濃度が膜厚方向に分布を持ち、このシリコン酸窒化膜中の窒素濃度の平均値に対してシリコン基板との界面付近で低く、高誘電率絶縁膜との界面付近で高くなることを特徴とする。 - 特許庁

To easily and reliably allow a pair of coils formed opposingly on both the surfaces of an insulating substrate to conduct electricity without using soldering regarding a method for manufacturing the electromagnetic coil plate that uses charged particle rays, such as electron rays and ions, and is suitable for a charged particle beam device, the electromagnetic coil plate, a toroidal type coil structure, and a charged particle beam projection aligner.例文帳に追加

本発明は、電子線やイオン等の荷電粒子線を用いた荷電粒子線装置に好適な電磁コイル板の製造方法、電磁コイル板、トロイダル型コイル構造体および荷電粒子線露光装置に関し、絶縁性基板の両面に対向して形成される一対のコイルの導通をはんだ付けを用いることなく容易，確実に行うことを目的とする。 - 特許庁

The inverter device 1 including a semiconductor element 16, input terminals 18, interconnection terminals 22 and output terminals 20 for the semiconductor element, and an insulating substrate 14 for mounting the semiconductor element, the input terminals, the interconnection terminals and the output terminals has such a separated module as the input terminals, the interconnection terminals and the output terminals are independent from other terminals.例文帳に追加

半導体素子１６と、半導体素子に対する入力端子１８、中継端子２２及び出力端子２０と、半導体素子、入力端子、中継端子及び出力端子を実装する絶縁基板１４と、を備えたインバータ装置１において、入力端子、中継端子及び出力端子の各々を、他の端子に対して独立した分割モジュールとする。 - 特許庁

To provide a printed circuit board with a high-density fine circuit pattern, by forming a high-density circuit by forming circuits in a portion where lands occupy to form a larger number of circuits in an insulating substrate with the same area, and a method capable of manufacturing the printed circuit board at low cost which makes signal transformation between layers smooth without requiring a complicated step.例文帳に追加

ランドが占める部分に回路を形成することができるようにして高密度の回路形成を可能とし、同一の面積の絶縁基板にさらに多い回路を形成して密集度の高い微細回路パターンの印刷回路基板を提供すること、層間の信号伝逹を円滑にし、複雑な工程を要せず安価な費用で印刷回路基板を生産できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a powder carrier in which powder can be carried appropriately through action of an appropriate traveling wave type field between parallel electrodes while reducing the size of the power carrier by forming more than two kinds of parallel electrodes easily and sequentially on one side of an insulating substrate without causing any contact.例文帳に追加

粉体搬送装置において、絶縁性基板に３種以上の平行電極を順々に繰り返して設けるにあたり、３種以上の平行電極が接触することなく絶縁性基板の片面に簡単に形成され、装置が小型化すると共に、平行電極間において進行波型の電界が適切に作用して、粉体が適切に搬送されるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first silicon nitride film formed on the insulating substrate, a first silicon oxide film formed on the first silicon nitride film, a semiconductor film formed on the first silicon oxide film, a second silicon oxide film formed on the semiconductor film, and a second silicon nitride film formed on the second silicon oxide film.例文帳に追加

絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、前記第１の酸化珪素膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

This sensor wherein a moving electrode 4 of the moving part 1 is arranged oppositely to the fixed electrodes 6, 7 and an acceleration is detected based on a capacity change between the moving electrode 4 and the fixed electrodes 6, 7 when the moving part 1 is displaced by receiving the acceleration, is constituted of an SOI substrate 20 having an insulating layer 22 between the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 23.例文帳に追加

可動部１の可動電極４を固定電極６、７と対向配置し、加速度を受けて可動部１が変位したときの可動電極４と固定電極６、７間の容量変化に基づいて加速度を検出するようにしたものであって、第１の半導体層２１と第２の半導体層２３との間に絶縁層２２を有するＳＯＩ基板２０によって構成される。 - 特許庁

The organic thin-film transistor is manufactured through steps of: coating the substrate, in which the gate electrode is formed, with the photocurable composition, containing the polysiloxane compound having the radical polymerizable group and the optical radical generating agent, by a printing method; and curing by irradiating a layer composed of the photocurable composition with an active energy beam to form the gate insulating film.例文帳に追加

該有機薄膜トランジスタは、前記ゲート電極が形成された前記基板に、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物と光ラジカル発生剤とを含有する光硬化性組成物を印刷法により塗布する工程及び当該光硬化性組成物からなる層に活性エネルギー線を照射し硬化させて前記ゲート絶縁膜を形成する工程等により製造される。 - 特許庁