「Insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(185ページ目) - Weblio英語例文検索

In an SOI wafer 10 formed by placing a silicon wafer 11 for an active layer on a silicon wafer 12 for a supporting substrate via an insulating film 13, a gettering region 14 is formed on the surface of the sticking side of the silicon wafer 11 for an active layer prior to sticking.例文帳に追加

支持基板用シリコンウェーハ１２に絶縁膜１３を介して活性層用シリコンウェーハ１１を貼り合せたＳＯＩウェーハ１０として、貼り合せ前の活性層用シリコンウェーハ１１の貼り合せ側の表面に予め機械的ダメージを与えたゲッタリング領域１４を形成しておくことを特徴とする。 - 特許庁

This variable resistor is provided with a projecting stopper section 5d, which protrudes outwardly from an eyelet pin 5 which can make the same rotation as that of a slider plate 4 and a stopper receiving section 1c, which protrudes inwardly in a recessed section 1b, formed on the rear surface of an insulating substrate 1 control the angle of rotation of the slider plate 4.例文帳に追加

本発明の可変抵抗器１０は、摺動子プレート４と同一回動可能としたハトメピン５に、外方へ突出させたストッパー凸部５ｄを備えるとともに、絶縁基板１裏面凹部１ｂ内に内方へ突出するストッパー受け部１ｃを備え、摺動子プレート４の回転角度が規制する。 - 特許庁

Balance resistors 44 to 47 formed to uniform voltage sharing among power semiconductor chips 28 to 31 connected in series are connected in parallel with respective power semiconductor chips 28 to 31, on a metallic base board 21 on which an insulating substrate 22 is mounted to form structure built in a package.例文帳に追加

直列接続されたパワー半導体チップ２８〜３１どうしの電圧分担を均一化させるために設けられるバランス抵抗４４〜４７を、絶縁基板２２を搭載した金属ベース板２１上で各パワー半導体チップとそれぞれ並列に接続することにより、パッケージ内に内蔵させる構造とする。 - 特許庁

A trench region 6 is formed in a P-type silicon substrate 1, a dielectric film 7 is formed on the lower part and lower sidewall of the trench region 6, a first insulating film 9 and a contact region are formed on the upper sidewall of the trench region 6, and a conductor film 8 is formed in the trench region 6.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１中にトレンチ領域６が形成され、トレンチ領域６の下部および側壁下部には誘電体膜７が形成され、トレンチ領域６の側壁上部には第１の絶縁膜９およびコンタクト領域が形成され、トレンチ領域６内は導電体膜８が形成されている。 - 特許庁

Since the elastic sealant 40 seals from outside the whole outer periphery of the contact area 50 in the conductive contacts and the conductive connectors 30, conductive foreign matter, insulating foreign matter, and dust are effectively restrained and prevented from invading the contact area 50 from a gap among the hard mounting substrate 1, the CPU 10 and the frame 20.例文帳に追加

弾性シール体４０が導電接点と導電接続子３０の接触領域５０外周を外側から全てシールするので、硬質の実装基板１、ＣＰＵ１０、フレーム２０の間の隙間から接触領域５０に導電異物、絶縁異物、塵埃が侵入するのを有効に抑制防止できる。 - 特許庁

In the glass ceramic wiring board obtained by forming a wiring conductor and the resistor connected to the wiring conductor on the surface of an insulating substrate comprising of glass ceramics, the resistor comprises glass of 10 to 50 mass% and ruthenium oxide of 50 to 90 mass%, and the mean particle diameter of ruthenium oxide is 0.6 to 0.9 μm.例文帳に追加

ガラスセラミックスから成る絶縁基体の表面に配線導体と配線導体に接続された抵抗体とが形成されたガラスセラミックス配線基板において、抵抗体は１０〜５０質量％のガラスと５０〜９０質量％の酸化ルテニウムとからなり、酸化ルテニウムの平均粒径が０．６〜０．９μｍである。 - 特許庁

Then, the semiconductor layer 13, and a part directly below the semiconductor layer 13 in the semiconductor substrate 1 are made porous by anodization treatment, thus performing a process for making a film porous in which the electrical heating element 3 made of a second porous semiconductor layer and a heat-insulating layer 2 made of a first porous semiconductor layer are formed successively.例文帳に追加

次に、半導体層１３および半導体基板１における半導体層１３直下の部位を陽極酸化処理にて多孔質化することで第２の多孔質半導体層からなる発熱体３、第１の多孔質半導体層からなる断熱層２を順次形成する多孔質化工程を行う。 - 特許庁

A bank 17 for delimiting pixel formation regions Rpx of a plurality of display pixels PIX arranged on a display panel 10 is serially protruded and arranged from a surface of an insulating substrate 11 in a column direction of the display panel 10 and formed so as to have an inversely tapered cross-sectional shape (side surface).例文帳に追加

表示パネル１０に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxを画定するためのバンク１７は、表示パネル１０の列方向に、絶縁性基板１１表面から連続的に突出して配設され、かつ、逆テーパ状の断面形状（側面）を有して形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 includes a photodetector 30 that receives ambient external light, wherein a through hole 51 accommodating the photodetector 30 is formed in a gate insulating film 33 and a first interlayer dielectric 34 formed on an element substrate 11, and at least the inner wall of the through hole 51 has light-shielding property.例文帳に追加

周囲の外光を受光する受光素子３０を備えてなる液晶表示装置１であって、素子基板１１上に設けられるゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４に受光素子３０を収容する貫通孔５１が設けられ、貫通孔５１の少なくとも内側壁が遮光性を有している。 - 特許庁

With respect to a semiconductor element constituted by fixing an IGBT chip 1 to a collector substrate 2, an insulating positioning guide 3 constitutes an individual semiconductor unit, with an emitter contact terminal 4 on the emitter electrode 21 of an IGBT chip 1 and a both-end contact structure of contact probe 5 on a gate pad 22.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップ１をコレクタ基板２と固着して構成される半導体エレメントに対し、絶縁性の位置決めガイド３がエミッタコンタクト端子体４をＩＧＢＴチップ１のエミッタ電極２１に、両端接触構造のコンタクトプローブ５をゲートパッド２２に位置決めして個別の半導体ユニットを構成する。 - 特許庁

A plurality of projecting structures are formed on the surfaces of the elastic structures of the diaphragm electrode opposite to the fixed electrode on the insulating substrate and, when the gas pressure to be measured by a vacuum sensor decreases, the elastic structures pressurized against the fixed electrode are surely separated from the fixed electrode.例文帳に追加

更に、絶縁基板上の固定電極に対向するダイヤフラム電極の弾性構造の表面上に複数の突起構造を形成し、真空センサが測定する気体の圧力が下がった場合に、それまで固定電極に押しつけられていた弾性構造が確実に固定電極から離れ得るようにして課題を解決した。 - 特許庁

A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁

Sections among the fine wiring 2 are filled selectively with the material of a liquid by a slip coating method utilizing a capillary phenomenon by forming a water-repellent film 7 to the wiring and the surface of a substrate before the formation of the inter-wiring insulating films 4 (SOG films) formed by the coating of the material of the liquid.例文帳に追加

液体の材料の塗布によって形成される配線間絶縁膜４（ＳＯＧ膜）形成前に、撥水膜７を配線と基板表面に形成することにより、その後、毛細管現象を利用したスリットコート法を行えば、液体の材料が選択的に微細な配線２間にのみ充填される。 - 特許庁

To provide an inexpensive color filter for a liquid crystal display device which has an excellent light shielding property without providing a light shielding film even when using a metal thin film black matrix when the width of a picture frame is extremely narrow, and in which wirings on a counter substrate are not corroded and an electrostatic discharge can be prevented even without providing the insulating layer inside a shield case.例文帳に追加

額縁の幅が極めて狭い際に、金属薄膜のブラックマトリックスを用いても、遮光フィルムを設けずに、遮光性は良好で、対向基板の配線を腐食せず、シールドケースの内側に絶縁層を設けずとも静電放電を防止できる廉価な液晶表示装置用カラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing a color filter includes steps of applying a photoresist coating film 20 on a glass substrate 50 where a transparent conductive film 54 is formed and exposing and developing the resist to form a photospacer, wherein the insulating film 57 is simultaneously formed while forming the photospacer, in a portion opposing to the peripheral driving circuit and to be lower than the height of the photospacer Ps by using the above photomask.例文帳に追加

透明導電膜５４が形成されたガラス基板５０上に、フォトレジスト塗膜２０を設け、露光・現像によりフォトスペーサーを形成する工程を具備し、前記フォトマスクを用い周辺駆動回路と対向する部位に絶縁膜５７をフォトスペーサーＰｓの高さより低く、フォトスペーサーの形成と同時に形成する。 - 特許庁

In the copper foil 1 for the printed circuit board which is laminated on the surface of an insulating substrate in order to constitute a principal part of a conductor layer of a copper-clad printed circuit board, the roughened portion 2 and the non-roughened portion 3 are simultaneously formed on one side of a rolled copper foil or an electrolytic copper foil, or both sides thereof.例文帳に追加

銅張プリント配線基板の導体層の主要部を構成すべく、絶縁性基板の表面に張り合わされるプリント配線板用銅箔１において、圧延銅箔又は電解銅箔の片面、若しくは両面に、粗化部分２と無粗化部分３とを同時に形成したものである。 - 特許庁

To provide a heat dissipating material which has little warpage after being bonded with a semiconductor insulating substrate and is more compact, by providing fins having satisfactory ebullient efficiency for cooling liquid on a heat dissipating layer side of the heat dissipating material and by making a heat receiving layer side have a lower thermal expansion coefficient, and to provide a method for manufacturing it at a low cost.例文帳に追加

放熱材の放熱層側の冷却液に対し沸騰効率の良いフィンを設け、放熱材の受熱層側はより低熱膨張率として、半導体用絶縁板と放熱材との接合後の反りが小さく、よりコンパクトな放熱材及びそれを廉価に製造する方法を提供する。 - 特許庁

Organic light-emitting elements 10R, 10G and 10B have a resonator structure in which an end face closer to an upper organic layer 15 of a first electrode layer 13 is a first end P1 and an end face closer to an upper organic layer 15 of a second electrode layer 16 is a second end P2 on a planarized insulating layer 12 disposed on a substrate 11.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基板１１に設けられた平坦化絶縁層１２の上に、第１電極層１３の上部有機層１５側の端面を第１端部Ｐ１、第２電極層１６の上部有機層１５側の端面を第２端部Ｐ２とする共振器構造を有するものである。 - 特許庁

In this method for detecting a substance to be detected in a sample by a sensor including a substrate 1, and a channel having a source electrode 3 and a drain electrode 4 provided oppositely at a prescribed interval on an insulating thin film 2 formed on the upper surface of the substrate 1, the channel is constituted of ultrafine fibers, and after dropping sample solution onto the channel, a solvent in the sample solution is vaporized.例文帳に追加

基板１と、その基板１の上面に形成した絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法において、前記チャネルが超微細繊維で構成され、そのチャネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 10 has the semiconductor substrate 12 having an element formation region 14 around which a scribe region 34 is arranged, at least one wiring layer formed on the semiconductor substrate 12 via the insulating layer, a seal ring 36 formed so as to surround the element formation region 14, a rewiring 48 connected with a pad consisting of the top-layer wiring layer, and a second resin layer 32 covering the rewiring 48.例文帳に追加

半導体装置１０は、スクライブ領域３４が周囲に配置される素子形成領域１４を有する半導体基板１２と、絶縁層を介して半導体基板１２上に形成される少なくとも１層の配線層と、素子形成領域１４を囲むように形成されるシールリング３６と、最上層の配線層から成るパッドと接続された再配線４８と、再配線４８を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

A field effect transistor includes: a substrate 101 comprising a semi-insulating InP; a hole transit layer 102 formed on the substrate 101 and comprising GaAsSb in which carbon (C) is introduced as a p-type impurity; a channel layer 103 formed on the hole transit layer 102 and comprising InGaAs; an electron supply layer 104 formed on the channel layer 103; and a barrier layer 105 formed on the electron supply layer 104.例文帳に追加

半絶縁性のＩｎＰからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成されて、炭素（Ｃ）がｐ形の不純物として導入されたＧａＡｓＳｂからなる正孔走行層１０２と、正孔走行層１０２の上に形成されたＩｎＧａＡｓからなるチャネル層１０３と、チャネル層１０３の上に形成された電子供給層１０４と、電子供給層１０４の上に形成された障壁層１０５とを備える。 - 特許庁

To structure a coolant chamber accurately without generating inconvenient deformation on a substrate even through an assembling process in conjunction with heat treatment of a power conversion circuit part without depending on a shape and arrangement of a heat radiation projection in order to improve cooling performance in manufacturing a power semiconductor module in which a power conversion circuit is formed on a metal-insulating layer bonded substrate and a liquid-cooling type cooling device is structured on a metal base side.例文帳に追加

金属−絶縁層接合基板上に電力変換回路が構成され金属ベース側に液冷式冷却装置が構成されるパワー半導体モジュールを製造するにあたり、放熱突起の形状や配置に依存することなく、電力変換回路部の熱処理を伴う組立工程を経ても当該基板に不都合な変形を生じさせることなく精度よく冷却液室を構成し、もって冷却性能の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for mounting a semiconductor element on a wiring substrate through a protrusion electrode for an external connection not containing lead (Pb), and for mitigating stress acting on a wiring layer laminated through an interlayer insulating film composed of a Low-K material in the semiconductor element from the wiring substrate during such mounting, thereby an occurrence of an interlayer detachment may be suppressed.例文帳に追加

鉛（Ｐｂ）を含有しない外部接続用突起電極を介して半導体素子を配線基板に実装する方法であって、当該実装の際に、配線基板から、当該半導体素子に於けるＬｏｗ−Ｋ材料から構成される層間絶縁膜を介して積層されている配線層に作用する応力を緩和して、層間剥離の発生を抑制することができる半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an Si substrate 101 including an integrated circuit 102, an interlayer insulating film 103 formed thereon, an adhesive layer 104 formed thereon, a conduction layer 105 formed thereon, an LED epitaxial film 106 pasted thereon, and a thin film discrete wiring layer 107 formed on a region from above the LED epitaxial film 106 to the terminal region 108 of the Si substrate 101.例文帳に追加

半導体装置は、集積回路１０２を含むＳｉ基板１０１と、この上に形成された層間絶縁膜１０３と、この上に形成された接着層１０４と、この上に形成された導通層１０５と、この上に貼り付けられたＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６上からＳｉ基板１０１の端子領域１０８に至る領域に形成された薄膜の個別配線層１０７とを有する。 - 特許庁

The electron discharging element consisting of a carbon group material formed on a substrate with gaps is composed of a catalyst layer which is a catalyst for the above carbon group material formed on the substrate with gaps, the carbon group material formed on the catalyst layer and an insulating thin membrane formed to be embedded in the gaps of the carbon group material, and at least an upper surface of the carbon group material is exposed.例文帳に追加

基板上に間隙を有して形成される炭素系材料を有する電子放出素子であって、前記基板上に間隙を有して形成された前記炭素系材料の触媒となる触媒層と、該触媒層上に形成された該炭素系材料と、該炭素系材料の間隙を埋めるように形成された絶縁性薄膜を有し、該炭素系材料の少なくとも上表面が露出していることを特徴とする電子放出素子である。 - 特許庁

The second substrate section 20 is provided with an insulating substrate 21 formed with a cavity section 22 at the portion facing the infrared ray detecting element 14 and formed with connecting holes 23 penetrating at the portions facing the protruded electrodes 16, conductive sections 24 made of a conductive material buried in the connecting holes 23 and electrically connected to the protruded electrodes 16, and a surface electrode 25 electrically connected to the conductive sections 24.例文帳に追加

第２の基板部２０は、赤外線検出素子１４に対向する部分に空洞部２２が形成され、突起状電極１６に対向する部分において貫通する接続孔２３が形成された絶縁性基板２１と、接続孔２３に埋め込まれた導電性物質よりなり、突起状電極１６に電気的に接続された導電部２４と、導電部２４に電気的に接続された表面電極２５を有している。 - 特許庁

A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET.例文帳に追加

高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。 - 特許庁

A touch sensitive device 100 comprises: a substrate 200; a mask layer 310; at least one touch sensing assembly 320 partially masked by the mask layer 310; and an insulator 330 formed between the mask layer 310 and the touch sensing assembly 320 for insulating the mask layer 310; in which the mask layer 310, the touch sensing assembly 320, and the insulator 330 are integrally formed on the substrate 200.例文帳に追加

本実施の形態に係るタッチセンシティブデバイス１００は、基板２００と、マスク層３１０と、マスク層３１０によって部分的にマスクされる少なくとも一つのタッチ検出アセンブリ３２０と、マスク層３１０とタッチ検出アセンブリ３２０との間に形成され、マスク層３１０とタッチ検出アセンブリ３２０を絶縁する絶縁体３３０とを備え、マスク層３１０、タッチ検出アセンブリ３２０及び絶縁体３３０は基板２００上に一体的に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a first wiring layer formed on the semiconductor substrate, a second wiring layer formed at the upper part of the first wiring layer, a plug serving as at least a fuse element for connecting the first wiring layer with the second wiring layer, and an opening provided in a part of an insulating film formed on the second wiring layer corresponding to the plug.例文帳に追加

上記の課題を解決する半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された第１の配線層と、前記第１の配線層より上方に形成された第２の配線層と、前記第１の配線層及び第２の配線層間を接続する少なくとも１のヒューズ素子としてのプラグと、前記第２の配線層の上方に形成された絶縁膜の一部に前記プラグに対応して設けられた開口部とを具備する。 - 特許庁

In the buildup wiring board comprising a core substrate 11 having a via 12 formed in the insulating layer and filled with conductive paste 13 for interlayer connection, and a buildup layer 14 formed at least on one side of the core substrate 11 and having a via 15 for interlayer connection, the diameter at the bottom of the via 15 formed in the buildup layer 14 is made substantially uniform.例文帳に追加

絶縁層にビア１２が形成されこれらのビア１２内に層間接続するための導電性ペースト１３が充填されたコア基板１１と、このコア基板１１の少なくとも一方の面に形成され層間接続するためのビア１５が形成されたビルドアップ層１４とを有するビルドアップ配線板であって、前記ビルドアップ層１４に形成されたビア１５の底部の直径が、各々がほぼ均一に形成されたことを特徴とするビルドアップ配線板である。 - 特許庁

An electronic component-incorporating substrate incorporating a passive component in a resin substrate having a plurality of layers of wiring wherein the passive component is arranged in an insulating layer existing between a first wiring layer which is electrically connected with the passive component and a second wiring layer which is proximate to the first wiring layer, and the second wiring layer has an opening larger than the mounting area of the passive component.例文帳に追加

複数層の配線を有する樹脂基板内に受動部品を内蔵してなる電子部品内蔵基板であって、前記受動部品は前記受動部品と電気的に接続される第１配線層と前記第１配線層に近接する第２配線層との間に存在する絶縁層内に配置され、前記第２配線層は少なくとも前記受動部品の実装面積より大きな開口部を有する電子部品内蔵基板である。 - 特許庁

The semiconductor device has an island-shaped semiconductor layer formed on a substrate and having a first impurity region and a second impurity region at a prescribed interval, a gate insulating film formed on the island-shaped semiconductor layer, and a gate electrode formed in a region on the gate insulating film between the first impurity region and the second impurity region, the island semiconductor layer having a polygonal plane shape whose angles are all obtuse.例文帳に追加

基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有する島状半導体層、前記島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、及び前記第１の不純物領域及び第２の不純物領域の間の領域に対応する前記ゲート絶縁膜上の領域に形成されたゲート電極を具備し、前記島状半導体層の平面形状は、すべての角が鈍角である多角形であることを特徴とする。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has an outermost layer above a conductive aluminum substrate and has an intermediate layer containing inorganic particles and a binder between the conductive aluminum substrate and at least the outermost layer, wherein a resin constituting the outermost layer is a polyarylate or a copolymer thereof, the inorganic particles have a number average primary particle diameter of 5-300 nm, and the intermediate layer is an insulating layer covered with the outermost layer.例文帳に追加

導電性アルミニウム基体上に最上層を有する電子写真感光体であり、該導電性アルミニウム基体と少なくとも最上層との間に、無機粒子とバインダーとを含有する中間層を有する電子写真感光体において、該最上層を構成する樹脂がポリアリレート又はポリアリレート共重合体であり、該無機粒子の数平均一次粒径が５〜３００ｎｍであり、該中間層が最上層に覆われている絶縁層であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The field effect transistor 100 includes a semiconductor substrate 101, a channel layer 102 formed on the semiconductor substrate 101, an electron supply layer 103 formed on the channel layer 102, a semiconductor layer 106 formed in the electron supply layer 103 and containing Pt, a perovskite type oxide layer 107 formed on the semiconductor layer 106 and functioning as a gate insulating film, and a gate electrode 108 formed on the perovskite type oxide layer 107.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成されたチャネル層１０２と、チャネル層１０２上に形成された電子供給層１０３と、電子供給層１０３内に形成され、Ｐｔを含む半導体層１０６と、半導体層１０６上に形成され、ゲート絶縁膜として機能するペロブスカイト型酸化物層１０７と、ペロブスカイト型酸化物層１０７上に形成されたゲート電極１０８とを備える。 - 特許庁

To provide a wiring sheet for a back contact type solar cell which consists of a laminate of an insulating substrate and a conductor, and on which a wiring pattern is formed subsequently by photoetching, and which can be used for producing a highly reliable back contact type solar cell module that is not attacked by the etching solution with excellent productivity.例文帳に追加

バックコンタクト型太陽電池用の配線シートが、絶縁性を有する基材と導電体との積層体からなり、その後フォトエッチングにより配線パターンが施される配線シートであって、生産性に優れ、且つ、エッチング液に犯されることがない高信頼性を有するバックコンタクト型太陽電池モジュールを生産することができる配線シートを提供する。 - 特許庁

Dielectric films 11 to 15 containing at least a photo-bleeching material out of photo-bleeching, inorganic, and organic materials are formed on a substrate 10, and the light energy of ultraviolet rays applied to the dielectric films 11 to 15 is adjusted, thus reducing the relative dielectric constant of the interlayer insulating films 11 to 15 with a simple configuration.例文帳に追加

基板１０上にフォトブリーチング材料、無機材料及び有機材料のうち少なくともフォトブリーチング材料を含む誘電体膜１１〜１５を形成し、その誘電体膜１１〜１５に照射する紫外線光の光エネルギーを調節するという簡単な構成により層間絶縁膜１１〜１５の比誘電率を低くすることができる。 - 特許庁

This semiconductor device is featured by the provision of a plurality of active elements formed on a semiconductor substrate, the first insulating film 32 formed on these active elements as well as wiring layers 27 having aperture parts on at least a part of perpendicular bisector between adjacent elements out of the plurality of active elements.例文帳に追加

半導体基板上に形成された複数の能動素子と、この能動素子の上に形成された第１の絶縁膜３２と、この第１の絶縁膜３２の上に形成され、前記複数の能動素子のうち隣接する素子間の垂直二等分線の少なくとも一部の上に開口部を有する配線層２７とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyimide soluble in organic solvents and suitably usable as an overcoating material for a flexible wiring substrate, an interlayer insulation material, etc., excellent in heat-resistance, electrical properties, flexibility, etc., a photosensitive polyimide ink composition containing the photosensitive polyimide, and an insulating film produced by curing the photosensitive polyimide ink composition.例文帳に追加

耐熱性、電気特性、及び柔軟性等に優れたフレキシブル配線板用オーバーコート材、及び層間絶縁材料等として好適に用いることができるとともに、有機溶媒に可溶性である感光性ポリイミド、前記感光性ポリイミドを含有する感光性ポリイミドインク組成物、及び前記感光性ポリイミドインク組成物を硬化させてなる絶縁膜の提供。 - 特許庁

While holding the constitutive stability of the photoresist which is the mask through the first etching process, the dimensions of the trench can be expanded through a second etching process, using an etchant provided with a composition which is different according to the type of the semiconductor substrate or the insulating film, after forming the trench having the first dimension.例文帳に追加

第１食刻工程を通じてマスクであるフォトレジストパターンの構造的な安定性を保持しながら、第１寸法を有するトレンチを形成した後、半導体基板または絶縁膜の種類により相異する組成を有する食刻溶液を使用する第２食刻工程を通じてトレンチの寸法を拡張させることができる。 - 特許庁

In a photoelectric conversion module, a plurality of photoelectric conversion devices are formed on a transparent insulating substrate, and a first connection electrode for connection between the first electrode of one of adjacent photoelectric conversion devices and the second electrode of the other thereof and/or a second connection electrodes for connection between the first electrodes or between the second electrodes are formed.例文帳に追加

また、透明絶縁基板上に上記光電変換装置を複数形成し、隣接する一方の光電変換装置の第１電極と、他方の光電変換装置の第２電極を接続する第１の接続電極、及び／または第１電極同士及び第２電極同士を接続する第２の接続電極を形成した光電変換モジュールとする。 - 特許庁

An array substrate of this liquid crystal device has auxiliary capacitance lines 52, auxiliary capacitance electrodes 61 which are oppositely disposed on the under layer of the auxiliary capacitance lines via gate insulating films 62 and, thereby, form auxiliary capacitance and connecting wiring 80 which connect pixel TFTs 75, pixel electrodes 53 and the auxiliary capacitance electrodes with each other.例文帳に追加

液晶表示装置のアレイ基板は、補助容量線５２と、ゲート絶縁膜６２を介して補助容量線の下層に対向配置されることにより補助容量を形成する補助容量電極６１と、画素ＴＦＴ７５、画素電極５３、及び補助容量電極を互いに連結する連結配線８０とを有している。 - 特許庁

To securely carry out screening for a defective pixel by effectively avoiding deterioration in reliability even when a transistor with low breakdown voltage is used by applying a flat display device and a testing method for the flat display device to, for example, a liquid crystal display device having a driving circuit formed on an insulating substrate in one body.例文帳に追加

本発明は、フラットディスプレイ装置及びフラットディスプレイ装置の試験方法に関し、例えば絶縁基板上に駆動回路を一体に形成した液晶表示装置に適用して、耐圧の低いトランジスタを用いる場合であっても、信頼性の劣化を有効に回避して確実に欠陥画素に係るスクリーニングを実行することができるようにする。 - 特許庁

To provide a cleaning method which forms a structure having an interlayer insulating film and a reflection preventing film provided on a semiconductor substrate after a heat treatment, and polishes the structure then to clean, wherein foreign matters such as particle grains and metal contaminants can be suppressed from adhering to a cleaning surface.例文帳に追加

熱処理の後に半導体基板上に設けられた層間絶縁膜および反射防止膜を有する構造を形成し、その構造を研磨した後に行う洗浄方法において、パーティクル粒子および金属汚染物質のような異物が洗浄面に付着することを抑制することが可能な洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film solar cells includes a first laser light irradiation step of forming first separation grooves by irradiating a transparent electrode layer formed on a transparent insulating substrate with laser light to separate the transparent electrode and forming alignment grooves on the right and left sides of a direction orthogonal to the longitudinal direction of each first separation groove.例文帳に追加

透明絶縁基板に形成された透明電極層にレーザ光を照射することによって透明電極層を分離する第１分離溝を形成するとともに、第１分離溝の長手方向と直交する方向の左右にアライメント用の溝を形成する第１のレーザ光照射工程を含む、薄膜太陽電池の製造方法である。 - 特許庁