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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Insulating substrateの意味・解説 > Insulating substrateに関連した英語例文

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Insulating substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9601



例文

INSULATING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THAT AND MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE例文帳に追加

半導体用絶縁基板およびそれを用いた半導体装置並びに該基板の製造方法 - 特許庁

The insulating substrate 2 is dissolved by the conductive material 3, the conductive material 3 is embedded into the insulating substrate 2 with a part thereof being exposed from the one surface 2a of the insulating substrate 2, interfaces of the conductive material 3 and the insulating substrate 2 are fused together, and thereby the conductive material 3 and the insulating substrate 2 are integrated.例文帳に追加

そして、絶縁性基材2を導電性材料3で溶かし、絶縁性基材2の一面2aに一部を露出させた状態で導電性材料3を絶縁性基材2に埋設させ、導電性材料3と絶縁性基材2の接合界面を融合させて、導電性材料3と絶縁性基材2を一体形成するようにした。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor layer formed on an insulating substrate of resin, a heat insulation layer is provided on the opposite sides of the insulating substrate, an insulating layer having a high thermal conductivity is provided on the heat insulation layer on one side of the insulating substrate and the semiconductor layer is provided on the insulating layer.例文帳に追加

樹脂性の絶縁性基板上に半導体層を形成してなる半導体装置において、絶縁性基板の両面に断熱層を設け、絶縁性基板の片面の断熱層上に熱伝導率が大きい絶縁性層を設け、絶縁性層上に半導体層を設けた。 - 特許庁

A three-layer insulating film composed of a first insulating film, a high dielectric constant film on the first insulating film and a second insulating film on the high dielectric constant film, is formed on the substrate.例文帳に追加

基板に、第1の絶縁膜、及び、第1の絶縁膜上の高誘電率膜、及び、高誘電率膜上の第2の絶縁膜からなる3層絶縁膜を形成する。 - 特許庁

例文

This substrate for mounting the semiconductor comprises a flexible insulating substrate and a wiring conductor, and a coefficient of moisture permeability of the insulating substrate is in the range of 1.0×10-4 to 1.0×10-2 (g.m/m2.24 h).例文帳に追加

可とう性の絶縁基材と配線導体とからなる基板であって、絶縁基材の透湿率が1. 0×10^-4〜1.0×10^-2(g・m/m^2・24h)の範囲である半導体搭載用基板。 - 特許庁


例文

The side of the cold contacts 132 in the thermocouple 13 is arranged in the vicinity of the circumference of the insulating substrate 12, and the lower substrate 11 is of a form to support the insulating substrate 12.例文帳に追加

熱電堆13における冷接点132側は、絶縁基材12の周辺付近にあり、下の基板11は絶縁基材12を支える形態となっている。 - 特許庁

The metal substrate with the insulating layer includes a metal substrate having at least an aluminum base and an insulating layer formed on the aluminum base of the metal substrate.例文帳に追加

本発明の絶縁層付金属基板は、少なくともアルミニウム基材を備える金属基板と、この金属基板のアルミニウム基材に形成された絶縁層とを有する。 - 特許庁

The metal substrate with the insulating layer has a metallic substrate having at least an aluminum base, and the insulating layer formed on the aluminum base of the metallic substrate.例文帳に追加

本発明の絶縁層付金属基板は、少なくともアルミニウム基材を備える金属基板と、金属基板のアルミニウム基材に形成された絶縁層とを有する。 - 特許庁

At first, insulating layers 207 and 208 are formed in a semiconductor substrate 206 using SIMOX method and then the semiconductor substrate 206 is pasted to an insulating substrate 10A.例文帳に追加

まず、SIMOX手法を用いて半導体基板206の内部に絶縁層207,208を形成し、この半導体基板206を絶縁基板10Aに貼り合わせる。 - 特許庁

例文

At first, an insulating layer 11b is formed in a semiconductor substrate 206 using SIMOX method and then the semiconductor substrate 206 is pasted to an insulating substrate 10A.例文帳に追加

まず、SIMOX手法を用いて半導体基板206の内部に絶縁層11bを形成し、この半導体基板206を絶縁基板10Aに貼り合わせる。 - 特許庁

例文

Since the insulating substrate receives a small amount of heat by the heat treatment, an inexpensive glass substrate, having low heat resistance and high heat shrinkability, can be used as the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板が加熱処理によって受ける熱量が少ないので、耐熱性が低く、熱収縮性が高い安価なガラス基板を絶縁基板として使用することができる。 - 特許庁

The printed circuit board-type ground trap unit comprises an insulated substrate 12, outer conductor patterns 14A and 14B formed on both surfaces of the insulating substrate, and a central conductor pattern 16 formed within the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板12と、この絶縁基板の両面に形成された外部導体パターン14A、14Bと、絶縁基板の内部に形成された中心導体パターン16とを備える。 - 特許庁

This electrostatic micro actuator 10 is furnished with a substrate 1, a substrate electrode insulating layer 2, a substrate electrode 3, a driving electrode insulating layer 5 and a driving electrode 8.例文帳に追加

本発明の静電マイクロアクチュエータ10は、基板1と、基板電極絶縁層2と、基板電極3と、駆動電極絶縁層5と、駆動電極8とを具えている。 - 特許庁

A first insulating film 21, a second insulating film 23A, a third insulating film 23B, a fourth insulating film 24 comprising SiOC, and a fifth insulating film 25 are sequentially formed on a substrate.例文帳に追加

基板の上に第1の絶縁膜21と、第2の絶縁膜23Aと、第3の絶縁膜23Bと、SiOCからなる第4の絶縁膜24と、第5の絶縁膜25が順次形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, a lower insulating film, an intermediate insulating film made of a material different from the lower insulating film, and an upper insulating film made of a material different from the intermediate insulating film are formed in order.例文帳に追加

半導体基板の上に、下部絶縁膜、下部絶縁膜とは異なる材料からなる中間絶縁膜、及び中間絶縁膜とは異なる材料からなる上部絶縁膜を順番に形成する。 - 特許庁

In the double-sided copper-clad board in which copper foil is laminated on both sides of an insulating substrate, the insulating substrate is composed of at least two layers of a first insulating substrate made of a thermoplastic resin composition and a second insulating substrate made of a mixture of an alkenyl phenol compound and a maleimide.例文帳に追加

絶縁基材の両面に銅箔を積層してなる両面銅張板において、絶縁基材を、熱可塑性樹脂組成物からなる第1絶縁基材、および、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物からなる第2絶縁基材の少なくとも二層の基材により構成する。 - 特許庁

The thermomodule comprises a first insulating substrate and a second insulating substrate 3, on which a conductive part is formed, and a plurality of Peltier elements 4 are held in between the first insulating substrate and the second insulating substrate and connected through contact of the conductive parts 2a and 3a.例文帳に追加

導電部が形成された第1絶縁基板及び第2絶縁基板3と、第1絶縁基板と第2絶縁基板間との間に保持され、導電部2a,3aとの接触によって接続される複数のペルチェ素子4とを備えたサーモモジュール1およびこれを用いた半導体レーザモジュール。 - 特許庁

The organic electroluminescent display device 1 includes an insulating substrate 3, a plurality of organic electroluminescent elements 4 formed on the insulating substrate 3, and an insulating film formed on the insulating substrate 3 to demarcate the plurality of organic electroluminescent elements 4 from one another.例文帳に追加

有機EL表示装置1は、絶縁性基板3と、絶縁性基板3上に形成された複数の有機EL素子4と、絶縁性基板3上に形成されるとともに、複数の有機EL素子4を区画する絶縁膜5を備えている。 - 特許庁

An insulating substrate 13 is stuck on an insulating resin layer 11 where 1st opening parts 12 are formed, 2nd opening parts 14 for forming the inspection electrodes are formed in the insulating substrate 13, and a metal substrate 15 is stuck on the side of the insulating resin layer 11.例文帳に追加

第1開口部12を形成した絶縁樹脂層11に絶縁基板13を貼着し、絶縁基板13に検査電極を形成するための第2開口部14を形成し、絶縁樹脂層11側に金属基板15を貼着する。 - 特許庁

A first resistor 11 and a second resistor 12 are formed in an annular shape on the substrate surface of the first insulating substrate 31 under an insulated state, and a conductor 13 is formed to an opposed surface with a first insulating substrate 31 to a second insulating substrate 32 as separated and oppositely arranged to the first insulating substrate 31.例文帳に追加

第1絶縁性基板31の基板面に円環状をなす第1抵抗体11、第2抵抗体12を絶縁した状態で併設し、第1絶縁性基板31に対して離間して対向配置する第2絶縁性基板32には第1絶縁性基板31との対向面に導電体13を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer substrate which is especially usable for a composite substrate in which a substrate is directly mounted on a substrate, and to provide a method of manufacturing a multilayer substrate in which the substrate can be mounted without laying an insulating sheet or an insulating material.例文帳に追加

基板の上に直接基板を搭載する複合基板に特に有効な多層基板の製造方法を供給するもので、絶縁シートや絶縁材料をしかなくとも、搭載可能な多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 2, on which an interlayer insulating film 3 is formed, a contact hole 1 is formed between the surface 3a of the insulating film 3 and a internal portion of the substrate 2 through the insulating film 3 and the surface 2a of the substrate 2.例文帳に追加

層間絶縁膜3が形成された半導体基板2上において、コンタクトホール1の一端は層間絶縁膜表面3aに開口され、他端は半導体基板表面2aを貫いている。 - 特許庁

A film 4 having a heat resistance and an electric insulating property is formed on an insulating substrate 1 while avoiding pads 2 for the insulating substrate 1, and solder bumps 3 are formed on the pads 2, thus obtaining the mounting substrate for the electronic part.例文帳に追加

絶縁性基板1上に耐熱性及び電気絶縁性を有するフィルム4を、絶縁性基板1のパッド2を避けるように形成し、パッド2上にはんだバンプ3を形成して電子部品の実装基板を得る。 - 特許庁

An outermost insulating substrate 4A is arranged at one outermost surface of a multilayer circuit board 1, and the outermost insulating substrate 4A is provided with a conductive bump 8 such that it projects from the surface of the outermost insulating substrate 4A.例文帳に追加

多層回路基板1の一方の最外面には最外絶縁性基板4Aが配され、最外絶縁性基板4Aには導電性バンプ8が最外絶縁性基板4Aの表面から突設するように設けられている。 - 特許庁

A coil pattern CP1 is formed on the upper face of an insulating substrate B1, and a lead pattern LP1 is formed on the upper face of an insulating substrate B2, and a ground pattern AP1 and a terminal pattern TP1 are formed on the lower face of the insulating substrate B2.例文帳に追加

絶縁基板B1の上面にコイルパターンCP1を形成し、絶縁基板B2の上面にリードパターンLP1を形成し、絶縁基板B2の下面にアースパターンAP1とターミナルパターンTP1を形成する。 - 特許庁

The coil body 3 is a conductive film stuck to the insulating substrate 2.例文帳に追加

コイル本体3は、絶縁性基板2に付着された導電膜である。 - 特許庁

PRODUCTION OF INSULATING SUBSTRATE FOR THIN AMORPHOUS SILICON SOLAR CELL例文帳に追加

非晶質シリコン薄膜型太陽電池用絶縁基板の製造方法 - 特許庁

In order to form insulating layers 503 on the substrate 500, both surfaces of the substrate 500 are coated with an insulating material 503.例文帳に追加

前記基板500上に絶縁層503を形成させるために前記基板500の両表面上に絶縁材料503が被覆される。 - 特許庁

A method for forming the semiconductor storage device comprises a step of forming an insulating film 352 on a semiconductor substrate 351.例文帳に追加

半導体基板351上に絶縁膜352を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display element 20 and the organic EL light emitting element 40 are both provided between the insulating substrate 21 and the insulating substrate 29.例文帳に追加

液晶表示素子20及び有機EL発光素子40はいずれも絶縁性基板21と絶縁性基板29との間に設けられる。 - 特許庁

LAMINATE, METHOD FOR FORMING THE SAME, INSULATING LAYER, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

積層体、積層体の形成方法、絶縁層ならびに半導体基板 - 特許庁

To separately form insulating films having different film thicknesses on a substrate while keeping high accuracy.例文帳に追加

膜厚の異なる絶縁膜を基板上に精度良く作り分ける。 - 特許庁

After a substrate insulating film 2 is deposited on an insulating substrate 1, a silicon thin film is deposited, and a polysilicon thin film 3 is formed by using a laser annealing method.例文帳に追加

絶縁基板1上に下地絶縁膜2を堆積した後、シリコン薄膜を堆積し、レーザアニール法によりポリシリコン薄膜3を形成する。 - 特許庁

A gate line including a gate electrode is formed on the upper part of an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板の上部にゲート電極を含むゲート線を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a third insulating film 153 is formed on a substrate 101.例文帳に追加

この後、基板101の上に第3の絶縁膜153を形成する。 - 特許庁

A first through hole is formed in an insulating first substrate.例文帳に追加

絶縁性の第1の基板に第1の貫通孔が形成されている。 - 特許庁

A particulate matter detection sensor element 1 is provided with an insulating substrate 2 and a plurality of detection parts 3 formed on the surface of the insulating substrate 2.例文帳に追加

粒子状物質検出センサ素子1は、絶縁基板2と、該絶縁基板2の表面に形成された複数の検出部3とを備える。 - 特許庁

Insulating layers 6, 8 are formed on the front surface and the rear surface of the core substrate 4.例文帳に追加

コア基板4の表面と裏面に絶縁層6,8を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is formed on a substrate through the intermediary of a gate insulating film.例文帳に追加

基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。 - 特許庁

A circuit pattern 3 constituted of a copper foil is formed on an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板1上に銅箔からなる回路パターン3を形成する。 - 特許庁

An electrode 5b, an insulating layer, and partitions 2 are formed on a substrate 1d.例文帳に追加

基板1dには電極5bや絶縁層や隔壁2を形成する。 - 特許庁

An insulating substrate 13 is cut by using bytes 10 of diamond and the like.例文帳に追加

ダイヤモンドなどのバイト10を用い、絶縁基体13を切削する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 2, a first insulating film 6 is formed.例文帳に追加

半導体基板2上には、第1絶縁膜6が形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film is provided between the second gate electrode and the substrate.例文帳に追加

第2ゲート電極と基板との間にゲート絶縁膜が介在される。 - 特許庁

To simply and certainly solder an electrode for battery to an insulating substrate.例文帳に追加

電池用電極を絶縁基板に簡単確実に半田付けすること。 - 特許庁

A gate insulating film is formed on the surface of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板の表面上にゲート絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GREEN SHEET LAMINATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING SUBSTRATE例文帳に追加

グリーンシート積層体の製造方法および絶縁基板の製造方法 - 特許庁

After that, a heat insulating material 2 is fitted between the substrate material 7 and the wall body 1, and the heat insulating material is held by the substrate material 7 and the supporting material 6.例文帳に追加

その後、断熱材2を下地材7と壁体1との間に嵌め込み、下地材7及び支持材6に断熱材を保持させる。 - 特許庁

Circuit patterns 10 and 14 are bonded onto the insulating substrate 8.例文帳に追加

絶縁基板8上には、回路パターン10、14が接合されている。 - 特許庁

例文

A double-gate type thin film transistor 3 is provided on an insulating substrate 2.例文帳に追加

絶縁基板2にダブルゲート型薄膜トランジスタ3が設けられている。 - 特許庁




  
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