「Insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a substrate including a thin embedded insulating film.例文帳に追加

薄い埋め込み絶縁膜を有する基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A metallic anchor 503 is made on the surface layer of the insulating substrate 51.例文帳に追加

絶縁基板５１の表層には，金属アンカー５０３が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film with a contact hole is provided on the substrate.例文帳に追加

前記基板上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜が提供される。 - 特許庁

An insulating substrate 100 is installed in a vacuum chamber, and a shadow mask 101 is installed to face the insulating substrate 100 in a close proximity to it.例文帳に追加

真空チャンバー内に、絶縁性基板１００を配置し、この絶縁性基板１００に近接して対向するように、シャドウマスク１０１を配置する。 - 特許庁

The lamination 12 has a seating 20, an insulating substrate 22 joined onto the seating 20, and a middle metal plate 24 joined onto the insulating substrate 22.例文帳に追加

積層体１２は、台座２０と、該台座２０上に接合された絶縁基板２２と、該絶縁基板２２上に接合された中間金属板２４とを有する。 - 特許庁

The gate insulating film 2 is formed on the substrate 1 and has an upper surface.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２は、基板１上に形成され、上部表面を有する。 - 特許庁

A counter electrode film 14 is formed on the entire surface of a single side of an insulating substrate 11 so as to cover a color filter layer 12 formed on the insulating substrate 11.例文帳に追加

絶縁基板１１上に形成されたカラーフィルタ層１２を覆うように、絶縁基板１１の片側全面に対向電極膜１４を形成する。 - 特許庁

On the main surface of a semiconductor substrate 11, insulating films 12 and 13 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の主面に絶縁膜１２,１３が形成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SILICON CARBIDE SUBSTRATE WITH EMBEDDED INSULATING LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板及びその製造方法 - 特許庁

INSULATING RADIATING SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND CIRCUIT MODULE USING THE SAME例文帳に追加

絶縁放熱基板とその製造方法及びこれを用いた回路モジュール - 特許庁

The printed wiring board 1 comprises an insulating substrate, a conductor film arranged on a surface of the insulating substrate, and a resist film for covering a surface of the conductor film.例文帳に追加

プリント配線板１は、絶縁基板と、絶縁基板の表面に配された導体膜と、導体膜の表面を覆うレジスト膜とを有している。 - 特許庁

INSULATING SUBSTRATE FOR THIN-FILM POLYCRYSTALLINE SILICON SOLAR BATTERY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板及びその製造方法 - 特許庁

An insulating substrate 22 is provided on a base plate 21 for installation, and several semiconductor devices 24 are mounted on this insulating substrate 22 via a conductive plate 23.例文帳に追加

取り付け用のベース板21上に絶縁基板22が設けられ、この絶縁基板22上には導電板23を介して複数個の半導体素子24が搭載されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 20 is formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上には、層間絶縁膜２０が形成されている。 - 特許庁

Then a MONOS insulating film 13 is formed on the silicon substrate surface.例文帳に追加

続いて、シリコン基板面上にＭＯＮＯＳ絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

A device separation insulating film 2 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面に素子分離絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

Moreover, since discharging is performed perpendicularly to the insulating substrate, the wiring pattern is not affected by dust or defects on the insulating substrate and no faulty pattern is formed.例文帳に追加

また、絶縁基板に対して垂直に吐出することで、ほこりや絶縁基板に存在する欠陥に影響されず、パターン不良を発生させない。 - 特許庁

To control the crack of an insulating substrate of a semiconductor device, and the embrittlement of solder.例文帳に追加

半導体装置の絶縁基板のクラックやはんだの脆化を抑制する。 - 特許庁

The gate insulating film 2 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２は半導体基板１の表面上に設けられている。 - 特許庁

MULTILAYER FILM, METHOD FOR FORMATION THEREOF, INSULATING FILM, AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR例文帳に追加

積層膜、積層膜の形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板 - 特許庁

The heat radiator 1 includes an insulating substrate 3 whose one surface is used as a heating element-mounting surface, and a heat sink 5 fixed to the other surface of the insulating substrate 3.例文帳に追加

放熱装置１は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板３と、絶縁基板３の他面に固定されたヒートシンク５とを備えている。 - 特許庁

An insulating substrate 12 is in the form of a rectangular plate made of alumina or the like.例文帳に追加

絶縁基板１２は、アルミナ等からなる長方形状の板である。 - 特許庁

The varnish is used to form the electric insulating films to obtain the multi-layered circuit substrate.例文帳に追加

このワニスを用いて電気絶縁膜を形成し、多層回路基板を得る。 - 特許庁

LAMINATE, FORMING METHOD FOR THE LAMINATE, INSULATING FILM AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR例文帳に追加

積層体、積層体の形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板 - 特許庁

A gate insulating film 21 is arranged on the glass substrate 2 by covering the active layer 12.例文帳に追加

活性層12を覆ってガラス基板２上にゲート絶縁膜21を設ける。 - 特許庁

Reference marks 42 are formed on the surface of the first insulating substrate 22, and parts of the second insulating substrate 23 on the reference marks 42 are opened.例文帳に追加

更に第１の絶縁基板２２表面に基準マーク４２を形成しておき、基準マーク４２上方の第２の絶縁基板２３は開口しておく。 - 特許庁

The second substrate is provided so as to face the surface over which the first pattern of the first substrate is formed and has an insulating surface (second insulating surface).例文帳に追加

第２の基板は、第１の基板の第１のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面（以下、第２の絶縁表面）を有する。 - 特許庁

A connection part 16 is formed by overlaying the respective other ends of the heating resistors 12 and 13 on the insulating substrate 11 and forming its other end on the side surface in the width direction of the insulating substrate 11.例文帳に追加

発熱抵抗体１２，１３のそれぞれの他端を絶縁基板１１の短手方向の側面上に接続部１６を形成する。 - 特許庁

An insulating film that acts as an etching stopper is formed on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、エッチングストッパとして作用する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

LAMINATED FILM, FORMING METHOD FOR LAMINATED FILM, INSULATING FILM, AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR例文帳に追加

積層膜、積層膜の形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板 - 特許庁

The heat sink 30 is in a plate shape, and bonded to a lower surface of the insulating substrate 10 to be thermally coupled with the semiconductor element 20 through the insulating substrate 10.例文帳に追加

ヒートシンク３０は板状をなし、絶縁基板１０の下面に接合され、絶縁基板１０を介して半導体素子２０と熱的に結合している。 - 特許庁

Alternatively, a thickness of the solder resist layer 6 covering on the upper surface of the insulating substrate 1 is thinner than that of the solder resist layer 6 covering on the lower surface of the insulating substrate 1.例文帳に追加

あるいは、絶縁基板１の上面に被着されたソルダーレジスト層６は絶縁基板１の下面に被着されたソルダーレジスト層６よりも薄い。 - 特許庁

The jig 20 has a base plate 30 on which the insulating substrate is mounted, and an annular frame body 40 which is mounted on the base plate 30 and surrounds the periphery of the insulating substrate.例文帳に追加

治具２０は、絶縁基板が載置されるベースプレート３０と、ベースプレート３０に載置されて、絶縁基板の周囲を囲む環状の枠体４０とを備える。 - 特許庁

This MOSFET comprises a semiconductor substrate 20, an insulating layer 30 formed on the semiconductor substrate, and an SOI layer 40 formed on the insulating layer.例文帳に追加

半導体基板２０と、半導体基板上に設けられた絶縁層３０と、絶縁層上に設けられたＳＯＩ層４０とを備えるＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

To securely fix a thermistor 1 to an insulating substrate 3 in a thermal head in which a heating part and the thermistor are integrally formed through the surface of the insulating substrate 3.例文帳に追加

絶縁基板３面を介して発熱部とサーミスタとが一体化されたサーマルヘッドにおいて、サーミスタ１の絶縁基板３への固定を確実にする。 - 特許庁

The overall thickness of the insulating substrate 2 is set to 0.1 mm or less, for example.例文帳に追加

絶縁基板２の総厚みは、例えば、０．１ｍｍ以下に設定される。 - 特許庁

Electrodes 15 and the lead-out electrodes 16 are formed on an insulating substrate 9.例文帳に追加

絶縁基板９に電極１５と引き出し電極１６を形成する。 - 特許庁

A base insulating layer 2 is formed on a long-sized substrate 1 made of metal.例文帳に追加

金属製の長尺状基板１上にベース絶縁層２を形成する。 - 特許庁

INSULATING SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁基板およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

After a substrate insulating film 2 is accumulated on an insulating substrate 1, a polysilicon thin film 3 constituting a channel area and a source-drain area is formed.例文帳に追加

絶縁基板１上に、下地絶縁膜２を堆積した後、チャネル領域及びソース・ドレイン領域を構成するポリシリコン薄膜３を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF INSULATING SHEET SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD OF MULTILAYER CIRCUIT BOARD例文帳に追加

絶縁性シート基板の製造方法、及び多層回路基板の製造方法 - 特許庁

Wiring 17 is formed on an insulating film 15b on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜１５ｂ上に配線１７を形成する。 - 特許庁

A titanium nitride film 12 is formed on an insulating substrate 11 made of sapphire.例文帳に追加

サファイアから成る絶縁性基板１１の上に窒化チタン膜１２を設ける。 - 特許庁

A semiconductor layer 3 and the gate insulating film 4 are formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に半導体層３およびゲート絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

Particularly, the stress is absorbed in the interposer 70 by using an insulating substrate having a Young's modulus of 3-40 GPa as the insulating substrate 80 constituting the interposer 70.例文帳に追加

特に、インターポーザ７０を構成する絶縁性基板８０としてヤング率３〜４０ＧＰａのものを用いることで、インターポーザ７０内で応力を吸収する。 - 特許庁