「Insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

On a rear face of an insulating substrate 2, solder balls 3 arranged in a ring shape are arranged in a plurality of rows from an outer periphery toward the inside of the insulating substrate 2.例文帳に追加

絶縁基板２の裏面には、半田ボール３をリング状に配列させ、絶縁基板２の外周から内側に向かって複数列配列させる。 - 特許庁

The first insulating substrate 17 or the second insulating substrate 18 comprises a flexible substrate which can press and be brought into contact with the first and second resistors 11 and 12 and the conductor 13.例文帳に追加

第１絶縁性基板１７又は第２絶縁性基板１８は第１抵抗体１１、第２抵抗体１２と導電体１３とを押圧接触可能な可撓性基板で構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic component mounting substrate (electronic component mounting motherboard) capable of producing an insulating substrate by highly accurately aligning upper and lower pads of the insulating substrate with each other.例文帳に追加

絶縁基板の上下のパッドを高い精度で位置合わせして製作することが可能な電子部品搭載用基板（電子部品搭載用母基板）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating substrate in which a solder layer interposed between the substrate and a mounted component hardly cracks and in which an insulating layer laminated upon a base substrate has a low thermal resistance.例文帳に追加

絶縁基板と実装部品との間に介在されるはんだ層にクラックが発生し難く、しかもその表面に積層された絶縁層の熱抵抗が小さい絶縁基板を提供する。 - 特許庁

Either the first insulating substrate 17 or the second insulating substrate 18 is formed of a flexible substrate so as to enable the first resistor 11 and the second resistor 12 to come into contact with the conductor 13 by pressing.例文帳に追加

第１絶縁性基板１７又は第２絶縁性基板１８は第１抵抗体１１、第２抵抗体１２と導電体１３とを押圧接触可能な可撓性基板で構成する。 - 特許庁

Then, a substrate fixation portion 40 which is a portion of the electrode 30 and comes into contact with the insulating substrate via an insulator 42 is disposed crossing the insulating substrate.例文帳に追加

そして、該電極３０の一部であって絶縁体４２を介して該絶縁基板と接する基板固定部４０が該絶縁基板を横切るように配置されたことを特徴とする。 - 特許庁

A rear-side pattern 5 of the insulating substrate 2 is joined onto a main surface of the heatsink 1 via a solder layer 7 on the rear side of the substrate, whereby the insulating substrate 2 is fixed to the surface of the heatsink 1.例文帳に追加

絶縁基板２の裏面パターン５は、基板下ハンダ層７を介してヒートシンク１の主面に接合され、それによって絶縁基板２がヒートシンク１上に固定されている。 - 特許庁

The laminate substrate junction body 40 is provided with a first laminate substrate 51 obtained by laminating a plurality of insulating layers 52 and a second laminate substrate 61 obtained by laminating a plurality of insulating layers 62.例文帳に追加

積層基板接合体４０は、複数の絶縁層５２を積層してなる第１積層基板５１と、複数の絶縁層６２を積層してなる第２積層基板６１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the substrate, a first insulating film formed on the substrate, the gate insulating film, constituted of a second insulation film formed on the first insulating film, and the gate electrode formed on the second insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、基板と、この基板に形成された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に形成された第二の絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、第二の絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。 - 特許庁

A manufacturing method of the substrate for the liquid discharge head includes a step of preparing the substrate provided with an insulating layer formed of an insulating material, and a step of forming a conduction layer formed of a conductive material on the insulating layer or above separately from the insulating layer.例文帳に追加

絶縁性材料からなる絶縁層が設けられた基板を用意する工程と、絶縁層の上または絶縁層から離れた上方に、導電性材料からなる導電層を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The surface of the insulating film in the vicinity of the phase changed film is closer located to a substrate side than an interface between the insulating film and the phase changed film on the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜と前記絶縁膜上の相変化膜との界面よりも、前記相変化膜の周囲における前記絶縁膜の表面を基板側にする。 - 特許庁

A black matrix 220, a color filter 230 and a common electrode are successively formed on an insulating substrate 210, and insulating substance is layered to form an insulating film thereon.例文帳に追加

絶縁基板２１０上にブラックマトリックス２２０、カラーフィルタ２３０及び共通電極を順次に形成し、絶縁物質を積層して絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A first insulating material that becomes a sacrificial film is deposited on a substrate, and a second insulating material having a sacrificial portion is deposited on the first insulating material.例文帳に追加

基板上に犠牲膜となる第１の絶縁材が堆積され、該第１の絶縁材上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材が堆積される。 - 特許庁

To provide a multilayered insulating film embedded favorably into a clearance provided in a substrate or the like, and capable of maintaining smoothness and an insulating layer thickness as an insulating layer.例文帳に追加

基板に設けられた隙間等に良好に埋め込まれ、かつ絶縁層としての平滑性と絶縁層厚みを維持できる絶縁フィルムを提供する。 - 特許庁

A base material for wiring circuit substrate has: a first insulating layer 21 consisting of an insulating material; and a conductor layer 10 provided on the first insulating layer 21.例文帳に追加

配線回路基板用基材は、絶縁材料からなる第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１上に設けられた導体層１０と、を備えている。 - 特許庁

Further, the first insulating film IL1 has less stress exerted on the silicon substrate 1 than the second insulating film IL2 and the third insulating film IL3.例文帳に追加

更に、第１絶縁膜ＩＬ１は、第２絶縁膜ＩＬ２および第３絶縁膜ＩＬ３よりも、シリコン基板１に対して及ぼす応力が小さい。 - 特許庁

A first insulating film performing as a tunnel insulating film, an electric charge storage layer, and a second insulating film are formed between a semiconductor substrate and an electrical conductive film.例文帳に追加

半導体基板と導電膜の間には、トンネル絶縁膜として機能する第１絶縁膜、電荷蓄積層、第２絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

A third insulating film is then formed on the surface of the three-layer insulating film in the first area and on the surface of the substrate where the three-layer insulating film is removed.例文帳に追加

そして、第１の領域の３層絶縁膜表面、及び、３層絶縁膜の除去された基板の表面に、第３の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Gate insulating films 15 and 75 of transistors 10 and 70 are the thinnest gate insulating films among gate insulating films of transistors formed in the semiconductor substrate 30.例文帳に追加

トランジスタ１０，７０のゲート絶縁膜１５，７５は、半導体基板３０に形成されたトランジスタのゲート絶縁膜の中で最も薄いゲート絶縁膜である。 - 特許庁

To provide an insulating substrate excellent in heat dissipation characteristics and capable of preventing thermal stress from working to a semiconductor element while a temperature cycle is loaded, an insulating circuit board and a semiconductor device using the insulating substrate, as well as a method for manufacturing the insulating substrate and a method for manufacturing the insulating circuit board.例文帳に追加

放熱特性に優れ、かつ、冷熱サイクル負荷時において半導体素子に熱応力が作用することを抑制することが可能な絶縁基板、この絶縁基板を用いた絶縁回路基板および半導体装置、並びに、絶縁基板の製造方法及び絶縁回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ion generator is composed of an insulating substrate 10, a plurality of discharge electrodes 15 which are insertion engaged with grooves 13 of the insulating substrate 10 and are pressed and fixed by a fixing substrate 20, a common electrode 35 and a resistor 36 formed on a second insulating substrate 30.例文帳に追加

絶縁基板１０と、絶縁基板１０の溝部１３に嵌合し、固定用基板２０で押圧固定された複数の放電電極１５と、第２の絶縁基板３０上に形成した共通電極３５及び抵抗体３６とからなるイオン発生器。 - 特許庁

To provide a wiring substrate excellent in reliability by raising adhesiveness between a through-hole formed in an insulating substrate and a through conductor provided in the through-hole in the wiring substrate constituted by being equipped with the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基体を具備してなる配線基板において、絶縁基体に形成された貫通孔と、貫通孔内に設けられた貫通導体との密着性を向上させ、信頼性に優れた配線基板を提供する。 - 特許庁

To prevent peel-off of an insulating adhesive member from an active matrix substrate in an image detector which includes the active matrix substrate and a protective substrate bonded to the active matrix substrate with the insulating adhesive member.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板とそのアクティブマトリクス基板に絶縁性接着部材によって接着された保護基板を備えた画像検出器において、絶縁性接着部材のアクティブマトリクス基板からの剥がれを防止する。 - 特許庁

After the semiconductor substrate where the layer structure is formed and the insulating substrate are adhered, the semiconductor substrate is removed to enable actualizing a structure, having a semiconductor layer of about several microns in thickness left on the insulating substrate.例文帳に追加

層構造が形成された半導体基板と絶縁基板とを接着した後、半導体基板を除去することで、数ミクロン程度の厚さの半導体層が絶縁基板に残された構造を実現できる。 - 特許庁

To enlarge the maximum electrode substrate which can be formed on an insulating substrate, or to increase the number of electrode substrates which can be manufactured from one insulating substrate in a method for manufacturing a matrix electrode substrate.例文帳に追加

マトリックス電極基板の製造方法において、絶縁性基板上に形成できる最大電極基板をより大きくする、あるいは１枚の絶縁性基板から製造できる電極基板の数を増やす。 - 特許庁

They are sequentially laminated in this order, and the substrate electrode insulating layer 2 and the driving electrode insulating layer 5 respectively separate and insulate the substrate 1 and the substrate electrode 3 and the substrate electrode 3 and the driving electrode 8.例文帳に追加

これらはこの順に積層されており、基板電極絶縁層２及び駆動電極絶縁層５は、それぞれ基板１と基板電極３、及び基板電極３と駆動電極８を分離絶縁している。 - 特許庁

Since a facing area between the silicon substrate 2 and an insulating layer 20 can be reduced by this constitution, the silicon substrate 2 can be prevented from sticking to the insulating layer 20 when performing anodic bonding between the silicon substrate 2 and the insulating layer 20.例文帳に追加

このような構成によれば、シリコン基板２と絶縁層２０の対向面積を小さくすることができるので、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことを防止できる。 - 特許庁

The number of the lower electrodes 13 formed on the bottom part insulating substrate 11a is set not smaller than the number of upper electrodes 14 formed on the upper insulating substrate 12 so that the fixing position of the upper insulating substrate 12 can be changed.例文帳に追加

また、底部絶縁基板１１ａに形成される下部電極１３の数を上側絶縁基板１２に形成される上部電極１４の数以上にして上側絶縁基板１２の取り付け位置を変更可能にした。 - 特許庁

The domain regulating means is formed at least either on the face of the second insulating substrate opposing to the first insulating substrate or on the first insulating substrate, and it divides the liquid crystal molecules into a plurality of domains in the pixel region.例文帳に追加

ドメイン規制手段は、第２絶縁基板において第１絶縁基板との対向面側あるいは第１絶縁基板上の少なくとも一方に形成されており、液晶分子を画素の領域において複数のドメインに分割する。 - 特許庁

The wiring board 9 is provided with the insulating substrate 1 composed of the ceramic sintered body, the signal line 2 formed inside the insulating substrate 1, and a glass layer 3 provided in the insulating substrate 1 so as to cover the surface of the signal line 2.例文帳に追加

配線基板９は、セラミック焼結体から成る絶縁基体１と、絶縁基体１の内部に形成された信号線２と、信号線２の表面を覆うように絶縁基体１内に設けられたガラス層３とを備えている。 - 特許庁

The electronic component mounting substrate includes a native substrate 2 in which a wiring pattern 21 formed of a metal thin film is provided on an insulating substrate 22.例文帳に追加

原基板２は、絶縁性基板２２に金属薄膜で形成された配線パターン２１が設けられた電子部品実装基板である。 - 特許庁

The wiring substrate 1 includes: the insulating substrate 2 containing ceramics having glass components; and the wiring conductor 3 provided in the wiring substrate 2.例文帳に追加

配線基板１は、ガラス成分を有するセラミックスを含む絶縁基板２と、絶縁基板２に設けられた配線導体３とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device where the semiconductor element is fixed to a surface of the insulating substrate in the solder layer and a rear face of the insulating substrate is fixed to the base plate in the solder layer, spacers which are arranged between the insulating substrate and the base plate and which keep an interval to be constant are arranged at least in four corners of the rear face of the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板の表面に半導体素子が半田層で固定され、絶縁基板の裏面がベース板に半田層で固定された半導体装置が、絶縁基板の裏面の少なくとも四隅に、絶縁基板とベース板との間に配置されてその間隔を略一定に保つスペーサを備える。 - 特許庁

An electric insulating substrate secures the electric connection equivalent to the other electric insulating substrate layers even in the electric insulating substrate for a core wherein compression is not effected in a wiring by a method wherein the volume of an adhesive in the electric insulating substrate for core is reduced and the spread of the adhesive into conductive paste is suppressed.例文帳に追加

電気絶縁性基材は、コア用の電気絶縁性基材における接着剤体積を小さくし、導電性ペーストの接着剤への広がりを抑制することにより、配線での圧縮を行なわないコア部分の電気絶縁性基材においても、他の電気絶縁性基材層と同等の電気的接続を確保する。 - 特許庁

A first resistor 11 and a second resistor 12 are together formed on the surface of a first insulating substrate 17 while being electrically insulated; and a conductor 13 is formed on the opposite surface to the first insulating substrate 17, in a second insulating substrate 18 spaced apart from the first insulating substrate 17.例文帳に追加

第１絶縁性基板１７の基板面に第１抵抗体１１、第２抵抗体１２を絶縁した状態で併設し、第１絶縁性基板１７に対して離間して対向配置する第２絶縁性基板１８には第１絶縁性基板１７との対向面に導電体１３を形成する。 - 特許庁

Thus, the substrate body 2 is not slipped off from the insulating substrate material 10 by the insulating members 6 regardless of formation of the slots 13 and the substrate body 2 is separated from the insulating substrate material 10 after the side faces of the slots 13 are covered with the protective plated layers 5 and parts of the insulating members 6.例文帳に追加

従って、２つの長孔１３を形成しても、絶縁性部材６によって基板本体２が絶縁性基板材１０から脱落せず、２つの長孔１３の側面を保護メッキ層５と絶縁性部材６の一部とで覆った後に、基板本体２を絶縁性基板材１０から分離させることができる。 - 特許庁

A hollow wiring structure is equipped with first wall-like insulating films 12 formed on a substrate 11, wirings 13 supported by the insulating films 12, and a second insulating film 15 which is provided separate from the substrate 11, by sandwiching the insulating film 12 between itself and the substrate 11 and furthermore forming a space 17 between itself and the substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に形成された壁状の第１の絶縁膜１２と前記第１の絶縁膜１２に支持された配線１３と、前記第１の絶縁膜１２を前記基板１１との間に挟み、かつ前記基板１１との間に空間１７を設けて形成された第２の絶縁膜１５とを備えたものである。 - 特許庁

A semiconductor apparatus has: a substrate 1; a first insulating film 2 formed on the substrate 1; a plurality of metal wirings 3 formed on the first insulating film 2; a second insulating film 4 covering the metal wirings 3 and the first insulating film 2; and a third insulating film 5 formed on the second insulating film 4.例文帳に追加

基板１と、この基板１上に形成された第１の絶縁膜２と、この第１の絶縁膜２上に形成された複数の金属配線３と、この金属配線３および上記第１の絶縁膜２を覆う第２の絶縁膜４と、この第２の絶縁膜４上に形成された第３の絶縁膜５とを有する。 - 特許庁

The field region includes an insulating region obtained by forming an insulating film on the semiconductor substrate, and a dummy part obtained by remaining a base material of the semiconductor substrate in the insulating region.例文帳に追加

フィールド領域は、半導体基板に絶縁膜を形成することにより得られる絶縁領域と絶縁領域内に半導体基板の基材を残すことにより得られるダミー部が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 1, an element isolated insulating film 4 buried in the semiconductor substrate 1, a gate insulating film 2 of a cell part isolated from the element isolated insulating film 4, and a first conductive layer 3.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１に埋め込まれた素子分離絶縁膜４と、素子分離絶縁膜４により分離されたセル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３を備える。 - 特許庁

An insulating substrate, on whose surface a resistance circuit including a variable resistor is formed, is housed in a resistor case made of insulating resin whose one edge is opened so that the back face of the insulating substrate faces the opening side.例文帳に追加

表面に可変抵抗体を含む抵抗回路が形成された絶縁基板を、裏面を開口部側に向けるようにして一端開口状の絶縁樹脂製の抵抗体ケース内に収納する。 - 特許庁

Thus, the second insulating substrate 3 with the resistive element 4 mounted thereon is made to be spaced apart from the first insulating substrate 1 with the semiconductor device 2 mounted thereon and is attached to the insulating resin case 8 side.例文帳に追加

このように抵抗素子４を搭載した第２絶縁基板３を、半導体素子２を搭載した第１絶縁基板１と離間させ、絶縁性樹脂ケース８側に取り付けるようにした。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a semiconductor substrate (not shown in the figure), an interlayer insulating film 102 formed on the semiconductor substrate, and a multi-layer insulating film 140 provided on the interlayer insulating film 102.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１０２と、層間絶縁膜１０２上に設けられている多層絶縁膜１４０とを備える。 - 特許庁

With the first wiring pattern inside, and by putting it over the second insulating substrate, the first wiring pattern is imbedded in a second insulating substrate, thus integrating the first and second insulating substrates.例文帳に追加

第一の配線パターンを内側にして第二の絶縁基材と重ね合わせて第一の配線パターンを第二の絶縁基材内に埋め込むとともに、第一と第二の絶縁基材を一体化する。 - 特許庁

A substrate for suspension includes: a metal substrate; a first insulating layer provided on the metal substrate; a first wiring layer 10 provided on the first insulating layer; a second insulating layer provided on the first wiring layer 10; a second wiring layer 12 provided on the second insulating layer.例文帳に追加

サスペンション用基板は、金属基板と、金属基板上に設けられた第１絶縁層と、第１絶縁層上に設けられた第１配線層１０と、第１配線層１０上に設けられた第２絶縁層と、第２絶縁層上に設けられた第２配線層１２と、を備える。 - 特許庁