「Insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The first pattern is formed over the insulating surface (first insulating surface) of the first substrate, and made of a conductive material.例文帳に追加

第１のパターンは第１の基板の絶縁表面（以下、第１の絶縁表面）上に導電材料でなる。 - 特許庁

The first insulating member 12b is a cross-sectional trapezoidal shape protruding in tapering-off shape from the insulating substrate 10.例文帳に追加

第１の絶縁部材１１は絶縁基板１０から先細状に突出する断面台形状である。 - 特許庁

The insulating substrate 30 includes a first wiring layer 31, a ceramic insulating layer 32 and a second wiring layer 33.例文帳に追加

絶縁基板３０は、第１配線層３１とセラミック絶縁層３２と第２配線層３３を備えている。 - 特許庁

An element isolation insulating film 2 is formed on the semiconductor substrate 1 in Fig.(a), and a gate insulating film 6 is deposited.例文帳に追加

図１（ａ）で半導体基板１の上に素子分離絶縁膜２を形成後、ゲート絶縁膜６を堆積する。 - 特許庁

To prevent a contamination on an insulating film interface and control a damage to an insulating film between a semiconductor substrate and a control gate.例文帳に追加

絶縁膜界面の汚染を防止し、半導体基板とコントロールゲートの間の絶縁膜の破壊を抑制する。 - 特許庁

A gate insulating film 9 formed on a semiconductor substrate 5 includes a high dielectric constant insulating film.例文帳に追加

半導体基板５の上に形成されたゲート絶縁膜９は、高誘電率絶縁膜を含む絶縁膜である。 - 特許庁

The porous insulating film is formed on a substrate, and the metal film or the metal compound film is formed on the insulating film.例文帳に追加

基板に、多孔質の絶縁膜を形成し、この絶縁膜に、金属膜又は金属化合物膜を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 5 is formed on a silicon substrate 2 and a silicon layer 6 is formed on the gate insulating film 5.例文帳に追加

シリコン基板２上にゲート絶縁膜５を形成し、ゲート絶縁膜５上にシリコン層６を形成する。 - 特許庁

The two source-drain electrodes are sandwiched by the insulating substrate and the gate insulating film even in an inverse stagger structure.例文帳に追加

逆スタガー型構造においてもソース／ドレイン電極を絶縁性基板とゲート絶縁膜とで挟む構成とする。 - 特許庁

Gate insulating films 2 and 2a, gate electrodes 3 and 3a, and protection insulating layers 4 and 4a are formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１表面にゲート絶縁膜２，２ａ、ゲート電極３，３ａ、保護絶縁層４，４ａを形成する。 - 特許庁

A first insulating layer 2 is grown on a silicon substrate 1 and a second insulating layer 3 is deposited thereon.例文帳に追加

シリコン基板１の上に第１の絶縁層２を成長させ、その上に第２の絶縁層３を堆積する。 - 特許庁

The display device is assembled by using a transparent substrate on an upper side and an insulating substrate 101 on a lower side.例文帳に追加

表示装置は上側の透明基板と下側の絶縁基板１０１を用いて組み立てられている。 - 特許庁

To electrically ground a substrate through an insulating layer on a surface of the substrate by nondestructive method.例文帳に追加

非破壊的方法により基板の表面上の絶縁層を介して電気的に基板を接地する。 - 特許庁

The upper surface of the insulating film 8 is made as a substrate mounting surface 50 for mounting a glass substrate S for FPD.例文帳に追加

絶縁膜８の上面は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｓを載置する基板載置面５０となっている。 - 特許庁

The infrared ray detection element substrate 16 is fixed to the insulating substrate 8 with an adhesive member 11.例文帳に追加

赤外線検出素子基板１６と絶縁性基板８は接着部材１１によって固定される。 - 特許庁

An integrated circuit device includes an integrated circuit substrate, and an insulating film formed on the integrated circuit substrate.例文帳に追加

前記集積回路素子は集積回路基板及び前記集積回路基板上の絶縁膜を具備する。 - 特許庁

An SOI substrate is constituted of a supporting substrate 1, a buried insulating layer 2 and a semiconductor layer 3.例文帳に追加

支持基板１と埋め込み絶縁層２と半導体層３とからＳＯＩ基板が構成されている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of forming an insulating film thick and flatter on a substrate.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を厚くかつより平坦に形成することができる基板処理装置の提供。 - 特許庁

A thin film sensor part is formed on the top surface of an Si (100) substrate and insulating films are formed on both the surfaces of the substrate.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板表面に薄膜センサ部を形成し、基板両面に絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

In this case, the surface and side of the semiconductor substrate 1 are covered with (protected by) the insulating substrate 6.例文帳に追加

このとき半導体基板１の表面及び側面は絶縁性基板６で被覆（保護）されている。 - 特許庁

Preferably, the insulating layer has an SiO_2 film formed on an Si substrate or is a quartz substrate.例文帳に追加

絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 - 特許庁

A first insulating layer 20 is formed on a silicon substrate 10 and contacts the silicon substrate 10.例文帳に追加

第１絶縁層２０は、シリコン基板１０上に形成されており、当該シリコン基板１０に接している。 - 特許庁

A semiconductor chip 4 is loaded on a metal substrate 24 of a package 29 through an insulating substrate 6.例文帳に追加

半導体チップ４は絶縁基板６を介して、パッケージ２９の金属基板２４に載置されている。 - 特許庁

The insulating layer contains the same elements as the semiconductor base substrate and/or a substrate of the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層は半導体ベース基板及び／又は半導体素子の基板の元素と同じ元素を含む。 - 特許庁

To provide an insulating substrate made of an electric insulating material containing a polyphenylene ether resin, and a wiring substrate having superior adhesion strength between a wiring conductor embedded in a surface of the insulating substrate and an insulating resin layer such as a solder resist layer and a build-up resin layer etc.例文帳に追加

ポリフェニレンエーテル樹脂を含有する電気絶縁材料から成る絶縁基板および該絶縁基板の表面に埋入された配線導体とソルダーレジスト層やビルドアップ樹脂層等の絶縁樹脂層との密着強度に優れた配線基板を提供すること。 - 特許庁

A suspension circuit substrate 1 includes a metal support substrate 12; a first insulating layer 11 disposed on the metal supporting substrate 12 and constituted of an insulating material; a conductive layer 10 disposed on the first insulating layer 11 and constituting a wiring; and a second insulating layer 13, disposed on the first insulating layer 11 and conductor layer 10 and constituted of an insulating material.例文帳に追加

サスペンション回路基板１は、金属支持基板１２と、金属支持基板１２上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層１１と、第一絶縁層１１上に配置され、配線を構成する導体層１０と、第一絶縁層１１および導体層１０上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層１３と、を備えている。 - 特許庁

A semiconductor device 1 is equipped with a semiconductor substrate 10, an interlayer insulating film 20 (a first interlayer insulating film), an interlayer insulating film 30 (a second interlayer insulating film), and a wiring structure 40.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０、層間絶縁膜２０（第１の層間絶縁膜）、層間絶縁膜３０（第２の層間絶縁膜）、および配線構造４０を備えている。 - 特許庁

To improve productivity by suppressing the deformation of a thermal insulating plate of a treating furnace thermal insulating part during a heat treatment and obtaining desired thermal insulating properties in substrate treating even when the thermal insulating part is small.例文帳に追加

基板処理に於いて、処理炉断熱部の断熱板の変形を抑制し、又断熱部分が少なくても所望の断熱性が得られ、生産性の向上が図れる様にする。 - 特許庁

The field drain portion includes a first insulating film contacting the semiconductor substrate and a second insulating film that is formed on the first insulating film and has a higher dielectric constant than the first insulating film.例文帳に追加

フィールドドレイン部は、半導体基板と接触する第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に形成され第１絶縁膜よりも高い誘電率を有する第２絶縁膜と、を備える。 - 特許庁

The array substrate 10 includes an insulating substrate 12, a plurality of gate lines 14 formed in parallel on the insulating substrate 12, a gate insulating film 18 formed to cover the gate lines 14 on the insulating substrate 12, a source line 38 formed to three-dimensionally intersect with the gate lines 14, and a additional insulating film 24 formed below the source line 38.例文帳に追加

アレイ基板１０は、絶縁基板１２と、絶縁基板１２上に並列に形成された複数のゲート線１４と、絶縁基板１２上において、ゲート線１４を覆うように形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート線１４と立体交叉するようにして形成されたソース線３８と、ソース線３８の下方に形成された追加絶縁膜２４と、を含む。 - 特許庁

The heat sink 1 comprises: an insulating substrate 3 having one surface serving as a heating element mounting surface; and a heat sink 5 secured to the other surface of the insulating substrate 3.例文帳に追加

放熱装置１は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板３と、絶縁基板３の他面に固定されたヒートシンク５とを備えている。 - 特許庁

An insulating plate 50 is provided on a front surface of the substrate 23 for wiring, and a substrate 16 for setting condition is installed on a holding member 54 provided on the insulating plate 50.例文帳に追加

配線用基板２３の前面に絶縁板５０を設け、その絶縁板５０が有する保持部材５４に条件設定用基板１６を装着する。 - 特許庁

A plurality of metal plates are arranged in gaps from each other on the other side surfaces 20b, 30b of an endotherm side insulating substrate 20 and/or a heat dissipation side insulating substrate 30.例文帳に追加

吸熱側絶縁基板２０及び／又は放熱側絶縁基板３０の他方面２０ｂ、３０ｂに、複数の金属板を各々離間して配設する。 - 特許庁

An insulating substrate 100 is installed in a vacuum chamber and a shadow mask 101 is installed to face the insulating substrate 100 in a close proximity to it.例文帳に追加

真空チャンバー内に、絶縁性基板１００を配置し、この絶縁性基板１００に近接して対向するように、シャドウマスク１０１を配置する。 - 特許庁

The heat radiator 1 is provided with an insulating substrate 3 whose one face is set to be a heating element loading side, and a heat sink 5 fixed to the other face of the insulating substrate 3.例文帳に追加

放熱装置１は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板３と、絶縁基板３の他面に固定されたヒートシンク５とを備えている。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING INSULATING FILM IN THREE-DIMENSIONAL CIRCUIT SUBSTRATE例文帳に追加

立体回路基板の絶縁膜形成方法および絶縁膜形成装置 - 特許庁

A light emitting device (LED) assembly may include an electrically insulating substrate 100d, and a thermally conductive layer 112d on a surface 105d of the insulating substrate.例文帳に追加

発光デバイス（ＬＥＤ）アセンブリは、電気絶縁基板１００ｄと、絶縁基板の表面１０５ｄ上の熱伝導層１１２ｄとを備えることができる。 - 特許庁

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31.例文帳に追加

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

The strain suppressing plate 270 has rigidity higher than that of the insulating substrate 202 to suppress the strain caused by curving the insulating substrate 202.例文帳に追加

歪み矯正板２７０は、絶縁性基板２０２よりも高い剛性を有することによって当該基板２０２の湾曲時歪みを矯正するものである。 - 特許庁

An insulating film 15 is formed so as to cover a portion of the substrate surface 12B.例文帳に追加

基板面１２Ｂの一部を覆うように絶縁膜１５が形成される。 - 特許庁

The second pattern is formed over the insulating surface (second insulating surface) of the second substrate, which faces the first substrate, and made of a conductive material.例文帳に追加

第２のパターンは、第２の基板において、第１の基板と対向する絶縁表面（第２の絶縁表面）に設けられており、導電材料でなる。 - 特許庁

The second substrate is formed so as to face a surface over which the first pattern of the first substrate is formed and has an insulating surface (hereafter, a second insulating surface).例文帳に追加

第２の基板は、第１の基板の第１のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面（以下、第２の絶縁表面）を有する。 - 特許庁

To improve insulating performance while maintaining mechanical strength of an upper plate substrate.例文帳に追加

上板基板の機械的強度を維持しつつ断熱性能を向上する。 - 特許庁

The spiral inductor has a parallel plate type insulating substrate 10 and the conductor line 11 having a spiral shape arranged on a principal surface of the insulating substrate 10.例文帳に追加

スパイラルインダクタは、平板状の絶縁基板１０と、絶縁基板１０の主表面に配置されたらせん形状を有する導体線１１とを有する。 - 特許庁

The circuit board 10a comprises an insulating substrate 20a, a conductive layer 30a placed to sandwich the insulating substrate, and high speed signal interconnections 100a, 200a.例文帳に追加

基板１０ａは、絶縁性基材２０ａと、該絶縁性基板を挟むよう配置された導電層３０ａと、高速信号配線１００ａ，２００ａを備える。 - 特許庁