「Inter Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve problems that a production process such as gas-welding a through hole part of lead is complicated and becomes a barrier for reducing prices of a storage battery in the conventional battery in which inter-cell resistance welding is carried out through a barrier rib and a positive electrode and a negative electrode terminal parts of the both ends are penetrated through a lid and protrude upward.例文帳に追加

セル間を隔壁を貫通して抵抗溶接し、両端の正極、負極端子部が蓋を貫通して上部に突出する従来の電池では鉛の貫通孔部をガス溶接するなど、生産工程が複雑で蓄電池の低廉化の障害となっていた - 特許庁

Then chlorine is introduced into a part 14b corresponding to a region of the charge block layer 14 right below the inter-cell insulation film 16, and the dielectric constant of the part 14b is made lower than that of a part 14a of the charge block layer 14 right below the control gate electrode 15.例文帳に追加

そして、電荷ブロック層１４におけるセル間絶縁膜１６の直下域に相当する部分１４ｂに塩素を導入し、部分１４ｂの誘電率を電荷ブロック層１４における制御ゲート電極１５の直下域に相当する部分１４ａの誘電率よりも低くする。 - 特許庁

A NAND type memory 1 has a tunnel insulation layer 12, a charge storage layer 13, and a charge block layer 14, provided on an upper surface of a semiconductor substrate 11, and a plurality of control gate electrodes 15 and inter-cell insulating films 16 are provided thereupon alternately in a channel-length direction.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型メモリ１において、半導体基板１１の表面上に、トンネル絶縁層１２、電荷蓄積層１３、電荷ブロック層１４を設け、その上に、チャネル長方向に沿ってそれぞれ複数の制御ゲート電極１５及びセル間絶縁膜１６を交互に設ける。 - 特許庁

By allocating port information composed of the instance name and the net name to the circuit data 2 and layout data 8, the same name node is outputted to a circuit net list 5 and a wiring RC net list 11, thus easily merging the wiring RC net list 11 to the circuit net list 5 and an inter-cell net.例文帳に追加

回路データ２およびレイアウトデータ８に対してインスタンス名とネット名から構成されるポート情報を割り当てることにより、回路ネットリスト５および配線ＲＣネットリスト１１に同一名ノードを出力し、回路ネットリスト５とセル間ネットに対する配線ＲＣネットリスト１１の容易なマージを実現する。 - 特許庁

The PHS module has a communication system of: a public mode for transmitting and receiving radio signals to/from the base station of a radio cell to which the security terminal belongs and performing communication with the monitoring center through the public network; and a transceiver mode for performing inter-terminal communication by the radio signals with the security terminal positioned nearby.例文帳に追加

ＰＨＳモジュールは、当該警備端末が属する無線セルの基地局との間で無線信号を送受信し、公衆網を介して監視センタとの通信を行う公衆モードと、近傍に位置する警備端末との間で無線信号による端末間通信を行うトランシーバモードの通信方式を有する。 - 特許庁

A control gate electrode film 103 includes a common connection part 1031 extending in a first direction, and an electrode configuration part 1032 projecting from the common connection part 1031 in the second direction and provided for each memory cell MC on an upper part or a lower part of the floating gate electrode film 109 via an inter-electrode insulation film 108.例文帳に追加

制御ゲート電極膜１０３は、第１の方向に延在する共通接続部１０３１と、共通接続部１０３１から第２の方向に突出し、フローティングゲート電極膜１０９の上部または下部に電極間絶縁膜１０８を介してメモリセルＭＣごとに設けられる電極構成部１０３２と、を有する。 - 特許庁

When a call request is newly given from a new terminal in a cell, a control signal reception part 7 individually obtains signal vectors U1to UK with respect to K-pieces of delay paths and obtains the predicted SINR value of the new terminal when the new terminal is stored from an inter-element correlation matrix Φ and the signal vectors U1 to UK of the respective paths.例文帳に追加

セル内の新規端末から新たに発呼要求が生じると、制御信号受信部７でそのＫ個の遅延パスに対する信号ベクトルＵ_1〜Ｕ_Kを個別に求め、素子間相関行列Φと各パスの信号ベクトルＵ_1〜Ｕ_Kとから、新規端末を収容した場合における該新規端末の予測ＳＩＮＲ値をもとめる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that reduces a voltage applied to an inter-poly insulating film by increasing a capacity coupling rate on an active area in a dummy cell region, and prevents wire breaking of a control gate caused by a hollow of the control gate on an element isolation region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor storage device.例文帳に追加

ダミーセル領域において、アクティブエリア上の容量カップリング比を大きくしてインターポリ絶縁膜にかかる電圧を低減できると共に、素子分離領域上の制御ゲートの窪みによって発生する制御ゲートの断線を防止することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the first and second gate insulating films 603 of the first and second memory cell transistors have the same thickness, the first and second floating gates 604 have the same thickness, the first and second inter-gate insulating films 605 have the same thickness and the first and second control gates have the same thickness of film.例文帳に追加

第１、第２メモリセルトランジスタがそれぞれ備える第１、第２ゲート絶縁膜６０３は同一の膜厚を有し、前記第１、第２フローティングゲート６０４は同一の膜厚を有し、前記第１、第２ゲート間絶縁膜６０５は同一の膜厚を有し、前記第１、第２コントロールゲート６０６は同一の膜厚を有する。 - 特許庁

A battery cooling device 1 includes: a plurality of battery cells 2 arranged in lamination and energizably connected to one another; a case 10 in which the plurality of the battery cells 2 are housed; and inter-cell passages 23 upwardly extended and formed between the battery cells 2 so that the liquid in the case 10 is circulated toward an upward direction.例文帳に追加

電池冷却装置１は、積層配置されるとともに通電可能に接続される複数個の電池セル２と、複数個の電池セル２を収容するケース１０と、ケース１０内の流体が上方に向けて流通するように電池セル２間に上方に延びて形成されるセル間通路２３と、を備える。 - 特許庁

This automatic design device is provided with a layout information preparing part 1 for arranging a plurality of delay cells by folding them multiple times by using delay cell layout having a plurality of transistor patterns and an rough wiring part 12 for carrying out the rough wiring of the plurality of delay cells by deciding the deviation of the inter-gate capacity of each of the plurality of transistor patterns from the process information.例文帳に追加

複数のトランジスタパターンを有する遅延セルレイアウトを用いて複数の遅延セルを複数回折り返して配置する配置情報作成部１１、及びプロセス情報から複数のトランジスタパターンのそれぞれのゲート間容量の偏りを判定して複数の遅延セルの概略配線を行う概略配線部１２を備える。 - 特許庁

The channel allocation section 115 can allocates the radio communication channel by using a robust type channel allocating method which is tolerant of variation in inter-cell interference amount or an efficiency type channel allocating method which is less tolerant than the robust type channel allocating method, but can reuse radio communication channels more efficiently than the robust type channel allocating method.例文帳に追加

チャネル割当部１１５は、セル間干渉量の変動に対して耐力を有するロバスト型チャネル割当方法、またはロバスト型チャネル割当方法よりも耐力は低いもののロバスト型チャネル割当方法よりも無線通信チャネルの効率よく再利用することができる効率型チャネル割当方法を用いて無線通信チャネルを割り当てることができる。 - 特許庁

A supporting type solid oxide fuel cell stack is structured using an inter connector which has a corrugated part at a portion contacting an air electrode and in which slits are formed in parallel with the wave direction.例文帳に追加

支持膜式固体酸化物形燃料電池スタック構成用のインターコネクタであって、その空気極と接する部分に波状部を備え且つその波方向と平行にスリットを入れてなるインターコネクタであることを特徴とする支持膜式固体酸化物形燃料電池スタック構成用インターコネクタ、および、このインターコネクタを用いてなる支持膜式固体酸化物形燃料電池スタック。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having proper cell operation characteristics, by suppressing impairment of film quality resulting from a post-heating process, when a rare earth oxide, a rare earth nitride or a rare earth oxinitride containing a rare earth element is employed as an inter-electrode insulating film or a block insulating film, thereby avoiding crystallization or deterioration in the permittivity.例文帳に追加

本発明の課題は、希土類元素を含む希土類酸化物、希土類窒化物、または、希土類酸窒化物を電極間絶縁膜やブロック絶縁膜として用いる場合、後熱工程に起因する膜質劣化を抑制し結晶化や誘電率低下を回避して、セル動作特性の良好な不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The memory has a plurality of memory cell transistors each comprising a gate insulation film 2 electrically conducting owing to a tunnel effect, a floating gate electrode 21 on the gate insulation film 2, an inter-electrode insulation film 11 formed on the floating gate electrode 21 having a positive charge layer at the layer side of the lower half of a film thickness, and a control gate electrode 24 on the insulation film 11.例文帳に追加

トンネル効果で電気伝導するゲート絶縁膜２と、このゲート絶縁膜２上の浮遊ゲート電極２１と、この浮遊ゲート電極２１上に配置され、膜厚の半分よりも下層側に正電荷層を有する電極間絶縁膜１１と、この電極間絶縁膜１１上の制御ゲート電極２４とを備えるメモリセルトランジスタを複数個配置する。 - 特許庁