MAGNETO- RESISTANCEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 489件
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, HEAD SUSPENSION ASSEMBLY AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁
To provide a CPP structured magneto-resistance effect element capable of controlling the magnetizing direction of a free side magnetic layer in a magneto-resistance effect film by the comparatively easy manner in accordance with the size of the magneto-resistance effect film.例文帳に追加
磁気抵抗効果膜の大きさに応じて比較的に簡単に磁気抵抗効果膜内の自由側磁性層の磁化方向を制御することができるCPP構造磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果型ヘッド、その製造方法、及び磁気記録再生装置 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD, ELECTRONIC APPARATUS, PRODUCTION PROCESS OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, AND PRODUCTION PROCESS OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
To provide a top pin type tunnel magneto-resistance element with a high MR ratio.例文帳に追加
MR比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY AND MAGNETIC RECORDING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 - 特許庁
The first magneto resistive element (10) has a first resistance state and a second resistance state.例文帳に追加
第1の磁気抵抗素子(10)は第1の抵抗値状態と第2の抵抗値状態を有する。 - 特許庁
The second magneto resistive element (20) has a third resistance state and a fourth resistance state.例文帳に追加
第2の磁気抵抗素子(20)は第3の抵抗値状態と第4の抵抗値状態とを有する。 - 特許庁
SPIN TRANSISTOR, RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
スピントランジスタ、リコンフィギャラブル論理回路、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ - 特許庁
A free layer 22 constituting the MR element 21 consists of the anisotropic magneto-resistance effect material and also provides the function as the anisotropic magneto-resistance effect element.例文帳に追加
MR素子21を構成している自由層22は異方性磁気抵抗効果材料からなり、異方性磁気抵抗効果素子としての機能を兼ね備えている。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法、磁気ヘッド及び磁気記録装置 - 特許庁
To highly accurately overlap a conductive material film on a magneto- resistance effect element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子上に導電体膜を高精度にオーバーラップさせる。 - 特許庁
To minutely and accurately form a magneto-resistance element.例文帳に追加
磁気抵抗素子を微細に且つ正確に形成することができるようにする。 - 特許庁
The cluster includes a first magneto-resistance effect element MTJ1 as a magnetic oscillation element, and a second magneto-resistance effect element MTJ2 as a memory cell.例文帳に追加
本発明の例に係わるクラスターは、磁性発振素子としての第一磁気抵抗効果素子MTJ1と、メモリセルとしての第二磁気抵抗効果素子MTJ2とを備える。 - 特許庁
To stably realize a high magneto-resistance effect and to provide a method for manufacturing an element of high MR ratio in a tunneling magneto-resistance effect element.例文帳に追加
トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高MR比の素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁
The element 30 for reading consists of an MTJ element (magneto-resistance effect element).例文帳に追加
読み出し用素子30はMTJ素子(磁気抵抗効果素子)からなる。 - 特許庁
To provide a correction device for the magneto-resistance asymmetry and its method so that an asymmetric pulse from a magneto-resistance head is easily and efficiently corrected.例文帳に追加
磁気抵抗ヘッドからの非対称パルスが簡単かつ効果的に補正されるように磁気抵抗非対称性補正装置及び方法を提供する。 - 特許庁
MAGNETIC THIN FILM, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY CELL例文帳に追加
磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよび磁気メモリ素子 - 特許庁
To realize a stable and high magneto-resistance effect and to provide a method for manufacturing an element of high MR ratio in a tunneling magneto-resistance effect element.例文帳に追加
トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高MR比の素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁
The magneto-resistance effect element includes a lower part magnetic shield film 1, and a magneto-resistance effect film 3 arranged on the lower part magnetic shield film 1.例文帳に追加
本発明に係る磁気抵抗効果素子は、下部磁気シールド膜1と、下部磁気シールド膜1の上に配置された磁気抵抗効果膜3とを含む。 - 特許庁
To provide a magneto-resistance effect device capable of forming a magnetic minute connection with a small diameter by a high purity, and of discovering a high magneto-resistance effect.例文帳に追加
小さい径の磁気微小接合点を高純度で形成し、高い磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic storage semiconductor device containing magneto resistance elements in which the performance of the magneto resistance elements is hard to be deteriorated during a manufacturing process.例文帳に追加
製造プロセス中に磁気記憶抵抗素子の性能劣化が生じにくい、磁気記憶抵抗素子を含む磁気記憶半導体装置を提供する。 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY HAVING REFERENCE MAGNETO-RESISTANCE AND READ-OUT METHOD THEREFOR例文帳に追加
基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリ及びその読出し方法 - 特許庁
This magnetic recording/reproducing head is provided with a magneto-resistance effect head having a magneto-resistance effect film to whose surface a current is nearly perpendicularly conducted and a pair of magnetic shields sandwitching the magneto-resistance effect film, and a preamplifier for supplying a sense current to the magneto-resistance effect head by constant current driving.例文帳に追加
膜面に対してほぼ垂直な方向に電流が通電される磁気抵抗効果膜と前記磁気抵抗効果膜を挟む一対の磁気シールドとを有する磁気抵抗効果ヘッドと、前記磁気抵抗効果ヘッドに対して定電流駆動でセンス電流を供給するプリアンプとを具備した磁気記録再生装置。 - 特許庁
To enhance device performance of a spintronics device and a magnetic read head, particularly Magneto-Resistance (MR) and Resistance-Area product (RA) ratios.例文帳に追加
スピントロニクス素子や磁気読み取りヘッドの素子性能(特にMR比とRA値)を向上させる。 - 特許庁
To provide a tunneling magneto-resistance effect element (TMR element) which has a low element resistance and a high MR ratio.例文帳に追加
素子抵抗が低く、MR比の高いトンネル磁気抵抗効果素子(TMR素子)を提供すること。 - 特許庁
To provide a magneto-resistance effect element of which the magnetization direction is stable in the film surface perpendicular direction, and the magnetic resistance change rate is controlled, and also to provide a magnetic memory using the magneto-resistance effect element.例文帳に追加
磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及びその磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁
As a result, the magneto resistance effect film 34 is easily changed in magnetic orientation.例文帳に追加
その結果、磁気抵抗効果膜34では磁化の向きが変化しやすくなる。 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND PRODUCTION OF THIS THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND RECORDING-REPRODUCTION SEPARATION TYPE MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法、記録再生分離型磁気ヘッド - 特許庁
MONITOR ELEMENT AND MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING MONITOR ELEMENT例文帳に追加
モニタ素子及び磁気抵抗効果素子基板、並びにモニタ素子の製造方法 - 特許庁
TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
EXCHANGE-COUPLING FILM HAVING MULTILAYER ANTIFERROMAGNETIC LAYER AND MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE例文帳に追加
多層の反強磁性層を有する交換結合膜および磁気抵抗効果素子 - 特許庁
The torque is detected on the basis of the change in the magneto-resistance in the magnetic circuit.例文帳に追加
その磁気回路における磁気抵抗の変化に基づきトルクを検出する。 - 特許庁
To provide a bias magneto film for stably holding uniaxial anisotropy without deteriorating the sensitivity of a magneto-resistance effect element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の感度を低下させることなく、一軸異方性を安定して保ちうるバイアス磁石膜を得ること。 - 特許庁
To provide a magneto-resistance effect element, a magneto-resistance effect head, a magneto-resistance conversion system, and a magnetic recording system capable of preventing a sense current from flowing into a longitudinal bias layer, the noise in reproduced waveforms of which is small, and the (S/N) ratio and the bit error rate of which are excellent.例文帳に追加
センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、(S/N)比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, ASSEMBLY THEREOF AND STORAGE DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体、及び、記憶装置 - 特許庁
To reduce damage during patterning of a magneto-resistance effect sensor film, and failures caused by current leakage between upper and lower shields in a magneto-resistance effect type head of a CPP structure.例文帳に追加
CPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果センサ膜のパターニングの際のダメージや、上下のシールド間の電流のリークなどによる不良を低減する。 - 特許庁
This is the data stored initially in the magneto-resistance effect element MR.例文帳に追加
これは、当初磁気抵抗効果素子MRに記憶されていたデータそのものである。 - 特許庁
A magnetic film of a multi-layered film of the magneto- resistance effect element is constituted of a laminated film of Co and NiFe and a high magneto-resistance effect and high sensitivity to a magnetic field are compatible.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子多層膜の磁性膜をCoとNiFeの積層膜で構成、大きな磁気抵抗効果と磁界に対する良好な感度を両立させる。 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC HEAD USING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果型素子ならびにこれを用いた磁気記憶素子および磁気ヘッド - 特許庁
The shield magnetic film 22 is used both as an upper magnetic pole of the first magneto-resistance effect element 41 side and a lower magnetic pole of the second magneto-resistance effect element 42.例文帳に追加
シールド磁性膜22は、第1磁気抵抗効果素子41側の上部磁性磁極と、第2磁気抵抗効果素子42側の下部磁性磁極とを兼用する。 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果型ヘッドならびにその製造方法、および磁気記録再生装置 - 特許庁
FORM AND MANUFACTURE OF GIANT MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT BASED UPON TUNNEL EFFECT AS PRINCIPLE例文帳に追加
トンネル効果を原理とする巨大磁気抵抗素子の形態およびその製造方法 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a both-surface magneto- resistance element which can conveniently and easily manufacture the both- surface magneto-resistance element in a plane shape by using a glass wafer.例文帳に追加
本発明は両面磁気抵抗素子をガラスウェハー(Glass Wafer)を用いて平面形に簡便且つ容易に作製し得る両面磁気抵抗素子の製造方法に関するものである。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE HEAD AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOSITE MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁気抵抗効果型ヘッド製造方法および複合型磁気ヘッド製造方法 - 特許庁
TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加
トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC REPRODUCING HEAD, MAGNETORESISTIVE DEVICE, AND INFORMATION STORAGE DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、磁気抵抗デバイスおよび情報記憶装置 - 特許庁
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