「MAGNETO- RESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An MR film 3 uses a magneto-resistance effect phenomenon to convert a change in a magnetic field into a change in electric resistance by impressing a sense current.例文帳に追加

ＭＲ膜３はセンス電流の印加により磁界の変化を電気抵抗の変化に変換する磁気抵抗効果現象を利用している。 - 特許庁

The changed amount dR of the resistance is calculated from an initial resistance value of the magneto-resistance effect head 3 and a resistance after energized to a heater, and the temperature rise amount dT is obtained from the changed amount dR of the resistance to obtain the protruded amount P2 from the temperature rise amount dT.例文帳に追加

磁気抵抗効果ヘッド３の初期抵抗値とヒータへ通電後の抵抗値とから抵抗の変化量dRを計算し、抵抗の変化量dRから温度上昇量dTを求め、温度上昇量dTから突出量P2を求める。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element that has both high barrier quality and a high MR ratio.例文帳に追加

高いバリア品質と高いＭＲ比を両立させることを可能とする磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A 2nd wire is arranged above the magneto-resistance effect element in a 2nd direction different from the 1st direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の上方に、第１方向と異なる第２方向に沿って第２配線が配設される。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, PRODUCTION OF MAGNETORESISTIVE ELEMENT, SYSTEM FOR DETECTING MAGNETO-RESISTANCE AND MAGNETIC RECORDING SYSTEM例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム - 特許庁

The lower shield layer 63 approaches the storage medium 13 on an air flow-in side rather than the magneto-resistance effect film 65.例文帳に追加

下部シールド層６３は磁気抵抗効果膜６５よりも空気流入側で記憶媒体１３に近づく。 - 特許庁

Between magnetic domain control films 35 and 35, a bias magnetic field of a predetermined intensity acts on a magneto resistance effect film 34.例文帳に追加

磁区制御膜３５、３５の間では磁気抵抗効果膜３４に所定の強度のバイアス磁界が作用する。 - 特許庁

To provide a new active device by utilizing a giant magneto-resistance effect and magnetic tunneling effect.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果および磁気トンネリング効果を利用して、従来に無い新しい能動的デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a head slider capable of preventing damage of a magneto-resistance effect film, and a storage medium driving device.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜の損傷を回避することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE AND DATA WRITING METHOD FOR TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT IN NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性磁気メモリ装置、及び、不揮発性磁気メモリ装置におけるトンネル磁気抵抗素子へのデータ書込方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT SENSOR, THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH THE SENSOR, MANUFACTURING METHOD FOR THE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THE HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ、該センサを備えた薄膜磁気ヘッド、該センサの製造方法及び該ヘッドの製造方法 - 特許庁

To provide a system including a write head matrix array and a magneto-resistance (MR) read head matrix array.例文帳に追加

書き込みヘッドのマトリックスアレイと磁気抵抗（ＭＲ）読み取りヘッドのマトリックスアレイとを有するシステムを提供する。 - 特許庁

The magnetic memory device includes a magneto-resistance effect element which is arranged above a semiconductor device and stores information.例文帳に追加

磁気記憶装置は、半導体基板の上方に配設された、情報を記憶する磁気抵抗効果素子を含む。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect head having smaller bias dependency of the magnetic resistance ratio as compared with the conventional ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect element and also having the higher output power is obtained by placing an antiferromagnetic layer 13 adjacent to a half metal ferromagnetic layer 12.例文帳に追加

ハーフメタル強磁性層１２に反強磁性層１３を隣接させることにより、従来の強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に比べ磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい且つ高出力な強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッドを得る。 - 特許庁

To make a lead-out electrode layer which is connected to a magneto- resistance effect element thick even when read track width becomes narrow and to make its wiring resistance lower.例文帳に追加

読み取りトラック幅が狭くなっても、磁気抵抗効果素子に接続される引き出し電極層を厚くし、その配線抵抗をより低くできるようにする。 - 特許庁

Thereby, the high recording density magnetic recording and reproducing device and a magneto resistance effect head having high output, high current resistance and high sensitivity to the outer magnetic field are obtained.例文帳に追加

これにより、高記録密度の磁気記録再生装置，高出力，高耐電流で、外部磁界に対して高感度である磁気抵抗効果型ヘッドを得る。 - 特許庁

This circuit is a read-out circuit for a magnetic memory device reading out information recorded in a memory cell having a magneto-resistance element, and has a reference cell connected in series to the magneto-resistance element, and a comparator comparing a potential at a connection point of the magneto-resistance element and the reference cell with the reference potential.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有するメモリセルに記録された情報を読み出す磁気メモリ装置の読み出し回路であって、前記磁気抵抗素子に対して直列に接続される参照セルと、前記磁気抵抗素子と前記参照セルとの接続点の電位と基準電位とを比較する比較器と、を有する磁気メモリ装置の読み出し回路。 - 特許庁

This magnetic random access memory is provided with a magneto resistance effect element MTJ and current source circuits I1, I2, I3 for giving bias current/voltage to the magneto resistance effect element MTJ when data of the magneto resistance effect element MTJ is read out, a value of the bias current/voltage does not depend on a power source potential, and is varied depending on temperature.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪのデータを読み出すときに、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにバイアス電流／電圧を与えるための電流源回路Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３とを備え、バイアス電流／電圧の値は、電源電位に依存せず、温度に依存して変化する。 - 特許庁

To increase the efficiency of magnetic field generation by miniaturizing a thin film coil 5 and setting low resistance of the coil 5 in a magneto-optical recording magnetic head for applying a magnetic field to a magneto-optical recording medium 10.例文帳に追加

光磁気記録媒体１０に磁界を印加するための光磁気記録用磁気ヘッドにおいて、薄膜コイル５の小型化及び低抵抗化を図り、磁界発生効率を高める。 - 特許庁

Between a spin valve type magneto-resistance effect film and a vertical bias shield layer, a nonmagnetic substrate layer is formed adjacently to a pair of end surfaces of the spin valve type magneto-resistance effect film so as to have a thickness of 1 to 10 nm.例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果膜と縦バイアスシード層との間に、スピンバルブ型磁気抵抗効果膜の一対の端面に隣接し、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚みとなるように非磁性下地層を形成するようにした。 - 特許庁

To detect thermal asperities by slice levels in accordance with characteristics of respective magneto resistance elements in the thermal asperity detecting method of a magnetic storage detecting that the magneto resistance elements are brought into contact with a magnetic recording medium and circuit therefor.例文帳に追加

磁気抵抗素子が、磁気記憶媒体に接触したことを検出する磁気記憶装置のサーマルアスピリティ検出方法及びその回路に関し、各磁気抵抗素子の特性に応じたスライスレベルにより、サーマルアスピリティを検出する。 - 特許庁

To suppress the generation of noise at the time of reading a signal coming from a magnetic tape in a magnetic recording/reproducing device provided with a magneto-resistance effect head, by preventing the leakage of an MR sense current to the magnetic tape from the magneto-resistance effect head.例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドを有する磁気記録再生装置において、磁気抵抗効果型ヘッドから磁気テープへのＭＲセンス電流のリークを防止し、磁気テープからの信号の読み取り時におけるノイズの発生を抑制する。 - 特許庁

The bias magnet 10 moves with the movement of the polarized body 80, and the distance of separation of the bias magnet 10 from the magneto-resistance pattern 93 is changed in such a way that the intensity of the bias magnetic field to the magneto-resistance pattern 93 is changed according to its moving location.例文帳に追加

バイアス磁石１０は着磁体８０の移動と共に移動してその移動位置に応じて磁気抵抗パターン９３へのバイアス磁界の強さを変化するように磁気抵抗パターン９３との離間距離を変化する。 - 特許庁

In addition, the dummy cell is designed so that it has intermediate electric resistance between first and second electric resistances by making the impressed voltage on both ends of each dummy magneto-resistance element lower than voltages impressed on both ends to be applied to the magneto-resistive element of a memory cell.例文帳に追加

また、各ダミー磁気抵抗素子の両端印加電圧をメモリセルの磁気抵抗素子にかかる両端印加電圧よりも小さくし、第１および第２の電気抵抗の中間の電気抵抗を有するように設計する。 - 特許庁

In this magneto-resistance effect head, vertical diodes 56 and 58 constituted of P type and N type semiconductor thin films laminated are inserted between leads 40 and 40' of a magneto-resistance effect element or between the leads 40 and 40' and a magnetic shield so as to connect them.例文帳に追加

この磁気抵抗効果ヘッドでは、Ｐ型とＮ型の半導体薄膜を積層して構成した縦型ダイオードを、磁気抵抗効果素子のリード間、あるいはそのリードと磁気シールドの間を接続するように挿入している。 - 特許庁

A magneto-sensitive sensor element and a fixed resistance element are formed with the same magnetic resistance effect film, the surface roughness of the substrate is made ≥5.0 nm, or the fixed resistance element is heated ≥350°C, thereby the expression of the magnetic resistance effect of the magnetic resistance film for forming the fixed resistance element is inhibited.例文帳に追加

感磁センサー素子と固定抵抗素子を同一の磁気抵抗効果膜で形成し、固定抵抗素子を形成する下地の面粗さを５．０ｎｍ以上とするか固定抵抗素子を３５０℃以上に加熱して、固定抵抗素子を形成する磁気抵抗効果膜の磁気抵抗効果発現を抑える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magneto-resistance effect element in which a recording layer in a desired shape is securely formed.例文帳に追加

所望の形状を有する記録層を確実に形成し得る磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a perpendicular recording medium suitable for using a head utilizing a magneto resistance effect as a reproducing head.例文帳に追加

磁気抵抗効果を利用したヘッドを再生ヘッドとして用いるのに適した垂直記録媒体を提供することである。 - 特許庁

A magneto-resistance effect element 9, a first and second electrode film 11 and 13 are provided on the first insulating film 71.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子９、第１及び第２の電極膜１１、１３は、第１の絶縁膜７１の上に備えられる。 - 特許庁

To provide a supply system of a data writing current for stably magnetizing a tunnel magneto-resistance element of a magnetic memory cell.例文帳に追加

磁気メモリセルのトンネル磁気抵抗素子を安定的に磁化するためのデータ書込電流の供給方式を提供する。 - 特許庁

This magnetic head is provided with a permanent magnet 3 and a flexible substrate 25 on which a first and a second semiconductor magneto resistance elements 26, 27 are arranged.例文帳に追加

永久磁石３と、第１，第２の半導体磁気抵抗素子２６，２７を配設するフレキシブル基板２５とを備える。 - 特許庁

This magnetic head has an upper shield layer 15, a lower shield layer 13 and a magneto-resistance effect film 14 disposed therebetween.例文帳に追加

上部シールド層１５と、下部シールド層１３と、これらの間に配置された磁気抵抗効果膜１４とを有する。 - 特許庁

An MR element 21 consisting of the tunnel magneto-resistance effect element utilizing spin valve is arranged on at least a part of a magnetic path.例文帳に追加

磁路の少なくとも一部にスピンバルブ型トンネル磁気抵抗効果素子からなるＭＲ素子２１が配されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magneto-resistance effect head having satisfactory characteristics by forming a hard film having satisfactory magnetic characteristics as a stabilizing film, thereby stabilizing a magneto- resistance effect element.例文帳に追加

安定化膜として良好な磁気特性を有するハード膜を形成することにより、磁気抵抗効果素子が安定化されて良好な特性を有する磁気抵抗効果型ヘッドを製造することができる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

This magneto-resistance head includes a 1st magnetic shield, a 1st electrode terminal having the 1st width arranged on the 1st magnetic shield and a magneto-resistance film having the 2nd width narrower than the 1st width arranged on the 1st electrode terminal.例文帳に追加

磁気抵抗ヘッドであって、第１磁気シールドと、第１磁気シールド上に配置された第１の幅を有する第１電極端子と、第１電極端子上に配置された第１の幅以下の第２の幅を有する磁気抵抗膜を含んでいる。 - 特許庁

To provide a composite magnetic head of a one-gap structure having a magneto-resistance effect film as a reproducing head in which deterioration in the characteristics of the magneto-resistance effect film due to a recording magnetic field can be suppressed, and to provide the producing method of the head.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜を再生ヘッドとして有する１ギャップ構造の複合型磁気ヘッドにおいて、記録用磁界による磁気抵抗効果膜の特性劣化を抑制できる複合型磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a magneto-resistance effect element in which adhesion of a glass substrate and a ferromagnetic thin film can be more improved, in a magneto-resistance effect element having a ferromagnetic thin film formed in a prescribed pattern on a glass substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

ガラス基板上に所定のパターンに形成された強磁性薄膜を有してなる磁気抵抗効果素子であって、ガラス基板と強磁性薄膜との密着性をより一層高めることができる磁気抵抗効果素子、およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a magneto-resistive element having a high sensitive overlaid structure without the increase of resistance between terminal electrodes due to the corrosion of a cap protecting film for protecting a magneto-resistive film.例文帳に追加

本発明は磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜の腐蝕により端子電極間の抵抗が増加することがなく高感度なオーバーレイド構造とした磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a top surface imaging technology for controlling the width of top pole tips in a magneto resistance(MR) or large-sized magnetro resistance read/write head.例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）または大型磁気抵抗（ＧＭＲ）読出／書込ヘッドにおける頂部極先端幅制御のための頂部表面イメージング技術を提供する。 - 特許庁

One or more Magneto-Resistance Enhancing Layers (MRELs) are inserted into approximately a center of one or more of active layers (such as API layer 150, Free layers 170 and SIL layers) respectively.例文帳に追加

１つまたは複数の活性層（ＡＰ１層１５０、フリー層１７０、ＳＩＬ層など）の各々のほぼ中間に、磁気抵抗効果増加層（ＭＲＥＬ：Magneto-Resistance Enhancing Layer）を挿入する。 - 特許庁

To provide a magnetic head which restrains change of element resistance of a semiconductor magneto resistance element which is caused by a thermal cycle, and does not deteriorate sensitivity in magnetic detection.例文帳に追加

冷熱サイクルによる半導体磁気抵抗素子の素子抵抗の変動を抑制するとともに、磁気検出における感度を低下させることのない磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To efficiently and uniformly produce a magnetic memory utilizing a spin tunnel magneto-resistance effect without being affected by the environment.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果を利用する磁性メモリを、環境に左右されることなく、効率的に均一性よく製造する。 - 特許庁

In this circuit, slice levels being m times (m>1) of output levels are produced by detecting amplitudes of outputs of magneto resistance elements 2-1, 2-2.例文帳に追加

磁気抵抗素子２ー１、２ー２の出力の振幅を検出して、出力レベルのｍ倍（ｍ＞１）のスライスレベルを作成する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which has satisfactory magnetic characteristics by controlling the magnetic anisotropy of a ferromagnetic layer.例文帳に追加

強磁性層の磁気異方性を制御することにより良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING RECORDING LAYER OF MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM EXHIBITING EXCELLENT CRACKING RESISTANCE UNDER HIGH SPUTTERING POWER例文帳に追加

高スパッタ電力ですぐれた耐割損性を発揮する光磁気記録媒体の記録層形成用焼結スパッタリングターゲット材 - 特許庁