「MAGNETO- RESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The resistance R1 of the magneto-resistance element 21 and the resistance R2 of the magneto-resistance element 22 are constituted to vary in mutually reverse directions in response to the current magnetic field Hm produced by the current Im to be detected.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２１の抵抗値Ｒ１と磁気抵抗効果素子２２の抵抗値Ｒ２とは、検出対象電流Ｉｍにより生ずる電流磁界Ｈｍに応じて互いに逆方向に変化するように構成されている。 - 特許庁

ENERGIZING AMOUNT SETTING METHOD FOR HEATER FURNISHED IN MAGNETO-RESISTANCE EFFECT HEAD, AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果ヘッドが備えるヒータの通電量設定方法及び磁気ディスク装置 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE HEAD READ AMPLIFIER HAVING IMPROVED WRITE-READ RECOVERY TIME例文帳に追加

改良された書込み−読出し回復時間を有する磁気抵抗ヘッド読出し増幅器 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY STRUCTURE, TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD, AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 - 特許庁

The MR ratio of the magneto-resistance element Ref is set to be half of the MR ratio of the magnet-resistance element in the memory cell.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＲｒｅｆのＭＲ比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のＭＲ比の半分に設定されている。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect head having small bias dependency of the magnetic resistance ratio and also high output power.例文帳に追加

磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい且つ高出力な強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect head wherein by improving the reproduction output of the magneto-resistance effect head having a flux guide, good reproducing characteristics are obtained, and reliability is high.例文帳に追加

フラックスガイドを有する磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力を向上することにより、良好な再生特性が得られ、かつ信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a spin valve(SV) magneto-resistance effect element evaluating device which is capable of evaluating whether the region, where magnetization is reversed in the pin layer of an SV magneto-resistance effect element, exists or not.例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果素子のピン層に磁化が反転している領域が存在しているか否かを評価できるスピンバルブ磁気抵抗効果素子評価装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high output vertical conduction magneto-resistance effect element through high MR (magnetoresistance) ratio, and a magnetic head as well as a magnetic reproduction device which are employing such a magneto-resistance effect element.例文帳に追加

高いＭＲ比による高出力の垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供する。 - 特許庁

The height dimension of the center of a magneto-resistance effect film is shorter than an end, or the magneto-resistance effect film has an end varied in width in accordance with the position in a height direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜の央部の高さ寸法が端部よりも短いもの、あるいは、磁気抵抗効果膜が、高さ方向の位置に応じて異なる幅をもつ端部を有する。 - 特許庁

A magnetic field of the given strength is applied to at least one part of the magneto-resistance transistor, and the resistance of at least one part of the magneto-resistance transistor is determined according to the given strength.例文帳に追加

与えられた強度の磁界がその磁気抵抗トランジスタの少なくとも１つの部分に印加され、その与えられた強度によって磁気抵抗トランジスタのその少なくとも１つの部分の抵抗が決定されている。 - 特許庁

In the magneto-resistance effect element, electrode layers 47 and 49 for supplying sense current to a magneto-resistance effect film 41 is provided so that the end may override a magneto-resistance effect film, overcoats 51 and 53 for etching prevention are covered so that the end may be exposed on the electrode layers, and etching processing is performed to the exposure end.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜４１にセンス電流を供給する電極膜４７、４９を、その端部が磁気抵抗効果膜に乗り上げるように設け、電極膜上に、その端部を露出させるようにエッチング防止用保護膜５１、５３を被覆し、露出端部にエッチング加工を施す。 - 特許庁

To accurately control the positional relation between a magneto- resistance effect element and a soft magnetic layer and the dimension of the soft magnetic layer in a magneto-resistance effect device including the magneto- resistance effect element and the soft magnetic layer which has the functions of guiding a signal magnetic flux and inducing a bias magnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と、信号磁束を導く機能とバイアス磁界を誘導する機能とを有する軟磁性層とを含む磁気抵抗効果装置において、磁気抵抗効果素子と軟磁性層との位置関係や軟磁性層の寸法を精度よく制御できるようにする。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE MAGNET SENSING ELEMENT AND MAGNETIC HEAD, AND THEIR MANUFACTURE例文帳に追加

磁気抵抗効果型感磁素子及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド並びにそれらの製造方法 - 特許庁

SYSTEM INCLUDING WRITE HEAD MATRIX ARRAY AND MAGNETO-RESISTANCE (MR) READ HEAD MATRIX ARRAY例文帳に追加

書き込みヘッドのマトリックスアレイと磁気抵抗（ＭＲ）読み取りヘッドのマトリックスアレイとを有するシステム - 特許庁

A magneto-resistance element 12 and a circuit board 13 are inserted into the sensor mounting hole 11.例文帳に追加

センサ装着穴１１には、磁気抵抗素子１２および回路基板１３が挿入されている。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT THIN-FILM MAGNETIC HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC DISK DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いた磁気ディスク装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE TO EVALUATE SPIN VALVE MAGNETO- RESISTANCE EFFECT TYPE ELEMENT例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果型素子評価方法およびスピンバルブ磁気抵抗効果型素子評価装置 - 特許庁

One of our particular interests is the giant magneto-resistance (GMR) effect which occurs in magnetic multilayers. 例文帳に追加

我々が特に関心を持つものの一つは、磁気多層で起きる巨大磁気抵抗（GMR）効果である。 - コンピューター用語辞典

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN-FILM MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

The magneto-resistance effect film 44 is extended along a reference surface 43 crossing a surface opposite to a medium.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜４４は、媒体対向面に交差する基準面４３に沿って広がる。 - 特許庁

POLISHING SENSOR OF MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND POLISHING CONTROL METHOD USING THE SENSOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を備えた磁気ヘッドの研磨センサ及び該センサを用いた研磨制御方法 - 特許庁

To provide a variable resistive element which is suitable for the shunt resistor of a magneto-resistance effect element, and whose resistance value can be set correspondingly to the resistor value (RA value) of the magneto-resistance effect element after it is worked as the element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のシャント抵抗として好適な可変抵抗素子であって、素子として加工された後の磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）に対応させて、抵抗値の設定が可能な可変抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head capable of making an interval of the magneto-resistance effect elements or the magneto-resistance effect element between a recording medium very small, a head gimbals assembly, and a hard disk device.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間隔をより微少にすることのできる薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置を提供する。 - 特許庁

This magnetic head has magneto-resistance effect films having a free layer 21, a fixed layer 105 and an intermediate layer 104 and a pair of electrodes 25a, 25b for passing current to these magneto-resistance effect films.例文帳に追加

本願の磁気ヘッドは、自由層２１、固定層１０５、中間層１０４を備える磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電流を流すための一対の電極２５ａ，２５ｂとを有する。 - 特許庁

When a magnetic signal recorded in a magnetic tape 7 is reproduced, the current value of a sense current supplied to the magneto-resistance effect element of the magneto-resistance effect type magnetic head is set larger than I0.例文帳に追加

そして、磁気テープに記録されている磁気信号を再生する際に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子に供給するセンス電流の電流値をＩ_0よりも大きく設定しておく。 - 特許庁

The magneto-resistance head includes further a 2nd electrode terminal having the 3rd width narrower than the 2nd width arranged on the magneto-resistance film and a 2nd magnetic shield arranged on the 2nd electrode terminal.例文帳に追加

磁気抵抗ヘッドは、さらに、磁気抵抗膜上に配置された第２の幅以下の第３の幅を有する第２電極端子と、第２電極端子上に配置された第２磁気シールドを含んでいる。 - 特許庁

To provide a spin valve type magneto-resistance effect reproducing head capable of suppressing the occurrence of short-circuit between a spin valve type magneto-resistance effect film and the magnetic field layer of a substrate side, and exhibiting good magnetic characteristics.例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果膜と基体側の磁気シールド層との間の短絡の発生を抑制可能であり、良好な磁気特性を発揮するスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドを提供する。 - 特許庁

A driving circuit 10 of the magneto-resistance effect head for driving the magneto-resistance effect head 21 is constituted so that a potential VMR of the head 21 to the ground becomes less than a breakdown voltage VBD.例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッド２１を駆動する磁気抵抗効果型ヘッド駆動回路１０を、グランドに対する磁気抵抗効果型ヘッド２１の電位Ｖ_MRが、ブレークダウン電圧Ｖ_BD未満となるように構成する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which can cope with high recording density by stably revealing larger resistance variation quantity.例文帳に追加

より大きな抵抗変化量を安定して発現し、高記録密度化に対応することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

Voltages V1 and V2 corresponding to a resistance value (output value) of a magneto-resistance effect element MR are input to a coincidence determining circuit 5.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子ＭＲの抵抗値（出力値）に対応した電圧Ｖ１及びＶ２は、一致判定回路５に入力される。 - 特許庁

The magnetic free layer 11-1 of the first magneto-resistance effect element MTJ1 makes magnetization vibrations at a frequency depending upon magnetization directions of residual magnetization of the magnetic free layer 11-2 and magnetic pinned layer 12-2 of the second magneto-resistance effect element MTJ2, when the larger current than the vibration threshold current is caused to flow to the first magneto-resistance effect element MTJ1.例文帳に追加

第一磁気抵抗効果素子MTJ１の磁気フリー層１１−１は、第一磁気抵抗効果素子MTJ１に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ２の磁気フリー層１１−２と磁気ピンド層１２−２との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。 - 特許庁

ROTARY MAGNETIC DRUM DEVICE AND BIAS CURRENT ADJUSTING METHOD FOR MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT HEAD OF ROTARY MAGNETIC DRUM DEVICE例文帳に追加

回転磁気ドラム装置および回転磁気ドラム装置の磁気抵抗素子ヘッドのバイアス電流調整方法 - 特許庁

Magnetic domain control hard layers 48 are formed along the end faces 47a, 47b of a magneto-resistance effect film 46.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜４６の端面４７ａ、４７ｂに沿って磁区制御ハード層４８は形成される。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM FORMED BY USING THE SAME, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

スパッタリングタ—ゲットと、それを用いて形成した反強磁性体膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect device having a good output characteristic and a high processing yield.例文帳に追加

出力特性が良好でかつ加工歩留まりの高い磁気抵抗効果素子を得ることを可能にする。 - 特許庁

This magneto-resistance effect element comprises a non-magnetic layer 12 having opposed first surface and second surface.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、相互に向き合う第１面および第２面を有する非磁性層１２を含む。 - 特許庁

The first and the second electrode film 11 and 13 are connected to an end part of the magneto-resistance effect element 9.例文帳に追加

第１及び第２の電極膜１１、１３は、磁気抵抗効果素子９の端部に接続されている。 - 特許庁

Damage of the magneto-resistance effect film 65 of the air flow-out side rather than the lower shield layer 63 is prevented.例文帳に追加

下部シールド層６３よりも空気流出側の磁気抵抗効果膜６５の損傷は回避される。 - 特許庁

LAMINATED FERRIMAGNETIC THIN FILM, AND MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND FERROMAGNETIC TUNNEL ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

積層フェリ型磁性薄膜並びにそれを使用した磁気抵抗効果素子及び強磁性トンネル素子 - 特許庁

To provide a sensor which is tolerant of disturbance noise as a stress sensor which uses a magneto-resistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた応力センサーにおいて、外乱ノイズに強いセンサーを提供する。 - 特許庁

A 1st wire is arranged between the semiconductor substrate and the magneto-resistance effect element in a 1st direction.例文帳に追加

半導体基板と磁気抵抗効果素子との間に第１方向に沿って第１配線が配設される。 - 特許庁

PRODUCTION OF SPIN VALVE MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND PRODUCTION OF THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法及び該素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

One bit is recorded to two magneto-resistance effect film which are stacked so that one is a magnetism array with large resistance and the other is a magnetism array with small resistance.例文帳に追加

積層された２つの磁気抵抗効果膜に１ビットを記録し、このとき一方を抵抗が高くなる磁化配列、他方を抵抗が低くなる磁化配列とする。 - 特許庁