「MAGNETO- RESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetic reproducing head 1 is provided with a stopper layer 12 having a core width length corresponding to magnetic domain control films 17 provided at both sides of a core width direction of a magneto-resistance effect film 13A between a lower part shield layer 11 and the magneto-resistance effect film 13A, the stopper layer 12 is formed by using a soft magnetic material having etching durability for reactive ion etching.例文帳に追加

磁気再生ヘッド１は、下部シールド層１１と磁気抵抗効果膜１３Ａとの間に、磁気抵抗効果膜１３Ａのコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜１７に対応したコア幅長さを有するストッパ層１２を備え、ストッパ層１２は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成される。 - 特許庁

Lastly, a cluster whose interval is precisely controlled is formed between the electrodes 1 and 2 (10 and 11) to manufacture the giant magneto-resistance(GMR) element which develops tunnel effect with a small magnetic field and greatly decreases in electric resistance.例文帳に追加

最終的に、電極１および２（１０および１１）の間に、間隔を精密に制御したクラスタを形成して、小さな磁場によりトンネル効果が発現して、電気抵抗が大きく低下する、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を作製する。 - 特許庁

By this arrangement, the reproduction efficiency is improved since the magneto-resistive layer is confronted directly with a magnetic recording medium 51, and also the thin-film magnetic head, in which a sense current is made to flow in the film thickness direction and the magneto-resistive layer having a large resistance change rate is usable, is easily manufactured.例文帳に追加

これにより、磁気抵抗効果層が磁気記録媒体５１と直接対向するため再生効率が向上し、かつ、膜厚方向にセンス電流を流し抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果層を用いることができる薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。 - 特許庁

To provide a structure of a magnetic head which prevents electrostatic destruction between a magneto resistance effect film 5 and a lower-part shield film 3 caused in a process, in which a wafer takes an electrical charge, such as an ion milling and so on in the manufacturing process of a magneto resis tance effective type magnetic head, and also provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造プロセスにおいて、イオンミリング等のウエハ表面に帯電が生じる工程で発生する磁気抵抗効果膜５と下部シールド膜３間の静電破壊を防止する磁気ヘッドの構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

Each memory cell being a component of the MRAM includes: the magneto-resistive element R22; a fixed resistive element r22 whose resistance is fixed, and a FET: T22, the magneto-resistive element R22 and the fixed resistive element r22 are connected at their on-side terminals, and an output section S is provided to the connection part.例文帳に追加

ＭＲＡＭを構成する各メモリセルは、磁気抵抗効果素子Ｒ２２と抵抗値を固定した固定抵抗素子ｒ２２とＦＥＴ：Ｔ２２とを備え、磁気抵抗効果素子Ｒ２２と固定抵抗素子ｒ２２とをそれぞれの一方の端子で接続し、その接続部に出力部Ｓを設ける。 - 特許庁

An upper shield layer 18 and a lower shield layer 13 which are used as electrode layers which cause a sense current to flow to a magneto- resistance effect element 16 are arranged approximately in parallel so that they may face each other.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１６にセンス電流を流す電極層を兼ねる上部シールド層１８と下部シールド層１３とは、略平行に、かつ、互いに対向して配置されている。 - 特許庁

To suppress effects on response characteristics to an external magnetic filed caused by a variation in the roughness of an interface between a fixing layer and a tunnel insulating layer in a tunnel magneto-resistance effect element.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子における固着層とトンネル絶縁層との界面の粗さのばらつきに起因する外部磁界に対する応答特性への影響を抑制する。 - 特許庁

Preferably, the magneto-resistance head includes further a plug electrode to connect the 2nd magnetic shield to the 2nd electrode terminal and an insulating film for protecting a plug side wall covering the circumference of the plug electrode.例文帳に追加

好ましくは、磁気抵抗ヘッドはさらに、第２電極端子と第２磁気シールドとを接続するプラグ電極と、プラグ電極の周囲を覆うプラグ側壁保護絶縁膜を含んでいる。 - 特許庁

To provide a magneto resistance sensor capable of preventing the damage of a soft magnetic film between two parts of a magnetic domain controlling film in a structure having the two parts of the magnetic domain controlling film on the surface of the soft magnetic film.例文帳に追加

軟磁性膜の表面に、２つの磁区制御膜を有する構造において、磁区制御膜間で軟磁性膜が損傷を受けるのを防止し得る磁気抵抗センサを提供する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element having the structure whereby the corrosion of its anti-ferromagnetic layer for fixing the magnetization of its pinned layer can be prevented, a thin-film magnetic head, a magnetic-head apparatus, and a magnetic recorder/reproducer.例文帳に追加

ピンド層の磁化を固定する反強磁性層の腐食を防止し得る構造を持つＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce the size of the magnetic gap on the surface side opposed to a medium as much as possible, and to dispose a magneto-resistance effect element close to the surface opposed to the medium.例文帳に追加

磁気ギャップの媒体対向面側の大きさを可及的に小さくすることができるとともに、磁気抵抗効果素子を媒体対向面に近接して配置することを可能にする。 - 特許庁

The magnetic path is formed directly between the rotor teeth 1212 and does not pass through the core boss 1214, so that magneto resistance and iron loss are reduced, and higher efficiency and higher output operation becomes possible.例文帳に追加

磁路がロータティース１２１２の間に直接形成され、コアボス１２１４を通らないので、磁気抵抗および鉄損が低減され、より高効率で高出力の運転が可能になる。 - 特許庁

To provide a shield type magneto-resistance effect head and its production which easily and accurately realize a narrow track width corresponding to a high recording density and is free from a fear that the noise is picked up.例文帳に追加

高記録密度に対応した狭トラック幅を容易・正確に実現することができ、かつ、ノイズを拾うおそれのないシールド型磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, since the heat 80 generates heat to thermally expand a thin-film magnetic head 10, a distance between a magneto-resistance effect element 40 or an electromagnetic conversion element 60 and a recording medium 2 is reduced.例文帳に追加

これにより、発熱体８０が発熱し薄膜磁気ヘッド１０が熱膨張するので、磁気抵抗効果素子４０や電磁変換素子６０と、記録媒体２と、の距離が低減される。 - 特許庁

A head slider 13 is provided with a thin film magnetic head 11 having a magneto-resistance effect element 30 and an electromagnetic conversion element 60, and a heater 40 heated by energizing.例文帳に追加

本発明のヘッドスライダ１３は、磁気抵抗効果素子３０及び電磁変換素子６０を有する薄膜磁気ヘッド１１と、通電されることにより発熱するヒータ４０とを備える。 - 特許庁

To prevent magnetization inversion of a fixed layer due to external stress in a magneto-resistance effect type head having a multilayer ferrimagnet type fixed layer which uses IrMnCr as an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

ＩｒＭｎＣｒを反強磁性層として用いた積層フェリ型固定層を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、外部ストレスによる固定層の磁化反転を防止する。 - 特許庁

The flexible substrate 25 is fixed to the permanent magnet 3 by using adhesive agent 37, in the state that the first and second semiconductor magneto resistance elements 26, 27 abut against the permanent magnet 3.例文帳に追加

第１，第２の半導体磁気抵抗素子２６，２７が永久磁石３に当接する状態でフレキシブル基板２５を永久磁石３に接着剤３７によって固定する。 - 特許庁

To increase the changing rate of resistance for a magneto-resistive element, and to improve a reproducing output characteristic.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の抵抗変化率を向上させることができ、再生出力特性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a magnetic recording and reproducing device having high recording density and reduced deterioration of properties due to a short circuit between a magneto-resistance effect film and a magnetic shield layer even when a shield interval is narrowed.例文帳に追加

シールド間隔を狭くした場合にも磁気抵抗効果膜と磁気シールド層の短絡による特性劣化を少なくし、高い記録密度の磁気記録再生装置を実現する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type thin film magnetic head for improving a reproduction output by obtaining the single magnetic domain of the free layer of an SV/GMR element, and for improving the reproduction output by increasing the resistance change ratio of the SV/GMR element.例文帳に追加

SV-GMR素子の自由層の単磁区化を図り再生出力を向上させることができ、さらにSV-GMR素子の抵抗変化率を増加させて再生出力を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head for accurately reading a fine reproduction signal without generating any deterioration of insulating characteristics between a lead to a magnetic resistance element and upper and lower shields even when a shield gap layer is made thin by reducing the resistance of the lead for improving the thermal asperity of a magneto-resistance effect type thin film magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head eliminating the generation of deterioration of the insulation property between leads and upper/lower shields for a magneto-resistive element even though the shield gap layer is thinned for improving the thermal aspirity of the magneto-resistive thin magnetic head, and also capable of accurately reading a minute reproducing signal by lowering the resistance of the lead.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a synthetic antiferromagnetic substrate spin-valve magneto-resistive structure having an intense effective exchange magnetic field, which realizes easy adjustment of the bias point even if the size of the unit cell is one micrometer or smaller and also maintains a constant position of the bias point and a constant profile of the magneto-resistance transfer curve regardless of the size of the element.例文帳に追加

単位セルのサイズがマイクロメーター以下であってもバイアスポイント調節が容易であり、素子の大きさに関係なくバイアスポイント位置と磁気抵抗伝達曲線の形状が一定に維持される、有効交換磁場の大きい合成反強磁性体基板スピンバルブ磁気抵抗構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a reproducing head which can stabilize the magnetic status of a bias application layer and thereby can stabilize reproduction output, in relation to the reproducing head equipped with a magneto-resistance effect type reproducing element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドに関して、バイアス印加層の磁性状態を安定させ、再生出力を安定させることが可能な再生ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The sense current is supplied between a pair of electrodes 1 and 2, and the overlapped part of the laminated parts 11 and 12 is made to the actual working part for the magneto-resistance effect, then the sense current is supplied to the laminated direction.例文帳に追加

対の電極１および２間にセンス電流が通電され、積層部１１および１２の重ね合わせ部を磁気抵抗効果の実働部とし、積層方向にセンス電流の通電がなされる。 - 特許庁

As a result, the front surface 24a of the magneto-resistance element layer 24 and the front surfaces 28a of the respective terminal layers 28 are placed on substantially the same plane and eventually the magnetic gap layer 34 is substantially planatarized.例文帳に追加

それにより、磁気抵抗素子層２４の上面２４ａと各端子層２８の上面２８ａとが実質的同一の平面上に置かれ、その結果、記録ギャップ層３４が実質的に平坦化される。 - 特許庁

By inserting a non-magnetic layer into a ferromagnetic fixed layer and making the mutual magnetizing directions in forward parallel, a spin valve film having a giant magneto-resistance effect with a ferromagnetic fixed layer of less quantity of magnetization is provided.例文帳に追加

強磁性固定層に非磁性層を挿入し、互いの磁化方向が順平行にすることで磁化量のより少ない強磁性固定層で巨大磁気抵抗効果が高いスピンバルブ膜を得る。 - 特許庁

The MTJ memory cell MC has access transistors ATR which is turned on in response to the activation of corresponding word lines and tunnel magneto-resistive elements TMR whose electric resistance values are varied according to stored data.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルＭＣは、対応するワード線の活性化に応答してターンオンするアクセストランジスタＡＴＲと、記憶データに応じて電気抵抗が変化するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲとを有する。 - 特許庁

In an element portion 20 of the magneto-resistance effect type head, the antiferromagnetic layer 1, a first fixed layer 2, an antiferromagnetic coupling layer 4, a second fixed layer 5, a non-magnetic conductive layer 6 and a free layer 7 are layered.例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドの素子部２０は、反強磁性層１、第１固定層２、反強磁性結合層４、第２固定層５、非磁性導電層６、自由層７が積層されている。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element capable of reducing read blotting at both ends of a free layer and suppressing the enlargement of an effective track width, a thin film magnetic head, a thin film magnetic head assembly and a storage device.例文帳に追加

フリー層の両端部分における読みにじみを低減して、実効トラック幅の拡大を抑制可能な磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体及び記憶装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a magneto-resistance effect type head which is small in the distortion of a reproducing waveform, and also to improve the yield in the production of such head.例文帳に追加

再生波形の歪みの小さな磁気抵抗効果型ヘッドを製造しかつその磁気抵抗効果型ヘッドの製造における歩留まりを向上させる磁気抵抗効果型ヘッド製造方法を提供する。 - 特許庁

When the disc substrate is rotated, the magnetic sensor moves on the disc substrate circumferentially, so that the magnetic pattern 13 on the disc substrate facing the magnetic sensor 12 is read by each magneto-resistance element 14.例文帳に追加

ディスク基板が回転した場合には、磁気センサがディスク基板上をその周方向に移動するため、磁気センサ１２と対向するディスク基板上の磁気パターン１３を個々の磁気抵抗素子１４で読み取る。 - 特許庁

Thus, even when the thickness of the free layer is reduced, a difference in average free traveling is maintained between upward spinning electrons and downward spinning electrons, and a magneto- resistance change rate is increased.例文帳に追加

これにより、フリー層の厚みを低減しても上向きスピンをもった電子と下向きスピンを持った電子との平均自由行程の差を維持することができ、磁気抵抗変化率を増大させることができる。 - 特許庁

To provide a thin film that has uniform thickness and superior step coverage in narrow holes, and is suitable for electronic interconnect in microelectronics and magneto resistance in magnetic information storage devices.例文帳に追加

マイクロエレクトロニクスにおける電子的連結及び磁気情報記録装置における磁気抵抗に好適な、均一な厚さを有しかつ細孔での優れたステップカバレッジを有する薄膜を提供する。 - 特許庁

The antiferromagnetic layer 23, non-magnetic metal layer 24 and free layer 25 are formed so as to range from a valid area of the magneto-resistance effect layer to an area expanding on both sides in the track width direction.例文帳に追加

反強磁性層２３、非磁性金属層２４及びフリー層２５は、磁気抵抗効果層の有効領域からトラック幅方向の両側に広がった領域に及ぶように、形成される。 - 特許庁

The difference in the thicknesses between the thick part 22b and the thin part 22d substantially corresponds to the difference between the total thickness of the magneto-resistance element layer 24 and the total thickness of the hard magnetic material layer 26 and a terminal layer 28.例文帳に追加

厚肉部分２２ｂと薄肉部分２２ｄとの厚みの差は、磁気抵抗素子層２４の全体厚みと硬質磁性体層２６及び端子層２８の合計厚みとの差に実質的に相当する。 - 特許庁

To make wide the current setting permissible range for writing that an information storage device having a plurality of information storage elements storing information by using magneto-resistance effect and to make the elements fine.例文帳に追加

磁気抵抗効果を利用して情報を記憶する複数の情報記憶素子を有する情報記憶装置の書き込みのための電流設定許容範囲を広くするとともに、素子の微細化を実現する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium of high density having a thin magnetic layer suitable for a magneto-resistance effect head and also having the superior durability by including a protection layer furnished with the superior film quality.例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドに適した磁性層の厚さが小さい高密度磁気記録媒体であって、優れた膜質を有する保護層を含み、耐久性に優れた磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

Alternatively, a problem is solved by carrying out measuring with the angle θ of an applied magnetic field inclined such that the direction of a magnetic field effectively applied on the magneto-resistance effect element 3 is perpendicular to the medium opposite surface 4.例文帳に追加

又は磁気抵抗効果素子３へ実効的に作用する磁界の向きが媒体対向面４と直角となる様に印加磁界の角度θを傾けて測定することによって解決される。 - 特許庁

To manufacture an element which develops giant magneto-resistance element effect based upon tunnel effect as a principle by precisely controlling the size of clusters, and the distances between clusters and between cluster electrodes.例文帳に追加

クラスタのサイズ、クラスタ−クラスタ間およびクラスタ−電極間の距離を精密に制御することにより、トンネル効果を原理とする巨大磁気抵抗素子効果の発現する素子を作製すること。 - 特許庁

To obtain a magnetic storage device with high reliability by improving the stableness of a storage layer of a magneto-resistance effect element, use for a storage cell, in a storage holding state even when the storage density is increased.例文帳に追加

記憶密度を高めても、記憶セルに用いられる磁気抵抗効果素子の記憶層の記憶保持状態における安定性を向上させ、信頼性の高い磁気記憶装置を得ることを可能にする。 - 特許庁

In this method of manufacturing the thin film magnetic head, such a state is kept that a conductive member 50 is brought into contact with a magneto-resistance effect film 42 when an electron beam resist 49 is irradiated with an electron beam.例文帳に追加

本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、電子ビームレジスト４９に電子ビームを照射する際に、磁気抵抗効果膜４２に導電部材５０が接触した状態となっている。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head(MR head) excellent in linear response and suppressed in Barkhausen noise by adopting a Pt-Mn alloy of an antiferromagnetic material film excellent in corrosion resistance and capable of applying an exchange anisotropic magnetic field required and sufficient for an ultrathin film.例文帳に追加

耐食性に優れ且つ極薄膜において必要十分な交換異方性磁界を印加することができる反強磁性体膜であるＰｔＭｎ合金を採用することにより、線形応答性に優れバルクハウゼンノイズを抑制した磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を提供すること。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head(MR head) excellent in linear response and suppressed in Barkhausen noise by adopting a Pt-Mn alloy of an antiferromagnetic film excellent in corrosion resistance and capable of applying an exchange anisotropic magnetic field required and sufficient for an ultrathin film.例文帳に追加

耐食性に優れ且つ極薄膜において必要十分な交換異方性磁界を印加することができる反強磁性体膜であるＰｔＭｎ合金を採用することにより、線形応答性に優れバルクハウゼンノイズを抑制した磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を提供すること。 - 特許庁

This slide-type variable resistor is provided with a magnetic sensor 10, in which magnetoresistance elements R1-R4, whose resistance values change with respect to the direction of the applied magnetic field are arranged, and a magnet 50 which slides and moves to the magnetic sensor 10 and applied a magnetic field to the magneto resistance elements R1-R4 in accordance with the sliding position.例文帳に追加

印加する磁界の方向に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４を設けた磁気センサ１０と、磁気センサ１０に対してスライド移動し磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４に対してそのスライド位置に応じた磁界を印加する磁石５０とを具備する。 - 特許庁