Memoryを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
To provide a memory sharing method, a program and a memory sharing system, through which a memory can be shared by arranging a variable number group common to a plurality of objects in the same memory arrangement.例文帳に追加
複数のオブジェクト間で共通する変数群を同一メモリ配置としてメモリを共有させることができるメモリ共有方法、プログラム、メモリ共有化システムを提供する。 - 特許庁
RARE EARTH-ADDED FERROMAGNETIC SHAPE MEMORY ALLOY例文帳に追加
希土類添加強磁性形状記憶合金 - 特許庁
INTEGRATED MEMORY AND OPERATION METHOD THEREFOR例文帳に追加
集積メモリおよび集積メモリの作動方法 - 特許庁
MEMORY MANAGEMENT FOR HIGH SPEED MEDIA ACCESS CONTROL例文帳に追加
高速メディアアクセス制御に関するメモリ管理 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
To increase the speed of a semiconductor memory in a semiconductor device.例文帳に追加
半導体メモリの速度を向上させる。 - 特許庁
PROCESSOR SYSTEM WITH DIRECT MEMORY ACCESS DATA TRANSFER FUNCTION例文帳に追加
ダイレクトメモリアクセス転送機能付プロセッサシステム - 特許庁
To use a memory cell having a small number of elements as an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing a case where the data are written or read to or from a memory cell and the memory cell is refreshed at the same time.例文帳に追加
メモリセルのデータの書き込み又は読み出しとメモリセルのリフレッシュとが同時に行われることを防止することにより、素子数の少ないメモリセルをSRAMとして用いる。 - 特許庁
EEPROM MEMORY CELL AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
EEPROMメモリセル及びその製造方法 - 特許庁
SHAPE MEMORY ALLOY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加
形状記憶合金およびその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY AND DATA TRANSFER METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置およびデータ転送方法 - 特許庁
DC TEST DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
DC試験装置及び半導体試験装置 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD OF DEVICE例文帳に追加
不揮発性メモリ装置及びその動作方法 - 特許庁
To provide a memory controller capable of rapidly and efficiently transferring data between itself and a flash memory, and to provide a flash memory system comprising the memory controller.例文帳に追加
本発明は、フラッシュメモリとの間でのデータの転送を迅速、効率的にすることが可能なメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁
ADDRESSING METHOD OF MEMORY AND DATA PROCESSOR例文帳に追加
メモリのアドレシング方法およびデータ処理装置 - 特許庁
FERROELECTRIC SUBSTANCE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
強誘電体メモリ及びその製造方法 - 特許庁
In this nonvolatile semiconductor memory, a memory array which includes memory mats 10 to 60 is arranged into a U-shaped form and a logic circuit 92 and an analog circuit 91 are arranged in a space area where the memory array is not arranged.例文帳に追加
メモリマット10〜60を含むメモリアレイをコの字型に配置し、メモリアレイが配置されていない空き領域にロジック回路92およびアナログ回路91を配置している。 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY CIRCUIT AND ITS DRIVE METHOD例文帳に追加
不揮発性メモリ回路及びその駆動方法 - 特許庁
When writing data to the first memory cell of the memory cell array, the control circuits 8 and 9 vary a writing level on the basis of write data which is to be written to a second memory cell adjacent to the first memory cell.例文帳に追加
制御回路8,9は、メモリセルアレイの第1メモリセルに書き込むとき、第1メモリセルに隣接する第2メモリセルに書き込む書き込みデータに基づき、書き込みレベルを変える。 - 特許庁
PRINTING DEVICE, COMPUTER PROGRAM AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
印刷装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA READING METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置とデータ読み出し方法 - 特許庁
METHOD FOR OPTIMIZING MANUFACTURING COST OF MEMORY ARRAY例文帳に追加
メモリアレイの製造コストを最適化する方法 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD THEREFOR例文帳に追加
不揮発性メモリ装置及びその動作方法 - 特許庁
METHOD FOR CONTROLLING MEMORY AND SDRAM例文帳に追加
メモリ制御方法及びSDRAM制御方法 - 特許庁
To provide the memory protective method of a processor and an IC card for protecting the memory of the processor capable of inhibiting unauthorized access to the memory and securing security even when a program is added to the memory.例文帳に追加
メモリへの不正アクセスを禁止し、メモリにプログラムが追加されてもセキュリティ確保を可能とするプロセッサのメモリ保護方法及びプロセッサのメモリを保護されたICカードの提供。 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁
PHASE TRANSITION MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相転移メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
INTERNAL VOLTAGE GENERATOR FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体メモリ装置の内部電圧発生器 - 特許庁
INTERNAL ADDRESS GENERATOR OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体メモリ素子の内部アドレス生成装置 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加
不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
There are provided a first memory layer (24a), a second memory layer (24b) disposed below the first memory layer, and a photographing layer (20) disposed above the first and second memory layers.例文帳に追加
第1のメモリ層(24a)、第1のメモリ層の下方に配置された第2のメモリ層(24b)、及び、第1及び第2のメモリ層の上方に配置された撮像層(20)が含まれている。 - 特許庁
When plural memory cells in a memory cell array 1 are successively selected and write-in of data is performed in a NOR type flash memory, plural memory cells are divided into a first group and a second group.例文帳に追加
NOR型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイ1内の複数のメモリセルを順次選択してデータの書き込みを行う際、複数のメモリセルを第1のグループと第2のグループに分ける。 - 特許庁
Memory runners 7, 7' are retained at the same positions when memory locks 9, 9' are engaged with holes 8, 8' of memory rails 3, 3' even if first springs 33, 33' separate from the memory runners 7, 7'.例文帳に追加
第1スプリング(33,33’)がメモリーランナー(7,7’)と離反してもメモリーロック(9,9’)がメモリーレール(3,3’)の孔(8,8’)に係合しているときは、同位置にメモリーランナー(7,7’)は保持される。 - 特許庁
The camera DSP 21c reads the image data from the image memory 32 through the memory controller 22, applies data conversion to the image data and writes the resulting data to the image memory 32 through the memory controller 22.例文帳に追加
カメラDSP21cは、上記画像データをメモリコントローラ22を通じてイメージメモリ32から読み出し、データ変換を行って、メモリコントローラ22を通じてイメージメモリ32に書き込む。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MEMORY MEDIUM FOR EVENT REPRODUCTION例文帳に追加
イベント再生用記憶媒体の製造方法 - 特許庁
READ-OUT CIRCUIT FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
不揮発性半導体メモリの読み出し回路 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND OPERATION METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体メモリおよび動作方法 - 特許庁
ELECTRIC FUSE CIRCUIT, MEMORY DEVICE, AND ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加
電気ヒューズ回路、メモリ装置及び電子部品 - 特許庁
A memory having a plurality of input output ports (e.g. a dual port memory 104) or an FIFO memory divides congested data delivered through input/ output ports and a bus 102 for a memory.例文帳に追加
混雑するメモリの入出力ポートおよびバス102を流れるデータを複数の入出力ポートを持つメモリ(例えばデュアルポートメモリ104)、あるいはFIFOメモリによって分割する。 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY ELEMENT INTEGRATED IN LDI例文帳に追加
LDIに集積される不揮発性メモリ素子 - 特許庁
MEMORY CONTROL SYSTEM FOR STORING OPERATION INFORMATION例文帳に追加
稼動情報を記憶する記憶制御システム - 特許庁
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