「OF GAN」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING GaN SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ基板作製方法 - 特許庁

To provide a relatively convenient direct bonding method of GaN/GaN in which even the bonding surfaces of GaN having protrusions and recesses can be bonded directly.例文帳に追加

たとえ凹凸を有するGaN接合表面同士の直接接合でも可能とする比較的簡便なGaN/GaNの直接接合方法を提供することである。 - 特許庁

a pot dish of cooked goose, called 'gan-nabe' 例文帳に追加

雁鍋という鍋料理 - EDR日英対訳辞書

Title: Shukumyochitsu no gan (the power of knowing the past lifetimes of oneself and others) and Ryoshikishukumyo no gan 例文帳に追加

願名…宿命智通の願・令識宿命の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

METHOD OF MANUFACTURING GaN POWDER例文帳に追加

ＧａＮ粉末の製造方法 - 特許庁

GROWTH METHOD OF GaN CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ結晶成長方法 - 特許庁

Undope GaN of 3 mm having the principal surfaces of (11-20) surfaces are formed on a substrate, then, AlN of 1 nm, n-type Al_0.25Ga_0.75N of 25 nm and n-type GaN of 50 nm are formed thereon.例文帳に追加

基板上に(1 1 -2 0)面を主面とするアンドープのGaNが3mm、その上に、AlNが1nm、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎが25nm、n型GaNが50nm形成されている。 - 特許庁

PRODUCTION OF GaN FLUORESCENT SUBSTANCE AND GaN FLUORESCENT SUBSTANCE例文帳に追加

ＧａＮ蛍光体の製造方法及びＧａＮ蛍光体 - 特許庁

GROWTH METHOD OF GaN CRYSTAL AND GaN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶基板 - 特許庁

The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加

バッファ層２はｎ型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁

An AlGaN/GaN-based HFET 10 has a layer structure composed of successively laminating a buffer layer 2 consisting of GaN, an electron transit layer 3 consisting of undoped GaN and an electron supply layer 4 consisting of undoped AlGaN on a substrate 1.例文帳に追加

AlGaN/GaN系HFET１０は、基板１の上に、GaNから成るバッファ層２、アンドープGaNからなる電子走行層３、およびアンドープAlGaNからなる電子供給層４を順次積層して成る層構造を有する。 - 特許庁

Title: Nenbutsuojo no gan (the vow to pass away peacefully and be reborn in Paradise through invocation of Amitabha), Senchakuhongan, Hongansanshin no gan, Shishinshingyo no gan and Ososhinjin no gan 例文帳に追加

願名…念仏往生の願・選択(仏教)本願・本願三心の願・至心信楽の願・往相信心の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

SELECTIVE GROWTH METHOD OF GaN LAYER例文帳に追加

ＧａＮ層の選択成長方法 - 特許庁

SYNTHETIC METHOD OF GaN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ単結晶の合成方法 - 特許庁

By epitaxially growing a GaN layer 32 in vertical and horizontal directions by utilizing the top parts T, which are exposed from the mask 4, of the GaN layer 31 for the nuclei, propagation of through dislocations from the GaN layer 31 is remarkably suppressed.例文帳に追加

マスク４から露出したGaN層３１の頂上部Ｔを核として、GaN層３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層３１からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of an n-GaN layer 11, a p-GaN layer 12 and an n-GaN layer 13 on the n-GaN layer 11, an n^--GaN layer 14 on the p-GaN layer 12, and an n-GaN layer 21 on the n-GaN layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−ＧａＮ層１１、ｎ−ＧａＮ層１１上にｐ−ＧａＮ層１２とｎ−ＧａＮ層１３、ｐ−ＧａＮ層１２上にｎ^- −ＧａＮ層１４、ｎ−ＧａＮ層１３上にｎ−ＧａＮ層２１、で構成されている。 - 特許庁

The remaining GaN layer 31 is removed by etching along with the upper layer GaN 32 and when GaN 33 is grown epitaxially using the upper surface and the side face at the upper stage of the remaining GaN layer 32 as nuclei, a GaN substrate 30 in which through dislocation is suppressed significantly can be obtained.例文帳に追加

こののち残ったGaN層31を上層のGaN32とともにエッチングして除去し、残ったGaN層32の上段の上面及び側面を核として、GaN33を横方向エピタキシャル成長させれば、貫通転位の著しく抑制されたGaN基板30を得ることができる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN-HEMT例文帳に追加

ＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING GaN EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

ＧａＮエピタキシャル層の成長方法 - 特許庁

A GaN is thickened with a self-support film of the GaN as a seed by the HVPE method to and an ingot of GaN is prepared.例文帳に追加

ＧａＮの自立膜を種結晶としてＨＶＰＥ法でＧａＮを厚付けしＧａＮインゴットを作る。 - 特許庁

Partial parts of the p-type GaN layer 4 and the active layer 3 are removed, and a transparent electrode layer 5 is formed over the entire surface of the remaining p-type GaN layer 4.例文帳に追加

ｐ型GaN層４及び活性層３の一部を除去して残存したｐ型GaN層４の全面に透明電極層５を形成する。 - 特許庁

To manufacture a large-area GaN substrate of a two-inch wafer level, in which the separation of a GaN layer from a sapphire substrate can be easily controlled.例文帳に追加

サファイア基板とGaN層の分離の制御性が容易で、且つ２インチウエハーレベルの大面積のGaN基板が作製できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

PRODUCTION PROCESS OF SINGLE CRYSTAL GaN SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL GaN SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode having gate length not more than a lithography limit, to provide a method of manufacturing AlGaN/GaN-HEMT having good high-frequency characteristics, and to provide AlGaN/GaN-HEMT.例文帳に追加

リソグラフィ限界以下のゲート長を有するゲート電極の形成方法、及び高周波特性のよいAlGaN/GaN-HEMTの製造方法及びAlGaN/GaN-HEMTを提供する。 - 特許庁

GaN-BASED LED CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED LED CHIP例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤチップおよびＧａＮ系ＬＥＤチップの製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子の製造方法及びＧａＮ系半導体素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN-BASED LED DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法 - 特許庁

PROTECTION OF SiC SURFACE BY GaN LAYER例文帳に追加

ＧａＮ層によるＳｉＣ表面の保護 - 特許庁

MANUFACTURE OF GaN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN FIELD EMITTER ALLAY例文帳に追加

ＧａＮフィールドエミッターアレイの製造方法 - 特許庁

To provide a structure of a high efficiency GaN-based optical semiconductor element and a method of manufacturing thereof.例文帳に追加

高効率GaN系光半導体素子の構造とその製造方法の提供。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GAN LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法 - 特許庁

A mask 4 capable of being etched is formed on the whole surface of the GaN layer 31, and the mask 4 is etched so as to expose only the top parts T of the islands of the GaN layer 31.例文帳に追加

GaN層３１上全体にエッチ可能なマスク４を形成し、次いでマスク４をエッチして島状態のGaN層３１の頂上部Ｔのみを露出させる。 - 特許庁

A GaN layer 3 is grown by nearly 2 μm on a GaN layer 2 formed on a base substrate 1, and an Al_2O_3 film 4 of nearly 100 μm is formed by sputtering method.例文帳に追加

ベース基板１上に形成されたGaN膜２に、GaN層３を２μｍ程度成長させ、スパッタ法により100ｎｍ程度のAl_2O_3膜４を形成する。 - 特許庁

The p-Ga1-z1Alz1N/GaN first clad layer 23 is removed to the middle to form a recess of a width of 2 μm.例文帳に追加

p-Ga_1-z1Al_z1N/GaN第一クラッド層23の途中まで除去して２μｍの幅の溝を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT OF GaN COMPOUND例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体発光素子 - 特許庁

Also I named it as issho fusho no gan (Vow of succession to Buddhahood after one lifetime) or Genso-eko no gan (Vow of Genso-eko). 例文帳に追加

また一生補処の願と名づけ、また還相回向の願と名づくべし。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GaN-BASED BASE MATERIAL例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系基材の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子の製造方法 - 特許庁

In the direct bonding method of GaN/GaN for directly bonding GaN 2 and 6 deposited, respectively, on two substrates 1 and 5, bonding surface of the GaN 2 on at least one substrate 1 is previously coated with ammonia water 8, the bonding surfaces of GaN are superposed and then a compressive load is applied between both substrates 1 and 5.例文帳に追加

二つの基板１、５上にそれぞれ成膜したGaN２、６同士を直接接合するGaN/GaN直接接合方法において、予め少なくとも一方の基板１上のGaN２の接合面にアンモニア水８を塗布し、この後GaN接合面同士を重ね合わせ、両基板１、５間に圧縮荷重を印加する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaN CRYSTAL AND GaN CRYSTAL SUBSTRATE, GaN CRYSTAL AND GaN CRYSTAL SUBSTRATE OBTAINED BY THE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板の製造方法、それにより得られるＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板、それらを用いた半導体装置 - 特許庁

GaN BASED LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF OF ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ＧａＮ系発光素子およびその作成方法 - 特許庁