「OF GAN」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In this manner, the dislocation density of the GaN layers is reduced by inserting the quantum well layer (MQW) 14 composed of GaN and GaNP between the GaN layers in the GaN compound semiconductor device.例文帳に追加

このように、ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層間にＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層を挿入することでＧａＮ層の転位密度を低減させる。 - 特許庁

To provide a GaN substrate requiring little machining allowance and permitting uniform and easy machining, a production method thereof, a production method of a GaN layer-bonded substrate using such GaN substrate, and a production method of a semiconductor device using such GaN layer-bonded substrate.例文帳に追加

加工しろが小さく一様な加工が容易なＧａＮ基板およびその製造方法、かかるＧａＮ基板を用いたＧａＮ層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Each cell is formed of an n-type GaN layer 21 having uneven surface of mound type inclination having an inclination angle corresponding to each band gap, an n-type InAlGaN layer 22 and a p-type InAlGaN layer 23 formed on an n-type GaN buffer layer 21.例文帳に追加

各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。 - 特許庁

Then, after an undoped GaN layer 6 is grown again on the SiO2 film 4 and GaN layer 3, the surface of the GaN layer is polished.例文帳に追加

続いてＳｉＯ_2 膜４上およびＧａＮ層３上にアンドープのＧａＮ層６を再成長させた後、ＧａＮ層６の表面を研磨する。 - 特許庁

The compound semiconductor device is provided with: a p-type GaN layer 2; an n-type GaN layer 3 formed on the p-type GaN layer 2 and depleted; and an undoped GaN layer 4 with thickness of ≥30 μm formed on the n-type GaN layer 3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層２上に形成され、空乏化されたｎ型ＧａＮ層３と、ｎ型ＧａＮ層３上に形成された厚さが３０μｍ以上のアンドープのＧａＮ層４と、が設けられている。 - 特許庁

The method of manufacturing the diode includes a step of separating a sapphire substrate which can prevent the surface of a single GaN crystal from being damaged.例文帳に追加

特に、前記方法においては、GaN単結晶面のダメージを防止できるサファイア基板の分離工程を提案する。 - 特許庁

At this time, the upper part of the mask 4 where the GaN layer 32 is laterally epitaxilally grown can be used as a region where propagation of through-transition of the GaN layer 31 is suppressed.例文帳に追加

このときGaN３２が横方向エピタキシャル成長したマスク４の上部は、GaN層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁

MANUFACTURE OF GaN COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

The main surface of the GaN crystal 13 is an m-plane.例文帳に追加

このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 - 特許庁

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GAN SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

DRIVING METHOD AND DEVICE OF GaN BASED SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

ＧａＮ系半導体レーザの駆動方法および装置 - 特許庁

To improve characteristics in p-type resistance reduction of a GaN- based compound semiconductor and in alloying of an electrode.例文帳に追加

GaN 系化合物半導体のｐ型低抵抗化と電極の合金化における特性を良好とすること。 - 特許庁

The main surface of a GaN wafer includes an area (b) to an area (e).例文帳に追加

ＧａＮウエハの主面は、エリア（ｂ）〜エリア（ｅ）を含む。 - 特許庁

The elastic modulus of GaAs is smaller than that of GaN.例文帳に追加

ＧａＡｓの弾性率は、ＧａＮの弾性率よりも小さい。 - 特許庁

To suppress attachment of miscellaneous crystals on a nitrogen surface of a GaN self-standing substrate, and wastage of raw materials in production of GaN by the flux method.例文帳に追加

フラックス法によるＧａＮ製造で、ＧａＮ自立基板の窒素面への雑晶の付着と原料の浪費を抑制する。 - 特許庁

Accordingly, a damage layer is prevented from being formed on the surface layer, and the resistivity of the p-GaN layer 5 can be lowered.例文帳に追加

これにより、表面層にダメージ層が形成されるのが防止され、p-GaN 層５は抵抗率が低下する。 - 特許庁

It was found that Mg doping inverts growth of GaN on Ga-face to N-face in some situations. 例文帳に追加

Mgの注入が、いくつかの状況でGa面のGaNの成長をN面の成長に転化させることがわかった。 - 科学技術論文動詞集

To provide large and high-quality GaN epitaxial crystal by using a substrate with a lattice constant approximate to that of GaN.例文帳に追加

ＧａＮに格子定数の近い基板を用い，大型で良質のＧａＮエピタキシャの結晶を得る。 - 特許庁

The element chip 20 comprises a nitride semiconductor laminate structure section 1 composed of an n-type GaN layer 2, a p-type GaN layer 3, and an n-type GaN layer 4.例文帳に追加

素子チップ２０は、ｎ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層３と、ｎ型ＧａＮ層４とからなる窒化物半導体積層構造部１を備えている。 - 特許庁

An i-type GaN layer 2 and an n-type GaN layer 3 are grown epitaxially on the surface of the n-type GaN substrate 1, and the field effect transistor where the n-type GaN layer 3 is set to be an active layer is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１の表面に、ｉ型ＧａＮ層２及びｎ型ＧａＮ層３をエピタキシャル成長させて、ｎ型ＧａＮ層３を活性層とする電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

On a GaN film 3 formed on a base substrate 1, an Si_3N_4 insulating film 4 having a thickness of about 2-10 nm is formed by the P-CVD method, and successively, a GaN layer 5 is grown on the film 4 by adjusting the temperature to 1,050°C.例文帳に追加

ベース基板１上に形成されたGaN膜３上に、P-CVD法により２〜10ｎｍ程度のSi_3N_4からなる絶縁膜４を形成し、引き続き、温度を1050℃にしてSi_3N_4膜４上にGaN層５を成長させる。 - 特許庁

AMMONIA PRODUCT FOR MANUFACTURING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING AMMONIA FOR MANUFACTURING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニア製品、ＧａＮ系化合物半導体の製造方法及びＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニアの製造方法 - 特許庁

In this case, Mg is diffused into a region of the upper n^--GaN layer 11 from the lower p-GaN layer 13 together with the regrowth of the n^--GaN layer 11.例文帳に追加

このとき、ｎ^- −ＧａＮ層１１の再成長とともに、下層のｐ−ＧａＮ層１３からその上方のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域中にＭｇが拡散する。 - 特許庁

Thus, the carrier density of n+-type GaN layer 103, which forms a negative electrode is 6×1018/cm3 while the flat n-type GaN layer 103L of carrier density about 5×1017/cm3 is provided directly below the n-clad layer 104.例文帳に追加

これにより負電極を形成するｎ^+型GaN層１０３のキャリア密度を6×10^18/cm^3にした上で、ｎクラッド層１０４直下はキャリア密度5×10^17/cm^3程度の平坦なｎ型GaN層１０３Ｌとすることができる。 - 特許庁

The method of laterally growing GaN with In doping aims to form a GaN layer in a shorter period by increasing the lateral growth rate of GaN with In doping during laterally growing GaN by the LEO method.例文帳に追加

本発明によると、ＬＥＯ法を用いたＧａＮの側面成長時Ｉｎを共にドーピングしてＧａＮの側面成長速度を増加させることにより、素子製作時間を短縮しその生産性を向上させる。 - 特許庁

GaN SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD THEREOF, PRODUCTION METHOD OF GaN LAYER-BONDED SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ基板およびその製造方法、ＧａＮ層接合基板の製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

CRYSTAL SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD OF GaN-BASED CRYSTAL FILM例文帳に追加

結晶基板およびＧａＮ系結晶膜の製造方法 - 特許庁

Thus, a silicon layer is formed in the middle of GaN layers.例文帳に追加

このように、ＧａＮ層の途中にシリコン膜を形成する。 - 特許庁

SORTING METHOD FOR n-GaN WAFER FOR MANUFACTURE OF SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ショットキーダイオードを作製するｎ−ＧａＮウエハの選別法 - 特許庁

Finally, a GaN layer 46 is formed on the upper layer 45 of the GaN layer having small number of the transfers and excellent crystallinity.例文帳に追加

最後に、転位の数が少なくて結晶性に優れたＧａＮ層の上層部４５にＧａＮ層４６を形成する。 - 特許庁

HIGH SURFACE QUALITY GAN WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 - 特許庁

The electrodes of the GaN-based HFETs 10 are electrically connected to each other, and thus, the plurality of GaN-based HFETs work as an element.例文帳に追加

各ＧａＮ系HFET１０の電極同士を電気的に接続して、複数のＧａＮ系HFETが１素子として機能する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING AIN BUFFER LAYER, AND AlN BUFFER LAYER, AND METHOD OF FORMING GaN SINGLE CRYSTAL FILM AND GaN SINGLE CRYSTAL FILM例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層の作成方法、ＡｌＮバッファ層、ＧａＮ単結晶膜の作成方法およびＧａＮ単結晶膜 - 特許庁

GaN-BASED FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ系電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

GaN-BASED FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ系電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

HIGH SURFACE QUALITY GaN WAFER AND METHOD OF FABRICATING SAME例文帳に追加

高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 - 特許庁

A method for cleaning a GaN single crystal wafer comprises the steps of: cleaning a surface of the GaN single crystal wafer with an organic alkali-based cleaning liquid; and cleaning the surface of the GaN single crystal wafer with an organic solvent.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法において、ＧａＮ単結晶ウェハの表面を有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、有機溶剤で洗浄する方法である。 - 特許庁

Then, the GaN single crystal layer is epitaxially grown on the AiN foundation layer at a temperature of ≤1100°C.例文帳に追加

次いで、このAlN下地層上に、１１００℃以下の温度でGaN単結晶層をエピタキシャル成長させて形成する。 - 特許庁

GAN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF USING GAN ON SAPPHIRE THIN LAYER ON POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ半導体装置および多結晶炭化ケイ素基板上のサファイア薄層上のＧａＮを用いる方法 - 特許庁

Thereafter, a second n-type GaN layer 107, a multilayer quantum well layer 108 consisting of In_xGa_1-xN and GaN, a p-type GaN layer 109, and a p-type GaN contact layer 110 are sequentially grown epitaxially on the first n-type GaN layer 105 from the opening of the mask layer 106.例文帳に追加

次に第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に、マスク層１０６の開口部から第二のｎ型ＧａＮ層１０７、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮとＧａＮからなる多層量子井戸層１０８、ｐ型ＧａＮ層１０９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を順次エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To improve a light-emitting intensity of the blue color of light-emitting diode of a GaN compound semiconductor, and to stabilize the drive voltage.例文帳に追加

GaN 系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光強度を向上させること及び駆動電圧を安定させること。 - 特許庁

An end 14 inclining to a lower face of an n-type GaN layer 11 is formed in the n-type GaN layer 11, an active layer 12, and a p-type GaN layer 13 which form a GaN based light emitting diode 1.例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオード１を形成するｎ型ＧａＮ層１１、活性層１２およびｐ型ＧａＮ層１３にｎ型ＧａＮ層１１の下面に対して傾斜している端面１４を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the field-effect transistor 1 comprising a group III semiconductor includes laminating a p-type GaN layer 5 on an n-type GaN layer 4 and laminating an n-type GaN layer 6 on the p-type GaN layer 5.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタ１の製造において、ｎ型ＧａＮ層４上にｐ型ＧａＮ層５を積層し、ｐ型ＧａＮ層５上にｎ型ＧａＮ層６を積層する。 - 特許庁